1、2.光學顯微鏡它的最高分辨率為0.2ml 目前掃描電子顯微鏡的分辨率已經(jīng)達到了2nm左右。3.2 阿貝成像原理l 平行光束通過物鏡在后焦面上會聚；形成衍射花樣。衍射花樣上的某個衍射斑點是由不同物點的同級衍射光相干加強形成的；同一物點上的光由于衍射分解，對許多衍射斑點有貢獻。l 從同一物點發(fā)出的各級衍射光，在產(chǎn)生相應的衍射斑點后繼續(xù)傳播，在象平面上又相互干涉，形成象。阿貝成像原理可以簡單地描述為兩次干涉作用：平行光束受到有周期性特征物體的散射作用形成衍射譜（后焦面），各級衍射波繼續(xù)傳播重新在像平面上形成反映物的特征的像。物與象之間的相似性 l 物象是由直射光和衍射光互相干涉形成的，不讓衍射光通過

2、就不能成象，參與成象的衍射斑點愈多，則物象與物體的相似性愈好l 數(shù)值孔徑（NA）對物鏡，由其結構決定了焦距和光孔直徑，由2a角內(nèi)光進入物鏡，設物鏡與觀察物間的介質(zhì)折射率為n，則n sina叫做物鏡的數(shù)值孔徑。 l 孔徑角是物鏡光軸上的物點與物鏡前透鏡的有效直徑所形成的角度。孔徑角越大，進入物鏡的光通亮就越大，分辨率越高。孔徑角與物鏡的有效直徑成正比，與焦點的距離成反比。l 物鏡接收衍射光線的能力也強烈的依賴于在樣品與鏡頭之間的介質(zhì)。因此，數(shù)值孔徑的概念更加能夠有效的描述物鏡的成像能力。l 數(shù)值孔徑大小表征了物鏡的聚光能力，它是金相顯微鏡一個很重要的參數(shù)。l NA值越大，物鏡聚光能力越強，從試樣

3、上反射時入物鏡的光線越多，從而提高了物鏡的分辨能力。提高數(shù)值孔徑的途徑：n sinal （1）一是增大透鏡直徑或聚焦能力，以增大孔徑半角a，但此法導致象差增大和制造困難，故不實用。l （2）另一種方法是增加物鏡與觀察物間的折射率n（如浸油物鏡）。l （3）在相同介質(zhì)中，波長短的光源有較大的折射率，同樣也將有較多的衍射光進入物鏡（如利用紫光分析）。l 人眼的分辨率為：deye=0.150.3mm. 顯微鏡的分辨率最高只能達到物鏡的分辨率 ，故物鏡的分辨率又稱顯微鏡的分辨率。 分辨兩個物點間的距離d越小，則分辨率越大.l 分辨本領是由物鏡的NA值與照明光源的波長兩個因素決定，NA值越大，照明光線波

4、長越短，分辨率就越高。理論分辨率l 可見NA越大或 l越小（紫光），物鏡的分辨能力越高。，l 從技術方面來看，玻璃透鏡的孔徑半角可以做得很大，最大者可達a=75度；此時計算出的數(shù)值孔徑N.A約為1.251.35。理論分辨率 d=l/2 (1-7) 5.3 放大倍數(shù)和有效放大倍數(shù)l 由于經(jīng)過物鏡和目鏡的兩次放大，所以顯微鏡總的放大倍數(shù)M總M目×M物l 有效放大倍率：在顯微鏡中保證物鏡鑒別率允分利用時所對應的顯微鏡的放大倍數(shù)，用M有效表示。l M有效要從目、物鏡的配合得到。 M < 500NA時，物鏡作用發(fā)揮不充分 M > 1000NA時，虛放大。例題：有一物鏡40×

5、;/0.65，求目鏡配合？ 計算得有效M有效為325650之間，則目鏡選擇為816倍。5.4 景深 l 景深又稱垂直分辨率，是指在固定像點情況下，成像物面沿軸向移動仍能保持圖像清晰的范圍。l 它表征物鏡對應于不同平面上樣品細節(jié)能否清晰成像的一個性質(zhì)。l 景深的大小由滿意成像的平面的兩個極限位置(位于聚焦平面之前和之后)之間的距離來度量。5.7 光學透鏡的象差1. 像差：透鏡在成像過程中，由于透鏡本身物理條件限制，使像變形和模糊，稱像差。l (1) 球面象差（簡稱球差）近軸光遠聚焦，遠軸光近聚焦。球差用LA=S¢-S²表示， 正透鏡LA>0， 負透鏡LA<0。光學

