1、單晶硅外延基座研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目目 錄第一章 項目意義和必要性- 1 -1.1 國內(nèi)外現(xiàn)狀和技術發(fā)展趨勢- 1 -1.2 產(chǎn)業(yè)關聯(lián)度分析- 4 -1.3 市場分析- 6 -1.4 競爭力分析- 9 -第二章 項目技術基礎- 11 -2.1 成果來源及知識產(chǎn)權情況- 11 -2.2 項目技術先進性- 12 -2.3 項目的可行性和成熟性- 16 -第三章 項目建設方案- 20 -3.1 項目總體方案- 20 -3.2 建設地點- 20 -3.3 項目進度- 21 -3.4 擬達到的經(jīng)濟、技術目標及水平- 21 -第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應情況- 22 -4.1 環(huán)境保護- 22 -4.2 能源

2、節(jié)約- 23 -4.3 原材料供應- 23 -第五章 項目法人基本情況- 25 -5.1 企業(yè)概況- 25 -5.2 人員情況- 26 -5.3 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況- 27 -5.4 企業(yè)近三年生產(chǎn)經(jīng)營情況- 28 -第六章 項目投資及資金籌措- 29 -6.1 投資估算- 29 -6.2 資金來源- 37 -第七章 經(jīng)濟效益分析- 39 -7.1 經(jīng)濟效益評價- 39 -7.2 財務評價附表- 43 - 40 -第一章 項目意義和必要性1.1 國內(nèi)外現(xiàn)狀和技術發(fā)展趨勢1.1.1產(chǎn)品簡介碳化硅（sic）涂層石墨基座是目前單晶硅外延生長用和氮化鎵（gan）外延生長用最好的基座之一，因此也稱單晶硅外

3、延基座，它是外延爐的核心部件。該基座屬于大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)用單晶硅和led光電子產(chǎn)業(yè)基礎材料gan的生產(chǎn)配套件及關鍵設備，符合電子信息產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃。碳化硅（sic）涂層石墨基座是以化學氣相沉積（cvd）技術生產(chǎn)出來的，具有高純度、耐高溫、耐腐蝕、氣密性好，因此具有很好的高溫物理、化學性能，是當今特種陶瓷領域中的高端產(chǎn)品和前沿課題。由于該基座是生產(chǎn)單晶硅和氮化鎵外延等半導體行業(yè)基礎材料的關鍵部件，所以它是我國微電子、光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎和源頭。根據(jù)國家發(fā)展和改革委員會、科技部、商務部發(fā)布的當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產(chǎn)業(yè)化重點領域指南（2007年度），該產(chǎn)品屬于指南“第一類第15條：電子專用設備、儀器和

4、工模具：8-12寸硅片生產(chǎn)設備，化合物半導體生產(chǎn)設備，碳化硅單晶材料生長設備，片式元件生產(chǎn)設備，”。1.1.2國內(nèi)外技術現(xiàn)狀碳化硅（sic）氣相沉積技術是國外早已發(fā)展的技術，但作為化學氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白，所以，每年約幾十億元的資金用于進口此種基座，西方各國對此技術的生產(chǎn)配方和工藝都極為保密。*禹王實業(yè)有限公司*分公司通過自主研發(fā)，其技術工藝及產(chǎn)品各項指標均達到國際同類產(chǎn)品水平，在國內(nèi)處于領先地位。當前，生產(chǎn)sic涂層的單晶硅外延生長用石墨基座企業(yè)，國內(nèi)只有我公司一家能夠獨立的生產(chǎn)與研發(fā)，世界范圍內(nèi)也只有德國西格里碳素集團、臺灣萬電國際、日本東洋碳素公司、美國memc電

5、子材料有限公司擁有此技術，且長時間對我國形成技術壟斷。我國國內(nèi)上千家半導體廠家需求的相關產(chǎn)品全部是由國外進口，價格極高且訂貨周期長，通常為5個月的供貨期，因此在產(chǎn)品供應周期上也限制了我國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。1.1.3國內(nèi)外產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀單晶硅外延用基座（sic涂層石墨基座）近十年發(fā)展很快，有平面、立體基座等。目前國際市場對sic涂層基座需求呈現(xiàn)大直徑發(fā)展的趨勢，以300mm左右的sic涂層石墨基座生產(chǎn)將成為主流。通過本項目的實施，將解決我國微電子、光電子行業(yè)電子基礎產(chǎn)品所需特種陶瓷基座的供給難題，實現(xiàn)半導體生產(chǎn)中關鍵易耗部件的國產(chǎn)化。同時解決單晶硅外延生長中粘附工件與臺面的技術難題，為我國單晶硅向

6、大直徑發(fā)展提供設備支撐。1.1.4產(chǎn)品、技術發(fā)展趨勢a、直徑呈擴大趨勢單晶硅的發(fā)展一直呈現(xiàn)大直徑的發(fā)展潮流，硅單晶圓片越大，同一圓片上生產(chǎn)的集成電路就越多，這樣既可降低成本，又能提高成品率，但材料技術和生產(chǎn)技術要求會更高。按直徑分硅單晶圓片可以分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格，近來又發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格。所以對單晶硅生長基座的需求呈現(xiàn)出大直徑的發(fā)展趨勢。b、材料以sic為主我國單晶硅外延在二十世紀七十年代遇到很多棘手問題，其中最普遍也是最嚴重的就是“硅外延片幾乎都有霧點，二極管和三極管的成品率平均為20%30”。1976年，中國科學院金屬研究所趙鳳鳴教授主動深入工廠，以遼陽第一晶

