1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，摩爾定律接近失效的邊緣。產(chǎn)業(yè)鏈上 IC 設(shè)計、晶圓制造、封裝測試各個環(huán)節(jié)的難度不斷加大，技術(shù)門檻也越來越高，資本投入越來越大。由單個企業(yè)覆蓋整個產(chǎn)業(yè)鏈工藝的難度顯著加大。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向?qū)I(yè)化、精細(xì)化分工發(fā)展是一個必然的大趨勢。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體成長放緩，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)生調(diào)整，產(chǎn)能在區(qū)域上重新分配。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)和不發(fā)達(dá)地區(qū)將會根據(jù)自身的優(yōu)勢在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中有不同側(cè)重地發(fā)展。封裝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移將持續(xù)，外包封裝測試行業(yè)的增速有望超越全行業(yè)。芯片設(shè)計行業(yè)的技術(shù)壁壘和晶圓制造行業(yè)的資金壁壘決定了，在現(xiàn)階段，封裝測試行業(yè)將是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)。在傳統(tǒng)封裝工藝中，黃金成本占比最高。目

2、前采用銅絲替代金絲是一個大的趨勢。用銅絲引線鍵合的芯片產(chǎn)品出貨占比的上升有助于提高封裝企業(yè)的盈利能力。半導(dǎo)體封裝的發(fā)展朝著小型化和多 I/O 化的大趨勢方向發(fā)展。具體的技術(shù)發(fā)展包括多I/O引腳封裝的 BGA 和小尺寸封裝的 CSP 等。WLSCP 和 TSV 等新技術(shù)有望推動給芯片封裝測試帶來革命性的進(jìn)步。中國本土的封裝測試企業(yè)各有特點(diǎn)：通富微電最直接享受全球產(chǎn)能轉(zhuǎn)移；長電科技在技術(shù)上穩(wěn)步發(fā)展、鞏固其行業(yè)龍頭地位；華天科技依托地域優(yōu)勢享受最高毛利率的同時通過投資實(shí)現(xiàn)技術(shù)的飛躍。中國本土給封裝企業(yè)做配套的上游企業(yè)，如康強(qiáng)電子和新華錦，都有望在封裝行業(yè)升級換代的過程中提升自己的行業(yè)地位。風(fēng)險提示：

3、全球領(lǐng)先的封裝測試企業(yè)在中國大陸直接投資，這將加大行業(yè)內(nèi)的競爭。同時用工成本的上升將直接影響半導(dǎo)體封裝企業(yè)的盈利能力。半導(dǎo)體封裝產(chǎn)能持續(xù)轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié)至關(guān)重要半導(dǎo)體芯片的大體制備流程包括芯片設(shè)計-圓晶制造-封裝測試。所謂半導(dǎo)體?封裝(Packaging)?,是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程的最后一道工序，是將集成電路用絕緣的材料打包的技術(shù)。封裝工藝主要有以下功能：功率分配(電源分配)、信號分配、散熱通道、隔離保護(hù)和機(jī)械支持等。封裝工藝對于芯片來說是必須的，也是至關(guān)重要的一個環(huán)節(jié)。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能的下降。另外，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。可以說

4、封裝是半導(dǎo)體集成電路與電路板的鏈接橋梁，封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身的性能和 PCB的設(shè)計與制造，產(chǎn)業(yè)分工精細(xì)化隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，？摩爾？定律持續(xù)地發(fā)酵，IC 芯片集成度以幾何級數(shù)上升，線寬大幅下降。以 INTELCPU 芯片為例，線寬已經(jīng)由 1978 年推出的 8086 的 3am 發(fā)展到 2010年推出 Corei7 的 45nm,對應(yīng)的晶體管集成度由 2.9 萬只發(fā)展到 7.8 億只。 產(chǎn)業(yè)鏈上 IC 設(shè)計、 晶圓制造、封裝測試各個環(huán)節(jié)的難度不斷加大，技術(shù)門檻也越來越高。同時隨著技術(shù)水平的飛升和規(guī)模的擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)對資本投入的要求也大幅提高。由單個企業(yè)做完覆蓋整個產(chǎn)業(yè)

5、鏈工藝的難度越來越大。在這樣的大環(huán)境下，產(chǎn)業(yè)鏈向?qū)I(yè)化、精細(xì)化分工發(fā)展是一個必然的大趨勢。目前全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈大致可以歸納為幾大類參與者：IDM 集成設(shè)備制造商；Fabless 芯片設(shè)計商；Foundries 晶圓制造商；Packaging(Assembly&Test)封裝測試商；以及 SemiEquipment&Materials 半導(dǎo)體設(shè)備和原料供應(yīng)商等。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的初期，大多數(shù)企業(yè)都覆蓋集成電路制造整個產(chǎn)業(yè)鏈的全部工序，從芯片設(shè)計到晶圓制造，到最后的封裝測試。這種企業(yè)就是所謂的集成設(shè)備制造商 IDM(IntegratedDeviceManufacturers)。目前全球前二十大半

6、導(dǎo)體廠商中，英特爾、三星、德州儀器、東芝等都是 IDMo在 2010 年全球前 20 的半導(dǎo)體企業(yè)，雖然 IDM 企業(yè)仍然占據(jù)行業(yè)的龍頭地位，但是一些專注于產(chǎn)業(yè)鏈中的單一環(huán)節(jié)的企業(yè)的地位已經(jīng)顯著提升。例如在前 20 位企業(yè)中出現(xiàn)了專注于晶圓制造的臺積電 TSMC 和專注于芯片設(shè)計的 Qualcomm、Broadcom、MediaTek 等公司。中國半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)長期看好全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速放緩2009 年由于全球金融危機(jī)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)滑入低谷，全球銷售額 2263 億美元。2010 年半導(dǎo)體市場狀況非常良好，呈現(xiàn)非常強(qiáng)勁的成長。根據(jù) SIA 的最新報告，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售增長 31.8%

