1、1第二章第二章 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)Fundamentals of Digital Electronic Technology22.3 2.3 最簡單的與、或、非門電路最簡單的與、或、非門電路2.4 TTL2.4 TTL門電路門電路2.6 CMOS2.6 CMOS邏輯門電路邏輯門電路* *2.5 2.5 其它類型的雙極型數(shù)字集成電路其它類型的雙極型數(shù)字集成電路* *2.7 2.7 其它類型的其它類型的MOSMOS集成電路集成電路2.1 2.1 概述概述2.2 2.2 半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性2.8 TTL2.8 TTL電路與電路與CMOSCMOS

2、電路的接口電路的接口3 2.1 概述概述門電路門電路：是用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯：是用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的電子電路。運(yùn)算的電子電路。實(shí)現(xiàn)與運(yùn)算的叫與門，實(shí)現(xiàn)或運(yùn)實(shí)現(xiàn)與運(yùn)算的叫與門，實(shí)現(xiàn)或運(yùn)算的叫或門，實(shí)現(xiàn)非運(yùn)算的叫非門，也叫做反相器，算的叫或門，實(shí)現(xiàn)非運(yùn)算的叫非門，也叫做反相器，等等。等等。分立元件門電路和集成門電路分立元件門電路和集成門電路: : 分立元件門電路：用分立的元件和導(dǎo)線連接起分立元件門電路：用分立的元件和導(dǎo)線連接起 來構(gòu)成的門電路。簡單、經(jīng)濟(jì)、功耗低，負(fù)載差。來構(gòu)成的門電路。簡單、經(jīng)濟(jì)、功耗低，負(fù)載差。 集成門電路：把構(gòu)成門電路的元器件和連線都集成門電路：把構(gòu)

3、成門電路的元器件和連線都 制作在一塊半導(dǎo)體芯片上，再封裝起來，便構(gòu)成了制作在一塊半導(dǎo)體芯片上，再封裝起來，便構(gòu)成了集成門電路。現(xiàn)在使用最多的是集成門電路。現(xiàn)在使用最多的是CMOSCMOS和和TTLTTL集成門集成門電路。電路。4在數(shù)字電路中，一般用高電平代表在數(shù)字電路中，一般用高電平代表1 1、低電、低電平代表平代表0 0，即所謂的，即所謂的正邏輯正邏輯。 反之，用高電平代表反之，用高電平代表0 0、低電平代表、低電平代表1 1，即所，即所謂的謂的負(fù)邏輯負(fù)邏輯。 電位指絕對(duì)電壓的大小電位指絕對(duì)電壓的大小, ,電平指一定的電壓范圍。電平指一定的電壓范圍。 高電平和低電平：在數(shù)字電路中分別表示兩段

4、電壓高電平和低電平：在數(shù)字電路中分別表示兩段電壓范圍。范圍。 如在如在TTLTTL電路中，通常規(guī)定高電平的額定值為電路中，通常規(guī)定高電平的額定值為3V3V，但從但從2V2V到到5V5V都算高電平；低電平的額定值為都算高電平；低電平的額定值為0.3V0.3V，但，但從從0V0V到到0.8V0.8V都算作低電平。都算作低電平。1 00VVcc只要能判斷高只要能判斷高低電平即可低電平即可K開開-Vo=1, 輸出高電平輸出高電平 K合合-Vo=0, 輸出低電平輸出低電平 對(duì)電路元件參數(shù)、電源的要求比模擬電路要低。對(duì)電路元件參數(shù)、電源的要求比模擬電路要低。 ViVoKVccR可用二、三可用二、三極管代替

5、極管代替獲得高、低電平的基本原理獲得高、低電平的基本原理6l2.2 半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性2.2.1 半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性 二極管具有單向?qū)щ娦裕饧诱螂妷簳r(shí)導(dǎo)通，外加反向電二極管具有單向?qū)щ娦裕饧诱螂妷簳r(shí)導(dǎo)通，外加反向電壓時(shí)截止，相當(dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開關(guān)。壓時(shí)截止，相當(dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開關(guān)。 7 應(yīng)用于二極管外電路電阻R值與其動(dòng)態(tài)rD電阻等量級(jí)場合 應(yīng)用于二極管電路輸入電壓V正向幅值與VON差別不大，且RrD的場合，(數(shù)字電路屬于此類) 應(yīng)用于二極管電路輸入電壓V正向峰值VPPVON，且RrD的場合(理想

6、開關(guān))VON0.7V（硅） 0.3V（鍺）rD幾 幾十等效電路8假定二極管假定二極管D為理想開關(guān)元件，則：為理想開關(guān)元件，則： 當(dāng)當(dāng)VI=VIH=VCC時(shí)時(shí),D截止截止,VO=VOH=VCC; 當(dāng)當(dāng)VI=VIL=0時(shí)，時(shí)，D導(dǎo)通，導(dǎo)通，VO=VOL=0。若二極管二極管D為非理想開關(guān)元件為非理想開關(guān)元件,當(dāng)當(dāng)VI=VIL=0時(shí)，時(shí)，D導(dǎo)通，導(dǎo)通，VO=VOL= VON.一、靜態(tài)特性一、靜態(tài)特性9二、動(dòng)態(tài)特性二、動(dòng)態(tài)特性給二極管電路加入一個(gè)方波信號(hào).v外加電壓由反向突然變?yōu)檎驎r(shí)，要等到PN結(jié)內(nèi)部建立起足夠的電荷梯度后才開始有擴(kuò)散電流形成，即濃度梯度建立產(chǎn)生的延遲.開通開通時(shí)間時(shí)間t tonon:

7、 :二極管從截止變?yōu)閷?dǎo)通所需的時(shí)間.v外加電壓由正向突然變?yōu)榉聪驎r(shí)，因PN結(jié)尚有一定數(shù)量的存儲(chǔ)電荷，所以有較大的瞬態(tài)反向電流流過。隨著存儲(chǔ)電荷的消散，反向電流迅速衰減并趨近于穩(wěn)態(tài)時(shí)的反向飽和電流.反向恢復(fù)時(shí)間tre ：二極管從導(dǎo)通到截止所需的時(shí)間。一般為納秒數(shù)量級(jí)（通常tre5ns ）。t ts s為存儲(chǔ)時(shí)間，為存儲(chǔ)時(shí)間，t tt t稱為渡越時(shí)間稱為渡越時(shí)間。 trets十tt. 一般: tre tonttvitsttt tonontrevi00若輸入信號(hào)頻率過高，二極管會(huì)雙向?qū)ǎ蜗驅(qū)щ娮饔谩Ｒ虼烁哳l應(yīng)用時(shí)需考慮此參數(shù)。102.2.2 半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性1.

