半導體存儲行業市場分析

1存儲器：半導體第二大子版塊，強周期屬性

2022年全球存儲市場規模達1298億美元,集成電路市場占比27.4%O

WSTS將半導體行業分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器幾

大領域進行統計。根據WSTS,2022年全球半導體市場規模達到

5741億美金，其中集成電路市場規模4744億美金，占比82.6%,

存儲器是集成電路的重要組成部分,2022年市場規模1298億美金，

占集成電路市場的27.4%,占半導體市場22.6%,是整個半導體行

業第二大細分領域（第一大為邏輯電路）。

存儲芯片周期波動性較半導體行業整體更強。作為半導體行業的重要

分支，存儲芯片周期變化情況基本與半導體行業周期變化情況保持一

致，比較存儲芯片市場規模與半導體行業市場規模2004年?2024E

同比變化情況，存儲芯片同比變化曲線更為陡峭，其波動性更強，半

導體周期景氣下，存儲芯片市場貢獻更為突出。

DRAM和NANDFlash在存儲市場中占主導地位。存儲器按照是否

需要持續通電以維持數據分為易失性存儲（RAM）和非易失性存儲

（ROM）,在RAM中，動態隨機存取存儲器（DRAM）需要在維持

通電的同時，通過周期性刷新來維持數據，DRAM結構簡單，單位

面積的存儲密度顯著高于SRAM,DRAM作為一種高密度的易失性

存儲器，主要用作CPU處理數據的臨時存儲裝置，廣泛應用于智能

手機、個人電腦、服務器等主流應用市場。在ROM中，NANDFlash

是使用電可擦技術的高密度非易失性存儲，其存儲密度遠高于其他

ROM,同時能夠實現快速讀寫和擦除。NANDFlash為大容量數據存

儲的實現提供了廉價有效的解決方案，是目前全球市場大容量非易失

存儲的主流技術方案。根據彭博，2021年DRAM和NAND合計市

場規模占比超95%,分別占比約57.3%,38.3%。據CFM閃存市場

預計，2022年NANDFlash市場容量規模增長6%達到610BGB,

DRAM市場容量規模增長4%達到194BGb。

圖表7:中國存儲芯片行業市場規模及預測（億元）

國內存儲芯片市場鋪售-占仝球存傳芯片市場儂頓

中國在全球存儲市場占據重要地位。在國內市場，隨著中國在電子制

造領域水平的不斷提升，國內存儲芯片產品的需求量逐步攀升，根據

世界半導體貿易統計協會數據，2018年中國存儲芯片市場規模達到

5,775億元，發展空間廣闊。根據Yole最新統計，2022年中國企業

在全球DRAM市場份額為30%,在NAND市場份額為33%,中國

企業DRAM和NAND合計市場規模約432.8億美金（不含外國企業

在國內生產的進口量）。

下游應用市場廣闊，計算與無線通信合計占比超80%。存儲產業鏈

下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網絡通信設備、可穿戴設備、

物聯網硬件、安防監控、工業控制、汽車電子等行業以及個人移動存

儲等領域，應用市場廣闊。云計算、大數據、物聯網、人工智能等市

場規模擴大，數據量激增，通信技術發展帶動，2021年計算與尢線

通信領域存儲產品應用占比分別達47.0%,37.3%,是存儲產品下游

應用重要領域。

DDR和LPDDR是DRAM應用最廣泛品類,DDR5滲透率逐步提升。

DRAM按照產品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統型

(Legacy/SDR)DRAM。DDR是雙倍速率同步動態隨機存儲器，主

要應用在PC、服務器上等領域，目前主流的DDR標準是DDR4,

DDR5滲透率在逐步提升過程中；LPDDR是LowPowerDDR,主要

應用于移動端電子產品；GDDR(GraphicsDDR)主要應用于圖像處

理領域；相比較DDR的雙倍速率(在時鐘上升沿和下降沿都可以讀

取數據)，傳統DRAM只在時鐘上升沿讀取數據，速度相對慢。根

據Yole統計，DDR/LPDDR合計占DRAM應用比例約90%。

3DNAND是NANDFIash主流，存儲密度持續提升。存儲密度提升的

主要技術路徑包括提高存儲單元的可存儲數位(bit)量和提升

3DNANDFIash的堆疊層數。根據每個存儲單元存儲的可存儲數位量,

NANDFIash分為SLC(Single-levelCell)MLC(Multi-levelCell)>

TLC(Triple-levelCell)、QLC(Quad-LevelCell)。SLC為每個存

儲單元存儲的數據只有1位，MLC、TLC和QLC每個存儲單元存儲

的數據分別為2/3/4位，存儲密度梯度提升。傳統NANDFIash為平

