1+X集成電路理論復習題（附答案）一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.單晶硅生長完成后，需要進行質量檢驗，其中四探針法可以測量單晶硅的（）參數。A、少數載流子壽命B、電阻率C、直徑D、導電類型正確答案：B2.下列描述錯誤的是（）。A、轉塔式分選機包括上料位、光檢位、旋轉糾姿位、功能測試位等B、轉塔式分選機分選工序依靠主轉盤執行C、轉塔式分選機旋轉臺每轉動一格，都會將產品送到各個工位D、一般轉塔式分選機都需要配合編帶機使用正確答案：D3.使用轉塔式分選設備進行芯片測試時，芯片在該工位完成操作后，需要進入（）環節。A、測試B、旋轉糾姿C、測前光檢D、測后光檢正確答案：D4.先進的平坦化技術有()。A、反刻法B、高溫回流法C、旋涂玻璃法D、化學機械拋光法正確答案：D答案解析：反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統平坦化技術,化學機械拋光法屬于先進平坦化技術。5.元器件的標志方向應按照圖紙規定的要求，若裝配圖上沒有指明方向，則應使標記向外易于辨認，并按照（）的順序讀出。A、從右到左、從上到下B、從左到右、從上到下C、從左到右、從下到上D、從右到左、從下到上正確答案：C6.打點時，合格的墨點必須控制在管芯面積的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正確答案：A答案解析：打點時，合格的墨點必須控制在管芯面積的1/4~1/3大小，且墨點不能覆蓋PAD點。7.8英寸晶圓的直徑為()mm。A、125B、150C、200D、300正確答案：C答案解析：5英寸晶圓直徑是125mm，6英寸晶圓直徑是150mm，8英寸晶圓直徑是200mm，12英寸晶圓直徑是300mm。8.濕度卡的作用是()。A、去潮濕物質中的水分B、可以防止靜電C、起到防水的作用D、顯示密封空間的濕度狀況正確答案：D答案解析：濕度卡是用來顯示密封空間濕度狀況的卡片。9.有關開路測試不正確的是（）。A、管腳正常連接：pin1和地之間會存在一個壓差，其大小為pin1與地之間的ESD二極管的導通壓降，大約在0.6~0.7V左右。如果改變電壓方向，V1電壓的測量結果大約為-0.6~-0.7V左右B、管腳出現開路：ESD二極管被斷開，pin1和地之間的電阻會無限大，在管腳施加負電流時，V1的電壓會無限?。ㄘ搲海Ｔ趯嶋H情況中，電壓會受測試源本身存在的鉗位電壓，或者受電壓量程擋位限制達到一個極限值C、管腳出現短路：ESD二極管被短路，pin1和地之間的電阻接近為0歐姆，此時不管施加多少電流，V1都接近于0VD、測量Pin1和VDD之間的通斷情況，則可以將VDD通過測試源加到0V，利用I2電流和二極管D2的正向導通壓降進行測量和判斷。此時I2的電流方向和I1的電流方向相同，此時V1的電壓為正電壓正確答案：D10.用重力式選機設備進行芯片檢測的第二個環節是()。A、分選B、測試C、上料D、外觀檢查正確答案：B答案解析：重力式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。11.單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足，提示水流量低報警，該故障是（）。A、電極故障B、液面過低C、斷水D、打火正確答案：C12.轉塔式分選機設備進行編帶后，進入()環節。A、上料B、測試C、外觀檢查D、真空包裝正確答案：C答案解析：轉塔式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。13.若遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是()。A、測試B、上料C、編帶D、外觀檢查正確答案：C答案解析：轉塔式分選機的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。14.在如下方波輸出控制程序中，占空比計算公式為（）。VoidPWM_Init(){PWM0->TBPRD=400；PWM1->TBCTL=0；PWM1->TBCTL_b.HSPCLKDIV=1；PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=4；PWM1->TBCTL_b.PRDLD=1；PWM0->TBCTL_b.CTRMODE=2；PWM0->AQCTLA_b.CAU=1；PWM0->AQCTLA_b.CAD=2；PWM0->CMPA=200；PWM_START；}A、PWM0->AQCTLA_b.CAU/PWM0->AQCTLA_b.CAD=50%B、PWM0->TBCTL_b.CTRMODE/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=50%C、PWM1->TBCTL_b.HSPCLKDIV/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=25%D、PWM0->CMPA/PWM0->TBPRD=50%正確答案：D15.