8、靜態(tài)特性及開關(guān)等效電路在數(shù)字電路中，三極管作為開關(guān)元件，主要工作在飽和和截止兩種開關(guān)狀態(tài)，放大區(qū)只是極短暫的過渡狀態(tài)。三極管的三種工作狀態(tài)（a）電路 （b）輸出特性曲線11截止時(shí)等效電路(1) 截止?fàn)顟B(tài) 條件：發(fā)射結(jié)反偏特點(diǎn)：電流iC,iB約為0 12(2)飽和狀態(tài)條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏特點(diǎn)：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅飽和時(shí)等效電路132. 三極管的開關(guān)時(shí)間（動(dòng)態(tài)特性）三極管的開關(guān)時(shí)間 開啟時(shí)間ton 上升時(shí)間tr延遲時(shí)間td關(guān)閉時(shí)間toff下降時(shí)間tf存儲(chǔ)時(shí)間ts14(1) 開啟時(shí)間ton 三極管從截止到飽和所需的時(shí)間。ton = td +tr td ：延遲時(shí)間 tr

9、：上升時(shí)間(2) 關(guān)閉時(shí)間toff 三極管從飽和到截止所需的時(shí)間。toff = ts +tf ts ：存儲(chǔ)時(shí)間（幾個(gè)參數(shù)中最長的；飽和越深越長）tf ：下降時(shí)間toff ton 。三極管開關(guān)時(shí)間一般在納秒數(shù)量級(jí)。高頻應(yīng)用時(shí)需考慮。152.2.3 MOS管的開關(guān)特性管的開關(guān)特性一、一、MOS管是金屬管是金屬氧化物氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的簡稱。半導(dǎo)體場效應(yīng)管的簡稱。（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）右圖為右圖為N溝道增強(qiáng)型場效溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管應(yīng)管( (NMOS) )161718二、MOS管的輸入特性和輸出特性以N溝道增強(qiáng)型MOS管

10、為例.MOS管是電壓控制器件,用柵極電壓VGS來控制漏極電流iD，如圖所示的轉(zhuǎn)移特性，表示在漏源電壓VDS一定時(shí)，iD和VGS的關(guān)系。VT為開啟電壓。當(dāng)VGSVT后，形成iD，相當(dāng)于開關(guān)閉合。在開關(guān)電路中，電路工作在大信號(hào)狀態(tài)，從下圖的輸出特性中，MOS管的工作狀態(tài)可劃分為四個(gè)區(qū)：VT0246810123iD(mA)VGS(v)V)VDS=6 v(VT=4v)19截止區(qū)截止區(qū)：VGSVT， VDSBVDS后，iD將隨VDS增加而急劇增加，應(yīng)避免此種情況，以免損壞管子。0246810123iD(mA)VDS(v)V)12線性電阻區(qū)線性電阻區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)擊穿區(qū)擊穿區(qū)截止區(qū)截止區(qū)VGS=8v7v6v

11、5v4v20三、MOS管的開關(guān)等效電路由于MOS管截止時(shí)漏極和源級(jí)之間的內(nèi)阻ROFF非常大，所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可用斷開的開關(guān)代替。MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻RON約在1K以內(nèi)，而且與VGS的數(shù)值有關(guān)。C1代表柵極的輸入電容。約為幾皮法。由于開關(guān)電路的輸出端不可避免地會(huì)帶有一定的負(fù)載電容，所以在動(dòng)態(tài)工作情況下（即VI在高、低電平間跳變時(shí)），漏極電流 iD的變化和輸出電壓VDS的變化都將滯后于輸入電壓的變化。C1SDGSDGRON21目前，采用目前，采用MOS管的邏輯集成電路主要有三類：以管的邏輯集成電路主要有三類：以P溝道增強(qiáng)溝道增強(qiáng)型管構(gòu)成的型管構(gòu)成的PMOS電路，以電路，以N溝道增強(qiáng)型管

12、構(gòu)成的溝道增強(qiáng)型管構(gòu)成的NMOS電路電路以及以及用用PMOS和和NMOS兩種管子構(gòu)成的互補(bǔ)兩種管子構(gòu)成的互補(bǔ)MOS，即，即CMOS電電路路。四、四、MOS管的基本開關(guān)電路管的基本開關(guān)電路 G S iD D RD +VDD Vi Vo NMOS倒相器倒相器當(dāng)當(dāng)Vi=ViL時(shí)時(shí)，VGS=ViLVT，MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，合理選擇管處于導(dǎo)通狀態(tài)，合理選擇VDD和和RD，使，使iD足夠大，輸出足夠大，輸出VO=VOL=VDDiDRD為得到足夠低的為得到足夠低的VOL，要求，要求RD很大，在實(shí)際電路中，常用另一個(gè)很大，在實(shí)際電路中，常用另一個(gè)MOS管來做負(fù)載。管來做負(fù)載。221與門電路與門電路 2.3

13、2.3 最簡單的與、或、非門電路最簡單的與、或、非門電路LAB+VDD3k（+5V）RCC21&ABL=ABA、B為輸入信號(hào)（+3V或0V）ABL0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V電路輸入與輸出電壓的關(guān)系用邏輯1 1表示高電平（此例為+3V+3V）用邏輯0 0表示低電平（此例為0.7V0.7V）23ABLDD12R3kABL=A+B1電路輸入與輸出電壓的關(guān)系A(chǔ)BL0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3V用邏輯1 1表示高電平（此例為+2.3V+2.3V）用邏輯0 0表示低電平（此例為0V0V）243. 三極管非門三極管非門1、工作原理、