6、透鏡的象差l (2) 色差 由于組成白光的各色光波長不同，折射率不同，不同波長的光在不同的位置聚焦，形成像差。l 軸向色差：l 短波 近點聚焦l 長波 遠點聚焦l 垂軸色差：l 紅光高，而紫光低。影響圖像的清晰度。6.2 暗場照明術l 在明場照明時，平整的表面明亮，傾斜的表面暗。但是，有時為了看清試樣表面上的裂紋、凹陷、交界面及細小的浮雕微粒（夾雜物）等部位，將入射光按圖中方式從物鏡外暗場反射鏡照到試樣上，平整面的光全部反射到物鏡以外，沒有光線進入，只有在不平整的裂紋、凹陷、交界面及細小的浮雕微粒的部位散射光線才有可能射入物鏡，呈現(xiàn)為明亮色。1. 掃描電鏡的優(yōu)點l 高的分辨率。由于超高真空技術

7、的發(fā)展，場發(fā)射電子槍的應用得到普及，現(xiàn)代先進的掃描電鏡的分辨率已經(jīng)達到1納米左右。l 有較高的放大倍數(shù)，20-20萬倍之間連續(xù)可調(diào)；l 有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細微結構l 試樣制備簡單。l 配有X射線能譜儀裝置，這樣可以同時進行顯微組織性貌的觀察和微區(qū)成分分析。l 配有EBSD，可以進行晶體取向、物相分析。 1. 背散射電子：指被固體樣品中的原子核或核外電子反彈回來，累積散射角超過90°的一部分入射電子。 特 征： 1）其產(chǎn)額隨原子序數(shù)增大而增多；背散射電子像的襯度與樣品上各微區(qū)的成分密切相關，可以顯示出金屬中各相的分布情況。可用作形貌分

8、析、成分分析（原子序數(shù)襯度）。2）能量高，能量達數(shù)千至數(shù)萬ev；背散射電子束來自樣品表面幾百nm深度范圍，因此空間分辨率只能達到100nm左右。3）彈性背散射電子遠比非彈性背散射電子所占的份額多（主要利用彈性背散射電子）4）入射電子的非彈性背散射，在表層幾十納米范圍內(nèi)成為一個點源，這些電子反向射出時與晶體產(chǎn)生布拉格衍射。2. 二次電子(SEM)：在入射電子作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品原子的核外電子。由于原子核和外層價電子間的結合能很小，因此，外層的電子較容易和原子脫離，使原子電離。用IS表示二次電子流。 特 征： 1. 對樣品表面狀態(tài)十分敏感，因此能有效地反映樣品表面的形貌；因為d=

9、Is/I0二次電子產(chǎn)額與入射對于樣品表面的入射角q之間有如下關系： d =1/cos2. 分辨率較高，510nm。（與照射面積相同）；來自表層510nm深度范圍；（二次電子能量較低。一般不超過50 ev，大部分幾ev）3.其產(chǎn)額與原子序數(shù)間沒有明顯的依賴關系。因此，不能進行成分分析。3吸收電子 入射電子進入樣品后，經(jīng)多次非彈性散射，能量損失殆盡，最后被樣品吸收。用IA示吸收電子流。 若樣品足夠厚，透射電子流IT=0，則有 IA = I0 -（I b + IS） (I0入射電子流)特 征：1. 吸收電子信號調(diào)制成圖像，其襯度與背散射電子的襯度互補。入射電子束射入一個多元素樣品中時，因Se產(chǎn)額與原

10、子序數(shù)無關，則背散射電子較多的部位（Z較大）其吸收電子的數(shù)量就減少，反之亦然；2. 吸收電子能產(chǎn)生原子序數(shù)襯度，即可用來進行定性的微區(qū)成分分析。4. 透射電子l 如樣品足夠薄，則會有一部分入射電子穿過樣品而成透射電子。用IT表示透射電子流。l 特 征：l 1. 透射電子信號由微區(qū)的厚度、成分和晶體結構決定；2. 可利用特征電子能量損失E配合電子能量分析器進行微區(qū)成分分析。即電子能量損失譜l 5. 特征X射線： (EPMA、EDS)指原子的內(nèi)層電子受到激發(fā)后，在能級躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和特征波長的一種電磁波輻射。l 特征X射線的波長和原子序數(shù)間的關系服從莫塞萊定律。（公式）l Z原子