7、,市場達(dá)到 2983 億美元。SIA 預(yù)測全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將由 10 年的快速暴發(fā)恢復(fù)到平穩(wěn)成長，銷售額在 2011 年增長 6.0%,市場達(dá)到3187 億美元，2012 年增長 3.4%,市場達(dá)到 3297 億美元。中長期來看，我們預(yù)計全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長放緩。從技術(shù)層面來說，由于摩爾定律接近極限，半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展出現(xiàn)了一些瓶頸，集成度再按照幾何級數(shù)來發(fā)展越來越困難。從市場層面來分析：首先，目前電子產(chǎn)品中適合使用集成電路的部件已經(jīng)基本都采用了各種各樣的芯片，而一些傳統(tǒng)元器件，如被動元件，不太可能大規(guī)模地采用集成電路技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的。現(xiàn)在電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體所占比重上升非常緩慢，集成電路在電子產(chǎn)品中的應(yīng)

8、用率已經(jīng)達(dá)到 S 曲線上端的成熟期。另一個重要原因是半導(dǎo)體產(chǎn)品的平均價格持續(xù)下跌。而且當(dāng)半導(dǎo)體產(chǎn)品逐漸從企業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到消費(fèi)類產(chǎn)品后，由于普通消費(fèi)者對價格的敏感度較高，半導(dǎo)體產(chǎn)品的價格下跌幅度會更快一些。最后一個因素就是產(chǎn)能轉(zhuǎn)移。由于越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)品的業(yè)務(wù)由發(fā)達(dá)地區(qū)向發(fā)展中地區(qū)遷徙，也加速了價格的下跌。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體成長放緩的大趨勢下伴隨的是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整和產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能在區(qū)域上的重新分配。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)和不發(fā)達(dá)地區(qū)將會根據(jù)自身的優(yōu)勢在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中有不同側(cè)重地發(fā)展。封裝產(chǎn)能持續(xù)轉(zhuǎn)移傳統(tǒng)的 IDM 廠商面對于半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的發(fā)展步伐和對資本需求的膨脹，自身也更傾向消減業(yè)務(wù)覆蓋面

9、而集中于自己最具有核心優(yōu)勢的環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)而向那些針對其上游或者下游環(huán)節(jié)的企業(yè)進(jìn)行合作甚至扶持。最典型的例子就是全球第二大 CPU 制造商 AMD 在 2009 年剝離其制造業(yè)務(wù)，與中東的石油資本合作成立圓晶制造代工企業(yè) Globalfoundreis,并收購新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered),成為全球第三大圓晶制造代工企業(yè)。INTEL 在產(chǎn)能轉(zhuǎn)移上也不甘落后。目前 INTEL 在全球擁有 15 個芯片制造廠，其中 9 個是晶圓制造廠，6 個為封裝測試廠。由于技術(shù)限制出口的原因，INTEL 仍然將主要的晶圓廠保留在美國本土，但是 INTEL 已經(jīng)將全部的封裝測試廠建造了美國本土以外，其中 5 個

10、在亞洲。日本和歐洲半導(dǎo)體企業(yè)在產(chǎn)能轉(zhuǎn)移上也不輸給他們的北美對手。日本企業(yè)富士通自 1997 年在中國成立合資企業(yè)從事封裝業(yè)務(wù)以來，就不斷轉(zhuǎn)移其半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)。到目前為止已經(jīng)關(guān)閉其位于日本本土的三座封裝廠之一，并計劃未來將其全部日本本土封裝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到中國。東芝半導(dǎo)體在 2010 年關(guān)閉日本本土封裝廠，目前晶圓制造外包給臺積電和三星，封裝外包給中國大陸和臺灣企業(yè)，外包比率已經(jīng)達(dá)到了80%o 而且飛思卡爾、賽意法等全球的知名半導(dǎo)體企業(yè)都已經(jīng)在中國設(shè)立了芯片封裝測試基地。根據(jù)調(diào)查機(jī)構(gòu) Gartner2010 年 3 月的預(yù)測，2009 年全球半導(dǎo)體封裝測試市場萎縮 16.4%,市場規(guī)模達(dá)到 380 億

11、美元。其中外包代工封裝市場達(dá)到 172 億美元，占比 45.2%。隨著 2010 年全球經(jīng)濟(jì)的恢復(fù)，Gartner 預(yù)計半導(dǎo)體封裝市場將強(qiáng)勁反彈 17.7%,市場規(guī)模達(dá)到 448 億美元，而外包代工封裝市場將達(dá)到 217 億美元，增幅 26.2%。預(yù)計在 2010-2014 年，半導(dǎo)體封裝市場將增長到 591 億美元，而其中外包代工市場的增速持續(xù)高于全行業(yè)，占比保持上升趨勢，有望在 2011、2012年超過 IDM 封裝市場。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在吸取了 2000 年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破滅的教訓(xùn)后，已經(jīng)改變了肆意投資的策略，謹(jǐn)慎控制產(chǎn)能，積極改善財務(wù)結(jié)構(gòu)，低負(fù)債經(jīng)營成為業(yè)界共識。除此之外，IDM 大廠外包的

12、進(jìn)程加快，為封裝產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造出更多的機(jī)會。總體上來看，整個產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個？質(zhì)變？的過程，特征為企業(yè)輕資產(chǎn)經(jīng)營、IDM 加快外包、市場轉(zhuǎn)向中國大陸等發(fā)展中地區(qū)。在未來幾年年，封裝產(chǎn)業(yè)成長超過有望超過整個半導(dǎo)體以及晶圓代工產(chǎn)業(yè)。我們預(yù)計半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)類精細(xì)分工和產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的大趨勢仍讓將延續(xù)，而國內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)有望把握這一趨勢而迎來一輪新的發(fā)展。封裝是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重心政策大力扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體來看，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相對落后于美國、日本、韓國和臺灣等地區(qū)。具體的表征有：第一，從業(yè)企業(yè)少；第二，產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋不全；第三，技術(shù)依賴進(jìn)口，相對落后。針對產(chǎn)業(yè)落后的現(xiàn)狀，國家也加大了政策的扶持力度。基于集成電路對于國民經(jīng)濟(jì)和