面閃存(2DNAND),3DNAND使用多層垂直堆疊技術，擁有更大

容量、更低功耗、更優耐用性以及更低成本的優勢。三星電子2013

年率先開發出可以商業化應用的24層3DNAND,2020年3DNAND

高端先進制程進入176層階段，2022年美光宣布232層3DNAND

實現量產。

主流存儲市場海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM和

NANDFIash等半導體存儲器的核心功能為數據存儲，存儲晶圓的設

計及制造標準化程度較高，各晶圓廠同代產品在容量、帶寬、穩定性

等方面，技術規格趨同。因此頭部廠商通過產能擴大規?；瘍瀯菁凹?/p>

術持續升級迭代保持競爭力。DRAM領域，三星、美光、SK海力士

壟斷了近95%的市場份額，行業龍頭三星電子2014年率先實現

20nm量產，此后DRAM制程大約每兩年實現一次突破，從1Xnm

(16nm-19nm)到1Ynm(14nm16nm)到1Znm(12-14nm)o2021

年1月，美光科技率先宣布量產1cmm(接近10nm)DRAM產品,

主流原廠開始進入1c(nm制程階段。目前市場高端制程為1Znm,該

制程生產的芯片主要標準規格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。

NAND領域，競爭格局同樣較為集中，由三星電子、鎧俠、西部數據、

美光科技、SK海力士等公司主導全球市場，SK海力士收購英特爾

NANDFIash業務已于2021年獲得主要市場監管當局批準，全球

NANDFIash市場將進一步集中。NOR領域，競爭格局相對DRAM

和NAND分散，中國臺灣和大陸廠商占據一席之地。

圖表17:2021年半導體存儲器分市場競爭格局

DRAMXandFlash

I3JH

143%11.5%

283%

37.IS

■?4力+?ttA?41?三JL力士?力

NOR

?單邦電子<????美飛虎正**■4維

2前幾輪周期存儲行業如何表現？

2014年周期存儲器市場破800億美金新高。2013-2016年，全球存

儲器市場分別同比增速+27.6%/+17.8%/-2.6%/-1.8%,達到

691/814/793/779億美金。其中2013/2014年全球DRAM銷售額同

比增長34.5%/34.6%至352/473億美金，2015/2016年DRAM市場

同比下降4.0%/9.0%至454.4/413.3億美金。市場格局方面，美光/

二星/SK海力十二家DRAM全球份額從2005年60%左右的份額，

在2013年首次超過80%,并在2014年之后始終維持在超過90%o

競爭格局逐步集中主要是因為產品升級迭代與生產規模擴張帶來的

高研發及資本開支投入，DRAM市場競爭激烈，價格波動大，頭部

廠商通過規模經濟和成本優勢保持競爭力，同時通過一系列收并購整

合，行業集中度持續提升。

2013-2016年移動端DRAM需求取代PC用DRAM成為主要需求來

源。1980-2000年代，PC在DRAM的終端應用需求中占比65-85%,

是DRAM終端應用需求最大的領域，隨著PC銷量在2010年見頂后

逐步回落，2012年PC用DRAM占比下降至41%,2015年，移動

端DRAM生產規模首次超過PC用DRAM,成為DRAM下游占比最

高的應用。

移動終端對DRAM的需求持續增長：1）智能手機出貨量自2009年

起高速增長，2012/2013/2014年出貨量增速分別為

43.8%/42.4%/28.5%,達到6.8/9.7/12.4億部。2）智能手機,平板電

腦內存容量及DRAM產品密度持續升級。隨著智能手機功能逐步豐

富，設備內存用量持續增加，以適應性能不斷提升的處理器和顯示屏

需求。IHS預計2012年全球智能手機中的平均DRAM容量增長近

50%達到666MBo此外智能手機中DRAM芯片的平均密度也在快速

上升,2012年4Gb內存芯片約占智能手機DRAM市場的37%,8Gb

占36%。IHS預計2013年8Gb將占據市場主要地位，份額提升至

46%,4Gb占比下降至28%。再往后看，密度更高的16Gb將逐步

占據主導地位,2012年16Gb的DRAM市場份額僅占2%,預計2013

年將躍升至15%,并在2015年成為主流產品，份額達到56%。

供給端，行業集中度提升+產品復雜度提升帶來DRAM產能持續萎縮。

產能方面，根據SEMI,2003-2007年全球DRAM裝機產能每年40-50%

的增速保持高速增長，2007年全球11個主要DRAM供應商在全球

約40個工廠生產DRAM芯片，2008/2009年金融危機期間DRAM