14、工作原理當(dāng)當(dāng)Vi=ViL=0時(shí)，三極管截止，時(shí)，三極管截止，輸出電壓輸出電壓Vo=VoH Ecc當(dāng)當(dāng)Vi=ViH Ec時(shí)，三極管飽和，時(shí)，三極管飽和，輸出電壓輸出電壓Vo=VoL=Vces 02、正常工作條件、正常工作條件1）.截止條件：截止條件：Vbe0 ViL R1 02）.飽和條件：飽和條件：ibibs=ib= 21RREVbiLccescRVE1RVVbesiH2REVbbesccescRVE ViR1R2EbTRc+EcVoib25一、 和工作原理TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導(dǎo)體三極管，所以稱晶體管晶體管邏輯門電路，簡稱TTL電路。1.電路結(jié)構(gòu)由輸入級(jí)、倒相級(jí)、輸出級(jí)

15、三部分組成.2.工作原理A輸入信號(hào)的高、低電平分別為：VIH=3.4v，VIL=0.2v,VON=0.7v，Vcc=+5v1). A為低電平VIL=0.2v時(shí)，T1的發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，并將T1的基電極電位鉗在VIL+VON=0.9v， A R1 4k T1 T2 T4 T5 R4 R3 1K 130 +Vcc R2 1.6K Y D1 D2 輸入級(jí)輸入級(jí)倒相級(jí)倒相級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)因?yàn)門1的集電極回路電阻為R2和T2的b-c結(jié)反向電阻之和，阻值非常大，所以T1工作在深度飽和區(qū)，Vces1 0。顯然，T2的發(fā)射結(jié)不導(dǎo)通，T2截止，Vc2為高電平，Ve2為低電平，使T5截止，故 R2上的壓降很小，Vc2Vc

16、c，T4管導(dǎo)通。因此，輸出為高電平Vo=VOH=3.6v。 A R1 4k T1 T2 T4 T5 R4 R3 1K 130 +Vcc R2 1.6K Y D1 D2 輸入級(jí)輸入級(jí)倒相級(jí)倒相級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)0.2v0V5V3.6V0.9v0.2V導(dǎo)通(射極跟隨器)截止截止飽和5VVILVOH2). 當(dāng)輸入信號(hào)為高電平VIH=3.4v，假設(shè)暫不考慮T1管的集電極支路，則T1管的發(fā)射結(jié)均應(yīng)導(dǎo)通，可能使Vb1=VIH+0.7=4.1v。但是，由于Vcc經(jīng)R2作用于T1管的集電極、T2和T5管的發(fā)射結(jié)，使三個(gè)PN結(jié)必定導(dǎo)通，Vb1=Vbc1+Vbe2+Vbe5=2.1v，使T1管的發(fā)射結(jié)均反偏，T1管處

17、于倒置工作狀態(tài)，T2和T5管飽和導(dǎo)通，Vo=VoL=Vces5=0.3v，Vc2=Vces2+Vbe5=0.3+0.7=1v，T4管和D2 截止。 A R1 4k T1 T2 T4 T5 R4 R3 1K 130 +Vcc R2 1.6K Y D1 D2 輸入級(jí)輸入級(jí)倒相級(jí)倒相級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)3.4V0.7V1V0.3V2.1V1.4V飽和截止5VVIHVOLT1集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)反偏，倒置工作狀態(tài)飽和29綜上所述，綜上所述，TTL非門輸入端輸入低電平，輸出即為高電平；當(dāng)非門輸入端輸入低電平，輸出即為高電平；當(dāng)輸入端輸入高電平時(shí)，輸出為低電平，實(shí)現(xiàn)了非邏輯功能。輸入端輸入高電平時(shí)，輸出為低電平，

18、實(shí)現(xiàn)了非邏輯功能。采用三極管射極輸入級(jí)的作用：提高輸入電阻采用三極管射極輸入級(jí)的作用：提高輸入電阻采用推拉式輸出級(jí)的作用：利于提高開關(guān)速度和負(fù)載能力采用推拉式輸出級(jí)的作用：利于提高開關(guān)速度和負(fù)載能力T T3 3組成射極輸出器，優(yōu)點(diǎn)是既能提高開關(guān)速度，又能提高負(fù)載能力。 當(dāng)輸入高電平時(shí)，T T5 5飽和，T T4 4和D D2 2截止，T T5 5的集電極電流可以全部用來驅(qū)動(dòng)負(fù)載。 當(dāng)輸入低電平時(shí)，T T5 5截止，T T4 4導(dǎo)通(為射極輸出器)，其輸出電阻很小，帶負(fù)載能力很強(qiáng)。 可見，無論輸入如何，T T4 4和T T5 5總是一管導(dǎo)通而另一管截止。這種推拉式工作方式，帶負(fù)載能力很強(qiáng)。 AB

19、段: 當(dāng)Vi0.6v時(shí)，Vb11.3v，T2和T5管截止，T4導(dǎo)通，輸出為高電平VoH=VccVR2Vd2Vbe4 3.4v，故AB段稱為截止區(qū)。BC段: 當(dāng)0.7Vi1.3v時(shí)，T2管的發(fā)射極電阻R3直接接地，故T2管開始導(dǎo)通并處于放大狀態(tài)，所以Vc2和Vo隨Vi的增高而線性地降低。但T5管仍截止。故BC段稱為線性區(qū)。CD段:當(dāng)1.3vVi1.4v時(shí)， Vb1=2.1v，使T2和T5管均趨于飽和導(dǎo)通，T4 管截止，所以Vo急劇下降為低電平，Vo=VoL=0.3v，故稱CD段為轉(zhuǎn)折區(qū)。DE段: Vi大于1.4v以后，Vb1被箝位在2.1v，T2和T5管均飽和，Vo=Vces5=0.3v,故DE