13、國家安全的高度重要性，中國政府對集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給予了一貫的高度關(guān)注，并先后采取了多項(xiàng)優(yōu)惠措施。2000 年 6 月形成的鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策（老 18 號文）和后續(xù)的實(shí)施細(xì)則對芯片企業(yè)實(shí)施了稅收優(yōu)惠。2008 年 1 月，財政部和國家稅務(wù)總局發(fā)布了關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu)惠政策的通知，對集成電路企業(yè)所享受的所得稅優(yōu)惠政策進(jìn)一步給予明確。2009 年 2 月通過的電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃中，更是將建立自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系祚為未來國內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大重點(diǎn)任務(wù)之一，并在五大發(fā)展舉措中明確提出做大投入，集中力量實(shí)施集成電路升級U2011 年關(guān)于進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)

14、業(yè)發(fā)展的若干政策（新 18 號文件）也順利出臺。在財稅政策方面，？新 18 號文？的相關(guān)優(yōu)惠政策有 9 條之多，比 18 號文多出 4 條。除繼續(xù)執(zhí)行原？18 號文件？確定的軟件增值稅優(yōu)惠政策外，其它稅收優(yōu)惠也得到進(jìn)一步強(qiáng)化和完善在加緊制定當(dāng)中。新政較原文件又一差異，主要還增加了投融資支持等元素，首次提出了從稅收和資金方面全力促進(jìn)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢企業(yè)發(fā)展壯大和兼并重組，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)資源整合。這將有助于行業(yè)集中度的進(jìn)一步提升。除此之外，在國家確立的十六個科級重大專項(xiàng)中，有兩個都和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)密切相關(guān)。其中核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品（核高基）重大專項(xiàng)的主要目標(biāo)是：在芯片、軟件和

15、電子器件領(lǐng)域，追趕國際技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，攻克高端通用芯片、基礎(chǔ)軟件和核心電子器件的關(guān)鍵技術(shù)。而？極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專項(xiàng)？（02 專項(xiàng)）則是專門針對提高我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)的整體水平，攻克極大規(guī)模集成電路制造核心技術(shù)。根據(jù)國家發(fā)展規(guī)劃和戰(zhàn)略，預(yù)期未來國家還將出臺更多針對集成電路產(chǎn)業(yè)的優(yōu)惠，這將有力地推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)的健康穩(wěn)步發(fā)展。芯片設(shè)計技術(shù)投入大，壁壘高我們仔細(xì)分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游各個工藝，各個環(huán)節(jié)之間的行業(yè)特征越來越明顯，差異越來越大。首先看輕資產(chǎn)的芯片設(shè)計(Fabless)業(yè)務(wù)，這是一個高度技術(shù)密集的產(chǎn)業(yè)。歐美、日本企業(yè)經(jīng)過幾十年的技術(shù)積累，現(xiàn)在已經(jīng)基本把芯片設(shè)計

16、的核心技術(shù)掌握在手中，并且建立了壟斷的態(tài)勢。芯片設(shè)計企業(yè)需要對研發(fā)投入大量的資金。由下圖所示的研發(fā)費(fèi)用的占比我們可以看出，以高通 Qualcomm 為代表的芯片設(shè)計企業(yè)需要對研發(fā)保持高度的資金投入，臺積電 TSMC 所代表的圓晶制造企業(yè)和日月光 ASE 代表的封裝測試行業(yè)對研發(fā)資金的投入遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于設(shè)計行業(yè)，而又以封裝測試行業(yè)的技術(shù)投入需求最低。晶圓制造資金投入大，難切入再來看晶圓制造(Foundry)業(yè)務(wù)，這是一個資本和技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)，但以資本密集為主。晶圓廠的關(guān)鍵設(shè)備-光刻機(jī)的價格在千萬美元到億美金級別，一個圓晶工廠的投資現(xiàn)在是以十億美金的規(guī)模來計劃。同時，從技術(shù)的角度來看，未來摩爾定律持續(xù)推進(jìn)

17、的難度日益增加，研發(fā)費(fèi)用也必然逐步上升。以臺積電 TSMC 為例，在過去五年研發(fā)人員擴(kuò)充三倍，同一期間研發(fā)支出增加兩倍強(qiáng)。其最重要的原因就是摩爾定律接近極限而導(dǎo)致的技術(shù)開發(fā)難度加大。摩爾定律預(yù)測半導(dǎo)體的集成度每 18 個月就翻番。回顧歷史，摩爾定律是正確的，集成電路的線寬已經(jīng)微米級別發(fā)展到納米級別。同時晶圓制造技術(shù)的升級換代也加快，從微米級別加速進(jìn)步到納米級別，從 90nm 至 ij65nm 到目前 CPU 普遍采用的45nm 技術(shù)的更新時間間隔縮短，目前已經(jīng)在開展 20nm 級別的制程研究中。但是現(xiàn)在，光學(xué)顯影的方法已經(jīng)發(fā)展到了極限，很難再進(jìn)一步縮減晶片尺寸。未來，將需要轉(zhuǎn)換到非光學(xué)顯影的方

18、法，這意味著更高的成本。根據(jù) InternationalBusinessStrategies(IBS)公司的分析，隨著摩爾定律的發(fā)展，芯片集成度的提高和線寬的減小，全球晶圓企業(yè)中能夠提供相應(yīng)技術(shù)的公司數(shù)目由0.13um 技術(shù)時代的 15 家萎縮到 45 納米技術(shù)時代的 9 家。舊 S 預(yù)計在 32 納米和 22 納米時代將分別只剩下 5 家和 3 家公司能提供相應(yīng)技術(shù)的圓晶制造服務(wù)。？馬太效應(yīng)？將在晶圓制造產(chǎn)業(yè)顯著體現(xiàn)。封裝測試行業(yè)最適合中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最后再來看芯片封裝(Package)行業(yè)，這是一個技術(shù)和勞動力密集產(chǎn)業(yè)，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中是勞動力最密集的。我們參考臺灣本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的聯(lián)