行業經歷了嚴重的下滑，供應商數量和產能方面均出現減少。2015

年全球主要DRAM供應商僅剩6家公司(20個生產工廠)，其他一

些前道工廠從生產DRAM轉換為生產邏輯、NAND等其他用途芯片。

圖表28:全球DRAMIDM廠商集中度持續提升

注:不含全球DRAM市場占有率低于3%的公司

產品復雜度提升及技術迭代亦使得產能出現損失。2015年初，業內

主流DRAM制程節點在21/20nm,頭部廠商技術節點已升級至15nm

(1Xnm),SEMI在跟蹤了9個工廠后得出結論，工藝步驟增加，

產品復雜度提升導致工廠每平方英尺潔凈間生產的晶圓減少10%至

20%,這一趨勢幾乎影響到所有在30/28納米節點及以下的行業領域,

并預計2014年到2016年，DRAM工廠在過渡到下一個領先技術節

點時預計產能每月將損失約25,000個晶圓。

從資本開支角度，由于晶圓廠從設備投資到產能擴充通常需要1.5-2

年，因此根據ICInsights和美光的統計，以及2010年以來DRAM

行業資本開支情況，我們看到全球前道DRAM晶圓產能在2013-2016

年不增反降，2012-2014年DRAM行業資本開支占營收比重維持不

到20%的水位。

供不應求背景下，2013年起DRAMASP開始提升。需求端，特別是

對于高端、低功耗移動DRAM的需求大幅增長。供給端，1)與2010

年相比，2013年DRAM市場競爭格局更加集中，2013年美光完成

對日本爾必達的收購，且兩家臺企DRAM供應商力晶科技Powerchip

和茂德科技ProMOS基本退出了DRAM業務。2)DRAM市場在2007

年之后多年的大幅減少資本支出后，幾乎沒有新增產能。DRAM資

本支出占銷售額的比例從2011年的30%下降至2012年的20%。

因此供需狀態有利于DRAM供應商，疊加SK海力士無錫廠火災等

原因，DRAMASP于2013年開始持續上行。

2014年10月起DRAM價格進入下行通道。2014年底智能手機銷售

旺季過去，2015年PC出貨疲弱，PCOEM庫存持續提升，DRAM

價格進入下行周期。與此同時，頭部存儲廠仍在向更先進制程節點遷

移。三星在2015Q3推出了20nm生產的PC和服務器產品，以及用

于移動端的LPDDR4,其作為首家供應基于20nm工藝制造的

LPDDR4的制造商,在市場價格下降的情況下具有顯著的成本優勢。

SK海力士預計在2016Q1-Q2大規模生產21nm產品，美光則相比

前兩家更為滯后。PCOEM去庫存接近尾聲，2016年中DRAM價格

筑底。DRAM價格自2014年10月下降以來，到2016年6月市場

看到價格筑底，彼時DDR34GB的平均合約價從32.75美元下降了

62%,至12.5美元。需求端，隨著2016Q3智能手機新品發布，整

個智能手機供應鏈積極備貨，當時中國智能手機品牌對存儲器組件亦

有很高的需求，2016年全球智能手機單位DRAM容量同比提升了

36%,因此DRAM和NANDFlash市場都面臨供應緊張的局面。供

給端，DRAM市場三家龍頭寡頭壟斷下，憑借行業工藝向20rlm技

術升級，比特產出仍能保持增長的同時，晶圓產能保持相對穩定°另

外從產品結構角度來看，主要DRAM供應商將更多的產能重新分配

給移動和服務器產品，同時北美地區的筆記本電腦需求有所回暖，造

成PCDRAM供應也趨于緊張，因此整個DRAM價格在2016H2有

所回升。

2017年存儲市場突破1000億美金。2017-2018年全球存儲市場重

返增長，市場規模同比大幅提升62.6%/26.6%至1267/1604億美金，

其中全球DRAM市場規模同比增速61.5%/27.4%,達到

1239.7/1579.7億美金。需求驅動主要來源于1）全球服務器出貨量

穩步增長，以及服務器存儲容量顯著提升；2）智能手機持續增長，

手機存儲容量繼續升級。根據hS統計，服務器在智能手機、PC等

各終端應用中是單機DRAM容量增速最快的終端產品，此外，自2016

年以來，服務器在全球DRAM比特需求中占比快速提升，從2016

年的20.9%提升至2019年的27.3%。

回顧全球服務器出貨情況：2013至2014年，云計算及消費電子創

新及升級帶動了OnlineServes需求，服務器行業呈現相對穩定的增

長；2015年以Facebook、Google及微軟等為代表的超大新數據中

心的持續增長，當年服務器出貨量同比增長5.1%至971萬臺；

2017Q1,Meta、谷歌、亞馬遜等企業為了等待英特爾推出新數據中

心芯片，放緩對于新服務器的采購，服務器出貨量短暫下滑，2017Q2

云服務商擴產帶動服務器需求，2017Q3中國運營商的采購拉動以及

