1、LCD液晶行業最新動態（不斷更新）(2008-01-30 12:58:14) 轉載行業動態以回復方式更新。  附：TFT-LCD 工藝簡要說明 1 ARRAY(陣列)工序：  主要是制造TFT基板及彩色濾光片(CF基板)。  流程圖：玻璃清洗->成膜->清洗->光刻膠涂布->曝光->刻蝕->光刻膠剝離->清洗->測試 2 CELL(面板成型)工序：  將前工序ARRAY制成的TFT玻璃基板與CF玻璃基板經過配向處理、對位貼合后灌入液晶。  流程圖：TFT&CF

2、玻璃基板清洗->配向膜形成->清洗->框膠->間隔散布->液晶灌注->對位壓合->切割裂片->偏光板貼付->點燈檢查 3 MODULE(模組構裝)工序：  將CELL工序加工完成的面板與TAB、PCB、背光(BackLight)模組、外框等多種周邊零部件進行組裝。  流程圖：ACF貼片->IC接合->涂塑->背光板框架組裝->環境測試->檢查測試 下表參考：各工程裝置名稱- TFT？(Japanese)薄膜。絶縁基板上CVD（Chemical Vapor Dep

3、osition：化學的気相成長）技術技術形成。構造通常MOS同。通常IC 単結晶用，區別薄膜呼。薄膜多結晶使。単結晶比移動度小。，大面積化可能利點生，LCD 畫素使用。最近有機材料用有機TFT開発。  示意圖液晶顯示器的結構及原理液晶歴史実用的液晶性質初利用日本SHARP、今取立言。、液晶面白性質発見意外古、人植物學者Renitzer1888年発見。1960年代、液晶利用発想生、?(Hoffmann-LaRoche)社研究。、実際商品売出、1973年SHARP小型電卓。液晶性質液晶名前、結晶固體液體狀態性質持。場合、液晶分子長細棒狀形、系系分子。液晶大特徴主次三挙。1.板溝

4、沿液晶分子並2.電圧液晶分子並方変3.光液晶分子並向沿進液晶原理3基礎。液晶分子規則性並存在、溝彫板（配向膜）存在、溝向並。液晶分子性質。棒狀緑色液晶分子、黃色配向膜。     二枚配向膜方向性直交重、間液晶分子、液晶分子図配向膜向沿並方。液晶1目性質利用。（下図左）、二枚配向膜、並液晶分子、電圧電場方向並性質持。二配向膜電圧、図液晶分子垂直並。液晶2目性質利用。（下図右）左電圧場合。右電圧場合。二性質、3目性質上手組合、液晶原理完成、前、光性質簡単知必要。光進行方向直角電磁場振動橫波、方向振動光入混普通。光偏光板通、偏光板方向性光取出。偏光二枚使、光完

5、全遮。方向二枚重何見遊人思、同原理。左電圧場合。光液晶分子進、光向。結果光偏光通抜。右図電圧場合。液晶分子直立、光直進。偏光遮、光通抜。    例上図左、光方向液晶分子90度、偏光遮斷光通抜。、上図左、液晶分子電圧液晶垂直方向整列、液晶中進光方向解。、液晶進光偏光通抜。、図裝置、電圧光通遮。TN(次液晶種類參考)液晶原理、基本的多液晶共通原理。次、具體的液晶組立場合、見。液晶構造表示原理       （透過型）基板基板貼合、中間液晶層形成下図構造。液晶液晶光利用。畫素毎異電気信號透明電極液晶層加、液晶方変

6、、通光量変畫素表示。  図.液晶構造表示原理 液晶(LCD;liquid crystal display)一言、実。、液晶性質紹介內容大小利用、電卓表示高畫質同構造。例、電卓表示8字型細長表示単位、白黒。一方、一昔前攜帯機（初期）、縦橫表示単位、文字表示。、表示動畫表示可能。LCD表示情報量観點、分。、電卓、表示情報量少見。 液晶種類TN(Twisted Nematic)初期?駆動。上図、二配向膜液晶分子90°。低、速度遅。、解説?駆動主TN採用。主用途電卓、電子手帳。STN(SuperTwisted Nematic)配向膜液晶分子180270

7、°程度。液晶分子偏光効率良、高可能。、液晶分子含厚、特定波長光反射?散亂、色調黃緑濃紺。白黒表示、表示。主用途80年代、初期電子手帳。DSTN(Dual SuperTwisted Nematic)STN不可能白黒表示可能。STN構造別液晶(補償)構造。液晶層増、光吸収欠點、製造難、一般的。FSTN(Film-compensated STN)複屈折性高分子採用、STN構造白黒表示可能。現在?駆動中最標準的構造。主用途?、PDA、攜帯電話。OLED 技術情報(2008-07-04 17:52:22) 轉載標簽： amoledoledtft有源lcdpmoled分類： 技術情報