晶圓檢測工藝中，導片結束后，需要進行()操作。A、加溫、扎針調試B、上片C、外檢D、扎針測試正確答案：B答案解析：晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。16.在用萬用表測量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時，必須注意（）。A、選擇歐姆擋位B、選擇較大量程C、注意兩支筆的極性D、以上都是正確答案：C17.載帶的預留長度一般是()。A、50-70cmB、10-30cmC、30-50cmD、70-90cm正確答案：A18.薄膜淀積完成后，需要進行質量評估。其中（）是檢測薄膜質量、組分及純度的有效參數，可以用橢偏儀測量。A、厚度B、折射率C、臺階覆蓋率D、均勻性正確答案：B19.以全自動探針臺為例，關于上片的步驟，下列所述正確的是：()。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子正確答案：D答案解析：以全自動探針臺為例，上片的步驟為：打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子。20.關于全自動探針臺扎針調試的步驟，下列說法正確的是：（）。A、輸入晶圓信息→調出檢測MAP圖→自動對焦→扎針調試B、輸入晶圓信息→自動對焦→調出檢測MAP圖→扎針調試C、輸入晶圓信息→自動對焦→扎針調試→調出檢測MAP圖D、輸入晶圓信息→調出檢測MAP圖→扎針調試→自動對焦正確答案：B答案解析：全自動探針臺扎針調試步驟：輸入晶圓信息→自動對焦→調出檢測MAP圖→扎針調試。21.當芯片移動到氣軌()時，旋轉臺吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置正確答案：C答案解析：當芯片移動到氣軌末端時，旋轉臺吸嘴的升降電機到達芯片正上方，吸嘴產生一定負壓將該芯片吸起，升降電機上移并后退進入旋轉臺，上料完成。22.編帶機光檢區檢測不合格的芯片，會從光檢區滑落至不良品料管內；而檢測合格的芯片，則會由（）吸取，并將其精準地放到空載帶內，載帶內每放置一顆芯片便會向前傳送一格。A、真空吸嘴B、機器手臂C、鑷子D、吸盤正確答案：A23.轉塔式分選機設備測試環節的流程是：()。A、測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選B、芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試C、測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選D、測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試正確答案：C答案解析：轉塔式分選機設備測試環節的流程是：測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選。24.“6s”的管理方式相較于“5s”，多的一項內容是（）。A、整理B、整頓C、清潔D、安全正確答案：D答案解析：5S即整理、整頓、清掃、清潔、素養。6S管理是5S的升級，6S即整理、整頓、清掃、清潔、素養、安全(SECURITY)。25.利用平移式分選設備進行芯片測試時，設備在測試區完成測試后，會進入（）環節。A、外觀檢查B、分選C、上料D、真空包裝正確答案：B26.用平移式分選機設備進行芯片檢測的第二個環節是()。A、分選B、上料C、測試D、外觀檢查正確答案：C答案解析：平移式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。27.晶圓烘烤時長一般為()分鐘。A、1B、5C、10D、20正確答案：B答案解析：晶圓烘烤長一般為5分鐘。烘烤時間太長會導致墨點開裂，時間太短可能會使墨點不足以抵抗后續封裝工藝中的液體沖刷，導致墨點消失。28.化學機械拋光中,拋光液的作用是()。A、與硅片表面材料反應,變成可溶物質或將一些硬度過高的物質軟化B、向拋光墊施加壓力C、將反應生成物從硅片表面卻除D、清洗硅片正確答案：A答案解析：硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉盤開始旋轉，同時噴淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時拋光液在硅片和拋光墊之間流動，拋光液中的物質與硅片表面材料反應，變為可溶物質或將一些硬度過高的物質軟化；通過研磨作用將反應生成物從硅片表面去除，進入流動的液體排出。