7、體管廠為第一現(xiàn)場，幫助解決這一難題，并對我國當時使用的幾種基座（純硅基座、碳化硅基座、包硅基座、玻璃碳基座、熱解石墨基座）進行了試驗對比分析，最后國內(nèi)推廣了他的科研成果，由研究單位到半導體廠家都采用了熱解石墨涂層基座，其中最明顯效益的是中科院半導體所與上海元器件五廠的合作，他們采用了熱解石墨外延基座后，二極管與三極管的制管成品率由20%30%提高到80%，經(jīng)濟效益顯著，榮獲了國家三等發(fā)明獎。熱解石墨涂層技術在國內(nèi)推廣，國內(nèi)形成三個主要生產(chǎn)廠家，*1家，遼寧2家。據(jù)1984年不完全統(tǒng)計，熱解石墨涂層基座總產(chǎn)量將近10000片，占我國外延基座總量的90%以上，應用于全國18省市70多個半導體廠家與

8、研究單位。中科院金屬研究所趙鳳鳴教授牽頭組織了全國科研成果鑒定會，榮獲國家級鑒定成果證書。八十年代中后期，由于我國硅外延設備與技術落后，單晶硅外延廠家在減少，后來隨我國的改革開放，引進大量的國外技術與設備，硅外延基座全由國外進口，全是sic涂層基座。國內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家已屈指可數(shù)了。九十年代中期由于國外movpe技術的發(fā)展，北京大學張國義教授提出要求要與-族化合物不反應的基座材料，經(jīng)研究提供了兩種基座，即熱解pbn基座與pg合金基座，這就是90年代中后期我國流行的pbn涂層石墨基座。該基座在gan興起我國大量引進國外sic基座時，達到應用頂峰。用pbn涂層180mm圓盤5槽

9、基座，經(jīng)南昌大學張鳳益教授試用效果與sic基座相當，并由趙鳳鳴教授與南昌大學張鳳益共同申請了國家發(fā)明專利。國內(nèi)目前還在使用熱解石墨作外延基座的廠家及生產(chǎn)廠家已屈指可數(shù)了。2003年南昌（白光工程）會議后，引進國外設備的廠家，都在繼續(xù)引進國外sic基座，用于白光工程，趙鳳鳴教授用熱解石墨合金涂層，應用于單晶硅的導流筒和gaas單晶的防熱罩，并將含si的石墨合金應用于外延基座。在獲得推廣后他們應國家需要推廣sic涂層基座。2006年由趙鳳鳴教授研制的sic涂層基座在南京大學試用，因使用效果良好使南京大學已成為我們的忠實客戶。c、形狀向筒式外延爐發(fā)展我國單晶硅的發(fā)展，于1964年由中科院金屬所周院士

10、拉制出我國第一顆單晶硅開始已經(jīng)40多年了，可我國外延基座的發(fā)展就材料而言沒有大的突破，國外也一直是沿用sic基座，但制備工藝及原材料都有較大變化，基座質(zhì)量有所提高，基座形狀由80年代的臥式爐的平板基座，發(fā)展到立式爐的平行板基座，90年代的筒式爐紅外線加熱及中頻加熱的基座為圓筒形。為提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)高效率，又進一步發(fā)展為大直徑硅片外延爐。而由于大直徑硅片外延爐，生長的外延片質(zhì)量更高，外延片均勻性好，表面顆粒度及自摻雜等方面都比上述爐子性能好，一臺爐子有三個反應室，所以一直得到很大發(fā)展，其中以am公司生產(chǎn)的外延爐每年定貨量以20%的速度遞增，到2003年它已占到世界總外延爐市場的62%，該外延爐

11、基座的尺寸其直徑在1m左右。1.2 產(chǎn)業(yè)關聯(lián)度分析sic涂層石墨基座是在加工成型的石墨基座上通過cvd技術，形成氣密性好、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化的涂層。與高純度石墨比較，高純石墨在400要發(fā)生強烈氧化，即使溫度不高，長期應用也因氧化而掉粉末，會粘附工件與臺面，對半導體器件及產(chǎn)品產(chǎn)生污染。而使用sic涂層石墨基座就完全解決了這個問題，所以其在半導體行業(yè)中得到了廣泛的應用。1.2.1在微電子行業(yè)中的應用在單晶硅外延生長工藝中，使用高頻感應爐加熱，將單晶襯底基片置于包有碳化硅（sic ）涂層的高純石墨加熱體（基座）上，然后放進石英反應器中加熱并通入特種氣體，就能生長出一層有一定要求的、與襯底晶向相同

12、的特定單晶薄膜，通過控制生長條件，可以獲得不同電阻率、不同厚度及不同導電類型的外延層，主要應用于各種硅集成電路和器件的制作。它不僅可以提高集成電路的成品率，而且可以顯著提高其集成度和運算速度。而sic涂層石墨基座是目前單晶硅外延用質(zhì)量最好、使用量最大的基座。1.2.2在光電子行業(yè)中的應用除單晶硅外延片需要sic涂層基座外，我國半導體照明行業(yè)中，gan外延生長也需要大量的sic基座。氮化鎵基led可實現(xiàn)全可見光波長范圍內(nèi)的電致發(fā)光，從應用角度出發(fā)，主要制備綠色、藍色和紫色led。從led的產(chǎn)業(yè)鏈來看，包括外延片的生長、芯片制造、封裝和終端產(chǎn)品四個環(huán)節(jié)，其中外延片的生長最為關鍵和重要。我國led的

13、市場銷售規(guī)模在120億元左右。led外延片和芯片制造，是光電子產(chǎn)業(yè)鏈中價值量和技術含量最高的部分。外延技術與設備是外延片制造技術的關鍵所在，金屬有機物化學氣相淀積（metal-organic chemical vapor deposition，簡稱mocvd）技術生長iii-v族，ii-vi族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。ii、iii族金屬有機化合物它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。用氫氣或氮氣作為載氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與v族的氫化物（如nh3，ph3，ash3）混合，再通入反應室，在加熱的襯底表面發(fā)生反應，外延生長化合物晶體薄膜。在mocvd設備中，將藍寶石片或gaas等晶圓放在s

