1、第一章1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die?什么是硅片，什么是襯底，什么是芯片答：硅片是指由單晶硅切成的薄片；芯片也稱為管芯（單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路）；硅圓片通常稱為襯底。2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend.列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì)答:提高芯片性能:

2、器件做得越小，在芯片上放置得越緊密，芯片的速度就會(huì)提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趨于芯片壽命的功能的能力。為提高器件的可靠性，不間斷地分析制造工藝。 降低芯片成本：半導(dǎo)體微芯片的價(jià)格一直持續(xù)下降。3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important?什么是芯片的關(guān)鍵尺寸，這種尺寸為何重要答：芯片的關(guān)鍵尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；因?yàn)槲覀儗D作為定義制造復(fù)雜性水平的標(biāo)準(zhǔn)，也就是如果你擁有在硅片某種CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于這些尺寸更大，因此更容易產(chǎn)生。4.

3、 Describe scaling and its importance in chip design.描述按比例縮小以及在芯片設(shè)計(jì)中的重要性答：按比例縮?。盒酒系钠骷叽缦鄳?yīng)縮小是按比例進(jìn)行的重要性：為了優(yōu)電學(xué)性能，多有尺寸必須同時(shí)減小或按比例縮小。5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩爾定律，它預(yù)測(cè)了什么答：摩爾定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)，月每隔18個(gè)月便會(huì)增加1倍，性能也將提升1倍。 預(yù)言在一塊芯片上的晶體管數(shù)大約每隔一年翻一番。第二章6. What is the advantage of

4、gallium arsenide over silicon?砷化鎵相對(duì)于硅的優(yōu)點(diǎn)是什么答：優(yōu)點(diǎn)：具有比硅更高的電子遷移率；減小寄生電容和信號(hào)損耗的特性；集成電路的速度比硅電路更快；材料的電阻率更大。7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon?砷化鎵相對(duì)于硅的主要缺點(diǎn)是什么答：主要缺點(diǎn)：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有劇毒性在設(shè)備，工藝和廢物清除設(shè)施中特別控制。第三章8. What is an active component? Give two examples of this typ

5、e of component. 什么是無源元件，舉出兩個(gè)無源元件的例子答：有源器件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。 例子：電阻，電容。9. What are some notable characteristics of bipolar technology? What is biggest drawback to bipolar technology?雙極技術(shù)有什么顯著特征，雙極技術(shù)的最大缺陷是什么答：顯著特征：高速，耐久性和功率控制能力。 最大缺陷：功耗高。10. What are the benefits of the field-effect transisto

6、r (FET)?場(chǎng)效應(yīng)管有什么優(yōu)點(diǎn)答：低電壓和低功耗。11. What are the two basic types of FETs? What is the major difference between them?FET的兩種基本類型是什么，他們之間的主要區(qū)別是什么答：類型：結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物型（MOSFET）半導(dǎo)體。 區(qū)別：MOSFET作為場(chǎng)效應(yīng)管晶體輸入端的柵極由一層薄介質(zhì)與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實(shí)際上同晶體管其他電極形成物理的pn結(jié)。12. What are the two categories of MOSFETs? How are they dist

7、inguishable from one another?MOSFET有哪兩種類型，他們?cè)鯓訁^(qū)分答：類型：nMOS（n溝道）和pMOS（p溝道）區(qū)分方法：可有各自器件的多數(shù)載流來區(qū)別。13. What two IC technologies are used in BiCMOS?BiCMOS使用了哪兩種集成電路技術(shù)答：采用了CMOS和雙極技術(shù)14. What could a digital/analog (D/A) converter chipbe used for? What could an analog/digital (A/D) chip be used for?數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片能用做什