29.4英寸的單晶硅錠的切割方式為：()。A、外圓切割B、內圓切割C、線鋸切割D、以上均可正確答案：B答案解析：直徑＜300mm時采用內圓切割，直徑≥300mm時采用外圓切割、線鋸切割。4英寸的單晶硅錠直徑為100mm，切割方式為內圓切割。30.清洗是晶圓制程中不可缺少的環節，使用SC-1清洗液進行清洗時，可以去除的物質是（）。A、光刻膠B、顆粒C、金屬D、自然氧化物正確答案：B31.進行芯片檢測工藝中的編帶外觀檢查時，其步驟正確的是（）。A、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤→編帶回料→編帶固定B、固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定C、歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定D、編帶固定→固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料正確答案：C32.料盤檢查完后，需要以最小內盒數為單位拆批打印標簽，一式()份。A、1B、2C、3D、4正確答案：B答案解析：料盤檢查完后，需要以最小內盒數為單位拆批打印標簽，一式兩份。33.利用平移式分選設備進行芯片檢測時，芯片在該區域的操作完成后會進入（）區域。A、上料B、測試C、分選D、待測正確答案：C34.采用全自動探針臺對晶圓進行扎針調試時，若發現單根探針發生偏移，則對應的處理方式是（）。A、相關技術人員手動撥針，使探針移動至相應位置B、調節扎針深度C、利用微調檔位進行調整D、更換探針測試卡正確答案：A35.封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進行銀漿固化，該環節在烘干箱中進行，一般在（）℃的環境下烘烤1小時。A、225B、200C、150D、175正確答案：D36.單晶硅生長完成后，需要進行質量檢驗，其中熱探針法可以測量單晶硅的（）參數。A、直徑B、導電類型C、電阻率D、少數載流子壽命正確答案：B37.添加連線時，在先的起點處（）鼠標，移動光標，在線的終點（）鼠標完成連線繪制。A、雙擊、單擊B、單擊、雙擊C、單擊、單擊D、雙擊、雙擊正確答案：B38.晶向為<111>、8英寸P型半導體材料的定位方式是沿著硅錠長度方向研磨出()。A、一個基準面B、兩個基準面且呈45度角C、兩個基準面且呈90度角D、定位槽正確答案：D答案解析：8英寸的晶圓直徑為200mm，當硅片直徑等于或大于200mm時，往往不再研磨基準面，而是沿著晶錠長度方向磨出一小溝作為定位槽。39.在目檢過程中，篩選后出現嚴重失效或篩選淘汰率超過規范值，經分析屬于批次性質量問題的，應()。A、淘汰超過規范值的部分，同時附上分析報告B、整批淘汰，同時附上分析報告C、留下該批次中的合格品D、不做處理正確答案：B答案解析：在目檢過程中，篩選后出現嚴重失效或篩選淘汰率超過規范值，經分析屬于批次性質量問題的，應整批淘汰，同時附上分析報告。二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.將料盤裝入防靜電鋁箔袋時，還需要裝()。A、干燥劑B、濕度卡C、海綿D、標簽正確答案：AB答案解析：將干燥劑和濕度卡固定在包裝完畢的料盤中央后放入不透明的防靜電鋁箔袋中。2.高溫回流-般用于()。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：AB答案解析：高溫回流一般用于平滑處理或部分平坦化。3.出現下列()的情況可能需要進行墨管更換。A、墨點大小點B、小而空心的墨點C、位置偏移且在晶粒上的偏移情況一致D、位置偏移且在晶粒上的偏移情況不一致正確答案：AB答案解析：出現墨點大小點、小而空心的墨點等情況需更換墨管。出現位置偏移且在晶粒上的偏移情況一致則需要調節打點器的旋鈕，使墨點處于晶粒中央。出現位置偏移且在晶粒上的偏移情況不一致等情況需調節打點的步進。4.選擇集成電路的關鍵因素主要包括（）。A、性能指標B、芯片原料C、性能價格比D、工作條件正確答案：ACD5.切割機顯示區可以進行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發送消息B、設置參數C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案：BC6.在晶圓檢測中，打點過程中可能出現的異常情況有（）。A、不能連續打點B、墨水外溢C、漏打點D、墨點異常正確答案：ABCD7.LK32T102單片機的串行通信串口有（）。A、USB通信B、2路異步串行口（UART）C、1路串行總線SPID、I2C正確答案：BC8.