8、                             AMOLEDAMOLED （全稱：Active Matrix/Organic Light Emitting Diode）主動矩陣有機發光二極體面板（TFTAMOLED）被稱為下一代顯示技術，其關鍵核心技術稱為“BG-TIGR技術”。低溫多晶硅TFT AMOLED

9、技術簡介香港科技大學使用的低溫多晶硅TFT AMOLED技術，其關鍵核心技術統稱為“BG-TIGR技術”。與日本傳統的激光退火多晶硅技術相比較，BG-TIGR新型低溫多晶硅技術具有一系列獨特優點：適合于大型低溫多晶硅TFT面板和規模化生產；簡化生產工藝環節和設備及原材料消耗30%，大大降低制造成本；技術成熟，工藝穩定，器件壽命長；適合于大尺寸OLED顯示屏，特別是大型OLED電視。在顯示效能方面，AMOLED反應速度較快、對比度更高、視角也較廣，這些是AMOLED天生就勝過TFT LCD的地方；另外AMOLED具自發光的特色，不需使用背光板，因此比TFT更能夠做得輕薄，而且更省電；還有一個更重

10、要的特點，不需使用背光板的AMOLED可以省下占TFT LCD 34成比重的背光模塊成本。AMOLED的確是很有魅力的產品，許多國際大廠都很喜歡，甚至是手機市場最熱門的產品iPhone，都對AMOLED有興趣，相信在良率提升之后，iPhone也會考慮采用AMOLED，尤其AMOLED在省電方面的特色，很適合手機，目前AMOLED面板耗電量大約僅有TFT LCD的6成，未來技術還有再下降的空間。在了解了AMOLED與TFT LCD的主要性能差別后，我們通過技術層面來分析造成差別的主要原因在哪里。由于AMOLED是OLED技術的一種，我們以OLED的工作原理來進行分析。OLED器件的結構示意圖&#

11、160;OLED（OrganicLightEmittingDisplay，有機發光顯示器）是指有機半導體材料和發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光的現象。OLED發光原理是用ITO透明電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，電子和空穴分別經過電子和空穴傳輸層遷移到發光層，并在發光層中相遇，形成激子并使發光分子激發，后者經過輻射弛豫而發出可見光。輻射光可從ITO一側觀察到，金屬電極膜同時也起了反射層的作用。TN型液晶顯示器工作原理TFT液晶這邊，我們以TN液晶面板工作原理為代表進行介紹。TN液晶組件結構為：向列型液

12、晶夾在兩片玻璃中間。這種玻璃的表面上先鍍有一層透明而導電的薄膜（ITO）以作電極之用。在有ITO的玻璃上鍍表面配向劑，以使液晶順著一個特定且平行于玻璃表面之方向排列。利用電場可使液晶旋轉的原理，在兩電極上加上電壓則會使得液晶偏振后方向轉向與電場方向平行。因為液態晶的折射率隨液晶的方向而改變，其結果是光經過TN型液晶以后其偏振性會發生變化。可利用電的開關達到控制光的明暗。這樣會形成透光時為白、不透光時為黑，字符就可以顯示在屏幕上了。 很顯然，兩種面板的采用了不同的光源，OLED為自身發光而TN則采用了背光源，兩者的成像機理是完全不一樣的。通過對比不難發現，OLED具有更薄更輕、主動發光

13、（不需要背光源）、無視角問題、高清晰、高亮度、響應快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、成本低和可實現柔軟顯示等特點，其中不少特性是TFT液晶面板難以實現的。當然AMOLED最大的問題還是不良率，所以AMOLED面板的價格足足高出TFT LCD 50%，這對客戶大量采用的意愿，絕對是一個門檻，而對奇晶而言，現階段也還在調良率的練兵期，不敢輕易大量接單。目前除了三星電子與LG飛利浦以發展大尺寸AMOLED產品為主要方向外，三星SDI、友達等都是以中小尺寸為發展方向。日前夏普(Sharp)社長片山干雄被問到對OLED未來發展的看法，他說5年內不可能，個人認為他說的在TV市場可能是事實，但是在中

14、小尺寸市場，AMOLED很有機會在2年內與TFT LCD并存，如果未來AMOLED的良率能夠達到跟TFT LCD一樣的水平，那取代TFT LCD絕對是指日可待。因為AMOLED不管在畫質、效能及成本上，先天表現都較TFT LCD優勢很多。這也是許多國際大廠盡管良率難以突破，依然不放棄開發AMOLED的原因。目前還持續投入開發AMOLED的廠商，除了已經宣布產品上市時間的Sony，投資東芝松下Display(TMD)的東芝，以及另外又單獨進行產品開發的松下，還有宣稱不看好的夏普。2008年8月發布的NOKIA N85也采用了AMOLED。中國第一個低溫多晶硅TFT AMOLED（主動式矩陣有機電