企業/政府級市場的需求，中國成為全球X86服務器增長主要市場；

2018年全球服務器市場出貨量再次實現超越10%的增長，主要源自

于云計算、大數據、AI等新一代技術對互聯網企業持續拓展基礎架

構規模的推動，同時也刺激了傳統企業用戶的采購需求；2019年超

大規模數據中心運營商資本開支減少，服務器出貨量出現同比下滑。

圖表39:全球服務器出貨量（萬臺）

?■服務若出貨量（萬臺）-一yoy

供給端，DRAM行業資本開支在2017年和2018年均有20%以上增

長。三星在2017年開始實現向18nm工藝的過渡，由于此前行業晶

圓產能增量有限疊加技術升級，DRAM供應增長放緩，DRAM合約

價從2016年下半年開始上漲，疊加季節性需求，此后DRAM價格

持續向上。因此三星在2017年計劃通過擴產緩解供應不足并保持其

市場主導地位。SK海力士始終專注于提高良率和擴大21nm工藝的

應用，其基于18nm的產品在2017年底開始小規模量產。產能方面，

2017年SK海力士在無錫建第二座12英寸晶圓廠，并預計最早將于

2019年投入運營。美光的子公司美光存儲臺灣2018年DRAM已全

部采用1Xnm工藝，美光科技臺灣（原Inotera）自2018Q2開始從

20nm工藝向1X納米工藝過渡，預計到2018年底其約一半產能將

采用1X納米工藝，全面轉換預計將在2019年上半年完成。由于產

能建設通常需要至少1.5年以上時間，我們看到新增產能在2018年

開始逐步體現。

2018Q3DRAM價格見頂。庫存方面，2019Q1北美主要數據中心運

營商服務器內存存貨至少5-6周，OEM庫存約4周，均超過正常水

平。需求方面，經歷了兩年的服務器需求強勁增長后，服務器DRAM

市場的需求增長逐漸放緩。由于升級至英特爾Purley平臺的需求開

始減弱，內存訂單也已得到滿足，此外疊加中美貿易摩擦帶來不確定

性，亦導致需求保守。供給方面，主要DRAM供應商2019年無新

增計劃擴產，并放緩了向先進工藝和高密度芯片的升級，資本開支同

比下降，以試圖抵消供過于求的情況。

2019Q3-Q4DRAM價格筑底：需求方面，1）移動端：2019年智能

手機出貨不及預期，移動DRAM的平均銷售價格在2019Q1-2019Q3

下降10%-15%,移動DRAM平均銷售價格下降將促使品牌商提高手

機的存儲容量，并有助于加快供應商的清庫進程。另外2019Q3價格

已經挑戰三家供應商成本極限，因此供應商在Q4降價態度相對保守，

導致價格下跌幅度收窄。2）彼時日本政府已批準向兩家主要韓國供

應商出口特種材料，日本對韓國采取的貿易行動對供應端影響的擔憂

已減弱。Q3由于季節性因素以及在2019.12可能出現新一輪美國關

稅增加前提前發貨的影響，備貨需求超預期，DRAM供應商談判價

格在Q3企穩。供給方面，三星將大部分資金用于新工藝研發，SK

海力士亦重申2020年將減少資本開支，此外2019年底三星華城基

地的停電對供給也造成短暫影響。

2020年全年存儲市場同比增長10%至1175億美金，存儲價格基本

持平略降。2020H1：內存庫存水位下降，服務器需求回升，價格上

行。庫存方面，DRAM供應商2020Q1末庫存顯著降低，需求端，

2020年初美國兒家頭部云服務提供商數據中心服務器訂單強勁，國

內阿里巴巴、字節跳動和騰訊的服務器需求也由于其海外業務擴張和

中國基礎設施建設需求增加，疊加傳統服務器品牌為避免疫情導致的

供應鏈中斷而進行的提前備貨需求，內存價格出現上行趨勢。2020H2：

服務器庫存高位，移動端DRAM受華為被制裁手機廠商囤貨影響，

價格有所支撐。由于擔憂供應鏈中斷，OEM在2020H1兩個季度積

極備貨后，其DRAM庫存水平相對較高，與此同時企業服務器的客

戶由于經濟前景暗淡和不確定性提升，大規模減少了服務器采購。

2020Q30DM服務器庫存同樣高于預期，ODM客戶的額外服務器訂

單突然停止，因此導致整體服務器訂單環比下降，去庫存持續至2020

年底。另一方面，移動端美國進一步對華為進行制裁，華為搶先備庫

存以及其他品牌為占領份額緊急配貨似的移動端DRAMASP有所支

撐，但仍不足以彌補服務器DRAM高庫存水平導致的價格下降，因

此2020年下半年DRAM綜合價格仍有所下降。

從股價走勢我們可以看出，海外三家龍頭股價走勢變化非常接近，三

星和SK海力士兩家韓國廠商股價反應通常略提前十美光。但從回報

率來看，2010年以來美光股價回報率明顯高于友商，一方面美光在

過去10多年內通過外延收購的方式（爾必達、Inotera等）擴大產能，

另一方面美光專注于技術升級。三星則更多的通過擴產實現有機增長,

保持其行業份額的領先地位，此外相比另外兩家韓國公司，美光的股