20、段稱為飽和區(qū)。截止區(qū)線性區(qū)轉(zhuǎn)折區(qū)飽和區(qū)T T5 5截止，稱關(guān)門T T5 5飽和，稱開門二、電壓傳輸特性二、電壓傳輸特性31三、結(jié)合電壓傳輸特性介紹幾個(gè)參數(shù) (1) 輸出高電平UOH 典型值為3V。(2) 輸出低電平UOL 典型值為0.3V。32(3) 開門電平UON一般要求UON1.8V(4) 關(guān)門電平UOFF一般要求UOFF0.8V 在保證輸出為額定低電平的條件下，允許的最小輸入高電平的數(shù)值，稱為開門電平UON。在保證輸出為額定高電平的條件下，允許的最大輸入低電平的數(shù)值，稱為關(guān)門電平UOFF。UOFFUON33(5) 閾值電壓UTH 電壓傳輸特性曲線轉(zhuǎn)折區(qū)中點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的uI值稱為閾值電壓UTH

21、（又稱門檻電平）。通常UTH1.4V。 (6) 噪聲容限（ UNL和UNH ） 噪聲容限也稱抗干擾能力，它反映門電路在多大的干擾電壓下仍能正常工作。 UNL和UNH越大，電路的抗干擾能力越強(qiáng)。34UOFFUNLUILUONUNHUIH低電平噪聲容限（低電平正向干擾范圍） UNL=UOFF-UILUIL為電路輸入低電平的典型值（0.3V）若UOFF=0.8V，則有 UNL=0.8-0.3=0.5 (V) 高電平噪聲容限（高電平負(fù)向干擾范圍）UNH = UIH - UONUIH為電路輸入高電平的典型值（3V）若UON=1.8V，則有 UNH = 3-1.8 =1.2 (V)35TTL門的輸入端噪聲

22、容限的其它定義門的輸入端噪聲容限的其它定義(教材教材P64,門帶門情況門帶門情況) 噪聲容限：保證輸出邏輯狀態(tài)一定，而允許的輸入噪聲干擾噪聲容限：保證輸出邏輯狀態(tài)一定，而允許的輸入噪聲干擾的電壓幅值的電壓幅值 輸入低電平噪聲容限：輸入低電平噪聲容限：VNL=VILmax-VOLmax 輸入高電平噪聲容限：輸入高電平噪聲容限：VNH=VOHmin-VIHminUOFFUON36四、輸入特性：四、輸入特性： Vi(v) iI(mA) 0 1.0 1.5 0.5 1 1.5 當(dāng)當(dāng)ViVT時(shí)，時(shí)，iI為負(fù)值，當(dāng)為負(fù)值，當(dāng)Vi5mA后，輸出電壓便線性下降，輸出高電平不能保持。后，輸出電壓便線性下降，輸出

23、高電平不能保持。一般器件一般器件手冊(cè)所給的手冊(cè)所給的高電平最大輸出電流高電平最大輸出電流 IOH 0.4mA39例例2.4.1輸入負(fù)載特性曲線 （a）測試電路 （b）輸入負(fù)載特性曲線 TTL反相器的輸入端對(duì)地接上電阻RI 時(shí)，uI隨RI 的變化而變化的關(guān)系曲線。六. 輸入負(fù)載特性40在一定范圍內(nèi)，uI隨RI的增大而升高。但當(dāng)輸入電壓uI達(dá)到1.4V以后，uB1 = 2.1V，RI增大，由于uB1不變，故uI = 1.4V也不變。這時(shí)VT2和VT4飽和導(dǎo)通，輸出為低電平。虛框內(nèi)為TTL反相器的部分內(nèi)部電路 )11beccIIIVVRRRu（41RI 不大不小時(shí)，工作在線性區(qū)或轉(zhuǎn)折區(qū)。RI 較小時(shí)

24、，關(guān)門，輸出高電平；RI 較大時(shí)，開門，輸出低電平；ROFFRONRI 懸空時(shí)？42(1) 關(guān)門電阻ROFF 在保證門電路輸出為額定高電平的條件下，所允許RI 的最大值稱為關(guān)門電阻。典型的TTL門電路ROFF 0.7k。 (2) 開門電阻RON 在保證門電路輸出為額定低電平的條件下，所允許RI 的最小值稱為開門電阻。典型的TTL門電路RON 2k。 數(shù)字電路中要求輸入負(fù)載電阻RI RON或RI ROFF ，否則輸入信號(hào)將不在高低電平范圍內(nèi)。振蕩電路則令 ROFF RI RON使電路處于轉(zhuǎn)折區(qū)。例2.4.243七、七、TTL門的動(dòng)態(tài)特性：門的動(dòng)態(tài)特性：傳輸延遲時(shí)間：輸出波形相對(duì)于輸入波形滯后的時(shí)

25、間：傳輸延遲時(shí)間：輸出波形相對(duì)于輸入波形滯后的時(shí)間： 50ns1. 通常把輸出電壓由高電平變?yōu)榈碗娖降膫鬏斞舆t時(shí)間記作通常把輸出電壓由高電平變?yōu)榈碗娖降膫鬏斞舆t時(shí)間記作tPHL，由低電平變?yōu)楦唠娖降膫鬏斞舆t時(shí)間記作由低電平變?yōu)楦唠娖降膫鬏斞舆t時(shí)間記作tPLH。在此。在此TTL非門中，由于輸出管非門中，由于輸出管T5工作在深度飽和狀態(tài)，所以工作在深度飽和狀態(tài)，所以tPLHtPHL。 一般在器件手冊(cè)上給出的是平均傳輸延遲時(shí)間一般在器件手冊(cè)上給出的是平均傳輸延遲時(shí)間tpd。 其定義為：其定義為：tpd=(tPHL+tPLH)/2平均傳輸延遲時(shí)間tpd表征了門電路的開關(guān)速度。442. 電源的動(dòng)態(tài)尖峰電

26、流：電源的動(dòng)態(tài)尖峰電流： 在動(dòng)態(tài)工作情況下，特別是在動(dòng)態(tài)工作情況下，特別是當(dāng)輸入由高電平下跳到低電平當(dāng)輸入由高電平下跳到低電平時(shí)，時(shí)，T1管飽和導(dǎo)通，為管飽和導(dǎo)通，為T2管提供了一個(gè)低阻的反向基極電流通路，管提供了一個(gè)低阻的反向基極電流通路，使使T2管很快截止，但管很快截止，但T5管并不能隨之迅速截止。因?yàn)楣懿⒉荒茈S之迅速截止。因?yàn)門5管原來管原來處于深度飽和狀態(tài)，其基區(qū)存儲(chǔ)電荷的消散需一定的時(shí)間，故處于深度飽和狀態(tài)，其基區(qū)存儲(chǔ)電荷的消散需一定的時(shí)間，故T4、T5管在一短暫時(shí)間會(huì)同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而使電源電流管在一短暫時(shí)間會(huì)同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而使電源電流產(chǎn)生一尖峰脈沖產(chǎn)生一尖峰脈沖。此尖峰

