資料收集于網絡 如有侵權請聯系網站 刪除 謝謝 選修三問題答案1. 解釋Fe3O4晶體能導電的原因：電子可在兩種不同價態的鐵離子間快速發生移動2. Ge、C同主族元素，C原子之間可形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵：Ge原子半徑大，原子間形成的6單鍵較長，pp軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成鍵3. 從原子結構的角度解釋CaCO3的熱分解溫度低于SrCO3的原因：Ca2+半徑小于Sr2+，Ca2+更易結合CO32中的O，使CO32更易分解為CO24. H3BO3為一元弱酸，解釋原因：H3BO3分子可與水分子形成配位鍵，產生B(OH)4和一個H+5. 冰中氫鍵的作用能為18.8 KJ/mol，而冰的熔化熱為5.0 KJ/mol，解釋原因：液態水中仍然存在大量氫鍵（或冰融化時只破壞了部分氫鍵）6. 銅與鎳的第二電離能分別為ICu=1958KJ/mol、INi=1753KJ/mol，ICuINi的原因：Cu失去的是全充滿的3d10電子，Ni失去的是4s1電子7. 元素的基態氣態原子得到一個電子形成氣態負一價離子時所放出的能量稱作第一電子親和能（E1）。第二周期除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大，原因是：同一周期，從左往右，元素的非金屬性逐漸增強，得電子能力逐漸增強，形成的簡單陰離子越穩定，釋放出的能量越多，因此第一電子親和能逐漸增大氮元素的E1呈現異常的原因是：由于氮元素的2p軌道為半充滿結構，能量較低，相對穩定，不易結合一個電子，釋放能量較低8. 請解釋加入乙醇后析出Cu(NH3)4SO42H2O晶體的原因：乙醇分子極性比水分子極性弱，加入乙醇降低溶劑極性，從而減小溶質的溶解度(重)9. H3AsO4是三元弱酸，其各步對應的電離常數相差較大的原因：每電離一步都會生成帶電量更大的負離子，較難再進一步電離出帶正電荷的H+10、氯化鋁的熔點為190，而氟化鋁的熔點為1290，導致這種差異的原因為 AlCl3是分子晶體，而 AlF3是離子晶體。 11、氧元素的第一電離能小于氮元素，原因是： 氮原子的2p軌道處于較穩定的半充滿狀態而氧原子的不是 刪：氧原子的原子核對電子的吸引能力弱于氟離子。 12、穩定性H2SH2Se的原因是： 補：S原子半徑比Se小，S-H鍵的鍵能比Se-H鍵的鍵能大。 13、P4O10的沸點明顯高于P4O6，原因是： 都是分子晶體，P4O10補：相對分子質量大，分子間作用力高于P4O6 14、NF3的鍵角小于NH3鍵角的原因為： F的電負性比H的大，NF3中N上的孤對電子偏向N，而孤對電子對成鍵電子對的排斥力較大。 15、H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因： H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2， H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致SeOH中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+16、氣態Mn2+再失去一個電子比氣態Fe2+再失去一個電子難，原因是： 由Mn2+轉化為Mn3+時,3d能級由較穩定的3d5半充滿狀態轉為不穩定的3d4狀態需要的能量較多,而Fe2+到Fe3+時,3d能級由不穩定的3d6到穩定的3d5半充滿狀態，需要的能量相對要少。 17、氨氣極易溶于水的原因為： 氨氣和水都是極性分子，相似相溶；氨氣與水分子間能形成氫鍵。氨氣能與水反應主要原因：氨氣與水分子間能形成氫鍵 18、水由液體形成固體后密度卻減小，原因為： 水在形成晶體時，由于氫鍵的作用使分子間距離增大，空間利用率降低，密度減小。 