息政策也更加積極。

圖表49:美光營業利潤率與DRAM價格關系

?BUB美光劈生打澗奉

現黃牛場價:DRAM：D0R34Gb512Mx81600*1z：月：平均值

2013-052014-052015-052016-052017-052018-052019-052020-052021-052022-052023-05

對比財務情況，我們看到三家廠商的存儲業務營收同比增速非常相似,

營業利潤率方面，整體上三星的營業利潤率高于SK海力士，主要得

益于其規模優勢和產品結構的優勢（高附加值SSD模組），2020年

以來SK海力士的營業利潤率與美光接近。

復盤存儲廠商股價與內存ASP的關系，以美光為例，在2012年11

月內存均價見底之前，美光的股價已經提前在10月初向上。2016

年7月，內存價格再次見底，而美光股價在2016年5月中就開始向

上。2020年上半年服務器下游囤貨，價格上行，下半年行業出于對

經濟情況的擔憂服務器訂單環比下降，去庫存階段內存價格下行，

2020年全年總體價格持平，2020年11月內存價格見底，我們看到

美光股價從2020年9月即進入上行通道。無論是對比內存合約價還

是現貨價，考慮上文我們看到SK海力士和三星電子股價反應通常略

提前于美光，我們可以得到結論，存儲廠商股價通常會提前內存價格

見底前約一個季度見底，而在內存價格頂部區間，股價通常晚于內存

價格見頂開始下行。

3本輪周期價格已至底部區間，AI有望引領新一輪上升周期

2021存儲器行業同比增長30.9%至1538億美金。2021年是繼2020

年存儲行業市場規模同比小幅增長10%之后的又一年增長。需求端：

1）由于居家辦公和遠程教育的普及，PC需求超預期。2）中國智能

手機品牌（包括OPPO、Vivo和小米）在華為被列入實體清單后，

積極采購以搶占市場份額。3）經過2020年2-3個季度去庫存，服

務器制造商2021年開始進行新一輪的采購，因此對DRAM的需求

也逐漸恢復。此外，由于集成電路其他芯片受供應鏈擾動帶來的缺貨

影響，下游積極備貨存儲芯片。

供給端，2021年DRAM產能沒有大幅增加。三大DRAM供應商開

始加速產能擴張和先進工藝升級，但是由于新增產能在當年不會對市

場供需產生明顯影響，2021供給端沒有大幅增長。從供給結構來看，

DRAM行業的寡頭格局使得供應商在分配生產能力時通常更注重盈

利水平，2020年由于居家辦公和遠程教育的普及導致供應商重新分

配生產能力，將產能首先分配給滿足20Q3智能機和PC市場的需求。

三大廠繼續技術升級。三星、美光、SK海力士仍然在積極增加先進

技術產品的制造占比，2021年三星已量產1Znm工藝，并持續提升

良率,2021年SK海力士的DRAM供應位增長主要來自于使用1Ynm

和1Znm工藝制造的DRAM的增加比例。美光則繼續專注于1Znm

和1c(nm的量產，并提高使用這些工藝制造的DRAM份額。

DRAM價格2021Q3見頂，2021Q4進入下行通道。DRAM價格在

2020年年底觸底后，市場上的供應過剩狀況和買家清庫存的壓力逐

漸企穩。隨著價格接近歷史低點，買家采購需求活躍，因此2021年

上半年DRAMASP快速提升，進入2021Q3,上游供應鏈開始出現

組件供應不匹配的問題，限制了電子設備的組裝，下游DRAM庫存

水平相對高于其他芯片，因此價格增速放緩。2021Q4開始，DRAM

供應商庫存水平健康，但多數終端市場客戶DRAM庫存水平高于健

康水平。分產品來看，服務器：TrendForce統計2021Q3末北美和

中國的云服務提供商服務器DRAM庫存超過8周，部分公司超過10

周。四季度服務器DRAM行業更多的是買家消化庫存的過程，供給

端，三家主要DRAM供應商2021Q2初將一部分移動DRAM的產能

重新分配給服務器DRAM,這部分重新分配的產能在2021Q4逐漸

開始生產服務器DRAM,因此服務器DRAM價格在四季度出現環比

小幅下降。移動端和PC：2021Q2末智能手機品牌下調全年生產目

標，品牌和經銷商都面臨著高庫存壓力，同時居家辦公帶來的PC需

求已經開始出現減少。因此DRAMASP在2021Q4開始出現松動，

環比下降3-8%。

2022年DRAM價格持續下行。2022年以來俄烏戰爭和高通脹導致

消費電子需求非常疲弱，行業庫存持續增加，此外英特爾Sapphire

Rapids發貨的一再延遲，導致行業降低了對DDR5成長性的預期。

供給端，頭部供應商資本開支擴產部分于2022年初步釋放，三星P3L

工廠于2022年年中完工，SK海力士在2021年啟動了M16工廠的

DRAM生產之后，2022年總產能繼續擴大，盡管表示將根據市場狀

