1、模擬電子技術模擬試題二一、填空題（每空1分 共32分） 1、P型半導體中空穴為（ ）載流子，自由電子為（ ）載流子。 2、PN結正偏時（ ），反偏時（ ），所以PN結具有（ ）導電性。 3、反向電流是由（ ）載流子形成，其大小與（ ）有關，而與外加電壓（ ）。 4、三極管是（ ）控制元件，場效應管是（ ）控制元件。5、當溫度升高時，三極管的等電極電流I（ ），發射結壓降UBE（ ）。 6、晶體三極管具有放大作用時，發射結（ ），集電結（ ）。 7、三極管放大電路共有三種組態（ ）、（ ）、（ ）放大電路。 8、為了穩定三極管放大電路和靜態工作點，采用（ ）負反饋，為了減小輸出電阻采用（ ）負反

2、饋。 9、負反饋放大電路和放大倍數Af=（ ），對于深度負反饋Af=（ ）。10、共模信號是大小（ ），極性（ ）的兩個信號。11、乙類互補功放存在（ ）失真，可以利用（ ）類互補功放來克服。12、用低頻信號去改變高頻信號的頻率稱為（ ），低頻信號稱為（ ）信號，高頻信號稱高頻（ ）。13、共基極放大電路的高頻特性比共射極電路（ ），fa=（ ）f。14、要保證振蕩電路滿足相位平衡條件，必須具有（ ）網絡。15、在橋式整流電阻負載中，理想二極管承受最高反壓是（ ）。二、選擇題（每空2分 共30分） 1、三端集成穩壓器CW7812的輸出電壓是（ ）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流電

3、壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是（ ），該管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（ ）失真，下半周失真時為（ ）失真。 A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率 4、差分放大電路是為了（ ）而設置的。 A、穩定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移 5、共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大電路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在（ ）

4、之間變化。 A、020 B、20200 C、2001000 7、單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=（ ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8、當集成運放線性工作時，有兩條分析依據（ ）（ ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1 9、對功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振蕩器的輸出信號最初由（ ）而來的。 A、基本放大器 B、選頻網絡 C、干擾或噪聲信號 三、分析計算題 1、（6分）由理想運放構成的小信號交流放大電路如圖示： 求：頻帶內電壓放大倍數Auf（取整數）； 截

5、止頻率fL； 2、（8分）已知：電路如圖：t=0時，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。求：U01t=10s時的U0？3、（10分）已知：電路如圖示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K， RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，=100，CE=10uf 求： ICQ UCEQ Au Ri R0（取小數點后1位） 4、（9分）已知：RC振蕩電路如下圖，R=7.9K，C=0.02uF，RF=10K，求：fo R1冷態電阻值； 指明R1的溫度特性； 5、（7分）已知：電路如圖示：IQ=5mA，R1=500，R2=1K； 求：輸出電壓U0；試題二答案一、填空（每空1分 共32分）1、多數 少數2、導通 截止 單向3、少數 溫度 無關4、電流 電壓5、增加 減小6、正偏 反偏7、共射極 共集電極 共基極8、直流 電壓9、A/1+AF 1/F10、相等 相同11、交越 甲乙12、調頻 調制 高頻載波13、好 1+14、正反饋15、2U2二、選擇題（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C三、分析與計算題（共38分）1、1）-