將料盤進行臨時捆扎時，需要在料盤上放一盤空料盤，其目的是：()。A、為了美觀B、保護最上層裸露的芯片C、防止在搬運過程中芯片發生移動D、防潮正確答案：BC答案解析：放置空料盤的目的是：①防止在搬運過程中芯片發生移動；②保護上層裸露的芯片。9.在薄膜制備的過程中，需要檢驗薄膜的質量，以下屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、針孔B、斑點C、層錯D、白霧正確答案：BD10.離子注入過程中，常用的退火方法有（）。A、高溫退火B、快速熱退火C、氧化退火D、電阻絲退火正確答案：AB答案解析：離子注入過程中，常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。11.下列描述錯誤的是（）。A、進行芯片檢測，首先需要確定產品等級為消費級、工業級還是汽車級，不同等級，測試需求不同；B、從Spec中獲得工作電壓和電流范圍、頻率范圍、輸入輸出信號類型、工作溫度及客戶應用環境模擬條件、掃描鏈、自測等參數信息C、進行芯片檢測，首先需要確定產品封裝類型D、從Spec中獲得芯片相關的全部信息包括內部電路相關參數等正確答案：CD12.編帶前光檢的目的是檢查()。A、芯片的數量是否正確B、芯片的印章是否清晰C、芯片的管腳是否出現扭曲、斷裂D、芯片的電氣參數正確答案：BC答案解析：編帶前進行光檢是為了確保進入編帶的芯片印章和管腳都是合格的。芯片數量在上料前進行核對，電氣參數的檢測是在測試環節進行的。13.晶圓切割完成后需要先經過（）和（）工序，方可進入芯片粘接工序。A、晶圓清洗B、晶圓拋光C、第一道光檢D、第二道光檢正確答案：AD答案解析：晶圓切割之后需先經過晶圓清洗將切割過程中產生的硅粉塵清除，以及第二道光檢將切割過程產生的不良品剔除，方可進入芯片粘接工序14.在全自動探針臺上進行扎針調試時，需要根據晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸正確答案：ABCDEF答案解析：在全自動探針臺上進行扎針調試時，根據晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓產品名稱、印章批號、片號等信息，同時設定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進參數。15.對于電阻、電容、電感等電子元器件性能參數進行測量，其中有關的性能參數有（）。A、標稱值B、伏安特性曲線C、極限值與額定值D、顏色與質量正確答案：ABC16.管裝外觀檢查時，需要檢查的內容有（）。A、料管內的芯片方向是否正確B、芯片管腳是否彎曲C、芯片數量是否與隨件單一致D、印章是否錯誤或損壞正確答案：ABCD17.塑封體上激光打字時，打印的內容可以有（）等。A、產品名稱B、生產日期C、生產批次D、商標E、注意事項F、適用范圍正確答案：ABCD答案解析：D選項“商標”屬于制造商信息，所以有時會打印在產品上。18.晶圓檢測工藝中，晶圓完成打點以后需要進行墨點烘烤，以下屬于晶圓烘烤環節的步驟的是（）。A、將烘烤完的晶圓從烘箱中取出B、用工具將高溫花籃放在高溫烘箱中C、用晶圓鑷子從常溫花籃中夾取晶圓，核對晶圓印章批號D、根據晶圓片號和花籃刻度放到對應的高溫花籃中正確答案：ABCD19.探針卡是晶圓測試重要的材料，對測試結果起到重要作用。當探針卡使用次數過多會影響扎針測試結果。過多使用探針卡的表現有（）。A、探針針尖過短B、探針針尖變細C、探針針尖斷裂D、探針針尖變粗正確答案：ACD20.LK32T102單片機編寫程序并燒錄的過程中可能會用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正確答案：AC21.以下是晶圓扎針測試完成后，對于不合格的管芯完成的打點圖，請選擇合格打點的管芯（）。A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案：BC22.AltiumDesigner的設計規則系統的強大功能是（）。A、同種類型可以定義多種規則B、每個規則有不同的對象C、每個規則目標的確切設置是由規則的范圍決定的D、規則系統使用預定義優先級，來確定規則適用的對象正確答案：ABCD23.花籃可以分為()。A、高溫實心花籃B、高溫銅質花籃C、高溫塑料花籃D、常溫花籃正確答案：ABD答案解析：花籃分為高溫花籃和常溫花籃，高溫花籃有高溫銅質花籃和高溫實心花籃兩種。24.塑料封裝的主要特點有（）、（）和（）。A、防水、耐高溫B、便于自動化生產C、外殼堅硬防劃傷D、成本低廉、質量輕E、材料柔和，不損害芯片F、工藝簡單正確答案：BDF25.AltiumDesigner系統可以載入自定義元件庫，下列是自定義元件庫的是（）。