11、序數(shù)，C、常數(shù)l 可見原子序數(shù)和特征X射線波長之間有對應關系，據(jù)此可進行成分分析。l 特 征：用其進行成分分析，來自樣品較深的區(qū)域。SEM中的主要信號 特征X射線產(chǎn)生機理（按照經(jīng)典的原子模型來分析）l 按照經(jīng)典的原子模型，原子內(nèi)的電子分布在一系列量子化的殼層上，在穩(wěn)定狀態(tài)下，每個殼層有一定數(shù)量的電子，它們具有一定的能量，最內(nèi)層(K層)的能量最低，然后按L、M、N的順序遞增。l 當沖向陽極靶的電子具有足夠能量將內(nèi)層電子擊出成為自由電子(二次電子)，這時原子就處于高能的不穩(wěn)定狀態(tài)，必然自發(fā)的向穩(wěn)態(tài)過渡。l 當K層出現(xiàn)空位，原子處于K激發(fā)態(tài)，若L層電子躍遷到K層，原子轉變到L激發(fā)態(tài)，其能量差以X射線

12、光量子的形式輻射出來，這就是特征X射線。l 6. 俄歇電子(AES) 在SEM中用的不多。l 如果原子內(nèi)層電子在能級躍過程中釋放出來的能量E并不以X射線的形式發(fā)射出去，而是用這部分能量把空位層的另一個電子發(fā)射出去（或空位層的外層電子發(fā)射出去），這一個被電離的電子稱為俄歇電子。l 特 征：l 1. 各元素的俄歇電子能量值很低，501500ev；l 2. 來自樣品表面1nm左右深度范圍。較深區(qū)域產(chǎn)生的俄歇電子向表面運動時必然會因碰撞損失能量而失去特征值的特點。因此，只有在距表面1nm左右范圍內(nèi)逸出的俄歇電子才具有特征能量。因此它適合做表面薄層分析。2.3 各種信號的深度和區(qū)域大小1）電子槍的作用：

13、利用陰極與陽極燈絲間的高壓產(chǎn)生高能量的電子束。電子顯微鏡對電子槍的要求是：能夠提供足夠數(shù)目的電子，發(fā)射電子越多，成象越亮；發(fā)射電子的區(qū)域要小，電子束越細，象差越小，分辯本領越好；電子速度要大，動能越大，成像越亮。 普通熱陰極電子槍主要由發(fā)夾式鎢絲組成，當加熱到高溫時，鎢絲發(fā)射出電子。六硼化鑭燈絲以及場發(fā)射燈絲。3）掃描系統(tǒng)l 掃描系統(tǒng)是掃描電鏡的特殊部件，它由掃描發(fā)生器和掃描線圈組成。l 它的作用是：1)使入射電子束在樣品表面掃描，并使陰極射線顯像管電子束在熒光屏上作同步掃描，2)改變?nèi)肷涫跇悠繁砻娴膾呙枵穹瑥亩淖儝呙柘竦姆糯蟊稊?shù)。3.4 工作原理l 會聚細電子束每一瞬間照射在樣品表面l

14、 à在一點處激發(fā)各種信號l à接收器收集（一個點）l à調(diào)制成像（同步逐點）掃描電鏡的工作原理可以簡單地歸納為：“光柵掃描，逐點成像”3）景深 景深是指一個透鏡對高低不平的試樣各部位能同時聚焦成像的一個能力范圍。 掃描電鏡的景深為比一般光學顯微鏡景深大100-500倍，比透射電鏡的景深大10 倍。立體感強l 測定材料晶體結構及晶體取向的傳統(tǒng)方法主要有：x射線衍射、透射電鏡中的電子衍射、EBSD 。1） x衍射技術獲得材料晶體結構和取向的宏觀統(tǒng)計信息，不能與材料的微觀組織形貌相對應；2）TEM電子衍射與衍襯分析相配合，實現(xiàn)材料微觀組織與晶體結構及取向分析的微區(qū)對應，

15、這些信息是微觀的、局部的、難以進行宏觀意義的統(tǒng)計分析3）背散射電子衍射(EBSD)技術兼?zhèn)淞藊射線衍射統(tǒng)計分析和TEM電子衍射微區(qū)分析的特點，為其補充。成為研究材料形變、回復和再結晶過程的有效手段，尤其在微區(qū)織構分析方面成為一種新的方法。2. 物相分析的含義l 物相分析是指利用衍射分析的方法探測晶格類型和晶胞常數(shù)，確定物質(zhì)的相結構。l 物相分析不僅包括對材料物相的定性分析，還包括定量分析，和各種不同的物相在組織中的分布情況。 3. 物相分析的手段l 3.1 x射線衍射l 簡便快捷，適用于多相體系的綜合分析。但由于無法實現(xiàn)對X射線的有效聚焦。l 3.2 電子衍射由于電子與物質(zhì)的相互作用比X射線強