8、么，模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片能用做什么答：數(shù)/模轉(zhuǎn)化器芯片可用來提供用做電子機(jī)械設(shè)備的控制模擬驅(qū)動(dòng)信號(hào)。模/數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片可用來測(cè)量模擬驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出。15. Explain the difference between an enhancement-mode transistor and depletion-mode transistor with regards to their standby condition.解釋增強(qiáng)型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別答：增強(qiáng)型晶體管很好地工作于數(shù)字陸機(jī)應(yīng)用中，只需要單極的輸入信號(hào)控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 耗盡型被已經(jīng)存在的閉合溝道部分開啟。輸入電壓可以在一個(gè)方向變

9、化以提高流過溝道的電流，或者在相反方向降低流過的溝道電流。如果柵極的輸入電壓在反向更大地提高，耗盡型晶體管將會(huì)斷開。第四章16. Why is it necessary to have monocrystal silicon for wafer fabrication?為什么要用單晶進(jìn)行硅片制造答：半導(dǎo)體芯片加工需要純凈的單晶硅結(jié)構(gòu)，這是因?yàn)閱伟貜?fù)的單晶結(jié)構(gòu)能夠提供制作工藝和器件特性所需要的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。糟糕的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷導(dǎo)致微缺陷的形成。17.Which crystal plane orientation is most common MOS? Which is most common

10、 for bipolar?MOS器件中用的最多的是哪種方向晶向，雙極型用的最多的是哪幾種答：MOS ：(100)面的硅片； 雙極型：（111）面的硅片18.Define crystal growth. What is the CZ method for crystal growth?定義晶體生長(zhǎng)，什么是CZ單晶生長(zhǎng)法答：晶體生長(zhǎng)：是把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅。 CZ單晶生長(zhǎng)法：是熔化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體變?yōu)橛姓_晶向并且被摻雜成n型或p型的固體硅錠。19. List seven wafer quality requirements for a silicon wafer.列舉硅片

11、的七種質(zhì)量要求答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶體缺陷；顆粒；體電阻率20. What is an epitaxial layer, and why is it used on wafers?什么是外延層，為什么在硅片上使用它答：在某種情況下，需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結(jié)構(gòu)的硅表面，還要保持對(duì)雜質(zhì)類型和濃度的控制，這要通過在硅表面沉積一個(gè)外延層來達(dá)到。原因是外延層在優(yōu)化pn結(jié)的擊穿電壓的同時(shí)降低了集電極電阻，在適中的電流強(qiáng)度下提高了器件速度。外延在CMOS集成電路中變得重要起來，因?yàn)殡S著器件尺寸不斷縮小它將閂鎖效應(yīng)降到最低。外延層通常是沒有玷污的。 第八章21、What is

12、plasma? Why is RF energy used in plasma?什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量答：等離子是一種中性，高能量，離子化的氣體，包含中性原子或分子，帶電離子和自由電子。 RF能量的使用可以產(chǎn)生一個(gè)高功效的等離子體。 第九章22、 List the six distinct production areas in a wafer fab and give a short description of each area.列出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)區(qū)域做簡(jiǎn)單的描述答：擴(kuò)散：擴(kuò)散區(qū)一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜沉積的區(qū)域。 光刻：使用黃色瑩光管

13、照明使得光刻區(qū)與芯片廠中的其他各個(gè)區(qū)明顯不同。 刻蝕：是在硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。 離子注入：采用高電壓和磁場(chǎng)來控制并加速離子。 薄膜生長(zhǎng)：主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積。拋光：為了使硅片表面平坦化，是通過將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度實(shí)現(xiàn)。23、 Identify the three production areas where photoresistcoated wafers can be found.確定有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域答：光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)24、 What is the purpose of the etch proce

14、ss? Name the most common tools used in this area?刻蝕工藝的目的是什么，這個(gè)區(qū)中最常用的設(shè)備是什么答：目的：硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。常用設(shè)備：等離子刻蝕機(jī)，等離子體去膠機(jī)和濕法清洗設(shè)備。25、 What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation?離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么答：可使裸露的硅片表面生長(zhǎng)一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動(dòng)；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價(jià)鍵被激活，使得雜質(zhì)原子成為晶格結(jié)