14、ic涂層石墨基座上通過外延生長方式，就能生長出氮化鎵（gan）外延晶片。碳化硅（sic）涂層石墨基座應用示意圖如下：1.3 市場分析1.3.1目標市場的當前規(guī)模單晶硅外延基座（sic涂層石墨基座）在半導體行業(yè)中得到了廣泛的應用，當前我國對此類基座的年需求量在5萬套左右，該行業(yè)增長較快，預計年增長率達到20%以上。（1）單晶硅外延用基座我國6、8ic廠和分立元件廠，在20002005新建生產(chǎn)線約45條，月用6硅拋光片（含外延片）60-70萬片，8硅拋光片月用量45萬片。硅外延片在ic業(yè)和分立元件業(yè)使用量占硅拋光片總量70-80%，由于5、6ic生產(chǎn)線和分立元件生產(chǎn)線從國外大量向中國大陸轉移，目前

15、呈現(xiàn)6硅外延片產(chǎn)品短缺、價格上升趨勢。2005年中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)達到25億美元，據(jù)isuppli公司市場調(diào)查預測，2007年中國大陸芯片制造業(yè)將增長至38億美元，我國“十一五”期間再興建20家芯片廠才能滿足市場需求。有這么多設備投入和芯片產(chǎn)出，就要有約3萬套的sic涂層基座的需求，因此是閃光的、高附加值的利潤增長點。（2）氮化鎵（gan）半導體照明材料用基座以gan為代表的第三代半導體材料及器件的開發(fā)是新興半導體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎，是信息產(chǎn)業(yè)前進的發(fā)動機，同時有可能改變?nèi)祟愓彰鞴庠吹募夹g現(xiàn)狀。gan材料具有高發(fā)光效率，高熱導率，耐高溫，抗輻射，耐酸堿，高強度和高硬度等特性，是世界目前最先進的

16、半導體材料。它可制成高效藍、綠光發(fā)光二極管led和激光二極管ld，并可延伸到白光led，將替代人類沿用至今的照明系統(tǒng)。氮化鎵晶體(gan)藍光二極管還將帶來it行業(yè)數(shù)字化存儲技術的革命，是室外高亮度、高清晰度大屏幕全色顯示屏關鍵部件。氮化鎵屬固體照明，gan晶體固態(tài)光源是一個gan白光led發(fā)光器件，具有全固體、冷光源、壽命長、體積小、光效高、響應速度快、耐酸堿性好等優(yōu)點。它比同樣亮度的白熾燈節(jié)能十分之一，壽命是其100倍。我國工程院士陳良惠測算：到2010年，我國只要1/3的白熾燈照明被半導體燈取代，其節(jié)能電量相當于再造一個三峽工程。在未來50年內(nèi)，用gan固體光源取代白熾燈照明將成為現(xiàn)實。

17、國內(nèi)形成的以gan為代表的新興光電子產(chǎn)業(yè)，對sic涂層石墨基座的年需求量在2萬套左右，急待國內(nèi)提供優(yōu)質(zhì)廉價sic基座。1.3.2主要用戶sic涂層石墨基座被廣泛應用于光電子產(chǎn)業(yè)：在mocvd設備中，用于gan外延生長用的石墨基座涂層；用于單晶硅外延生長用的石墨基座（平板基座、圓形基座、立體基座等）；晶體管封裝燒結模具，單晶硅器件燒結爐用石墨底盤的涂層，及石墨加熱器（平板加熱器、圓形加熱器、筒型加熱器）上的表面涂層等。（1）晶圓代工企業(yè)對于我國較大的晶圓代工企業(yè)，如中芯國際、和艦科技、華虹nec等企業(yè)，經(jīng)過業(yè)務人員的開拓，也已與我公司建立了業(yè)務聯(lián)系，并已有了國際通用的9片機單晶用基座的供貨計劃。

18、（2）gan生產(chǎn)企業(yè)目前我公司產(chǎn)品已經(jīng)在南京大學得已試用，效果達到國外同類產(chǎn)品水平。目前國內(nèi)知名的半導體光電生產(chǎn)企業(yè)，如廈門三安電子、上海藍光、南昌光磊、中科電子科技集團十三所等近20多家企業(yè)與我公司達成了訂貨的意向。除四個國家工業(yè)化基地（上海、大連、南昌、廈門）外，現(xiàn)已經(jīng)初步形成的七大區(qū)域：長江三角洲、珠江三角洲、江西及福建、北京天津*半島、遼東半島、大連沈陽長春、武漢、成都等數(shù)以百計的光電廠家，在國內(nèi)形成了新興的光電子產(chǎn)業(yè)，急待國內(nèi)提供優(yōu)質(zhì)廉價sic基座。（3）半導體封裝企業(yè)及其它半導體器件金屬封裝廠家，用大量的sic涂層石墨板材做金屬封裝底座；在粉沫冶金行業(yè)用sic涂層石墨板作為隧道窯滾

19、板，燒結用匣缽等，增加其強度及抗氧化性，從而延長壽命；在真空設備與單晶提拉領域中，sic涂層廣泛用于石墨發(fā)熱體、石墨導流筒及熱場材料中。如si單晶用sic涂層導流筒，其需求量5001000萬元/年。1.3.3市場年均增長率sic涂層石墨基座是消耗性材料，它占si外延片成本的1/41/5。2005年中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)達到25億美元，比2004年增長12.8%。據(jù)isuppli公司市場調(diào)查預測，2009年中國大陸芯片制造業(yè)將增長至60億美元，20042008年的復合年增率為19%。相較2003年中國大陸芯片制造業(yè)的銷售收入增長了一倍以上，比2002年幾乎增長了三倍。目前在我國，由gan到si晶圓

20、外延這么大的市場需求，sic涂層石墨基座卻沒有一片國產(chǎn)的，全部是由國外進口。這是絕對不可忽視的耗材和專用生產(chǎn)部件。由于gan與si晶圓外延的需求量相當?shù)拇螅詓ic基座市場容量空間也是非常大的。預計對其需求增長率在20以上。1.4 競爭力分析目前我國sic外延基座，幾乎全部依靠進口，而進口產(chǎn)品有兩大問題：一是價格較貴，二是供貨時間太長。所以一旦國產(chǎn)sic外延基座批量投入市場，國內(nèi)供求關系將是賣方市場，求大于供。現(xiàn)在就已有50多家生產(chǎn)企業(yè)與我公司洽談，有20多家傳達了訂貨意向。由于目前我國sic涂層石墨基座全部依賴進口，國產(chǎn)基座僅有我公司一家生產(chǎn)與研發(fā)，世界范圍內(nèi)也只有德國西格里碳素集團、臺灣