19、發(fā)科、臺積電、日月光和矽品的人均創(chuàng)造營收指標(biāo)，可以看出，專注于技術(shù)的 IC 設(shè)計行業(yè)人均創(chuàng)造營收大約是圓晶制造行業(yè)的 3 倍左右，大約是封測行業(yè)的 10 倍左右。技術(shù)和資本密集的晶圓制造環(huán)節(jié)人均創(chuàng)造營收大約為芯片封裝環(huán)節(jié)人均創(chuàng)造營收的 3 倍左右。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這兩個中下游的環(huán)節(jié)在人力成本上具有顯著區(qū)別。考慮到中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的綜合水平，我們認(rèn)為半導(dǎo)體封裝測試環(huán)節(jié)是最適合中國企業(yè)切入全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的。基本邏輯也很明確，芯片設(shè)計領(lǐng)域技術(shù)壁壘很高，中國目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)薄弱的技術(shù)儲備不具備實(shí)力去直接搶奪國際大廠商的市場，中國芯片設(shè)計企業(yè)還只能在一些小行業(yè)里從事一些比較初級的開發(fā)作業(yè)，不具備國際競爭的實(shí)力。

20、而在晶園制造行業(yè)，一方面技術(shù)更新?lián)Q代進(jìn)程加快，另一方面對資金、技術(shù)的要求較高，風(fēng)險較大，行業(yè)的？馬太效應(yīng)？明顯，目前新企業(yè)進(jìn)入園晶制造行業(yè)的難度不斷增大。半導(dǎo)體封裝行業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈三層結(jié)構(gòu)中技術(shù)要求要求最低，同時也是勞動力最密集的一個領(lǐng)域，最適合中國企業(yè)借助于相對較低的勞動力優(yōu)勢去切入的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的。半導(dǎo)體封裝測試是全球半導(dǎo)體企業(yè)最早向中國轉(zhuǎn)移的產(chǎn)業(yè)。近幾年來，中國封裝測試企業(yè)快速成長，國外半導(dǎo)體公司也向中國大舉轉(zhuǎn)移封裝測試產(chǎn)能，封測業(yè)務(wù)外包已成為國際 IC 大廠的必然選擇，從2007 年至今已有 10 多家 IDM 企業(yè)的封測工廠關(guān)閉，中國的半導(dǎo)體封裝測試行業(yè)充滿生機(jī)。封裝測試行業(yè)已成為

21、中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主體，占據(jù)著半壁江山，而且在技術(shù)上也開始向國際先進(jìn)水平靠攏。全球封測產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移加速，中國封測業(yè)市場繼續(xù)呈增長趨勢，半導(dǎo)體封測業(yè)面臨著良好的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2010 年上半年中國集成電路產(chǎn)量為 302.5 億塊，行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入 666 億元，與 2009 年上半年同期增長 45.1%。其中芯片設(shè)計業(yè)銷售規(guī)模達(dá)到128.47 億元，同比增速 9.8%;芯片制造業(yè)銷售收入為 209.21 億元，同比增長 51%,而封裝測試也銷售收入規(guī)模為 328.35 億元，同比增長 61.4%。根據(jù)協(xié)會初步統(tǒng)計，2010 年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為 1424 億元，其

22、中芯片設(shè)計業(yè)銷售 383 億元，芯片制造業(yè)銷售 409 億元，封裝測試行業(yè)銷售額為 632 億元。封裝測試環(huán)節(jié)是我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中相對成熟的環(huán)節(jié)， 其產(chǎn)值一度占據(jù)我國集成電路產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的 70%o?近年來，由于我國集成電路設(shè)計和芯片制造業(yè)的快速發(fā)展，封測業(yè)所占比例有所下降，但仍然占據(jù)我國集成電路產(chǎn)業(yè)的半壁江山。隨著摩爾定律日益接近其物理極限，業(yè)界越來越深刻地認(rèn)識到，在后摩爾定律時代，封測產(chǎn)業(yè)將挑起技術(shù)進(jìn)步的大梁。？反觀臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值分布是以晶圓制造為重，芯片設(shè)計和封裝測試并列的局面。我們預(yù)測未來全球的半導(dǎo)體行業(yè)在將呈現(xiàn)很明顯的區(qū)域特征。歐美和日本的格局是芯片設(shè)計晶圓制造封裝測試，臺灣的

23、格局是晶圓制造芯片設(shè)計封裝測試，而中國的格局是封裝測試芯片設(shè)計晶圓制造。半導(dǎo)體封裝技術(shù)淺析根據(jù)集成電路的不同需求，可以采取不同的封裝形式。目前在市面上存在多種廣泛使用的封裝形式。而且這個封裝模式本身也在隨著技術(shù)的發(fā)展而逐漸演進(jìn)。芯片封裝技術(shù)已經(jīng)歷經(jīng)了好幾代的變遷，代表性的技術(shù)指標(biāo)飛速發(fā)展，包括芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數(shù)目增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高等等。這些變化的最根本因素來自于市場需求。從 80 年代中后期開始，電子產(chǎn)品正朝便攜式和小型化、網(wǎng)絡(luò)化和多媒體化發(fā)展，這種市場需求對電路組裝技術(shù)提出了相應(yīng)的要求：單位體積信息的提高和單

24、位時間信息的提高。為了滿足這些要求，勢必要提高電路組裝的功能密度，這就成為了促進(jìn)芯片封裝技術(shù)發(fā)展的最重要因素。從封裝技術(shù)的發(fā)展歷程看，半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展包括 5 個發(fā)展階段，沿 3 個趨勢發(fā)展：尺寸縮小、功能轉(zhuǎn)換與性能提高、技術(shù)融合。最早出現(xiàn)的封裝型態(tài) DIP 正在快速萎縮，目前，全球半導(dǎo)體封裝的主流技術(shù)正處在第三階段的成熟期，以 CSP 和 BGA等主要封裝形式進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，同時也在向第四、第五階段發(fā)展。未來的封裝技術(shù)發(fā)展方向包含以下的一些方式：圓晶級封裝(WLCSP),覆晶封裝(FlipChip)，系統(tǒng)封裝(SiP),硅穿孔(Through-Silicon-Via),射頻模組(RFMod