15、構(gòu)中的一部分。26、What is shallow trench isolation (STI)? What process did it replace?什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝答：淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。 取代了局域氧化工藝（LOCOS）第十章27、What is the difference between a grown and a deposited oxide layer?生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么答：在升溫環(huán)境里，通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長(zhǎng)的氧化層；沉積的氧化層可以通過

16、外部供給氧氣和硅源，使它們?cè)谇惑w中反應(yīng)，從而在硅片表面形成一層薄膜。28、Describe the field oxide layer, and state its range of thickness.描述場(chǎng)氧化層及其厚度范圍答：場(chǎng)氧化層：抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層范圍：250012000 * 10-10（A上面一個(gè)圈） 之間29、 Why is the gate oxide thermally grown?為什么刪氧要用熱生長(zhǎng)答：因?yàn)闁叛跖c其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點(diǎn)，柵氧一般通過熱生長(zhǎng)獲得。30、List six applications for thermal oxides

17、in wafer fabrication and give a purpose for each application.列出熱氧化物的硅片制造的六種用途，并給出各種用途的目的答：金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護(hù)層。注入屏蔽氧化層：用于減小注入夠到和損傷。勢(shì)氧化層：做氧化硅緩沖層以減小應(yīng)力。摻雜阻擋層：作為摻雜或注入雜質(zhì)到硅片中的掩蔽材料。阻擋氧化層：保護(hù)有源器件和硅免受后續(xù)工藝的影響。柵氧化層：用做MOS晶體管柵和源漏之間的介質(zhì)。31. If an oxide layer is thermally growri to be 2,000 A thick,how much silicon

18、 is consumed?如果熱生長(zhǎng)氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少答：920A（每生長(zhǎng)1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）32. List the four types of oxide charges Si/Si02 interface. 列出Si/Si02 界面處的4種氧化物電荷答：正的電荷。負(fù)的電荷。界面陷阱電荷?？梢苿?dòng)氧化物電荷33. Give two advantages to using chloijinated agents duringoxidation.舉出氧化工藝中摻氯的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)答：優(yōu)點(diǎn)：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。 34、

19、What effect does doping have on oxide growth?摻雜對(duì)氧化物生長(zhǎng)的影響是什么答：重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速率快。35、 Explain the effect from crystal orientation on oxide growth.解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L(zhǎng)的影響答：線性氧化物速率依賴于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在線性階段，（111）硅單晶的氧化速率將比（100）稍快，但是（111）的電荷堆積更多。36、 Pressure has what effect on oxide growth?壓力對(duì)氧化物生長(zhǎng)的影響

20、是什么答：生長(zhǎng)速率隨著壓力增大而增大。高壓強(qiáng)迫使氧原子更快地穿越正在生長(zhǎng)的氧化層，這對(duì)線性和拋物線速率系數(shù)的增加很重要。這就允許降低溫度但仍保持不變的氧化速率，或者在相同溫度下獲得更快的氧化生長(zhǎng)。氧化生長(zhǎng)的經(jīng)驗(yàn)法則表明，每增加一個(gè)大氣壓的壓力，相當(dāng)于爐體溫度降低30攝氏度。37、What are the five components in a vertical furnace system?立式爐系統(tǒng)的五部分答：工藝腔，硅片傳輸系統(tǒng)，氣體分配系統(tǒng)，尾氣系統(tǒng)，溫腔系統(tǒng)38What is a rapid thermal processor (RTP)? What are six advantag

21、es it has over the conventional furnace?什么是快速熱處理，相比于系統(tǒng)爐其6大優(yōu)點(diǎn)是什么答：快速熱處理是在非常短的時(shí)間內(nèi)，將單個(gè)硅片加熱至4001300攝氏度范圍內(nèi)的一種方法。 優(yōu)點(diǎn)：減小熱預(yù)算。硅中雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)最小。減小玷污，這歸功于冷壁加熱。由于較小的腔體體積，可以達(dá)到清潔的氣氛。更短的加工時(shí)間。加大熱梯度。38Describe how an RTP heats a wafer. Is an RTP typically a hot wall or cold wall heating system描述RTP如何對(duì)單個(gè)硅片加熱，RTP是熱壁系統(tǒng)還是冷壁系統(tǒng)答：