27、電流使電源的平均電流增大，而且，。此尖峰電流使電源的平均電流增大，而且，信號(hào)的重復(fù)頻率越高，電源電流的平均值增加越多。信號(hào)的重復(fù)頻率越高，電源電流的平均值增加越多。3. 交流噪聲容限：高電平交流噪聲容限：高電平2.0v 低電平低電平0.8v45TTL與非門舉例與非門舉例7400740074007400是一種典型的是一種典型的TTL與非門器件，內(nèi)部含有與非門器件，內(nèi)部含有4 4個(gè)個(gè)2 2輸入端輸入端與非門，共有與非門，共有1414個(gè)引腳。引腳排列圖如圖所示。個(gè)引腳。引腳排列圖如圖所示。46八、八、 其他類型的其他類型的TTL門電路門電路1.其他邏輯功能的其他邏輯功能的TTL門電路：門電路：輸入特

28、性：輸入特性： 低電平電流低電平電流 單端單端 高電平電流高電平電流 多端多端輸出特性：輸出特性： 與反相器相同與反相器相同1).與非門與非門多發(fā)射極三極管多發(fā)射極三極管472).或非門或非門 電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：多套（輸入級(jí)電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：多套（輸入級(jí)+倒相級(jí)）并聯(lián)倒相級(jí)）并聯(lián) 輸入特性：輸入特性： 低電平電流低電平電流 多端多端 高電平電流高電平電流 多端多端 輸出特性：輸出特性： 與反相器相同與反相器相同483).與或非門與或非門電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：將或非門各輸電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：將或非門各輸入端改用多發(fā)射極三極管入端改用多發(fā)射極三極管輸入特性：輸入特性： 低電平電流：低電平電流： 每個(gè)與門一端每個(gè)與門一端

29、高電平電流：高電平電流： 多端多端輸出特性：輸出特性： 與反相器相同與反相器相同492. 集電極開路門（集電極開路門（OC）為何要采用集電極開路門呢？推拉式輸出電路結(jié)構(gòu)存在局限性。首先，輸出端不能并聯(lián)使用。若兩個(gè)門的輸出一高一低，當(dāng)兩個(gè)門的輸出端并聯(lián)以后，必然有很大的電流同時(shí)流過這兩個(gè)門的輸出級(jí)，而且電流的數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過正常的工作電流，可能使門電路損壞。而且，輸出端也呈現(xiàn)不高不低的電平，不能實(shí)現(xiàn)應(yīng)有的邏輯功能。 50推拉式輸出級(jí)并聯(lián)的情況01很大的電流不高不低的電平：1/0?Y51集電極開路的TTL與非門（a）電路 （b）邏輯符號(hào)集電極開路52工作原理：當(dāng)VT3飽和，輸出低電平UOL0.3V；當(dāng)

30、VT3截止，由外接電源E通過外接上拉電阻提供高電平UOHE。因此， OC門電路必須外接電源和負(fù)載電阻，才能提供高電平輸出信號(hào)。53OC門的線與門的線與：由于由于n個(gè)個(gè)OC門的輸出接在一起，所以只要有一個(gè)是低電平，門的輸出接在一起，所以只要有一個(gè)是低電平，Vo就是就是低電平；只有每個(gè)輸出都是高電平時(shí)，低電平；只有每個(gè)輸出都是高電平時(shí)，Vo才是高電平。這種輸出端才是高電平。這種輸出端并聯(lián)的連接方式稱為并聯(lián)的連接方式稱為“線與線與”。54外接負(fù)載電阻的計(jì)算方法：外接負(fù)載電阻的計(jì)算方法：當(dāng)所有當(dāng)所有OC門同時(shí)截止時(shí)，門同時(shí)截止時(shí)，輸出輸出Vo為為高電平高電平，為保證輸，為保證輸出的高電平不低于規(guī)定的出

31、的高電平不低于規(guī)定的VOH值。負(fù)載電阻的最大值值。負(fù)載電阻的最大值計(jì)算公式：計(jì)算公式：iHOHOHCCLmInIVVR(max)VOH55當(dāng)所有當(dāng)所有OC門中只有一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，全部負(fù)載電流都流入導(dǎo)通的那門中只有一個(gè)導(dǎo)通時(shí)，全部負(fù)載電流都流入導(dǎo)通的那個(gè)個(gè) OC門，因而門，因而RL值不可太小，以確保流入導(dǎo)通值不可太小，以確保流入導(dǎo)通OC門的電流不至門的電流不至于超過最大允許的于超過最大允許的ILM值。值。負(fù)載電阻最小值計(jì)算公式：負(fù)載電阻最小值計(jì)算公式：ILLMOLCCLImIVVR(min)VOL56(1) OC門的輸出端并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)線與功能。 RL為外接負(fù)載電阻。圖2-20 OC門的輸出端并聯(lián)實(shí)現(xiàn)線

32、與功能 Y1Y2Y000010100111CDABCDABYYY2157用OC門實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換的電路 （2）用OC門實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換583. 三態(tài)輸出門（三態(tài)輸出門（TSL）三態(tài)門電路的輸出有三種可能出現(xiàn)的狀態(tài)：高電平、低電平、高阻。何為高阻狀態(tài)？懸空、懸浮狀態(tài)，又稱為禁止?fàn)顟B(tài)。測電阻為，故稱為高阻狀態(tài)。測電壓為0V，但不是接地。因?yàn)閼铱眨詼y其電流為0A。59電路結(jié)構(gòu)：增加了控制輸入端（Enable）。 1)三態(tài)門的電路結(jié)構(gòu)及工作原理01截止YAB EN = 0時(shí)，時(shí)，電路為正常的與非工作狀態(tài)，所以稱控制端低電平有效。6010導(dǎo)通1.0V1.0V截止截止懸空當(dāng)EN = 1時(shí)，門電路輸出端處于懸空