15、致發光顯示器）產業化項目11月7日在佛山南海正式啟動。該項目首期投資5億港元，建設多條AMOled顯示屏生產線，計劃年產5000萬塊2英寸全彩OLED顯示屏|顯示器件。該項目計劃明年6月正式投產，初期的目標市場仍然主要瞄準手機、MP4等移動產品。該項目二、三期將逐步增資，二期建設第五代生產線，生產26英寸以下的中尺寸全彩AMOled顯示屏；未來三期還將建設第八代TFT-AMOLED顯示屏生產線，可制造大中尺寸的AMOLED電視機。屆時，運作該項目的廣東中顯科技有限公司（下稱“中顯科技”），將成為中國低溫多晶硅TFT OLED顯示屏制造業的龍頭企業，年銷售規模將達到500億元以上。目前國內投入O

16、LED的廠商包括昆山維信諾、汕尾信利、四川虹視等，它們主要從事小尺寸OLED生產，而且產品基本都是PMOLED（被動式矩陣有機電致發光顯示器）。而只有AMOLED才適合應用于較大尺寸，如電視機領域。OLED 即有機發光顯示器，其與傳統的LCD顯示方式不同，無需背光，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當有電流通過時，這些有機材料就會發光，而且節能顯著。 PMOLED若以驅動方式來劃分OLED，則可分成無源矩陣OLED（PMOLED）及有源矩陣OLED（AMOLED）。其中，無源與有源矩陣的差別在于電流的驅動方式。當外接電流通過時，液晶的排列方式會發生改變，電流停止后，若液晶排列方式保

17、持不歸原位（具有記憶性）就稱為有源式；而一旦電流消失即回復原位，必須再次充電才能排列的稱為無源式。無源方式的構造較簡單，驅動視電流決定灰階、分辨率及畫質表現，以單色和多色產品居多，應用在小尺寸產品上。被動式OLED的制作成本及技術門檻較低，卻受制于驅動方式，分辨率無法提高，因此應用產品尺寸局限于約"以內，產品將被限制在低分辨率小尺寸市場。若要往較大尺寸應用發展，PMOLED會出現耗電量、壽命降低的問題，目前在主屏上應用很少。下記日文資料請參考。 有機ELOLED（有機発光）薄膜構造解析現在、次世代技術利用、有機発光（OLED）研究精力的進。技術、広視野角、高発光効率特長、低

18、消費電力、低作動電圧高輝度実現。OLED非常軽、攜帯電話、DVD、必要他多製品使用。OLED、発光（LED）中有機半導體材料用技術、OLED有機材料低分子高分子有機用。低分子有機材料製OLED場合、真空槽內昇華最簡便蒸著方法、一方、高分子有機材料場合、溶媒塗布法用。 OLED仕組 OLED基本的、透明電極（陽極）金屬電極（負極）薄有機層構造。陽極、有機層表面注入（層注入層呼）、一方、負極近傍有機層電子注入。OLED基本、注入層以外、輸送層、発光層、電子輸送層形成。適當電圧（通常、數）印可、注入正負電荷発光層內再結合発光（）。有機層構造陽極?負極選択、発光層再結合過程円滑行、

19、OLED発光量最大化。、全體厚、2000。  OLED作動原理  OLED薄膜構造解析 分光解析法（分光）、高精度OLED非破壊構造解析行。、Jobin Yvon社UVISEL位相変調分光偏光解析裝置用構造解析取上。偏光解析入射角56°測定、IsIc二変數求。IsIc偏光解析角関數、次偏光解析基本式定義。Rp/RstaneiIssin(2)sin()Ic=sin(2)cos()位相変調偏光解析法、角度正確求可能、045°0360°範囲內、死角生。測定分析求各有機層屈折率厚、ITO層光學特性示。各有機物質光學特性、複

20、數振動子（）分散式用計算、3101240nm領域物質特性評価。蒸著後処理ITO層不均一、ITO層評価必要。ITO光學特性ITO層內変動、考慮必要。 OLED構造結果  OLED構造光學特性  最後 位相変調分光偏光解析法、OLED全構造正確評価優技術。技術用、薄膜厚光學特性、活性層添加物（）影響測定。例生産現場大畫面分析高速処理求用途、全自動試料臺備、最大1000mm×1000mm試料測定可能堀場製作所製FF-1000偏光解析裝置最適。正確自動薄膜測定裝置獨自機能有、製造工程品質管理信頼性証明。 盡管有機EL面板在