況調整DRAM產量。美光A3工廠擴建主要是為了預防工廠在即將

進行的下一代工藝技術轉換過程中可能出現的晶圓損失。因此美光的

總產能在2021-2022年期間變化不大，其DRAM位元增長主要來自

于1Znm和lalphanm工藝技術的良率提高。價格方面，面對不斷增

長的產能壓力，韓國制造商大幅提高了在定價方面妥協的意愿，來刺

激經銷商和客戶的購買，導致價格不斷下降。

3.1Top3DRAM供應商當前如何看待存儲市場？

SKHynix：高內存容量機型是2023H2移動端內存關鍵點，行業庫存

年內有望回歸正常水平?？蛻舻拇鎯π酒瑤齑嬖?3Q2繼續下降，SK

海力士的庫存在二季度也實現了環比的略降，疊加減產效果逐步凸顯,

存儲價格下降趨勢在Q2相比Q1有所放緩。23H2,得益于季節性和

新的移動端產品的發布，SK海力士預計需求將較上半年有所改善。

盡管經濟不確定性持續，經濟復蘇也低于預期，但由于生成型人工智

能的開發和商業化競爭加劇，23Q21T需求出現了明顯增長，尤其是

對AI相關內存產品的需求激增。

從應用領域來看，PC和智能手機：受通脹導致購買力減弱等影響，

預計PC出貨量將連續兩年下降，23Q2PCDRAM渠道庫存減少，出

貨量環比增加。此外高規格筆記本電腦和游戲電腦銷量的增加，內存

容量也在增加，商用及游戲PC將推動23H2存儲需求增長。另外，

雖然2023年智能手機銷量增長難以預期，但一些分銷渠道正在減少

庫存，中國手機客戶的內存庫存也呈下降趨勢。智能手機需求在旗艦

機型和低中端機型之間仍存在兩極化的情況。內存容量的增長主要出

現在價格敏感性較低的旗艦機型上。旗艦產品對高密度、高性能的

LPDDR5需求增加，客戶希望通過產品差異化擴大銷售。SK海力士

認為下半年移動端內存的關鍵點，將再次是公司從客戶那里看到和聽

到的朝著更高容量機型的轉變趨勢，且這一趨勢目前來看越來越明朗。

服務器：由于企業IT支出收緊和云服務提供商客戶進行庫存調整，

預計今年服務器市場需求將趨軟。然而，服務器客戶的內存庫存也呈

下降趨勢。客戶庫存中的大部分是DDR4產品，今年的需求預計將

迅速轉向DDR5。此外，隨著在大模型和生成式人工智能（如ChatGPT）

等技術開發和商業化方面的競爭日益激烈，AI服務器驅動對高規格

存儲器（高密度DDR5、HBM等）的需求不斷增加，相比傳統服務

器，Al服務器需要使用至少2倍到8倍的內存，中長期來看AI服務

器市場需求增速CAGR有望達到約35%,整體服務器需求增速為高

個位數。公司預計2023年全球DRAM位元增速在中到高個位數百

分比，NAND位元增速為中雙位數（14%-16%）。

資本開支方的，SKHynix2023年資本開支同比將減少至少50%,然

而公司將繼續投資DDR5、LPDDR5和HBM3等預計將推動今年需

求的產品，公司將更加專注于技術升級而非擴大產能。庫存方面，公

司看到內存需求從Q2開始恢復，但目前整體庫存仍高于健康水平，

考慮到較高的行業庫存水平和NAND的盈利能力低于DRAM,SK海

力士將進一步減產NAND。技術迭代方面，公司己做好1B納米DRAM

和238層NAND大規模量產的準備，這些產品將于2023年小規模

量產，預計將在2024年起量。自2022年底開始的全行業減產的影

響正在逐漸顯現，23H2減產的效果將比23Hl更加明顯。此外由于

2023年的減產,SK海力士預計2024年的供需平衡將變得更為緊張。

高階產品方面，SK海力士完成了目前可用的最大容量24GBHBM3

的開發，且該產品現在正在為客戶樣品進行發貨。通過在行業首次使

用TSV技術將12層芯片堆疊，提升產品密度。得益于AI服務器相

關投資大幅增長，公司預計2023年高密度128GB及以上DDR5服務

器模塊和HBM的銷售預計將同比增長兩倍以上，并預計2024年會

進一步增長。三星電子：2023Q2服務器需求仍然疲弱，客戶繼續調

整庫存，但得益于主要超大規模云服務提供商對人工智能的增加投資,

高密度/高性能產品的需求保持強勁。DRAM方面：由于公司擴大了

服務器產品的銷售，并積極應對DDR5和AI使用HBM的需求上漲，

位增長超預期。NAND方面：公司通過擴大先進節點比例來不斷增強

成本競爭力,ASP下降幅度相比上季度顯著減緩。移動端和PC領域,

盡管分銷渠道中客戶的成品庫存相對改善，但由于消費者情緒尚未恢

復，需求形勢疲軟。在這種市場環境下，得益于主要移動端客戶新款

智能手機的強勁銷售，三星得以擴大高密度移動產品銷售規模。

展望2023H2,客戶繼續調整庫存，DDR4和DDR5需求預計將相較

于上半年逐漸改善。恢復預計將從移動端和PC等消費類產品開始,

因為這些產品的庫存調整比商業類應用開始的更早。移動端和PC領