16、4個數(shù)量級，而電子束又可以在電磁場作用下匯聚得很細小，所以特別適合測定微細晶體或亞微米尺度的晶體結構。l 3.3 中子衍射l 中子受物質(zhì)中原子核的散射，所以輕重原子對中子的散射能力差別比較小，中子衍射有利于測定材料中輕原子的分布。l 中子衍射儀價格較高。 3.3晶胞結構因子：由于原子在晶胞中的位置不同而引起的某些方向上衍射線的消失稱為系統(tǒng)消光。不同的晶體點陣的系統(tǒng)消光規(guī)律也各不相同。它所逆循的衍射規(guī)律即為結構因子3.3晶胞結構因子的含義結構因子以電子散射能力為單位，反映單胞內(nèi)所有原子對不同晶面（HKL）散射能力的貢獻的參量當H+K+L 為偶數(shù)時， 當H+K+L 為奇數(shù)時，3.6 影響衍射強度的

17、其它因素1多重性因子晶體中晶面間距相等的晶面(組)稱為等同晶面(組)晶體中各面的等同晶面(組)的數(shù)目稱為各自的多重性因子(PHKL)。2. 吸收因子樣品對X射線的吸收將造成衍射強度的衰減，使實測值與計算值不符，為修正這一影響，在強度公式中引入吸收因子A(q)。 3. 溫度因子原子熱振動使晶體點陣原子排列的周期性受到破壞，使得原來嚴格滿足布拉格方程的相干散射產(chǎn)生附加的周相差，從而使衍射強度減弱。 M為一個與原子偏離其平衡位置的均方位移有關的常數(shù) 莫塞菜(Moseley，NGJ)定律 K 隨靶材物質(zhì)主量子數(shù)不同而變的常數(shù)， 屏蔽常數(shù)，與電子所在的殼層有關。l 原子的核外電子在X射線的交變電場作用下

18、產(chǎn)生受迫振動，成為電磁波的發(fā)射源，輻射與入射電磁波頻率相同的電磁波，因為各電子輻射的電磁波頻率相同，可能產(chǎn)生干涉，故稱為相干散射。不相干散射：X光子與自由電子或弱束縛電子作用，向電子傳遞動量，電子動量增加，成為反沖電子，而X射線光子動量降低，方向改變 X射線與物質(zhì)相互作用的總結6. 三種常用的實驗方法從產(chǎn)生衍射的條件可以看出，并不是隨便把一個晶體置于X射線照射下都能產(chǎn)生衍射現(xiàn)象。例如，一束單色X射線照射一個固定不動的單晶體，就不一定能產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，因為在這種情況下，反射球面完全有可能不與倒易結點相交。準則：保證反射球面能與倒易結點相交。實驗方法設計：使反射球或晶體之一處在運動狀態(tài)或者相當于運動

19、狀態(tài)。符合這樣條件的實驗方案： 1)勞埃法： 用多色(連續(xù))X射線照射固定不動的單晶體。 2)轉動晶體法： 用單色(標識)X射線照射轉動的單晶體。 3)粉末法： 用單色(標識)X射線照射多晶或粉末試樣。衍射儀光路圖2.2.2 工作原理只測量平行于樣品表面的晶面,試樣和測角儀以1:2的角速度轉動2.3. 衍射儀和Debye相機的區(qū)別l 參與衍射的晶面不同l Debye相機中所有與厄瓦爾德球相交的倒易陣點對應的晶面都參加了衍射。l 衍射儀中只有平行于晶體表面的晶面才參加衍射。1.1 定性分析原理l X射線物相分析是以x射線衍射效應為基礎的。任何一種晶體物質(zhì)，都具有特定的結 構參數(shù)(包括晶體結構類型

20、、晶胞大小、晶胞中原子、離子或分子數(shù)目的多少以及它們所在的位置等)，它在給定波長的X射線輻射下，呈現(xiàn)出該物質(zhì)特有的多晶體衍射花樣。1.1 定性分析原理l 多相物質(zhì)的衍射花樣是各相衍射花樣的機械疊加。1.2粉末衍射卡片（PDF）l 多晶體的衍射花樣是鑒定物質(zhì)的根據(jù)。 2.1 定量法-基本原理l 單相物質(zhì)的衍射強度： 質(zhì)量厚度襯度（Mass-thickness contrast)：是由于材料的質(zhì)量厚度差異造成的透射束強度的差異而產(chǎn)生的襯度（主要用于非晶材料）。 衍射襯度(Diffraction contrast)：由于試樣各部分滿足布拉格條件的程度不同以及結構振幅不同而產(chǎn)生的（主要用于晶體材料）。