A、MiscellaneousDevices.IntLibB、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLibC、MiscellaneousConnectors.IntLibD、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib正確答案：BD26.防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水正確答案：ABCD答案解析：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點，可以最大程度地保護靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.編帶外觀檢查采用抽檢的方式。A、正確B、錯誤正確答案：A2.P型半導體又空穴型半導體。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。3.上料時，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無芯片落在氣泡膜內。A、正確B、錯誤正確答案：A4.襯底接觸上的接觸孔必須多打，且應盡量密集。A、正確B、錯誤正確答案：A5.負性光刻膠經曝光過的區域被溶解，而未曝光的區域被保留。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：正性光刻膠經曝光過的區域被溶解，而未曝光的區域被保留。負性光刻膠經曝光后由原來的可溶變為不可溶，從而未曝光的區域被溶解，曝光區域被保留。6.轉塔式分選機進行測前光檢時，會在光檢顯示區顯示光檢結果，其中進行方向判斷時，會在界面上顯示的角度360度。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：轉塔式分選機設備進行測前光檢時，光檢顯示區的角度說明有：0°、90°、180°、270°，沒有360°。7.儀器設備應按規定定期檢定合格，并在有效的計量檢定周期內使用。A、正確B、錯誤正確答案：A8.需要加溫的晶圓是在扎針調試完后，再對晶圓進行加溫。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：需要加溫的晶圓要在加溫結束后再進行扎針調試。9.為了驗證所布線的電路板是符合設計規則的，現在設計者要運行設計規則檢查DesignRuleCheck(DRC)。A、正確B、錯誤正確答案：A10.測試夾具常見故障包括：接觸不良、開路短路不良；、表面嚴重磨損等。（）A、正確B、錯誤正確答案：A11.芯片檢測工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標簽。A、正確B、錯誤正確答案：B12.在Composer里，晶體管長度和寬度的單位默認為毫米。A、正確B、錯誤正確答案：B13.轉塔式分選機通常是測編一體的設備。A、正確B、錯誤正確答案：A14.晶圓越大，晶圓的制造成本越高。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：晶圓越大，晶圓的制造成本越低，但對材料技術和生產技術的要求更高。15.領取完待真空包裝的芯片后就可以直接進行包裝了。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：要放置于工作區指定位置，并核對隨件單信息16.在LK32T102單片機上，“PB->OUTEN=0x0000;”將PB0~PB7引腳配置設置為輸出。A、正確B、錯誤正確答案：B17.12英寸的晶圓進行單面研磨。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：對300mm的硅片來說，一般進行雙面拋光，以保證大直徑硅片的平整度。18.重力式分選機自動上料時，放入自動篩選機入料區的料管方向沒有特殊要求。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：重力式分選機自動上料時，放入自動篩選機入料區的料管的方向需要保持一致，且藍色塞釘一端朝向上料夾具的一側。19.無鉛電鍍是在暴露于塑封體外部的引線框架表面鍍上濃度高于95.99%的高濃度錫，采用無鉛電鍍主要是因為其生產成本相對較低。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：無鉛電鍍采用的錫濃度高于99.95%，采用無鉛電鍍主要是為了減少鉛對環境的污染。20.在版圖設計中，使用源漏共享可以減小版圖面積。A、正確B、錯誤正確答案：A21.若遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據晶圓測試隨件單上的加溫條件進行加溫后再調整打點器墨點