22、 是冷壁系統(tǒng) 第十一章 39、 List and describe the three stages of thin film growth.列舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段答：第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成，這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應(yīng)物結(jié)合起來，形成附著在硅片表面的分離的小膜層的時(shí)候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜進(jìn)一步生長(zhǎng)的基礎(chǔ)；第二步是聚集成束，也稱為島生長(zhǎng)。這些隨機(jī)方向的島束依照表面的遷移率和束密度來生長(zhǎng)。島束不斷生長(zhǎng)，直到第三步即形成連續(xù)的膜，這些島束匯聚合并形成固態(tài)的薄層并延伸鋪滿襯底表面。40、List the five major techniques for de

23、position.列出沉積的5種主要技術(shù)答：化學(xué)氣相淀積（cvd） 電鍍 物理氣相淀積（pvd或?yàn)R射） 蒸發(fā) 旋涂方法 41、Explain APCVD. What is the principal disadvantage with APCVD Si02, using silane as a source?解釋APCVD，使用APCVD SiO2的主要問題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎答：常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護(hù)覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源42、What CVD tool is used to deposit the polysilicon

24、 gate material? List six reasons why polysilicon is used as a gate electrode沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因答：采用LPCVD工具；1.通過摻雜可得到特定的電阻；2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；3和后續(xù)高溫工藝的兼容性；4.比金屬電極更高的可靠性；5.在陡峭的結(jié)構(gòu)上淀積的均勻性；6。實(shí)現(xiàn)柵的自對(duì)準(zhǔn)工藝。43、 State six advantages to using plasma during CVD.CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點(diǎn)有哪些答：1.更高的工藝溫度（250-450）；2.對(duì)

25、高的深寬比間隙有好的填充能力(用高密度等離子體)；3.淀積的膜對(duì)硅片有優(yōu)良的粘附能力；4.高的淀積速率；5.少的針孔和空洞，因而有高的膜密度；6.工藝溫度低因而應(yīng)用廣泛。44、Explain what HDPCVD is. What are its main benefits in advanced ICs?解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢(shì)答： 高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢(shì)是有良好的間隙能力，并可以在300-400較低的淀積溫度下，制備出能夠填充高深寬比間隙的膜。45、Describe the effect wafer biasing has on HDPCVD

26、 directionality.描述硅片偏置對(duì)HDPCVD方向性的影響答：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙46. Explain simultaneous deposition and etching for HDPCVD. What is the value for the typical dep-etch ratio?解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么答：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無空洞形成的基礎(chǔ)。 3:147、What are LOCOS and STI（寫中英文全稱）? Why has STI replaced LO

27、COS for advanced ICs? List the processing steps for STI.什么是LOCOS和STI（寫中英文全稱），為什么在高級(jí)IC中STI取代了LOCOS，列舉STI的工藝步驟答：LOCOS:硅的局部氧化隔離 local oxidation of siliconSTI：淺槽隔離 shallow trench isolation原因：1.更有效的器件隔離的需要，尤其是對(duì)DRAM器件而言2. 對(duì)晶體管隔離而言，表面積顯著減小。3. 超強(qiáng)的閂鎖保護(hù)能力。4. 對(duì)溝道沒有侵蝕。5. 與CMP的兼容步驟：阻擋層和線性氧化層 第十三章48、 Describe the

28、 difference between a reticle and a photomask.描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重復(fù)生成的圖形。這種圖形可能僅包含一個(gè)管芯，也可能是幾個(gè)光掩膜版通常稱為掩膜版，包含了對(duì)于整個(gè)硅片來說確定一工藝層所需的完整管芯陣列。49、 Explain the difference between negative and positive lithography.解釋負(fù)性和正性光刻的區(qū)別答：負(fù)性光刻把掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上。主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同50、 Describe