25、ule),Bumping 技術(shù)的印刷(Printing)和電鍍(Plating)等。目前，發(fā)達(dá)國家在技術(shù)水平上占有優(yōu)勢，國際集成電路封裝技術(shù)以 BGA、CSP為主流技術(shù)路線，而中國本土封測廠商產(chǎn)品以中、低端為主，封裝形式以 DIP、SOP、QFP 為主，并在向 BGA、CSP 發(fā)展的道路中。提升內(nèi)地集成電路企業(yè)的實(shí)力，促進(jìn)其技術(shù)升級是做強(qiáng)內(nèi)地集成電路企業(yè)的必由之路。封裝形式演進(jìn)帶來工藝流程變革半導(dǎo)體芯片的封裝針對不同的封轉(zhuǎn)方式在工藝流程設(shè)計上略有不同，現(xiàn)在普遍采用的 DIP、SOP 等封裝都沿用下圖所示的一個工藝流程，主要的工藝包含：貼膜-打磨-去膜-切割-粘貼-鍵合-壓膜-烘焙-電鍍-印字-

26、引腳成型。現(xiàn)在一些新的封裝形式，如 BGA 和 CSP 系列，所采用的工藝流程、具體操作和上圖有所不同。而且隨著封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，整個工藝流程以及在某些環(huán)節(jié)都出現(xiàn)了一些變化。鍵合材料之銅代替金封裝模式在發(fā)展，封裝所用的材料也在進(jìn)步。在半導(dǎo)體封裝工藝過程中較為關(guān)鍵的一個步驟就是引線鍵合工藝，也就是把芯片電極面朝上粘貼在封裝基座上，用金屬絲將芯片電極（Pad）與引線框架上對應(yīng)的電極（Lead）通過焊接的方法連接的過程。引線鍵合的目的是把半導(dǎo)體芯片和外部封裝框架電氣導(dǎo)通，以確保電信號傳遞的暢通。鍵合的焊接方式有熱壓焊、超聲焊和金絲球焊三種。其中最具代筆性的是金絲球焊。其主要的流程是將底座加熱到 3

27、00 攝氏度，把金絲穿過陶瓷或者紅寶石劈刀中毛細(xì)管，用氫氣火焰將金絲端頭燒成球后再用劈刀將金絲球壓在電極上實(shí)現(xiàn)焊接鍵合。金屬導(dǎo)線材料的選擇會影響到焊接質(zhì)量、器材可靠性等方面。理想的材料應(yīng)該達(dá)到下面的性能要求：可與半導(dǎo)體材料形成良好的接觸，化學(xué)性能穩(wěn)定，與半導(dǎo)體材料間有很強(qiáng)的結(jié)合力，導(dǎo)電性能良好，容易焊接，在鍵合過程中可以保持一定的形狀。黃金作為一種金屬，它化學(xué)性能穩(wěn)定，導(dǎo)電性能好，延展性能優(yōu)異，容易加工成絲，因此成為鍵合的首選材料。由于其優(yōu)異的性能，目前半導(dǎo)體封裝行業(yè)大多是采用金線鍵合但是由于黃金作為貴重金屬，具有明顯的稀缺性，價格昂貴，導(dǎo)致封裝成本高。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，銅絲價格低廉，機(jī)械、

28、電子、熱學(xué)性能優(yōu)異，因此被認(rèn)為是金絲最好的替代品。與金絲鍵合工藝相比，采用銅絲鍵合在工藝上存在幾個主要的問題。首先是銅絲容易氧化，氧化后焊接難度大；第二是銅絲硬度高，在鍵合過程中容易對芯片形成損傷；第三是形球過程中銅球表面容易形成銅氧化物；最后在封裝后銅絲容易受到塑封材料中鹵化物的腐蝕。隨著世界黃金價格的不斷上漲，以及對銅絲物理、化學(xué)特性的實(shí)驗(yàn)改進(jìn)，在高密度封裝要求以及半導(dǎo)體制造業(yè)成本的多重壓力之下，銅絲鍵合工藝面臨新的機(jī)遇。銅絲成本不到金絲成本的 30%,這是絕對優(yōu)勢，也是推動工藝不斷進(jìn)步的最大動力。銅絲鍵合是目前半導(dǎo)體行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展的一項(xiàng)新焊接技術(shù)，許多世界級半導(dǎo)體企業(yè)紛紛投入開發(fā)這種工藝。

29、根據(jù) 2010 年 1 月 SEMI 公布的銅引線鍵合的調(diào)查，有 41%的半導(dǎo)體廠商使用銅引線鍵合。在銅引線鍵合的購買比例中，臺灣占到全球的 39%,菲律賓占到全球的18%,日本占 3%。銅引線鍵合的先行者一臺灣日月光 ASE 表示，邛用銅引線鍵合的封裝供貨量截至 2010 年 9 月累計達(dá)到了 10 億個，實(shí)現(xiàn)了不亞于金線的質(zhì)量 U 另外，臺灣日月光集團(tuán)預(yù)計 2010 年底的累計供貨量將達(dá)到 20 億個，2010 年底之前將購買 4000 臺銅引線鍵合裝輅。從日月光 ASE2010 年第一季、第二季的財報上就可以明顯看出銅引線鍵合所帶來的毛利率提升效應(yīng)，第二季單季獲利大增 36%,表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)

30、期。日月光 ASE 預(yù)計在 2010 年，銅引線鍵合芯片的出貨量將超過傳統(tǒng)的金絲鍵合芯片。在封裝行業(yè)內(nèi)，對于在采用銅引線鍵合技術(shù)較為領(lǐng)先的企業(yè)，在二級市場估值上往往享受一定的溢價。參照同在臺灣市場的日月光 ASE 和矽品 SPIL,我們可以發(fā)現(xiàn)市場對日月光 ASE 的認(rèn)可度好于矽品 SPIL,給予日月光 ASE 一定的估值優(yōu)惠。我們理解這是市場對于日月光 ASE 在銅引線鍵合技術(shù)方面的領(lǐng)先的一種肯定。高密度、多引腳- -BGABGA隨著電子產(chǎn)品向便攜式、小型化、網(wǎng)絡(luò)化和多媒體化方向的迅速發(fā)展，對電子組裝技術(shù)提出了更高的要求，新的高密度組裝技術(shù)不斷涌現(xiàn)，其中球柵陣列封裝 BGA(BallGrid