域，下半年新產品的推出將帶來需求和庫存的改善。此外基于價格彈

性的高密度趨勢預計將持續。服務器方面，需求恢復的時間可能比移

動端和PC更晚，因為客戶的訂單相對較晚開始，然而由于新CPU

推出和單季內存容量的增長，DDR5的比例預計將增加，下半年需求

將繼續恢復。因此三星將主要減產需求預計相對較低的產品，同時通

過增加先進節點和增值產品的比例來應對市場需求。在這些趨勢下，

三星將保持與去年相似的可用資本支出，并繼續擴大基礎設施和研發

方面的投資，以確保中長期競爭力。

生成式AI市場高速增長，三星2024年HBM產能至少翻倍。海外三

方機構預期HBM中長期復合增速有望達到34-39%,超大規模數據

中心競爭激烈，三星看到2023及2024年HBM需求增長迅猛。公

司已向部分AISoC公司和云計算公司出貨8層16Gb和12層24Gb

的HBM3產品，并預計在2024H2推出HBM3E。三星持續投資HBM

生產能力，目前訂單水平達到2022年的約兩倍，為應對23H2可能

出現的額外訂單，三星正在通過提高生產效率進一步增加供應能力。

公司正在計劃2024年增加額外的HBM產能，預計2024年HBM產

能至少提高到2023年水平的兩倍。美光：存儲行業季度低谷已過。

美光2023年6月28IdFY2023Q3法說會表示，客戶庫存持續改善，

內存容量持續增加推動了行業需求增長，行業減產繼續。因此，定價

趨勢正在改善，公司認為存儲行業的季度收入已經過了低谷。

終端市場來看，二季度客戶在減少過剩庫存方面取得進展。PC和智

能手機：大多數客戶庫存現在接近正常水平，部分客戶可能想以目前

非常低的價格囤一些庫存。移動端，美光預計2023年智能手機出貨

量同比下降個位數百分比。雖然出貨量較弱，但公司看到的內存容量

有較強增長，主要是由于向高端手機的產品結構轉變。數據中心：客

戶的庫存情況也在改善，可能會在今年年底左右或稍后逐漸恢復正常,

具體取決于傳統數據中心支出的增長情況。近期生成式人工智能的采

用加速，對AI服務器內存和存儲的需求超出預期，而傳統數據中心

應用的主流服務器需求仍然不旺盛。美光認為AI服務器的DRAM容

量是普通服務器的6到8倍，NAND容量是普通服務器的3倍。其

一些客戶正在部署具有大幅增加的內存容量的AI計算能力。生成式

AI對高帶寬內存的需求今年非常強勁，美光已開始提供業界領先的

HBM3產品樣品，公司預計將于2024年初開始大規模生產HBM3。

此外，AI不僅需要HBM或高密度DRAM模塊，還需要DDR5和

LPDRAM,英偉達的DGXGH200超級計算集群，共享內存空間高達

144TB,其中約122TB都是低功耗DRAM。

資本開支方面，美光2023財年資本支出計劃為70億美元，同比下

降超過40%,其中設備資本支出（WFE）下降超過50%。公司預計

2024財年的設備資本支出仍將同比下降。近期美光進一步減少r

DRAM和NAND的投片量接近30%,公司預計減少的投片量將持續

到2024年，公司將繼續專注于減少庫存和控制供應。技術升級方面，

公司審慎投資，同時管理資本支出、節點推進和降低晶圓產量，是的

供應與需求保持一致。美光1-betaDRAM和232層NAND良率快速

提升，產品已通過多個驗證。DRAM三大廠均已宣布減產。美光2022

年9月宣布削減DRAM和NANDFIash的產量，成為首家正式減少

產能利用計劃的主要存儲器制造商，同時美光也表示將會大幅下調

2023的資本開支，同比減少至少30%,其中用于晶圓制造設備的支

出將同比下降超過50%o鎧俠宣布從10月開始削減NANDFIash的

產能利用率30%。SK海力士也在10月份法說會表示，公司計劃減

少相對低利潤的產品的生產，公司預計2023年的資本開支將同比下

降50%以上，同時考慮到整個行'業的高庫存水平，公司將盡量減少

用于晶圓產能的投資，甚至考慮推遲某些技術升級的投資。公司將重

新考慮產品組合和設備配置，2023年的DRAM和NAND的晶圓產

量將同比下降。三星在2023年4月2023Q1法說會正式宣布減產，

針對的主要是低附加值的產品，至此頭部存儲供應商均推出減產計劃,

共同應對行業供需問題。

圖表57：DRAM不同應用產品均價趨勢預測

PriceProjectioa)forDifferentCategoriesofDRAMProd?cts,2Q23-3Q23

2Q23HMJ23F

DDR3：down15*20*?DDR4:douD3*8%

PCDRAMDDR5:down15*18%DDR5：dou-n0*5%

BlendedASPdownIJ20HBlendedASP:down0*5%

DDR4:down通23%DDR4：down3*8”