29、 a clear-field mask and a dark-field mask解釋亮場(chǎng)掩膜版和暗場(chǎng)掩膜版答：如果一個(gè)掩膜版，其石英板上大部分被鉻覆蓋，它就指的是暗場(chǎng)掩膜版。亮場(chǎng)掩膜版有大面積的透明的石英，而只有很細(xì)的鉻圖形。51、 List the eight steps of photolithography, and give a short explanation of each step.列出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。答：1氣相成底膜：第一步是清洗、脫水和硅片表面成底膜處理。2旋轉(zhuǎn)涂膠：完成底膜后，硅片要立即采用旋轉(zhuǎn)涂膜的方法涂上液相光刻膠材料。3軟烘：光刻膠被涂到硅

30、片表面后，必須要經(jīng)過軟烘去除光刻膠中的溶劑。4對(duì)準(zhǔn)和曝光：掩膜版與涂了膠的硅片上的正確位置對(duì)準(zhǔn)。5曝光后烘焙：對(duì)于深紫外（duv）光刻膠在100到110的熱板上進(jìn)行曝光后烘焙是必要的。6顯影：光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解，將可見的島或者窗口圖形留在硅片表面。7堅(jiān)膜烘焙：顯影后的熱烘指的就是堅(jiān)膜烘焙，提高光刻膠對(duì)硅片表面的粘附性。8顯影后檢查：一旦光刻膠在硅片上形成圖形，就要進(jìn)行檢查以確定光刻膠圖形的質(zhì)量52、 Give two purposes of a photoresist in wafer fabrication.給出硅片制造中光刻膠的兩種目的答：1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂

31、層的光刻膠中。2.在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料。53、 List and describe the two major types of photoresist.列出并描述兩種主要的光刻膠答：負(fù)性光刻膠和正性光刻膠。負(fù)性光刻膠是負(fù)相的掩膜圖形形成在光刻膠上、正相掩膜圖形出現(xiàn)在光刻膠上54、 What is the resolution limit of negative resist? Which resist is used for submicron lithography?什么是負(fù)膠分辨率的限制，哪種膠應(yīng)用在亞微米光刻膠中。答：由于顯影時(shí)的變形和膨脹，負(fù)性光刻膠通常只有2m的分辨率。正性光

32、刻膠55.List and describe the four components to an i-line resist.列出并描述I線光刻膠的4種成分。答：1.樹脂。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質(zhì)，用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑2.感光劑。是光刻膠材料中的光敏成分，它對(duì)光形成的輻射能會(huì)發(fā)生反應(yīng)3.溶劑。使光刻膠保持液體狀態(tài)，直到它被涂在硅片襯底上4.添加劑：是專用化學(xué)品，用來控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)性質(zhì)或光刻膠材料的光響應(yīng)特性56、 What are two disadvantages of a negative photoresist?負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。答：在顯影

33、時(shí)曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時(shí)光刻膠可與氮?dú)夥磻?yīng)從而抑制其交聯(lián)57、 What does resist thickness vary with?光刻膠厚度隨什么變化答：粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚58、 State the four reasons for soft bake.陳述軟烘的4個(gè)原因答：1.將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；2。增強(qiáng)光刻膠的粘附性以便在顯影時(shí)光刻膠可以很好地粘附；3.緩和在旋轉(zhuǎn)過程中光刻膠膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。4.防止光刻膠粘在設(shè)備上 第十四章59、 Describe the relationship between light exposure wavelength

34、 and image resolution.描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率的關(guān)系答：較短的波長(zhǎng)可以獲得光刻膠上較小尺寸的分辨率60、 List and describe the two UV exposure sources used in optical lithography.列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源答：汞燈和準(zhǔn)分子激光61、 What happens to resist sidewalls if there is excessive resist light absorbance?如果光刻膠對(duì)光的吸收過多側(cè)墻會(huì)怎樣答：如果光刻膠的吸收過多，光刻膠底部接收的光強(qiáng)度就會(huì)比頂部的少很多