19、NaBH4的陰離子中一個B原子能形成4個共價鍵,而冰晶石(Na3AlF6)的陰離子 中一個Al原子可以形成6個共價鍵，原因是： B原子價電子層上沒有d軌道，Al原子價電子層上有d軌道。 20、CuO的熔點比CuS的高，原因是： 氧離子半徑小于硫離子半徑，所以CuO的離子鍵強，晶格能較大，熔點較高。21、CH4的鍵角大于NH3的原因為： CH4中都是C-H單鍵,鍵與鍵之間的排斥力一樣,所以是正四面體109。28，而NH3有未成鍵的孤對電子,孤對電子間的排斥力孤對電子對化學鍵的排斥力化學鍵間的排斥力,所以由于孤對電子的排斥,鍵角要小于沒有孤對電子排斥的CH4的鍵角.而孤對電子越多,排斥力越大。22.碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關事實： 化學鍵 CC CH CO SiSi SiH SiO 鍵能(kJmol-1) 356 413 336 226 318 452 硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數量上都遠不如烷烴多,原因是： CH鍵和CC鍵較強，所以形成的烷烴穩定，而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以形成 SiH4的穩定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是： CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩定，而SiH鍵的鍵能卻遠小于SiO，所以SiH鍵不穩定而傾向于形成穩定性更強的SiO鍵。23、夾角大小比較：（1） 孤電子對與成鍵電子對之間的斥力大于成鍵電子對之間的斥力，斥力大，鍵角大（2） 構型，中心原子的雜化方式24、碳酸和磷酸均有1個非羥基氧，但磷酸是中強酸，碳酸是弱酸的原因： 溶于水的二氧化碳分子只有百分之一與水結合成碳酸，與按二氧化碳全部轉化為碳酸分子來估算的強度相比，自然就小了近百倍25、熔沸點問題分子晶體：從分子間作用力的角度作答（范德華力和氫鍵）（1）H2O沸點高于H2S的原因：H2O分子間存在氫鍵（2）SiH4沸點高于CH4的原因：SiH4的相對分子質量大。分子間作用力大（范德華力大），熔沸點高原子晶體：從半徑、鍵長、鍵能角度答（1）氮化硼（BN）和磷化硼（BP）都是受到高度關注的耐磨涂料，它們的結構相似，但是氮化硼晶體的熔點要比磷化硼晶體高，其原因是_氮化硼（BN）和磷化硼（BP）都屬于原子晶體，而氮原子的半徑比磷原子小，B-N共價鍵鍵長比B-P短，鍵能大，所以氮化硼晶體的熔點要比磷化硼晶體高； 離子晶體：從半徑、電荷、晶格能角度答（1） 從結構角度分析并比較CoF2與CoCl2晶體的熔點高低 氟離子半徑比氯離子半徑小，CoF2的晶格能比CoCl2晶格能大，則CoF2比CoCl2的熔點高；（2）CuSO4的熔點為560，Cu(NO3)2的熔點為115， CuSO4熔點更高的原因是 CuSO4和Cu(NO3)2和均為離子晶體，SO42-所帶電荷比大，故晶格能較大，熔點較高（3）Al、Mg的氯化物晶格能分別是5492kJmol-1、2957kJmol-1，二者相差很大的原因是Al3+比Mg2+電荷高、半徑小，故AlF3的晶格能比大得多金屬晶體：從半徑、電荷角度答(1) K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構型相同，但金屬K的熔點、沸點等都比金屬Cr低，原因是由于K原子的半徑比較大而且價電子數較少，其純金屬存在的金屬鍵的強度沒有的高，所以其熔沸點較低。總結：一般來說熔沸點原子晶體離子晶體金屬晶體分子晶體 從結構的角度分析SiO2比CO2熔沸點高的原因：SiO2屬于原子晶體，CO2屬于分子晶體，故SiO2熔沸點高。24、向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水，首先形成藍色沉淀，繼續添加氨水，沉淀溶解病得到深藍色的透明液體；若向試管中加入一定量乙醇，析出深藍色晶體。