21、萬電國際、日本東洋碳素公司、美國memc電子材料有限公司擁有此技術，最直接的競爭對手來自臺灣和國外生產(chǎn)企業(yè)，而且其生產(chǎn)國國內(nèi)對該產(chǎn)品需求仍是供不應求。我國國內(nèi)上千家半導體廠家需求的相關產(chǎn)品全部是由國外進口，價格極高且訂貨周期長，國產(chǎn)基座在與進口基座的競爭中將取得價格優(yōu)勢和訂貨加工周期短的優(yōu)勢。為適應我國快速發(fā)展的微光電子產(chǎn)業(yè)，國內(nèi)也必將會有企業(yè)對sic涂層石墨基座進行研究與開發(fā)，所以潛在的競爭對手將會是在國內(nèi)。不過我們公司涉足此領域在國內(nèi)最早，具有一定的市場先入優(yōu)勢，同時有比較雄厚的技術基礎和設備實力。并且產(chǎn)品已經(jīng)被部分院所及半導體廠家應用及試用，取得了認可（后附使用廠家的應用報告）。如能盡早

22、規(guī)模化擴產(chǎn)，就又會占據(jù)規(guī)模優(yōu)勢。第二章 項目技術基礎2.1 成果來源及知識產(chǎn)權情況我公司所擁有的化學氣相沉積生產(chǎn)sic涂層外延基座技術為國內(nèi)首創(chuàng)，填補了國內(nèi)空白。本產(chǎn)品所用技術經(jīng)*省科學技術情報研究所查新報告200737b2800334號證實：“經(jīng)檢索，國內(nèi)未見與本項目研究相同的文獻報道，國內(nèi)密切相關文獻均系本項目合作人的有關報道”。化學氣相沉積sic涂層基座正在申報發(fā)明專利，禹王公司擁有該技術的全部自主知識產(chǎn)權。公司緊密跟蹤技術發(fā)展趨勢，持續(xù)創(chuàng)新，研制開發(fā)出一系列具有自主知識產(chǎn)權的產(chǎn)品和技術，并擁有多項國家專利技術，一直保持企業(yè)在業(yè)界的技術領先地位，為企業(yè)持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎。本項目技術

23、成果來源為企業(yè)自主研發(fā)，并擁有該生產(chǎn)技術與生產(chǎn)設備（偏心進氣化學氣相沉積爐，專利號zl96225269.7）的自主知識產(chǎn)權。公司總工程師趙鳳鳴教授，是原中國科學院金屬研究所研究員，長期從事特種陶瓷材料的研究，擁有熱解氮化硼產(chǎn)品的發(fā)明專利，技術總監(jiān)趙林擁有設備實用新型專利，2003年“熱解石墨合金技術”通過了國家鑒定和驗收（甬科鑒字2003第129號），擁有完全自主知識產(chǎn)權，并榮獲“國家2000年度第二批科技型中小企業(yè)技術創(chuàng)新基金”。特別是其發(fā)明的“一爐多支技術”為世界首創(chuàng)，達到國際領先水平，大大降低了碳化硅涂層石墨基座等產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。2.2 項目技術先進性2.2.1工藝流程碳化硅（sic）氣

24、相沉積技術是國外發(fā)展較早的技術，但作為化學氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白。其原理是在高溫條件下，使特種氣體釋放出硅，硅與碳直接結合，從而將特定形狀石墨材料包裹起來，形成碳化硅（sic），所形成的sic牢牢的巴結在石墨基座上，賦予石墨基座以特殊的性能，從而使石墨基體表面致密、無孔隙、耐高溫、抗溶蝕、抗氧化。杜絕了高純度石墨基體在高溫條件下放出氣體，且冷卻后吸收氣體的缺點。其工藝流程圖如下：化學氣體沉積反應條件及組分比例：9501400ch3sicl3：h2：ar5001000：400700：40100mlmin 壓力：2mmhg生產(chǎn)過程描述：首先將石墨基材表面進行拋光處理，清洗烘干

25、后在立式化學氣相沉積爐中進行沉積反應，反應原料為甲基三氯硅烷(ch3sicl3，純度大于95)，氫氣作為還原氣體，氬氣作為稀釋氣體參與反應。石墨基材在沉積前對其表面進行預處理。 對于涂層均勻性而言，表面處理、反應溫度、沉積時間均為顯著影響因素，ar氣的含量有一定的影響。對于涂層厚度，僅沉積時間為顯著影響因素，沉積溫度有一定的影響；對于沉積速率也表現(xiàn)為沉積時間有顯著影響，而h2流量也有影響。因此，該化學氣相沉積反應過程極為復雜，各種工藝參數(shù)控制極為精密。通常條件下，在沉積過程之前對基體進行預處理目的在于除去表面雜質(zhì)和表面缺陷，使“新鮮”的基底得以暴露。實驗表明，在沉積過程之前的表面處理是影響沉積

26、均勻性的最主要因素。對造成這一結果的原因和反應機制，主要是基體初始表面不均勻性的改變使各處沉積生長過程趨于一致、同時處理過程改變了基底極性特性和對氣相產(chǎn)物的吸附特性，使涂層趨向于以層狀方式生長。利用ch3sicl3+h2體系在加熱基底上形成sic涂層的過程，是基底表面附近經(jīng)稀釋的氣態(tài)ch3sicl3與過量h2之間的一系列復雜鏈式反應及形成氣相粒于在基底表面逐步凝聚生長的過程。其中主要包括基于多元多相自由基的中間相反應、分解、表面吸附和催化等作用。在沉積過程中發(fā)現(xiàn)，沉積溫度和各氣相反應物的分壓等工藝參數(shù)值的過高與過低，都會使各中間反應的反應速率產(chǎn)生不同的變化，從而改變了反應進程的最慢步驟，導致了