31、Array)就是一項(xiàng)已經(jīng)進(jìn)入實(shí)用化階段的高密度組裝技術(shù)，現(xiàn)在很多新產(chǎn)品設(shè)計時大量地應(yīng)用這種器件。根據(jù) ICInsight 的統(tǒng)計，2005 年全球采用 BGA 和 CSP 封裝的芯片出貨大約為200 億顆，約占 17%,而 ICInsight 預(yù)計這一數(shù)字在 2010 年將達(dá)到 700 億顆，占比達(dá)到 39%。BGA 技術(shù)的研究始于 20 世紀(jì) 60 年代，最早被美國舊 M 公司采用。在 20 世紀(jì)80 年代，人們對電子電路小型化和 I/O 引線數(shù)提出了較高的要求。為了適應(yīng)這一需求，QFP 的引腳間距目前已從 1.27mm 發(fā)展到了 0.3mm。由于引腳間距不斷縮小，I/O 引線數(shù)不斷增加，封

32、裝體積也不斷加大，給電路組裝生產(chǎn)帶來了許多困難，導(dǎo)致成品率下降和組裝成本的提高。另一方面由于受器件引腳框架加工精度等制造技術(shù)的限制，0.3mm 已是 QFP 引腳間距的極限，這都限制了組裝密度的提高。當(dāng)集成電路的引腳數(shù)目超過 208 時，傳統(tǒng)的封裝方式有一定困難度。而且，當(dāng)集成電路的頻率超過100MHz 時，傳統(tǒng)的封裝形式可能會產(chǎn)生相互干擾的現(xiàn)象。BGA 的 I/O 端子以圓形或柱形焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，引線間距大，引線長度短，這樣 BGA 消除了精細(xì)間距器件中由于引線而引起的翹曲的問題。BGA 技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是可增加 I/O 數(shù)和間距，消除 QFP 技術(shù)的高 I/0 端口數(shù)帶來的生產(chǎn)成本

33、和可靠性問題。BGA 技術(shù)的出現(xiàn)是 IC 器件從四邊引線封裝到陣列焊點(diǎn)封裝的一大進(jìn)步， 它實(shí)現(xiàn)了器件更小、 引線更多，以及優(yōu)良的電性能， 另外還有一些超過常規(guī)組裝技術(shù)的性能優(yōu)勢。 這些性能優(yōu)勢包括高密度的 I/O 接口、良好的熱耗散性能，以及能夠使小型元器件具有較高的時鐘頻率。目前 BGA 封裝形式已經(jīng)成為大規(guī)模集成電路設(shè)計的主流選擇。從多個封裝企業(yè)的數(shù)據(jù)來看，BGA 類產(chǎn)品出貨占比飛速上升。BGA 封裝與 DIP、SOP 以及 QFP 等封裝的不同不僅僅是在引線外觀上面，而更多的是在從芯片設(shè)計、制造到封裝的整個完整制程中。BGA 封裝不僅工藝流程不同于上述的傳統(tǒng)形式，在材料上也大不相同。目前

34、 BGA 的封裝形式有兩種實(shí)現(xiàn)方式，一種是仍然采用金屬引線鍵合工藝，但是沒有引線框架，而是采用 IC 基板(Substrate)來代替引線框架； 另一種是采用倒輅芯片工藝(FlipChip),在芯片上采用凸點(diǎn)工藝(Bumping)而直接跳過了金屬引線鍵合步驟。BGA 封裝形式帶來的改變之一： 就是采用 IC 基板(ICSubstrate)替代引線框架(LeadFrame)。 除了 BGA和 CSP 之外的其它封裝形式幾乎都是采用引線框架。引線框架封裝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，應(yīng)用范圍也很廣泛，主要是用于引線鍵合互連的芯片。引線框架是芯片散熱、導(dǎo)電的途徑，也是芯片的機(jī)械物理支撐。BGA 封裝形式所采用的

35、 IC 基板實(shí)現(xiàn)和引線框架相同的功能，主要用以承載 IC,內(nèi)部布有線路用以導(dǎo)通芯片與電路板之間訊號，除了承載的功能之外，IC 基板尚有保護(hù)電路、專線、設(shè)計散熱途徑、建立零組件模塊化標(biāo)準(zhǔn)等附加功能。IC 基板制造流程與 PCB 產(chǎn)品相近，但精密度大幅提升，且在材料設(shè)計、設(shè)備選用、后段制程與 PCB 則有差異。IC基板成為 BGA 封裝中關(guān)鍵零組件，成本占比較高。BT 樹脂是 BGA 封裝中應(yīng)用最廣的基板。在全球最主要的芯片封裝企業(yè)中，采用 IC 基板的產(chǎn)品銷售已經(jīng)占到絕大部分的市場份額。BGA 封裝形式帶來的改變之二：信號引出形狀由傳統(tǒng)的插針式或者壓腳式變成球體式。業(yè)內(nèi)一般將滿足 BGA、CSP

36、 封裝要求的錫球統(tǒng)稱為 BGA 錫球，其中 BGA封裝要求錫球球徑介于 0.30-0.76mm 之間，平均每平方英寸約植 200-500 顆錫球；CSP 封裝要求的錫球球徑介于 0.15-0.50mm 之間，平均每平方英寸約植 300-500顆。配合線路的密集型逐漸提升，錫球的粒徑呈現(xiàn)逐步縮小的趨勢。根據(jù)日本富士總研所統(tǒng)計，2004年全球錫球市場規(guī)模約 9609 億粒/月(BGA+CSP 錫球)，較 1999 年的 2309 億粒/月，復(fù)合增長率達(dá)33%。如果按照平均每個 BGA 或 CSP 芯片 250-300 個引腳的話，我們預(yù)計目前全球錫球市場規(guī)模已達(dá)到大約 185-21 萬億粒/年。從