21、視角、響應時間、耗電量和厚度方面占有優勢，而且面板壽命也越來越長，但仍然面臨著與液晶面板的嚴峻價格挑戰。 OLED被業界公認為是下一代平板顯示產業的主流，屬國家戰略和重大信息產業領域。 技術情報技術交流友情鏈接TFT_LCD Array工序簡介TFT-LCD 工藝簡要說明液晶構造表示原理了解等離子電視CF制造 常用術語OLED（有機発光）薄膜構造解析PLC的主要組成部分及各部功能TFT_LCD Array工序簡介(2008-12-24 17:05:34) 轉載標簽： 技術情報tft_lcdarraypr光刻膠柵極玻璃基板刻蝕涂布分類： 技術情報 TFT_LCD A

22、rray工序簡介整理：強哥 2008/12/24TFT_LCD是以TFT單元為控制組件，以液晶（LC）為介質的光點顯示器件。 TFT-LCD研究起源于歐美，產業化由日本完成。因此最早的理論研究和基礎專利基本集中在歐美，而產品和工藝方面的技術則主要掌握早日韓手中。臺灣大多數廠商的技術來源于其他廠商的授權，技術專利掌握很少，大多為液晶面板代工制造。制作TFT的材料多數為非晶硅（a-Si），因為非晶硅適合于大面積、大量生產。其他材料還有：低溫多晶硅（p-Si）、微晶硅（-Si）。TFT_LCD主要構件的作用：TFT基板，根據掃描信號選擇像素和根據顯示信號控制液晶偏轉量；CF基板，將經TFT控制而又穿

23、過液晶體的光線轉換為相應的彩色；液晶體，相當于可以通過TFT控制其偏轉量的光閥，控制各子像素的光通過量。 TFT基板結構及原理第一道工序（Mask）：簡稱G工程。玻璃基板上做柵極（Gate），柵極上加正電壓；氮化硅（SiNx）覆蓋柵極層，隔離接下來要制作的非晶硅層（a-Si）。控制線加在柵極上。Gate電極通常由兩層金屬組成，分別為鉬/鋁銣合金（Mo/AlNd）。PVD形成。厚度：鉬1000埃，鋁銣2000埃。PR厚度15000埃，曝光強度21mj/cm2。(圖1參考)         

24、0;                圖1第二道工序：簡稱I工程（Island）。形成TFT島，其實是IC工藝的翻版，當柵極上加有正電壓時，非晶硅層便有電流流過，方向為源極到漏極。 TFT島包括：SiNx，a-Si，n+ a-Si等層。PECVD分步形成，膜厚約為2000埃。只需一次干刻。（圖2參考）           

25、0;      圖2第三道工序：簡稱D工程。制作源極、漏極（S/D）。在源漏極與TFT島之間要形成一層n+ a-Si，主要是確保非晶層與源漏極之間為歐姆接觸。信號線加在源極上。S/D電極主要由鉬/鋁/鉬三層膜組成，膜厚500/2000/500埃，PVD法形成。此時的曝光強度為28mj/cm2。第四道工序：簡稱C工程。制作接觸孔，以便S/D信號可靠地引入ITO電極。PECVD法形成p-SiNx膜（膜厚2000埃），RIE法刻蝕。（圖3參考）          

26、;            圖3第五道工序：簡稱PI工程。形成ITO透明像素電極。ITO像素電極覆蓋漏極，公共電極和存儲電容。PVD法ITO濺射成膜（膜厚500埃），3.4%的草酸刻蝕。（圖4參考）                       圖4上述便是常用的5MASK

27、工藝。除此之外，還要在源漏極上面形成絕緣和隔離用的鈍化層。在5MASK工藝中，每道工序均要經過清洗、成膜、涂布、曝光、（打碼）、顯影、干濕刻、PR剝離等7道主要工序。簡述流程如下：基板投入à清洗à（異物檢查）à成膜（金屬膜用PVD濺射，非金屬膜用PECVD）à涂布(Toray Coater)à曝光à顯影à刻蝕（金屬膜用濕刻，非金屬膜用干刻）àPR剝離（PR開始作為刻蝕掩模存在，此時不再需要，用剝離液將其去除）à測試。以下是對上述各工序的概括說明：清洗：清洗的目的是去除污染物，這些東西往往來源于玻璃基板包裝，加工中化學反應的生成物，人體的毛皮等等。總體來說可分為有機物和無機物。去除有機物可用UV分解清洗法，低壓水銀燈光波波長185nm，254nm，照射70秒。也可用藥液噴淋。去除無機物可用二流清洗（氣泡在玻璃基板表面破裂時產生沖擊波，使粒子從基板脫離）和超聲波清洗法。超聲波頻率為1.5Mhz，主要去除小直徑的微粒。清洗后還會用到“風刀”干燥。成膜：成膜分金屬膜和非金屬膜。金屬膜采用PVD，即物理氣相淀積的方式成膜，又叫濺射（Sputter），日本真空公司的設備市