27、反應產(chǎn)物的變化和沉積結構的不同，從而使氣相沉積結果“強烈”依賴于實際過程中具體的工藝條件。 在多數(shù)情況下，沉積過程中的反應形式為多相反應，但在某些條件下，基底表面空間內(nèi)也會發(fā)生單相氣相形核過程，產(chǎn)生膠狀粒子煙霧。當反應溫度超過某一范圍(如1450時)，過量的氫氣還會與反應室壁材料中的o元素發(fā)生反應，使氣流下游處的管壁上形成白色粉末狀涂層。吸附在基底表面的粉末作為一種污染源，會降低涂層的質(zhì)量和表面完整性。因此為了抑制單一氣相成核，在實驗中盡量采用較高的載氣速率和減低沉積溫度。同時，在實驗過程中還發(fā)現(xiàn)，在低于一定溫度條件下(如900)，基底表面出現(xiàn)了棕黃色顆粒狀sic分布沉積。并且涂層的最大厚度隨

28、著溫度的降低而有所減少。 沉積產(chǎn)物在基底上的分布情況，直接關系到生成涂層的均勻度。實驗中發(fā)現(xiàn)，隨著工藝條件及試樣位置的不同和表面微量元素的調(diào)整，所得到的涂層顏色呈現(xiàn)出棕青、棕黃、灰黑、黑色等多種變化，涂層表面形貌也可能出現(xiàn)顆粒狀、菜花團狀、疏松粉狀和晶須等多種結構。沉積粒子在基底表面的積聚生長情況取決于原料入出口處的幾何形狀、能量區(qū)的分布、氣體的比例、原料在實驗條件下的反應活度等一系列因素。用ar氣作為稀釋劑或載氣的目的在于降低反應氣體的濃度，使氣體能夠安全地充分混合，以減少氣相反應物在局部流向上的富集和避免單一氣相形核的產(chǎn)生。過高的流速還會降低基體表面的氣體溫度，造成沉積曲線的漂移。一般應盡

29、可能采用所允許的最高氣流速度，以抑制氣相形核。在富h的反應環(huán)境中，ar氣在很大程度上抑制了游離si的生成，因此通過調(diào)整h：ar能較好地控制涂層結構中游離si的產(chǎn)生。2.2.2生產(chǎn)工藝創(chuàng)新點本公司擁有sic涂層基座專用生產(chǎn)設備的專利“偏心進氣化學氣相沉積爐”，該爐突破了中心進氣的傳統(tǒng)模式（如圖1），一爐只能做一只小件。而用偏心進氣化學氣相沉積爐可以生產(chǎn)多只小件（如圖2），這樣就成倍的降低了成本。另外可以制作大件，如大的圓片和大型坩堝等。在一爐多只的同時，本公司又實現(xiàn)了多種產(chǎn)品在爐內(nèi)公轉與自轉同時進行（如圖2），使涂層表面更加均勻，元素的分布更加理想。這項技術為我公司首創(chuàng)，擁有全部自主知識產(chǎn)權。此

30、外該項目的生產(chǎn)過程屬低壓氣相沉積（2mmhg）接近真空，三廢排放主要是氮氣和水蒸氣，另外有少量氯化氫氣體排放，且加設淋水浴廢氣捕捉完全回收利用，用于后加工的清洗打磨工序使用。幾乎實現(xiàn)廢氣零排放，沒有環(huán)境污染。2.3 項目的可行性和成熟性 2.3.1產(chǎn)業(yè)化條件我公司長期從事碳化硅（sic）涂層、熱解氮化硼（pbn）、熱解石墨合金涂層等特種陶瓷材料的研究與生產(chǎn)，是集化學氣相沉積技術的研究、開發(fā)、生產(chǎn)為一體的高科技企業(yè)。相關技術人員擁有幾十年cvd技術的積累和嫻熟運用，擁有自主知識產(chǎn)權及市場先入優(yōu)勢。化學氣相沉積生產(chǎn)sic涂層石墨基座是我們近期開拓的科研項目，現(xiàn)已在小批量生產(chǎn)，并且得到比較滿意的實驗

31、結果，在其它領域正在推廣應用中，目前國內(nèi)多家半導體企業(yè)已與我公司達成了產(chǎn)品供應意向。2.3.2產(chǎn)品銷售預測雖然我公司開發(fā)出sic涂層石墨基座不久，但很快就打開了銷售市場。目前國內(nèi)較知名的半導體廠家，如華虹nec、廈門三安電子、上海藍光、南京大學、中科電子科技集團十三所等都已有了訂貨計劃，預計2009年訂單在15000套以上，2010年訂單可達到22000套，所以，迫切需要我公司盡快擴大生產(chǎn)規(guī)模，滿足越來越大的市場需求。2.3.3研發(fā)優(yōu)勢我公司建有省級企業(yè)技術中心，擁有一支穩(wěn)定的高素質(zhì)的技術力量，在材料科學、非金屬無機材料、化學氣相沉積技術、金屬熱處理、工業(yè)電氣自動化等學科領域具有綜合技術優(yōu)勢。

32、公司經(jīng)過多年持續(xù)不斷的研發(fā)投入與積累，現(xiàn)已擁有各類先進的研發(fā)生產(chǎn)設備210余臺套。其中，主要研發(fā)設備有50 余臺（套）；精密測試設備30臺。這些設備為研究開發(fā)工作提供了必要的支持，創(chuàng)造了較好的工作環(huán)境。為了贏得產(chǎn)品競爭優(yōu)勢，我公司十分注重科研投入，近三年平均投入研發(fā)經(jīng)費占企業(yè)銷售收的3.5以上，擁有了完善的研究與開發(fā)體系，具備了強大的科研開發(fā)和技術創(chuàng)新能力，在全國特種陶瓷材料行業(yè)中位居前列，為未來發(fā)展打下了堅實的基礎。由于重視科研的投入，使公司保持了強大的市場競爭力，能夠不斷創(chuàng)新開發(fā)出新產(chǎn)品。2.3.4技術的成熟性公司緊密跟蹤技術發(fā)展趨勢，持續(xù)創(chuàng)新，研制開發(fā)出一系列具有自主知識產(chǎn)權的產(chǎn)品和技術

