1、各類內存條DDR2和DDR3的區別電腦內存條的作用、類型以及內存插槽。內存條的作用內存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如WindowsXP系統、打字軟件、游戲軟件等,一般都是安裝在硬盤等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調入內存中運行,才能真正使用其功能,我們平時輸入一段文字,或玩一個游戲,其實都是在內存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數據存儲在外存上,而把一些臨時的或少量的數據和程序放在內存上。其是連接CPU 和其他設備的通道,起到緩沖和數據交換作用。當CPU在工作時,需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據,但由于硬盤這個“倉庫”太大,加上離CPU

2、也很“遠”,運輸“原料”數據的速度就比較慢,導致CPU 的生產效率大打折扣!為了解決這個問題,人們便在CPU與外部存儲器之間,建了一個“小倉庫”內存。內存條類型和接口一、DIMM(雙inline記憶模塊,雙列直插內存模塊SDRAM接口;SDRAM dimm 為168Pin DIMM結構,如下圖。金手指沒面為84Pin,金手指上有兩個卡口,用來避免插入接口時,錯誤將內存反方向插入導致燒毀。不可否認的是,SDRAM 內存由早期的66MHz,發展后來的100MHz、133MHz,盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題,但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恒的話題,所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存

3、超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功,值得一提的是,為了方便一些超頻用戶需求,市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存。盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S,加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃,所以SDRAM PC133內存不能滿足日后的發展需求,此時,Intel為了達到獨占市場的目的,與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM內存(稱為RDRAM內存。與SDRAM不同的是,其采用了新一代高速簡單內存架構,基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集計算機理論,這個理

4、論可以減少數據的復雜性,使得整個系統性能得到提高。二、DDR內存,DIMM DDRAM內存接口采用184pin DIMM結構,金手指每面有92pin,如下圖所示(DDR內存金手指上只有一個卡口有184針的DDR內存(DDR SDRAMSDRAM 內存條/caption芯片和模塊標準名稱 I/O 總線時脈周期內存時脈數據速率傳輸方式模組名稱極限傳輸率DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列傳輸 PC-16001600 MB/sDDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列傳輸 PC-2100 2100 M

5、B/sDDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列傳輸 PC-2700 2700 MB/sDDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列傳輸 PC-3200 3200 MB/s利用下列公式,就可以計算出DDR SDRAM時脈。DDR I/II內存運作時脈:實際時脈*2。(由于兩筆資料同時傳輸,200MHz內存的時脈會以400MHz運作。內存帶寬=內存速度*8 Byte標準公式:內存除頻系數=時脈/200*速算法:外頻*(除頻頻率/同步頻率(使用此公式將會導致4%的誤差三、DDR2內存,DDR2接口為240pin

6、DIMM結構,如下圖。金手指每面有120pin,與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口。但是卡口的位置與DDR內存不同,因此DDR內存條是插不進DDR2內存條的插槽里面的。因此不用擔心插錯的問題。一款裝有散熱片的DDR2 1G內存條DDR內存插槽DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬,而且其接口將運行于1.8V 電壓上,從而進一步降低發熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令,提升內存帶寬的利用率。從JEDEC 組織者闡述的DDR2標準來看,針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667

7、MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將采用0.13微米的生產工藝,內存顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。各類DDR2內存條的技術參數標準名稱 I/O 總線時鐘頻率周期存儲器時鐘頻率數據速率傳輸方式模塊名稱極限傳輸率位寬DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行傳輸 PC2-3200 3200MB/s 64位DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行傳輸 PC2-420

8、0 PC2-4300 4266 MB/s 64 位DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行傳輸 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行傳輸 PC2-6400 6400 MB/s 64 位DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行傳輸PC2-8500PC2-8600 8533 MB/s 64 位現時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200,但必須在高電壓下運作,以維持其穩定性。四、DDR

9、3內存條第三代雙倍資料率同步動態隨機存取內存(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般稱為DDR3 SDRAM,是一種電腦內存規格。它屬于SDRAM家族的內存產品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動態隨機存取內存的后繼者(增加至八倍,也是現時流行的內存產品。DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓,從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電;DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度,由于目

10、前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。A-DATA出品的DDR3內存條(DDR SDRAM/caption各類DDR2內存條的技術參數標準名稱 I/O 總線時脈周期內存時脈數據速率傳輸方式模組名稱極限傳輸率位元寬DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列傳輸 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s

11、并列傳輸 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元 DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列傳輸 PC3-10 600 10.6 GiB/s 64 位元 DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列傳輸 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元 DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列傳輸 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元 DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列傳輸 PC

12、3-17000 64 位元 DDR2 和 DDR3 的區別 邏輯 Bank 數量，DDR2 SDRAM 中有 4Bank 和 8Bank 的設計，目的 就是為了應對未來大容量芯片的需求。而 DDR3 很可能將從 2GB 容量起步，因此起始的邏輯 Bank 就是 8 個，另外還為未來的 16 個邏輯 Bank 做好了準備。 封裝（Packages），DDR3 由于新增了一些功能，所以在引腳方 面會有所增加，8bit 芯片采用 78 球 FBGA 封裝，16bit 芯片采用 96 球 FBGA 封裝，而 DDR2 則有 60/68/84 球 FBGA 封裝三種規格。 并且 DDR3 必須是綠色封裝

13、，不能含有任何有害物質。 突發長度（BL，Burst Length），由于 DDR3 的預取為 8bit，所 以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為 8，而對于 DDR2 和早期的 DDR 架構的系統，BL=4 也是常用的，DDR3 為此增加了 一個 4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個 BL=4 的讀 取操作加上一個 BL=4 的寫入操作來合成一個 BL=8 的數據突發傳 輸，屆時可透過 A12 位址線來控制這一突發模式。而且需要指出 的是，任何突發中斷操作都將在 DDR3 內存中予以禁止，且不予 支持， 取而代之的是更靈活的突發傳輸控制 （如 4bi

14、t 順序突發） 。 尋址時序（Timing），就像 DDR2 從 DDR 轉變而來后延遲周期數 增加一樣，DDR3 的 CL 周期也將比 DDR2 有所提升。DDR2 的 CL 范 圍一般在 2 至 5 之間， DDR3 則在 5 至 11 之間， 而 且附加延遲 （AL） 的設計也有所變化。DDR2 時 AL 的范圍是 0 至 4，而 DDR3 時 AL 有三種選項，分別是 0、CL-1 和 CL-2。另外，DDR3 還新增加了 一個時序參數寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工 作頻率而定。 新增功能重置 （Reset） 重置是 DDR3 新增的一項重要功能， ， 并為此專門準備了一個引腳。DRAM 業界已經很早以前就要求增 這一功能，如今終于在 DDR3 身上實現。這一引腳將使 DDR3 的初 始化處理變得簡單。當 Reset 命令有效時，DDR3 內存將停止所 有的操作，并切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在 Reset 期間，DDR3 內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與 發送器都將關閉。所有內部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相 環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動 靜。這樣一來，將使 DDR3 達到最節省電力的目的。 新增功能ZQ 校準，ZQ 也是一個新增的腳，在這個引