37、整個中國半導(dǎo)體封裝材料市場來看，未來幾年引線框架的市場成長已經(jīng)放緩，發(fā)展的重心主要是在 IC 基板、鍵合金屬絲以及其它封裝材料上。小型化-芯片級封裝 CSPCSPBGA 的興起和發(fā)展盡管解決了 QFP 面臨的困難，但它仍然不能滿足電子產(chǎn)品向更加小型、更多功能、更高可靠性對電路組件的要求，也不能滿足半導(dǎo)體集成技術(shù)發(fā)展對進(jìn)一步提高封裝效率和進(jìn)一步接近芯片本征傳輸速率的要求，所以更新的封裝形式-芯片級封裝CSP(ChipScale/SizePackage)出現(xiàn)了。目前，芯片級封裝并沒有確切的定義。日本電子工業(yè)協(xié)會對 CSP 規(guī)定是芯片面積與封裝尺寸面積之比大于 80%o日本松下電子工業(yè)公司將封裝每邊

38、的寬度比其芯片大 1.0 毫米以內(nèi)的產(chǎn)品稱為 CSPoCSP 是目前體積最小的封裝之一。如果按照日本電工協(xié)會的定義，CSP 的封裝效率可以達(dá)到 1:1.14,也就是說 CSP 可以實(shí)現(xiàn)芯片面積與最后的封裝面積大致等同。CSP 所用錫球直徑和球中心距縮小了、更薄了，這樣在相同封裝尺寸時可有更多的 I/0 數(shù)，使組裝密度進(jìn)一步提高。引腳數(shù)相同封裝，CSP 的面積不到 QFP 的十分之一，只有 BGA 的三分之一。與 BGA 相比，同等空間下 CSP 封裝可以將存儲容量提高三倍。同時CSP 在相同尺寸的各類封裝中，可容納的引腳數(shù)最多。采用 CSP 封裝技術(shù)的內(nèi)存不但體積小，同時也薄，其金屬基板到散熱

39、體的最有效散熱路徑僅有0.2 毫米，大大提高了內(nèi)存芯片在長時間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。CSP 封裝內(nèi)存芯片的存取時間比 BGA 封裝內(nèi)存改善15-20%,同時抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升。WLPWLP 改變傳統(tǒng)封裝流程晶圓級封裝WLP(WaferLevelPackage)是 CSP 的一種實(shí)現(xiàn)方式，也被稱為晶圓級芯片封裝WLCSP(WaferLevelChipScalePackaging)。不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測)，WLCSP 技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后才切割成一個個的 IC 顆粒，因此封裝后的體積即等同 IC 裸晶的原

40、尺寸。WLCSP 的封裝方式，不僅明顯地縮小芯片模塊尺寸，而符合便攜式移動設(shè)備對于內(nèi)部設(shè)計空間的高密度需求；另一方面在效能的表現(xiàn)上，更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。未來的封裝-多系統(tǒng)集成雖然最新出現(xiàn)的 CSP 技術(shù)已經(jīng)讓裸芯片尺寸與封裝尺寸基本相近，這樣在相同封裝尺寸時可有更多的 I/0 引腳數(shù)，也使電路組裝密度大幅度提高，但是人們在應(yīng)用中也發(fā)現(xiàn)，無論采用何種封裝技術(shù)，在封裝后裸芯片的性能總是比未封裝的要差一些。 于是人們提出了多芯片組件 MCM(MultiChipModule)概念。 MCM把幾塊 IC 芯片或CSP 組裝在一塊電路板上，構(gòu)成功能電總板，就是多芯片組件。MCM 的出現(xiàn)使電子系

41、統(tǒng)實(shí)現(xiàn)小型化、模塊化、低功耗、高可靠性提供了更有效的技術(shù)保障。多芯片集成在 MCM 技術(shù)之后的后續(xù)者就是 SIP(SysteminaPackage)。SIP 是指把構(gòu)成一個完成電子系統(tǒng)的多個芯片封裝在一起的技術(shù)，例如將移動終端中的存儲器、接口電路、甚至處理器都封裝在一個芯片內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)電子設(shè)計的小型化。雖然有人認(rèn)為 SIP和 MCM 是同一個技術(shù)，但是大多數(shù)認(rèn)為 SIP 在封裝技術(shù)上更先進(jìn)，而把 SIP 區(qū)別開 MCM。例如，MCM 中芯片是放輅在同一層面上 IC 基板上，而 SIP中芯片可以根據(jù)一定的配輅堆疊放輅。SIP 封裝技術(shù)使設(shè)備提供商把 MCU、DRAM、FLASH、ASIC 和 DS

42、P,甚至被動元件壓縮進(jìn)一個單一封裝中，可以大大地減小系統(tǒng)的尺寸，也極大地縮短了產(chǎn)品的發(fā)布時間和周期，安裝和測試也相應(yīng)地簡化了。采用 SIP 封裝的集成電路，對印刷電路板的要求也降低了，因?yàn)閺?fù)雜的系統(tǒng)連線在芯片內(nèi)部已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了。由于要實(shí)現(xiàn)水平和垂直方向芯片的安裝和連接，SIP 封裝技術(shù)的難度是相當(dāng)大的。一般把封裝過程中將多個芯片層疊放輅并且互相連接。SIP 由于大量使用堆疊技術(shù)也被稱為 3D 封裝技術(shù)。從技術(shù)難度和應(yīng)用速度來看，3D 封裝技術(shù)在未來 10 年內(nèi)將成為封裝技術(shù)的突破點(diǎn)和主流路徑。3DSIP3DSIP 關(guān)鍵- -TSVTSV 技術(shù)硅通孔 TSV(Through-SiliconVia)技