33、的高阻狀態(tài)。61控制端高電平有效的三態(tài)門2)邏輯符號(hào)控制端低電平有效的三態(tài)門用“”表示輸出為三態(tài)。高電平有效低電平有效62控制端高電平有效的三態(tài)門控制端低電平有效的三態(tài)門633)三態(tài)輸出門應(yīng)用：三態(tài)輸出門應(yīng)用：(1).實(shí)現(xiàn)總線傳輸 在微機(jī)系統(tǒng)中，希望在在微機(jī)系統(tǒng)中，希望在同一條導(dǎo)線上分別傳遞若干同一條導(dǎo)線上分別傳遞若干門電路的輸出信號(hào)，以減少門電路的輸出信號(hào)，以減少連線數(shù)目，這時(shí)，可用三態(tài)連線數(shù)目，這時(shí)，可用三態(tài)門實(shí)現(xiàn)。只要控制各個(gè)門的門實(shí)現(xiàn)。只要控制各個(gè)門的EN端輪流為端輪流為1，且任何時(shí)刻，且任何時(shí)刻僅有一個(gè)為僅有一個(gè)為1，就可以把各個(gè)，就可以把各個(gè)門的輸出信號(hào)輪流送到公共門的輸出信號(hào)輪流

34、送到公共的傳輸線總線上而互不干的傳輸線總線上而互不干擾這種連線方式叫做擾這種連線方式叫做總線總線結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)。64(2). 可利用三態(tài)門實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的可利用三態(tài)門實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳遞雙向傳遞：EN=1，G1工作，工作，G2高阻，高阻，Do經(jīng)經(jīng)G1反相送至總線。反相送至總線。EN=0，G1高阻，高阻，G2工作，總工作，總線數(shù)據(jù)經(jīng)線數(shù)據(jù)經(jīng)G2反相從反相從D1端送出。端送出。654. TTL門電路多余輸入端的處理門電路多余輸入端的處理TTL與非門與非門在使用時(shí)如果有多余的輸入端不用，一般不應(yīng)懸空，在使用時(shí)如果有多余的輸入端不用，一般不應(yīng)懸空，以防止外界干擾信號(hào)的侵入。有以下幾種處理方法：以防止外界干擾信號(hào)的侵

35、入。有以下幾種處理方法：將其經(jīng)將其經(jīng)13K 的電阻接至電源正端；的電阻接至電源正端；接高電平接高電平VH;與其他信號(hào)輸入端并接使用。與其他信號(hào)輸入端并接使用。或門及或非門的多余輸入端應(yīng)接低電平或門及或非門的多余輸入端應(yīng)接低電平。與或非門與或非門的多余與門其輸入端必須接低電平。的多余與門其輸入端必須接低電平。665、TTL集成邏輯門電路系列簡介（集成邏輯門電路系列簡介（P83-87）1)1)7474系列系列為為TTL集成電路的早期產(chǎn)品，屬中速集成電路的早期產(chǎn)品，屬中速TTL器器件。件。2)2)7474L系列系列為低功耗為低功耗TTL系列，又稱系列，又稱LTTL系列。系列。3)3)7474H系列系

36、列為高速為高速TTL系列。系列。4)4)7474S系列系列為肖特基為肖特基TTL系列，進(jìn)一步提高了速度。系列，進(jìn)一步提高了速度。抗飽和三極管抗飽和三極管67TTL系列電路的性能比較系列電路的性能比較功耗功耗p 延遲時(shí)間延遲時(shí)間tpd 延遲延遲-功耗積功耗積P87 表表 2.4.15 57474LS系列系列為低功耗肖特基系列。為低功耗肖特基系列。6 67474AS系列系列為先進(jìn)肖特基系列，它是為先進(jìn)肖特基系列，它是7474S系列的后繼產(chǎn)品。系列的后繼產(chǎn)品。7 77474ALS系列系列為先進(jìn)低功耗肖特基系列，是為先進(jìn)低功耗肖特基系列，是74LS系列的系列的后繼產(chǎn)品。后繼產(chǎn)品。其他雙極型數(shù)字集成電路

37、特點(diǎn)其他雙極型數(shù)字集成電路特點(diǎn)：DTL 二極管二極管-三極管邏輯三極管邏輯 速度低速度低 功耗低功耗低ECL 發(fā)射極耦合邏輯發(fā)射極耦合邏輯 速度最高，功耗很大速度最高，功耗很大I2L 集成注入邏輯集成注入邏輯 集成度高，速度低集成度高，速度低 682.6 CMOS2.6 CMOS門電路門電路2.6.1 CMOS反相器VVVVVVDDTPTNDDTPTN(a)(b)iiooN溝道絕緣柵型場效應(yīng)管P溝道絕緣柵型場效應(yīng)管N溝道結(jié)型場效應(yīng)管P溝道結(jié)型場效應(yīng)管69倒相器要求：倒相器要求：TPTNDDVVVT1是是P溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOS管，管，T2是是N溝溝道增強(qiáng)型道增強(qiáng)型MOS管。且管。且T1、T

38、2的開啟的開啟電壓分別為電壓分別為VTN、VTP。當(dāng)當(dāng)Vi=ViL=0時(shí)，有，時(shí)，有，VGS2=0VTN ，故故T1截止而截止而T2導(dǎo)通，輸出為低電平導(dǎo)通，輸出為低電平VOL，且，且VOL 0 靜態(tài)時(shí)靜態(tài)時(shí)T1和和T2總是工作在一個(gè)導(dǎo)通而另一個(gè)截止，其截止內(nèi)阻總是工作在一個(gè)導(dǎo)通而另一個(gè)截止，其截止內(nèi)阻又極高，流過又極高，流過T1和和T2的靜態(tài)電流極小，所以的靜態(tài)電流極小，所以CMOS反向器的靜態(tài)功反向器的靜態(tài)功耗極小。耗極小。TPGSVV 0VSST2T1VDDVOViiD導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止G1G2S1S2D2D1VDD0V71VSST2T1VDDVOViiD1電壓傳輸特性：電壓傳輸特性：（設(shè)（