請解釋加入乙醇后析出晶體的原因 乙醇分子極性比水分子極性弱，加入乙醇降低溶劑極性，從而減小溶質的溶解度，析出深藍色晶體Cu(NH3)4SO42H2O25、已知高溫下CuOCu 2O+O 2，從銅原子價層電子結構（3d和4s軌道上應填充的電子數）變化角度來看，能生成Cu2O的原因是 CuO中銅的價層電子排布為3d 9，Cu2O中銅的價層電子排布為3d10，后者處于穩定的全充滿狀態而前者不是 26、比較NH3 和Cu(NH3)4 2+中H一N一H鍵角的大小：NH3 Cu(NH3)4 2+（填“”或“”）， 并 說明理由_因為NH3 提供孤對電子與Cu2+ 形成配位鍵后，N-H成鍵電子對受到的排斥力減小，所以H-N-H鍵角增大. 27、S（黑球）和Cu（白球）形成某種晶體的晶胞如圖所示。 若CuS中S2-被O2-代替，形成的晶體只能采取NaCl型堆積，試從晶體結構分析其不同及原因 將S2- 替換為O2- 后，由于rO2-rS2-，導致的值增大，增加了空間利用率，減少了配位排斥，使之更易于配位，因此中心陽離子的配位數由4增至6，導致晶體堆積方式發生改變 28、銅元素的焰色反應呈綠色,很多金屬元素能發生焰色反應的微觀原因為 電子從較高能級的激發態躍遷到較低能級的激發態乃至基態時，以光的形式釋放能量，形成焰色反應43、C、O電負性相差1.0，由此可以判斷CO應為極性較強的分子，但實際上CO的極性較弱請解釋其原因：從電負性分析，CO中的共用電子對偏向氧原子，但分子中形成配位鍵的電子對是由氧原子單方面提供的，抵消了共用電子對偏向O而產生的極性1、 甲酸和乙酸的沸點數據如下表，甲酸熔點較高，標準狀況下，甲酸是固體，甲酸與乙醇 熔點相差較大，原因：甲酸乙醇gain vt.獲得；得到相對分子質量4646熔點8.6-114.3沸點10178.4甲酸中羧基上的兩個氧原子與其它甲酸分子中羧基上的氫原子之間可形成氫鍵，比比乙醇形成分子間氫鍵的概率大2、 一定壓強下，將NH3和PH3的混合氣體降溫，首先液化的是：NH3 解釋原因：NH3存在 分子間氫鍵，分子間作用力強3、 已知NF3與NH3的空間構型相同，但NF3不易與Cu2+形成配離子，其原因是：在NF3中，共用電子對偏向F原子，偏離N原子使得N原子核對其孤對電子的吸引能力增強，難與Cu2+形成配位鍵4、 CN-做配體時，提供孤電子對的通常是C原子，而不是N原子，其原因是：碳元素的電負性小于氮元素的電負性5、 比較NH2-和NH3的鍵角，請用價層電子對互斥理論解釋：氨基中有兩個孤電子對，而氨氣中只有一個孤電子對，孤電子對間的斥力作用大于孤電子對對成鍵電子對的斥力作用，故氨基的鍵角大6、 三溴化硼、三氯化硼的分子結構與三氟化硼相似，若果把BX(X為鹵素原子)鍵都視 為單鍵來計算鍵長，計算值與實際值結果如表。硼鹵鍵鍵長實際值比測定值要小得多，可能的原因：BFBBrBI鍵長計算值/pm152187199鍵長實際值/pm130175187硼鹵鍵存在鍵11、水氫鍵的鍵能小于HF氫鍵的鍵能，但水常溫下為液態而HF常溫下為氣態的原因：水形成的氫鍵個數比HF形成的氫鍵個數多29、提高浸出率的方法：粉碎、升溫、攪拌、加催化劑、提高酸堿濃度30、沉淀洗滌操作：將沉淀置于過濾器中，用玻璃棒引流注入蒸餾水至浸沒沉淀，自然流下重復2-3次31、判斷沉淀是否洗凈：取最后一次洗滌液少許于潔凈試管中，向試管中加入沉淀劑若無沉淀則已洗凈32、沉淀劑是否過量的判斷：取最后一次洗滌液少許于潔凈試管中，向試管中加入原溶液若能形成沉淀則過量33、趁熱過濾的目的：濾出溶解度隨溫度變化不大的溶質或不溶性雜質（溶解度隨溫度變化大的不析出）34、用冷水洗滌沉淀的目的：洗去晶體表面雜質。冰水能降低晶體溶解度，防止晶體因溶解損耗35、蒸餾水洗滌沉淀后，在用酒精洗滌沉淀目的：洗去晶體表面的水分，使晶體快速干燥36、在有過氧化氫或氨水的流程圖中，加熱溫度不能過高，原因：防止雙氧水分解氨水揮發37、酸浸之后，加氨水條件PH值的目的：使