33、，并擁有多項國家專利技術，一直保持企業(yè)在業(yè)界的技術領先地位，為企業(yè)持續(xù)發(fā)展奠定了堅實的基礎。本項目技術成果來源為企業(yè)自主研發(fā)，并擁有該生產(chǎn)技術與生產(chǎn)設備（偏心進氣化學氣相沉積爐，專利號zl96225269.7）的自主知識產(chǎn)權。目前，化學氣相沉積sic涂層基座生產(chǎn)工藝正在申請國家發(fā)明專利。特別本項目所使用的“一爐多支技術”為世界首創(chuàng)，達到國際領先水平，大大降低了碳化硅涂層石墨基座等產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。本項目sic涂層樣品經(jīng)中國科學院上海微系統(tǒng)技術研究所測試，各項指標均達到國際先進水平，測試結果如下：l 碳化硅（sic）表面涂層為- sic，屬面心立方；l 碳化硅（sic）表面晶格常數(shù) a = 4.3

34、59 ；l 碳化硅（sic）表面密度接近理論值：3.15-3.20g/cm3； l 碳化硅（sic）表面具有很高的純度與各向異性；l 碳化硅（sic）x光測試見下圖：第三章 項目建設方案3.1 項目總體方案本項目總投資5554.22萬元，將建設*禹王微光電陶材生產(chǎn)與研發(fā)基地。項目新增相關設備343臺套，新增建筑面積11720m2。進一步提高大直徑、全系列半導體材料用特種陶瓷基座生產(chǎn)、研發(fā)水平。項目建設新增大直徑sic涂層基座生產(chǎn)設備，設計、制造全新的化學氣相沉積真空碳管爐和感應爐。同時建設或改造化學氣相沉積（cvd）車間、機械加工車間、產(chǎn)品后處理車間、產(chǎn)品檢驗、包裝車間、純水處理及冷卻設施等。

35、項目建成后形成4條生產(chǎn)線，年可生產(chǎn)單晶硅外延用和gan外延用sic涂層石墨基座21000套，其中：3128產(chǎn)能9000套/年，41210產(chǎn)能6000套/年，36060產(chǎn)能1000套/年，1175產(chǎn)能5000套/年。按尺寸由小向大發(fā)展，三分之二的產(chǎn)品應用于gan外延基座，三分之一的產(chǎn)品應用于si單晶外延基座。3.2 建設地點項目擬建地點位于*省*市高新技術開發(fā)區(qū)禹王*分公司內(nèi)，廠區(qū)南靠富華街，東臨東外環(huán)，向北2km是京福高速入口，向南3km是火車站，交通便利，企業(yè)占地120畝。本項目利用企業(yè)原有預留發(fā)展空地，不新增占地面積。項目建設區(qū)供水、供熱、供電等配套工程設施完善。3.3 項目進度本項目建設

36、期為2009年1月2010年1月，從資金到位開始12個月內(nèi)完工投產(chǎn)，進度安排如下： 項目進度項目內(nèi)容123456789101112工程整體分項設計設備訂貨購置制造 土建施工設備安裝及調(diào)試人員培訓原、輔料購置試車投產(chǎn)3.4 擬達到的經(jīng)濟、技術目標及水平 項目建設完成后，*將成為我國最大的半導體用特種陶材研發(fā)與生產(chǎn)基地，將達到年產(chǎn)sic涂層石墨基座21000套的生產(chǎn)能力，單晶硅外延基座產(chǎn)品生產(chǎn)與研發(fā)達到國際先進水平，為我國半導體用大尺寸硅單晶片生產(chǎn)提供堅實的設備支撐和充足的配套件供應。 預計項目完成后，產(chǎn)品年可實現(xiàn)銷售收入8700萬元，年工業(yè)增加值2750萬元，年凈利潤1200萬元，年交稅金980

37、萬元。第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應情況4.1 環(huán)境保護4.1.1項目建設對環(huán)境的影響該工程項目附近無森林、草地以及文物古跡和風景名勝等。項目的建設，使該地區(qū)的地形、地物發(fā)生了變化，項目施工期間，主要污染因素是施工噪聲、建筑垃圾和揚塵。施工期間要嚴格遵守建筑施工廠界噪聲限值（gb1253-90）的規(guī)定，減輕施工噪聲對周圍居民生活的影響，同時建筑垃圾當及時清運，日產(chǎn)日清，施工工地周邊應當設置高度1.8米以上的圍擋，減少揚塵。4.1.2項目生產(chǎn)過程產(chǎn)生的污染物對環(huán)境的影響該項目的生產(chǎn)過程屬低壓氣相沉積（2mmhg）接近真空，三廢排放主要是氮氣和水蒸氣，另外有少量氯化氫氣體排放，且加設淋水浴廢氣捕捉

38、完全回收利用，用于后加工的清洗打磨工序使用。實現(xiàn)廢氣零排放，沒有環(huán)境污染，符合環(huán)保要求。由信息產(chǎn)業(yè)部、國家發(fā)改委等部門聯(lián)合制定的電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法從電子信息產(chǎn)品的研發(fā)、設計、生產(chǎn)、銷售、進口等環(huán)節(jié)抓起，對規(guī)范投放我國市場的電子信息產(chǎn)品使用有毒有害物質(zhì)或元素進行了嚴格的規(guī)定，這對實現(xiàn)有毒有害物質(zhì)在電子信息產(chǎn)品中的替代或減量化將起到重要作用。本項目是采用化學氣相沉積技術進行生產(chǎn)的，所需原材料主要為甲基三氯硅烷、氬氣、氫氣和石墨，在生產(chǎn)和存儲過程中都有嚴格的安全措施，不會對人身和周圍環(huán)境造成損害。sic涂層石墨基座產(chǎn)品成分主要為石墨和碳化硅，因此對環(huán)境、資源以及人類身體生命健康以及財產(chǎn)安全