35、，會(huì)導(dǎo)致圖形側(cè)墻傾斜。62、 What excimer laser is used as a 248 nm light source? As a 193 nm light source?哪種激光器用做248nm的光源，193nm的光源是什么答：通常用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器是波長(zhǎng)為248nm氟化氪（KrF）激光器，193nm的氟化氪激光器大概是作為曝光源的準(zhǔn)分子激光器63、 What is a typical dose exposure latitude for a DUV resist?典型的DUV光刻膠曝光劑量的寬容度是多少答：深紫外光刻膠的曝光寬容度是劑量變化范圍在1%左右64、 W

36、hat lens material is used at the DUV exposure wavelength?DUV波長(zhǎng)曝光時(shí)使用哪種透鏡材料答：一種合適的透鏡材料是熔融石英，他是深紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)的較少的光吸收，氟化鈣正在作為一種可能的候選透鏡材料65、 Explain how lens compaction occurs and what problem it creates.解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問題答：透鏡壓縮是透鏡材料結(jié)構(gòu)上的重新排列導(dǎo)致透鏡材料增密，壓縮發(fā)生在透鏡材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿過區(qū)域的透鏡材料的折射率，這將導(dǎo)致圖像質(zhì)量的損失66、 What

37、 is numerical aperture (NA)? State its formula, including the approximate formula. 什么是數(shù)值孔徑（NA），陳述它的公式，包括近似公式答：透鏡收集衍射光的能力被稱做透鏡的數(shù)值孔徑，NA=(n)t透鏡的半徑除以透鏡的焦長(zhǎng)67、 State the formula for resolution. What three lithography parameters affect resolution?陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個(gè)參數(shù)答：R=K*入/NA1，波長(zhǎng) 入 2，數(shù)值孔徑NA 3，工藝因子K68、 Lis

38、t and explain the two primary problems of light reflection from the wafer surface.列出并解釋硅片表面反射引起的最主要的兩個(gè)問題答：兩種主要的光反射問題是反射切口和反射駐波，在刻蝕形成的垂直側(cè)墻表面，反射光到不需要曝光的光刻膠中就會(huì)形成反射切口，光刻中一個(gè)光波反射和干涉的例子是駐波現(xiàn)象駐波本質(zhì)上降低了光刻膠成像的分辨率69、 What happens to resolution if the light wavelength decreases? If NA goes up?如果光波長(zhǎng)減小分辨率會(huì)有什么變化，如果N

39、A增加了呢答：光波長(zhǎng)減小分辨率提高，】。如果NA增加分辨率提高70、 Calculate the resolution of a scanner if X = 248 nm,NA = 0.65, and k = 0.6.計(jì)算掃描光刻機(jī)的分辨率，假設(shè)波長(zhǎng)是248nm, NA=0.65, K是0.6答：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/71、 Write the equation to calculate DOF.寫出計(jì)算焦深的公試答：DOF=入/（2*NA）²72、 What happens to depth of focus as resolution inrease

40、s?當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化答：焦深減小72、What material is used to make a reticle? What opaque material is patterned on a reticle?使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么答：最主要的是用于亞微米光刻的投影掩膜版襯底材料是熔融石英。不透明材料是一薄層鉻第十五章74、Explain resist selectivity and whether it should be high or low.解釋光刻膠選擇比，要求的比例是高還是低答：顯影也應(yīng)具有選擇性，高的顯影選擇性比意味

41、著顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)得快。 要求比例低75、Why is a post-develop inspection performed?為什么要進(jìn)行顯影后檢查答：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷，鑒別并除去有缺陷的硅片，用來檢查光刻工藝的好壞，為光學(xué)光刻工藝生產(chǎn)人員提供用于糾正的信息光學(xué)光刻技術(shù)的改進(jìn)有哪些方面？答：1.減小紫外線光源波長(zhǎng)； 2.提高光學(xué)光刻工具的數(shù)值孔徑； 3.化學(xué)放大深紫外光刻膠； 4.分辨率提高技術(shù)； 5.硅片平坦化； 6.光學(xué)光刻設(shè)備的先進(jìn)性。77、List four alternative lithography methods under evaluation for