43、術(shù)是半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)邁向 3D-SiP 時代的關(guān)鍵技術(shù)。盡管 3D 封裝可以通過引線鍵合、倒裝(FlipChip,FC)凸點(diǎn)等各種芯片通路鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)，但 TSV 技術(shù)是潛在集成度最高、芯片面積/封裝面積比最小、封裝結(jié)構(gòu)和效果最符合 SiP 封裝要求、應(yīng)用前景最廣的 3D 封裝技術(shù)，被譽(yù)為是繼引線鍵合、TAB、FC 之后的第四代圭 d裝技術(shù)，TSV 也被稱為終極三維互聯(lián)技術(shù)。TSV技術(shù)本質(zhì)上并不是一種封裝技術(shù)方案，而只是一種重要的工具，它允許半導(dǎo)體裸片和晶圓以較高的密度互連在一起。基于這個原因，TSV在大型IC封裝領(lǐng)域中是一個重要的步驟。TSV 工藝將傳統(tǒng)的芯片之間引線連接的方式徹底改變，通

44、過在芯片晶圓上開鑿微型導(dǎo)孔來實(shí)現(xiàn)上下的導(dǎo)通。采用 TSV 工藝后，封裝流程就放棄了金屬引線鍵合工藝，而增加了蝕刻和鉆孔等步驟。TSV 技術(shù)一般和WLCSP 相結(jié)合，工藝流程上可以先鉆孔和后鉆孔。其具體的流程基本包含以下：貼膜打磨蝕刻絕緣層處理鉆孔濺鍍貼裝切割。德州儀器(TI)的研究人員認(rèn)為，WLCSP 正在向標(biāo)準(zhǔn)化的封裝結(jié)構(gòu)發(fā)展。WLCSP可以包含 WLCSPIC、MEMSIC 和無源器件的組合，并且這些器件通過硅通孔(TSV)技術(shù)互連。下圖所展示的就是一個基于 TSV 的晶圓級封裝芯片結(jié)構(gòu)，通過 TSV 工藝，將邏輯器件、MEMS 器件，甚至被動器件在晶圓級封裝在一起。根據(jù)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)廠商及專

45、業(yè)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測，從 2011 年開始，TSV 技術(shù)將會滲透到 DSP、NANDFlash、DRAM、RF 等芯片領(lǐng)域；未來，基于 TSV 技術(shù)的 3D-SiP 封裝將進(jìn)一步應(yīng)用至 CPU、GPU、傳感器、MEMS 等各類領(lǐng)域。TSV 技術(shù)將成為 3D-SiP 的主流封裝技術(shù)相關(guān)上市公司淺析目前，在集成電路封裝測試行業(yè)，高端技術(shù)和高端產(chǎn)品的市場份額仍然由國際巨頭占據(jù)，如臺灣日月光(ASE)、美國安科(Amkor)、臺灣矽品(SPIL)、星科金朋(POWERTECH)等世界大封裝企業(yè)。長電科技-國內(nèi)本土封裝龍頭長電科技是國內(nèi)本土半導(dǎo)體封裝的龍頭企業(yè)。按照中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，公司所屬的新潮

46、科技集團(tuán)在 2009 年中國內(nèi)地封裝行業(yè)銷售排名第三，是國內(nèi)本土企業(yè)中規(guī)模最大的。公司的主營業(yè)務(wù)包括 IC 封裝和分立器件制造。從公司 2009 年以前公布的報表來看，IC 封裝業(yè)務(wù)約占總營收一半強(qiáng)，業(yè)務(wù)發(fā)展較為平衡，而且出口和內(nèi)銷大約各占一半。客戶主要以臺灣企業(yè)和國內(nèi)客戶為主。公司在 IC 封裝技術(shù)上穩(wěn)步發(fā)展，產(chǎn)品涵蓋了絕大部分的封裝形式。公司以先進(jìn)半導(dǎo)體封測業(yè)務(wù)為主導(dǎo)，重點(diǎn)發(fā)展 SiP、WLCSP、銅柱凸塊的延伸產(chǎn)品、TSV、MIS等封裝技術(shù)。公司控股子公司長電先進(jìn)已形成了年產(chǎn) 12 億顆 WLCSP 的產(chǎn)能，TSV的產(chǎn)能也已經(jīng)達(dá)到了月產(chǎn) 1000 萬片，公司的銅絲鍵合工藝已經(jīng)較為成熟，而

47、且公司是國內(nèi)本土企業(yè)中在綜合采用 SiP 技術(shù)平臺方面的先行者。而且通過長電香港收購 JCI 股權(quán)，間接入股新加坡 APS,成功獲得了 MIS-PP 高端封裝技術(shù)，MIS-PP 獨(dú)特的封裝技術(shù)能夠?qū)⒛壳?IC 封裝主流技術(shù)進(jìn)行前所未有的拓展。這是未來長電科技的重要看點(diǎn)。通富微電-最直接享受國際產(chǎn)能轉(zhuǎn)移通富微電是中國半導(dǎo)體芯片封裝測試行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)之一，產(chǎn)品覆蓋面廣，技術(shù)領(lǐng)先。公司的出口銷售占比高達(dá)超過 70%,是目前國內(nèi)本土封裝企業(yè)中出口占比最高的一家。全球前 20 半導(dǎo)體企業(yè)中有超過一半是公司的客戶，下游客戶資源非常優(yōu)秀。半導(dǎo)體產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的大趨勢仍然在延續(xù)。公司目前的外包業(yè)務(wù)占據(jù)主要份額，已經(jīng)和眾多全球主要半導(dǎo)體廠商建立穩(wěn)定客戶關(guān)系，而且日本富士通是公司的第二大股東和主要客戶之一。公司在承接國外先進(jìn)技術(shù)和外包業(yè)務(wù)上占有先天優(yōu)勢。公司緊跟技術(shù)革新的步伐，不斷調(diào)整其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，逐步淘汰技術(shù)壁壘少，毛利率低的 DIP 類型封裝產(chǎn)品，加大毛利率高的 BGA 類型封裝產(chǎn)品。高毛利產(chǎn)品營收占比上升將改善公司贏利能力。公司同時在最新的芯片級別封裝 CSP 技術(shù)上持續(xù)投入，有望在最新技術(shù)應(yīng)用上縮小和全球領(lǐng)先企業(yè)的差距。華天科技