21、l 2.1 質(zhì)厚襯度l 質(zhì)厚襯度的形成：由于試樣各部分對電子散射能力不同，使得透射電子數(shù)目不同，而引起強度差異，形成襯度。l 對于非晶樣品，入射電子透過樣品時碰到的原子數(shù)目越多（或樣品越厚），樣品原子核庫侖電場越強（或原子序數(shù)或密度越大），被散射到物鏡光闌外的電子就越多，而通過物鏡光闌參與成像的電子強度就越低，即襯度與質(zhì)量、厚度有關，故叫質(zhì)厚襯度。 2）俄歇電子元素在樣品中所處的化學環(huán)境同樣會造成電子的結合能的微小差異，導致俄歇電子能量的化學位移，因此根據(jù)俄歇電子的動能可以確定元素類型，以及元素的化學環(huán)境。俄歇電子譜儀（AES）。俄歇電子能譜儀所用的信號電子激發(fā)源是電子束。利用俄歇電子能譜可以

22、進行定興和半定量的化學成分分析。3）光電子 各原子的不同軌道電子的結合能是一定的，具有標識性；此外，同種原子處于不同化學環(huán)境也會引起電子結合能的變化，因此，可以檢測光電子的動能，由光電發(fā)射定律得知相應能級的結合能，來進行元素的鑒別、原子價態(tài)的確定、以及原子所處的化學環(huán)境的探測。利用光電子進行成分分析的儀器有X射線光電子譜儀（XPS）和紫外光電子譜儀（UPS），分別采用X射線和紫外光作為入射光源。 X光譜的分析儀器分為能譜儀（EDS）和波譜儀（WDS）兩種。能譜儀具有采譜速度快；靈敏度高，可比波譜儀高一個數(shù)量級；結構緊湊，穩(wěn)定性好的優(yōu)點。波譜儀能量分辨率較高，為5l0eV。3.2電子能譜電子能譜

23、僅是表面成分的反映，適合表面元素分析和表面元素價態(tài)的研究。X射線光電子能譜（XPS）和俄歇電子能譜（AES）是電子能譜分析技術中兩種最有代表性的的方法。2能譜儀:利用不同元素特征X射線光子特征能量的不同進行展譜的譜儀，得到能譜曲線，稱為能譜儀3波譜儀：根據(jù)布拉格方程2dsinq =l，利用適當?shù)姆止饩w對電子束激發(fā)出的各個元素的特征X射線進行展譜，稱為波譜儀。5波譜儀與能譜儀的特點波譜儀：A波譜儀分析的元素范圍廣；（能譜儀中因Si(Li)檢測器的鈹窗口限制了超輕元素的測量，因此它只能分析原子序數(shù)大于11的元素；而波譜儀可測定原子序數(shù)從4到92間的所有元素）B分辨率高，適用于精確的定量分析。其缺

24、點是：C要求試樣表面平整光滑；D分析速度較慢（波譜儀只能逐個測量每種元素特征波長）；E需要用較大的束流，從而容易引起樣品和鏡筒的污染。5波譜儀與能譜儀的特點l 能譜儀l A其分析速度快（在同時對所有元素X射線光子的能量進行測定和計數(shù)，分析速度快，而波譜儀只能逐個測量每種元素特征波長）；結構簡單，穩(wěn)定性和重現(xiàn)性都很好（因為無機械傳動）l B可用較小的束流和微細的電子束；（探頭靈敏性好）l C對試樣表面要求不如波譜儀那樣嚴格（不必聚焦，對樣品表面無特殊要求，適于粗糙表面分析），因此特別適合于與掃描電子顯微鏡配合使用。l 但其缺點：在分析元素范圍、分辨率等方面不如波譜儀，且能譜儀的探頭必須保持在低溫