42、 next-generation lithography. 列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù)答：1.極紫外光刻技術(shù)（EUV）2.離子束投影光刻技術(shù)（IPL）3.角度限制投影電子束光刻技術(shù)（SCALPEL）4.X射線光刻技術(shù)第十六章78、What is the goal of etching?刻蝕的目的是什么答：目的是為涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形79、 List the three major material categories for dry etch.列出按材料分類的三種主要干法刻蝕答：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕80、 Describe isotropic and anis

43、otropic etch profiles and what are the desirable and undesirable aspects of each profile.描述各同向性和各向異性刻蝕剖面，以及在每一種剖面中哪一種是希望的哪一種是不希望的答：各向同性的刻蝕剖面在所有方向上以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕，這將帶來不希望的線寬損失。各向異性的刻蝕剖面即刻蝕只在垂直于硅片表面的方向進(jìn)行，只有很少的橫向刻蝕。希望剖蝕面是各向異性的。81. Is a dry etch profile isotropic, anisotropic or both? What about a wet etch

44、 profile?干法刻蝕的剖面是各同向性，各向異性的還是兩者都有，濕法腐蝕的剖面是怎樣的答：兩者都有。詳情請(qǐng)見表16.182. Does dry etching have good or poor selectivity?干法刻蝕有高的或低的選擇比答：干法刻蝕通常不能提供對(duì)下一層材料足夠高的刻蝕選擇比83、List the advantages of dry etch over wet etch. What are the disadvantages of dry etch?列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)，干法刻蝕的不足之處是什么答：優(yōu)點(diǎn)：1.刻蝕剖面是各向異性，具有非常好的側(cè)壁剖面控

45、制 2.好的CD控制。 3.最小的光刻膠脫落或粘附問題 4.好的片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻性 5.較低的化學(xué)制品使用和處理費(fèi)用。缺點(diǎn)：對(duì)下層材料的差的刻蝕選擇比、等離子體帶來的器件損傷和昂貴的設(shè)備84、一個(gè)成功的干法刻蝕要求是哪些方面？List six requirements for successful dry etch.列出在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的六種方法答：1.對(duì)不需要刻蝕的材料的高選擇比2. 獲得可接受的產(chǎn)能的刻蝕速率3. 好的側(cè)壁剖面控制4. 好的片內(nèi)均勻性5. 低的器件損傷6.寬的工藝制造窗口85、What gas chemistries are used for silic

46、on dioxide, aluminum, silicon and photoresist? 二氧化硅，鋁，硅和光刻膠刻蝕分別使用什么化學(xué)氣體來實(shí)現(xiàn)干法刻蝕答：刻蝕硅采用的化學(xué)氣體為CF4/O2和CL2.刻蝕二氧化硅采用的化學(xué)氣體為CHF3.刻蝕鋁采用的化學(xué)氣體為CL2和BCL2.刻蝕光刻膠采用的化學(xué)氣體為O2.86、Describe the tungsten etchback process.描述平板反應(yīng)器答：首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，最后進(jìn)行干法等離子體反刻刻蝕掉多余的鎢覆蓋層，制作出填滿鎢的通孔。87、 What gas chemi

47、stries are usually used for etching polysilicon and why has these chemistries replaced fluorine chemistries?哪種化學(xué)氣體通常用來刻蝕多晶硅，為什么這種化學(xué)氣體替代了氟基化學(xué)氣體答：氯氣、溴氣、氯/溴氣原因：因?yàn)榉鶜怏w的刻蝕是各向同性的并且對(duì)光刻膠的選擇比一般，為了避免擊掉下一層的氧化物材料，所以選用轟擊離子能量更低的化學(xué)氣體。88. Give three requirements for polysilicon gate etch.列出并闡述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟答：1.對(duì)下層?xùn)叛趸瘜泳哂懈叩倪x擇比