39、設(shè): VDD=10V， VTN=|VTP|=2V）（1 1）當(dāng)）當(dāng)Vi2 2V，T2截止，截止，T1 ( (TP)導(dǎo)導(dǎo)通，輸出通，輸出VoVDD=10=10V。( (ABAB段段) )（2 2）當(dāng)）當(dāng)2 2VVi5 5V，T2 ( (TN)工作在工作在飽和區(qū)，飽和區(qū)，T1工作在可變電阻區(qū)。工作在可變電阻區(qū)。( (BCBC段段) ) ABCDEF（3 3）當(dāng)）當(dāng)Vi=5=5V，兩管都工作，兩管都工作在飽和區(qū)，在飽和區(qū)，Vo= =（VDD/2/2）=5=5V。 ( (CDCD段段) ) （4 4）當(dāng)）當(dāng)5 5VVi8 8V， T1工作在飽和區(qū)，工作在飽和區(qū)， T2工作在可變電阻區(qū)。工作在可變電阻區(qū)

40、。( (DEDE段段) ) （5 5）當(dāng)）當(dāng)Vi8 8V，T1截止，截止， T2導(dǎo)通，輸出導(dǎo)通，輸出Vo=0=0V。( (EFEF段段) ) 2.6.2 CMOS反相器的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性72CMOS門電路的閾值電壓門電路的閾值電壓Vth= =VDD/2/2iDVIVTN VTP VDD 1/2VDDABC DEF2.電流傳輸特性電流傳輸特性733.輸入特性輸入特性:輸入端絕緣，輸輸入端絕緣，輸入電流為入電流為0輸入端保護(hù)電路輸入端保護(hù)電路必須避免輸入端必須避免輸入端懸空懸空 744.輸出特性輸出特性:導(dǎo)通內(nèi)阻的影響導(dǎo)通內(nèi)阻的影響低電平最大輸出電流低電平最大輸出電流 灌電流灌電流mAIOL5

41、.075高電平最大輸出電流高電平最大輸出電流 拉電流拉電流 mAIOH5 .0765.動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性:延遲時(shí)間延遲時(shí)間交流噪聲容限交流噪聲容限*動(dòng)態(tài)功耗動(dòng)態(tài)功耗*772.6.3 其他其他CMOS門電路門電路ABYVDDT3T1T2T4ABYVDDT4T3T1T2BAYBAYCMOS與非門：與非門：P并并N串串CMOS或非門：或非門：P串串N并并2. CMOS或非門1. CMOS與非門783. 帶緩沖級(jí)的門電路帶緩沖級(jí)的門電路 為了穩(wěn)定輸出高低電平，可在輸入輸出端分別加反相器作緩沖級(jí)。下圖所示為帶緩沖級(jí)的二輸入端與非門電路。 BABAYABBABAY79BABAYABBABAY804. 漏極開

42、路的門電路（漏極開路的門電路（OD門）門） 如同TTL電路中的 OC門那樣， CMOS門的輸出電路結(jié)構(gòu)也可以做成漏極開路的形式，叫 OD門。 OD門作用：緩沖、輸出電平變換、滿足吸收大負(fù)載電流需求、實(shí)現(xiàn)線與邏輯。OD 門使用時(shí)注意：外接合適的RL和電源VDD2。815. CMOS傳輸門傳輸門和雙向模擬開關(guān)VI/VoVo/VIVDDCT1T2C TGVI/VoVo/VICCC和和C是一對(duì)互補(bǔ)的控制信號(hào)是一對(duì)互補(bǔ)的控制信號(hào),設(shè)控制信號(hào)的高低電平分別為設(shè)控制信號(hào)的高低電平分別為VDD和和0V,那么當(dāng)那么當(dāng)C=0,C=1時(shí)時(shí),只要輸入信號(hào)的變化范圍不超出只要輸入信號(hào)的變化范圍不超出0VDD,則則T1和

43、和T2同時(shí)截止同時(shí)截止,輸入與輸出之間呈高阻態(tài)輸入與輸出之間呈高阻態(tài)(109 ),傳輸門截傳輸門截止。止。反之，若反之，若C=1, C=0,當(dāng)當(dāng)0VIVDDVTN時(shí)時(shí)T1將導(dǎo)通。將導(dǎo)通。 VTP VIVDD時(shí)時(shí)T2將導(dǎo)通將導(dǎo)通. VI在在0- VDD內(nèi)內(nèi)T1和和 T2至少有一個(gè)導(dǎo)通至少有一個(gè)導(dǎo)通. VO與與VI兩端之間呈低阻態(tài)兩端之間呈低阻態(tài),傳輸門導(dǎo)通傳輸門導(dǎo)通.82由于由于T1、T2管的結(jié)構(gòu)形式是對(duì)稱的，即漏極和源極可互易使管的結(jié)構(gòu)形式是對(duì)稱的，即漏極和源極可互易使用，因而用，因而CMOS傳輸門屬于雙向器件，它的輸入端和輸出端傳輸門屬于雙向器件，它的輸入端和輸出端也可互易使用也可互易使用。

44、利用CMOS傳輸門和CMOS反相器可以組合成各種復(fù)雜的邏輯電路，如數(shù)據(jù)選擇器、寄存器、計(jì)數(shù)器等等。傳輸門的另一個(gè)重要用途是作傳輸門的另一個(gè)重要用途是作模擬開關(guān)模擬開關(guān)，用來傳輸連續(xù)變化的模擬電壓信號(hào)。模擬開關(guān)的基本電路是由CMOS傳輸門和一個(gè)CMOS反相器組成的，也是雙向器件。VI/VoTGVo/VIC假定接在輸出端的電阻為RL,雙向模擬開關(guān)的導(dǎo)通內(nèi)阻為RTG。當(dāng)C=0時(shí)，開關(guān)截止，輸出與輸入之間的聯(lián)系被切斷Vo=0。ITGLLoVRRRV當(dāng)C=1時(shí)，開關(guān)接通，輸出電壓為：電壓傳輸系數(shù)TGLLIoTGRRRVVK836.CMOS三態(tài)門利用CMOS倒相器附加一個(gè)PMOS管和一個(gè)NMOS管構(gòu)成三態(tài)