25、態(tài)，因此必須時時用液氮冷卻。6X射線光譜分析及應用l 1）組分不均勻合金試樣的微區(qū)成分分析l 2）擴散對試樣中成分梯度的測定l 3）金屬半導體界面反應產(chǎn)物 第十三章 俄歇電子能譜的特點：1、  逸出深度范圍小 1nm 2、  空間分辨率小 10nm3、  和離子刻蝕結合可以分析深度成分分析4、  要求高真空。5、  定量分析不是很準確。10、莫塞菜定律：特征X 射線頻率 或波長 只取決于陽極靶物質(zhì)的原子能級結構（原子序數(shù)）， 此規(guī)律稱莫塞萊定律。（公式） 2. X射線產(chǎn)生條件： 1）產(chǎn)生并發(fā)射自由電子 （加熱W 燈絲發(fā)射熱電子）； 2）在真空中

26、迫使電子作定向的高速運動 （加速電子）； 3）在電子運動路經(jīng)上設障礙，使其突然減速或停止（靶）（五）特征（標識）X射線譜 二、實驗規(guī)律 1. 激發(fā)電壓： 取決于陽極靶的原子序數(shù)Z 。對不同陽極靶臨界激發(fā)電壓是不同的。 2. 陽極靶（Z ）不同，所產(chǎn)生的特征X 射線的波長 也不同。 3. 當管壓超過激發(fā)電壓 時，特征X 射線波長 不變，而強度 按n 次方的規(guī)律增大。 用X射線產(chǎn)生機理解釋：1）不同陽極靶有其固定的臨界激發(fā)電壓。2）K空后，空位由L層電子占據(jù)的幾率比M層大45倍。K強度是K的45倍。K的強度更小。3）K波長比K更短。4）V升高時，特征X射線波長不變。（六）特征X射線的應用莫塞來定律

27、特征X射線譜是由布拉格發(fā)現(xiàn)，并經(jīng)莫塞來加以系統(tǒng)化的。同系特征X射線的波長，隨陽極靶的原子序數(shù)的增加而變短，在射線頻率v的平方根和原子序數(shù)Z之間存在線性關系，即： 這個關系式稱為莫塞來定律。（C和s都是常數(shù)）是X射線熒光分析和電子探針微區(qū)成分分析的理論基礎。第三節(jié) X射線與物質(zhì)的相互作用1. 相干散射（coherent scattering）入射X射線與物質(zhì)原子中內(nèi)層電子作用，當X光子能量不足以使電子激發(fā)時，把能量轉給電子，電子則繞其平衡位置發(fā)生受迫振動，成為發(fā)射源向四周輻射與入射X光波長（振動頻率）相同電磁波（散射波）。 各電子散射波振動頻率相同 、位相差恒定 ，符合干涉條件 ，發(fā)生相互干涉，

28、稱為相干散射。2. 非相干散射 ：（incoherent scattering） X光子 與外層價電子 相碰撞時的散射。可用一個光子 與一個電子 的彈性碰撞 來描述。 1、光電效應與熒光X射線：1）光電效應：當入射X光子能量足夠大，將內(nèi)層電子擊出，成為自由電子（稱光電子），原子則為激發(fā)態(tài)，外層電子向內(nèi)層空位躍遷，并輻射出一定波長的特征X射線。被打出的電子稱為光電子，所輻射出的次級特征X射線稱二次特征X射線或熒光X射線。 為區(qū)別入射X射線 ，稱其為二次特征X射線 或熒光X射線。 2、俄歇（Auger）效應當K層電子被擊出后，原子處K激發(fā)態(tài)，能量為EK。若L層電子躍入K層填補空位。能量由EK EL

29、，同時將有多余能量釋放出來俄歇效應的特點和應用：1） 俄歇電子能量：只取決于該物質(zhì)的原子能級結構，是一種元素的固有特征。2）俄歇電子能量很低：只有幾百eV，深處信號測量不到。 俄歇電子能譜儀最合適對固體表面23層原子層的成分分析，并還可進行逐層分析。3）實驗表明：輕元素俄歇電子的發(fā)射幾率比熒光X射線發(fā)射幾率大。所以，俄歇譜儀適合于對輕元素的成分分析。1. X射線濾波片的選擇1）意義：衍射分析中，只希望產(chǎn)生Ka輻射的衍射條文單色X-ray。但是Kb和連續(xù)譜à使衍射花樣復雜化，不利于衍射分析。要在X-ray射出路徑上放置一個濾波片將Kb和連續(xù)譜減到可以忽略的程度。2）方法：濾波片材料的K吸收限位于Ka和Kb之間。Ka減弱甚微，Kb大大消弱。 根據(jù)不同陽極靶的特征X射線譜，和各種物質(zhì)K吸收限的數(shù)值，可以將濾波片材料的選擇歸納為：