39、也不會造成任何破壞、損害、浪費等不良影響。4.2 能源節(jié)約本公司使用sic涂層基座專用生產(chǎn)設備的專利“偏心進氣化學氣相沉積爐”，該爐突破了中心進氣的傳統(tǒng)模式，一爐只能做一只小件。而用偏心進氣化學氣相沉積爐可以生產(chǎn)多只小件，可降低電能消耗35%。由于本項目所使用的關鍵設備化學氣相真空碳管爐和感應爐，在生產(chǎn)過程中的加熱時間一般在1小時左右，其余20多個小時的時間為斷電自然冷卻時間，所以單臺設備耗能時間并非是持續(xù)式用電。在生產(chǎn)中實行多臺設備間歇式運行，即一臺爐子通電加熱完畢后，斷電進行冷卻時下一臺爐子再通電運行，實現(xiàn)了多臺設備低耗電功率的平穩(wěn)運行，不會對電力供給帶來壓力。4.3 原材料供應4.3.1

40、主要原輔材料供應本項目的主要原輔材料為甲基三氯硅烷、氬氣、氫氣和石墨等，項目所需輔料全部可以從周邊地區(qū)及國內(nèi)其他市場購買，能保證供應。4.3.2供電、用水表4.3-2項目水、電年需要表序號名稱單位數(shù)量預測價格（元）供應來源1水噸57000.5自備井2電萬度4600.56外購本項目生產(chǎn)、生活、消防用水源為自備井水，完全能夠滿足生產(chǎn)、生活和消防用水的需求。本項目用電由*市供電公司供應，裝機容量能完全滿足本項目的需要，所以電力供應是有保障的。第五章 項目法人基本情況5.1 企業(yè)概況5.1.1 企業(yè)名稱：*禹王實業(yè)有限公司5.1.2 法定代表人：劉錫潛5.1.3 公司性質(zhì)：有限責任公司5.1.4企業(yè)地

41、址：*省*市通衢路北首5.1.5企業(yè)簡介*禹王實業(yè)有限公司是以特種陶瓷材料、化工、食品、醫(yī)藥為一體的集團公司，是國家級重點高新技術企業(yè)和中國專利明星企業(yè)。集團成立于1986年，所有制性質(zhì)為民營，銀行信用等級aaa級，下屬7個工業(yè)企業(yè)、1個省級企業(yè)技術中心、1個研發(fā)中心、20多個駐外銷售分公司、員工1500多人。公司擁有國家級新產(chǎn)品3個，國家發(fā)明專利11項，承擔了2項國家火炬計劃。公司現(xiàn)已通過iso9001質(zhì)量體系認證和iso14001環(huán)境管理體系認證。集團下屬禹王*分公司，組建于2003年，擁有以原中科院研究員趙鳳鳴教授為首的研發(fā)隊伍，長期從事碳化硅（sic）涂層、熱解氮化硼（pbn）、熱解石

42、墨合金涂層等特種陶瓷材料的研究與生產(chǎn)，是集化學氣相沉積技術的研究、開發(fā)、生產(chǎn)為一體的高科技企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為碳化硅（sic）涂層材料和熱解氮化硼（pbn）坩堝及其涂層，其中碳化硅（sic）涂層石墨基座添補了國內(nèi)空白，世界上只有美、德、日等極少數(shù)科學技術先進國家擁有此技術。近幾年來，依托科技創(chuàng)新，企業(yè)得以迅速發(fā)展。公司擁有自主的知識產(chǎn)權與專利，有獨特專業(yè)技術。目前公司的設備設計、工藝技術，在國內(nèi)都處于前沿地位。5.2 人員情況5.2.1職工總數(shù)及構成公司現(xiàn)有員工1500多人，擁有博士及碩士學歷員工16人，本科學歷員工500余人，大專以上學歷者占公司員工總數(shù)的60%。5.2.2技術人員及構成現(xiàn)有

43、科研技術人員157人，其中博士6人，碩士7人，本科學歷員工67人。5.2.3相關專業(yè)人數(shù)我公司在新材料領域，擁有特種陶瓷材料r&d人員13人，建設了一支老中青相結合的科研隊伍：公司首席科學家是我國化學氣相沉積pbn材料的創(chuàng)始人趙鳳鳴研究員；公司客座教授東北大學博士生導師楊宗坡教授；還有2名有十年工作經(jīng)驗、獲碩士學位的高級工程師；有3名新畢業(yè)的工學碩士，形成了強勁的科技研發(fā)力量。這個團隊善于學習、敢于創(chuàng)新、勇于實踐，成為禹王公司持續(xù)發(fā)展的強大動力。5.2.4企業(yè)法人公司法人代表 劉錫潛 第十、十一屆全國人大代表 全國勞動模范 享受國務院政府特殊津貼 國家發(fā)明獎獲得者 *省十大優(yōu)秀民營科技企業(yè)家5

44、.2.5項目負責人本項目的負責人是公司的科技帶頭人趙鳳鳴教授，是中國科學院研究員，國家級專家，享受國務院政府特殊津貼，是我國熱解氮化硼材料的創(chuàng)始人，熱解石墨材料的早期開拓者，獲有國家、科學院、地方一、二、三等獎十余項及多項國家專利。2000年其研制的“熱解石墨合金”新材料，榮獲國家第二批科技型中小企業(yè)技術創(chuàng)新基金。 5.2.6管理班子為了提高公司管理的水平，高薪聘請了有著十余年管理工作經(jīng)驗的復旦大學經(jīng)濟管理系碩士畢業(yè)生周鋒先生為總經(jīng)理。公司常務副總經(jīng)理趙林，是新西蘭藉華人，奧克蘭大學碩士畢業(yè)生，主抓生產(chǎn)，擁有化學氣相沉積pbn偏心進氣專利，參與熱解石墨合金的研制和12pbn坩堝的研制，有10余