45、門電路.工作原理：當(dāng)EN=0時(shí)，T1和T2同時(shí)導(dǎo)通，為正常的非門，輸出AL 當(dāng)EN=1時(shí)，T1和T2同時(shí)截止，輸出為高阻狀態(tài)。所以，這是一個(gè)低電平有效的三態(tài)門。1(0)截止(導(dǎo)通)截止(導(dǎo)通)CMOS三態(tài)門其它電路結(jié)構(gòu)841 1CMOSCMOS邏輯門電路的系列邏輯門電路的系列（1 1）基本的）基本的CMOS4000CMOS4000系列。系列。（2 2）高速的）高速的CMOSHCCMOSHC系列。（采用短溝道、硅柵自對(duì)準(zhǔn)工系列。（采用短溝道、硅柵自對(duì)準(zhǔn)工藝生產(chǎn)的高速門電路，其平均傳輸延遲時(shí)間小于藝生產(chǎn)的高速門電路，其平均傳輸延遲時(shí)間小于1010納秒。）納秒。）（3 3）與）與TTLTTL兼容的高

46、速兼容的高速CMOSHCTCMOSHCT系列。系列。附附: CMOS: CMOS邏輯門電路的系列及主要參數(shù)邏輯門電路的系列及主要參數(shù)（4 4）Bi CMOSBi CMOS系列。這種門電路的特點(diǎn)是邏輯部分采用系列。這種門電路的特點(diǎn)是邏輯部分采用CMOSCMOS結(jié)構(gòu)，輸出級(jí)采用雙級(jí)型三極管。因此它兼有結(jié)構(gòu)，輸出級(jí)采用雙級(jí)型三極管。因此它兼有CMOSCMOS電路的電路的低功耗和雙極型電路低輸出內(nèi)阻的優(yōu)點(diǎn)（帶負(fù)載能力強(qiáng)等）低功耗和雙極型電路低輸出內(nèi)阻的優(yōu)點(diǎn)（帶負(fù)載能力強(qiáng)等） 。2 2CMOS邏輯門電路主要參數(shù)的特點(diǎn)邏輯門電路主要參數(shù)的特點(diǎn)（1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.0

47、1VDD。85（2）閾值電壓Vth約為VDD/2。（3）CMOS非門的關(guān)門電平VOFF為0.45VDD （非門入低電平，出高電平時(shí)，輸出管截止，叫關(guān)門） ，開門電平VON為0.55VDD（非門入高電平，出低電平時(shí)，輸出管導(dǎo)通，叫開門）。因此，其高、低電平噪聲容限均達(dá)0.45VDD。（4）CMOS電路的功耗很小，一般小于1 mW/門；（5）因CMOS電路有極高的輸入阻抗，故其扇出系數(shù)很大，可達(dá)50。所以CMOS門電路的邏輯擺幅（即高低電平之差）較大。862.6.6 CMOS2.6.6 CMOS電路的正確使用電路的正確使用一、輸入電路的靜電防護(hù)為防止由靜電電壓造成的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：1、在儲(chǔ)存

48、和運(yùn)輸CMOS器件時(shí)不要使用易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料和化纖織物包裝，最好采用金屬屏蔽層包裝材料。2、組裝、調(diào)試時(shí)，應(yīng)使電烙鐵和其它工具、儀表、工作臺(tái)臺(tái)面等良好接地。操作人員的服裝等應(yīng)用無靜電的原料制成。3、不用的輸入端不應(yīng)懸空。懸空時(shí)，輸出為不定狀態(tài)，且易損壞管。87二、輸入電路的過流保護(hù)二、輸入電路的過流保護(hù)1、輸入端接低內(nèi)阻信號(hào)源時(shí)，應(yīng)在輸入端與信號(hào)之間串進(jìn)保護(hù)電阻，保證輸入保護(hù)電路中的二極管導(dǎo)通時(shí)電流不超過1mA。2、輸入端接有大電容時(shí)，應(yīng)在輸入端與電容之間接入保護(hù)電阻，如圖2.6.35所示。輸入端長線時(shí)，應(yīng)在門電路的輸入端保護(hù)電阻Rp，如圖2.6.36所示。 Rp=VDD/ 1mA估算

49、。三、三、CMOS電路鎖定效應(yīng)的防護(hù)電路鎖定效應(yīng)的防護(hù)*CMOS電路電路與與TTL電路的對(duì)比：功耗低電路的對(duì)比：功耗低 速度低速度低P.119 表表 2.8.188一、一、 NMOS和和PMOS門電路門電路1NMOS非門* *2.7 2.7 其它類型的其它類型的MOS邏輯門電路邏輯門電路VVVTTDD21(+12V)ioVVV1DD2T(+12V)TioVVDS2DS1R(100200k)DD(+12V)R(310k)o邏輯關(guān)系：（設(shè)兩管的開啟電壓為VT1=VT2=4V，且gm1gm2 ）結(jié)型NMOS絕緣柵型NMOS89（2）當(dāng)輸入Vi為低電平0V時(shí)， T1截止，T2導(dǎo)通。所以輸出電壓為VOH=VDD-VT=8V，即輸出為高電平。所以電路實(shí)現(xiàn)了非邏輯。2、PMOS非門（少用）PMOS非門有兩個(gè)嚴(yán)重的缺點(diǎn)。（1）它的工作速度比較低。因空穴遷移率比電子的遷移率低。（2） PMOS非門電路使用負(fù)電源，輸出電平為負(fù)，不便于和TTL電路連接。（1）當(dāng)輸入Vi為高電平8V時(shí)，T1導(dǎo)通，T2也導(dǎo)通。因?yàn)間m1 gm2，所以兩管的導(dǎo)通電阻RDS1RDS2，輸出電壓為：所以輸出為低電平。所以輸出為低電平。90AL=ABVB1TDD3T(+12V)T2BVL=A+BADD(+12V)3T2TT13 3NMOS組合組合門電路門電路（1 1）與