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文檔簡介
1、題目：旁路電容對共射極放大電路低頻特性的影響電路如圖所示，BJT為NPN型硅管，型號為2N3904，放大倍數為50，電路其他元件參數如圖所示。分析旁路電容Ce對共射極放大電路低頻特性的影響。步驟如下：1、 繪制原理圖如上圖所示。2、 修改三極管的放大倍數 Bf=50；雙擊交流源v1設置其屬性為：ACMAG=15mv,ACPHASE=0。3、修改c3的大小，雙擊c3的大小，設置value=cval。如圖所示：4、Get New PartàParam，從元件庫中找到符號Param。雙擊Param并設置其屬性Name1=cval, Value1=50uf。如圖所示：5、設置分析類型（根據題
2、意，需設置交流掃描分析和參數掃描分析）：交流掃描分析：選擇Analysisàset upàAC Sweep，參數設置如下：參數掃描分析：選擇Analysisàset upàParametric，參數設置如下：6、 AnalysisàSimulate，調用Pspice A/D對電路進行仿真計算。計算完畢后，彈出如下對話框，表明有三項模擬結果的波形資料，點擊All三個波形全顯示在probe下，或只點擊其中一條，在probe下只顯示其中一條曲線。點擊All。得到如下結果：選擇Traceà Add（添加輸出波形），彈出Add Trace對話框
3、，在Trace Expression中編輯v(out)/v(in)單擊ok按鈕，仿真結果如下：波形顯示了電壓增益的幅值隨頻率變化的關系，即幅頻特性。同時還反映了旁路電容對電壓增益的影響。最左邊的是ce為200uf時的幅頻特性曲線，中間的那條是ce為50uf時的幅頻特性曲線，最右邊的那條是ce為0.1uf時的幅頻特性曲線。問題：從仿真結果中可以看出，旁路電容越大，下限截止頻率fL（越低還是越高）?下面測量c3=50uf時的放大電路的低頻截止頻率。步驟如下：1、取消參數掃描分析。2、 AnalysisàSimulate，調用Pspice A/D對電路進行仿真計算。3、在probe下，選擇Traceà Add（添加輸出波形），彈出Add Trace對話框，在Trace Expression中編輯v(out)/v(in)單擊ok按鈕，仿真結果如下：4、在probe下，選擇ToolsàCursoràDisplay ，出現游標，然后再選擇選擇ToolsàCursoràMax ，通過游標讀出最高點的電壓增益為130.603，將該數值乘以0.707得到92.336.在曲線上找到v（out）/v（in）為92.336的點，讀出此時的橫坐標值即為下限截止頻率。選擇ViewàArea，準確找到該點。找到該點后，點擊To
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