45、年專業(yè)技術經(jīng)驗與管理才能，并且有著豐富的營銷經(jīng)驗，善于技術攻關與市場開拓，為新產(chǎn)品推向市場打下了良好的基礎。5.3 企業(yè)資產(chǎn)信用狀況5.3.1資產(chǎn)總額根據(jù)*德州大正有限責任會計師事務所出具的審計報告，截止2008年12月31日，集團總資產(chǎn)121,732萬元，固定資產(chǎn)原值46,898萬元、固定資產(chǎn)凈值30,691萬元、流動資產(chǎn)77,011萬元、負債總額67,232萬元、流動負債50,478萬元、所有者權益合計54,499萬元。5.3.2收入總額公司2008年實現(xiàn)銷售收入137,772萬元，稅后利潤8,480萬元，上交稅金4,986萬元。本項目具體實施單位*禹王*分公司2007年度實現(xiàn)銷售收入12

46、92萬元，利稅437萬元；2008年度實現(xiàn)銷售收入1973萬元，利稅872萬元。5.3.3銀行信用等級我公司已連續(xù)10年被中國農(nóng)業(yè)銀行*省分行評定為銀行信用aaa級。5.4 企業(yè)近三年生產(chǎn)經(jīng)營情況公司近幾年來生產(chǎn)經(jīng)營狀況一直良好，近三年經(jīng)濟效益指標如下表：(單位：萬元)年份銷售收入利潤稅金總資產(chǎn)資產(chǎn)負債率200685081562140729121557%20071249977740456311086858%20081377728480498612173255%第六章 項目投資及資金籌措6.1 投資估算6.1.1 編制說明本項目投資估算范圍包括建筑工程費、設備購置費、設備安裝費、其它費用、預備費

47、用等。6.1.2 投資估算依據(jù)項目的編制是根據(jù)國家發(fā)展和改革委員會建設項目可行性研究報告編制內(nèi)容深度規(guī)定進行編制。投資估算是根據(jù)國家發(fā)展和改革委員會工程設計概算編制辦法進行編制。財務評價是根據(jù)建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)(第三版)進行編制。1、建設投資估算內(nèi)容包括建筑工程、設備購置、安裝工程及其它費用，見表6.1“項目總投資構成分析表”。2、建筑工程造價：該項目的工程造價是根據(jù)當?shù)赝惞こ淘靸r進行估算的。3、設備價格：設備根據(jù)設備廠家提供的樣本報價進行估算。4、各項工程費用估算、工程建設其他費用估算方法、指標及費率，參照輕工業(yè)工程設計概算編制辦法（qbjs102005）中的規(guī)定估算。6.1.3

48、建設投資估算1、工程費用估算（1）建筑工程費用估算:按工程量及有關定額或指標估算建筑工程費.見附表61“建(構)筑物工程費用估算表”。（2）設備及工器具購置費估算：根據(jù)項目主要設備表及價格、費用資料估算設備購置費。（3）安裝工程費估算:按行業(yè)或專門機構發(fā)布的安裝工程定額、取費標準和指標估算安裝工程費用。2、工程建設其他費用估算工程建設其他費用的內(nèi)容，包括建設管理費（建設單位管理費、工程建設監(jiān)理費、工程項目管理費）、建設用地費（土地征用費及遷移補償費，土地使用稅、耕地占用稅、新菜地開發(fā)基金，土地使用費）、工程地質(zhì)勘察費、可行性研究費、工程設計費、環(huán)境影響咨詢費、安全評價費、研究試驗費、臨時設施費

49、、聯(lián)合試運轉費、城市基礎設施配套費、工程保險費、生產(chǎn)準備及開辦費（培訓費及提前進廠費、辦公及生活家具購置費）、工程量清單（或預算、標底）編制費、施工圖審查費及其他費用等。工程建設其他費用估算表見附表62“設備投資估算表”3、預備費估算基本預備費估算：以工程費用及工程建設其他費用的10%計取。所有建設投資分類匯總,見附表6“設備投資估算表”。6.1.4 流動資金估算1、分項詳細估算法流動資金估算方法可分為擴大指標估算法和分項詳細估算法。項目流動資金估算，一般采用分項詳細估算法。見附表63“流動資金估算表”。2、流動資金估算額經(jīng)計算正常生產(chǎn)年份需要流動資金1151.32萬元。項目第一年達運力負荷8

50、0%，需要流動資金911.06萬元，鋪底流動資金320.00萬元；第二年達運力負荷100%，需要流動資金1151.32萬元，鋪底流動資金400.00萬元。6.1.5 項目總投資估算1、項目所需投入的總投資5517 萬元。其中建設投資5117 萬元，鋪底流動資金400 萬元。2、 項目總投資構成分析按工程費用性質(zhì)列出項目評價中投入的總投資(總資金)構成及其所列比例,見表6.1表6.1 項目總投資構成分析表6.1.6投資指標1.主產(chǎn)品的單位產(chǎn)品占用建設投資: 0.25 萬元/套2.百元銷售收入占用項目投入總資金: 64 元5.百元銷售收入占用建設投資: 59元4.百元銷售收入占用流動資金:1.61元6.1.7 分年資金投入計劃根據(jù)項目評價中投入的總投資(總資金)和項目實施進度的安排，編制項目分年資金投入計劃并形成相應的資金籌措計劃。6.1.8 投資估算附表附1： 61建(構)筑物工程費用估算表附2： 62設備投資估算表萬元序號設備名稱規(guī)格數(shù)量單位單價（元）總價（萬元）備注一機加設備1布袋式除塵系統(tǒng)20kw1 套750007.50 2車床6300mm1 套3個2512.50.25 最大直徑3數(shù)控車床61408 臺9000072.00 4數(shù)控銑床6 臺11250067.50 5多功能臺鉆5 臺37501.88