ServerDRAMdownDDRSdown0*5H

BlendedASPdown15*20*eBlendedASPdown0*5*b

downLPDIMUXdownH%

MobikDRAM

LPDDR5XuithHKMGup15、

downdown

GraphicsDRAM

10-15%7%

downdown

ConsumerDRAM

downdown

TotalDRAM

1獎18H0*5%

價格方面，回顧以往幾輪周期DRAM價格從頂點到底部分變化，以

主流密度產品現貨價格為例，DRAMASP從2014年價格高點到2016

年中低點下降幅度68.0%,降價區間23個月；從2018年2月價格

高點到2020年9月，DRAMASP下降幅度69.0%,降價區間31個

月，實際上根據我們前文的討論，上輪周期曾在2019年下半年價格

見底，2020年疫情擾動，DRAM價格呈現先升后降趨勢，如果我們

以2019年11月的價格低點1.65元計算，上輪周期DRAMASP下

降幅度為67.2%,下行區間持續21個月。此輪周期價格高點2021

年7月至今，主流DRAMASP價格下降幅度已達到69.1%,下行區

間已持續23個月，無論是降價幅度還是持續時間均已經超過過往。

隨著供應商持續減產，我們認為部分產品價格有望在年底前回升。當

前美光、SK海力士和美光都在持續減產，并修訂2023年資本開支

計劃，放緩產能建設。從庫存角度來講，目前供應商庫存的大部分

DRAM都是DDR4,隨著DDR5滲透率持續提升，DDR5的庫存相

對較低。此外，三星和SK海力士均提到，2023年下半年移動端高

容量產品的結構性變化也將是移動端內存市場亮點，因此我們認為部

分產品價格有望在2023年底前率先回升。

3.2AI有望引領存儲新一輪上升周期

數據量井噴式增長。以數字技術為核心驅動的第四次工業革命正在給

人類生活帶來深刻變革，數據與各行業之間的融合不斷加深，數據量

呈現爆炸式增長的趨勢，其規模已經達到了以EB為單位的級別，而

每秒的數據訪問頻率更是達到了億級。根據PXR研究機構的數據統

計，全球范圍內創造、捕獲、復制和消費的數據/信息量從2010年的

2ZB增長到了2020年的64.2ZBo預計至U2025年，全球數據總量將

超過181ZB,增長主要得益于云計算、物聯網等應用領域的發展，

以及遠程辦公等應用場景的推動。

GPT-3開啟大模型時代。OpenAI開發的GPT-3是一種基于深度學

習的自然語言處理模型。它通過大規模的預訓練和1750億個參數實

現對語言規則和模式的理解.，并生成與輸入文本相關的自然語言文本。

GPT-3的特點是其大規模的預訓練模型，對算力需求較高。根據

OpenAI團隊在2020年發表的論文，《LanguageModelsare

Few-ShotLearners)),GPT-3在準確性方面相對于參考量較少的模

型有明顯優勢。盡管僅經過少量樣本訓練，基于1750億參數的模型

能夠接近經過大量樣本訓練的BETR模型的效果。我們認為，大模

型在性能和學習能力方面相較于其他模型具有明顯優勢，并有望成為

未來的行業趨勢。大模型催生多樣化數據心理，數據存儲面臨新要求。

大語言模型的出現對數據存儲提出了更高的要求，首先是需要處理海

量多樣化的數據進行訓練，其次還要面向海量終端進行數據應用。目

前大模型主要以文本為主，但隨著大模型與各行業的結合，多模態的

發展將加速，從文本擴展到圖片、音頻、視頻等數據類型，數據量也

將大幅增加。預計存儲容量將從純文本的幾個TB邁向多模態的PB

級容量，這對存儲架構和性能等核心能力提出了更高要求。

全球數據中心資本開支持續增長。根據DellOroGroup最近報告，

2022年全球數據中心資本支出同比增長15%達到2410億美金。由

于超大規模云服務提供商已經經歷了過去三年強勁的擴張周期，企業

也增加了數字專項項目的IT支出，隨著周期的結束，云服務商尋求

效率提升，以及企業在不確定的經濟環境中更加謹慎地進行支出，

2023年全球數據中心資本支出增速或將回落至個位數。但長期來看,

混合云將為超大規模和企業市場帶來數據中心市場增長機會，新的數

據中心架構也將驅動長期增長，Dell'OroGroup預計2027年，全球

數據中心資本支出預計將達到5000億美元，增長15%,超過20%的

服務器部署可能會是加速類型，邊緣計算預計將占數據中心基礎設施

總支出近8%。服務器總體出貨量短期略降，長期增長趨勢不變。數

據中心作為承載各類數字技術應用的物理底座，其產業賦能價值正在

逐步凸顯。盡管由于主要的云服務提供商資本開支增速回落，下游需

求疲軟以及供應鏈持續調整庫存,TrendForce預計2023年全球服務

器出貨量同比略降2.9%至不到1400萬臺，但隨著下游持續去庫存，

以及長期來看數據處理量的增長，數據中心的提升，我們認為服務器

出貨有望在2024年恢復增長。

處理器升級迭代，服務器量價齊升。根據Dell'OroGroup預計，2025

年服務器在數據中心設施建設中價值量占比42%,服務器ASP亦呈

現上升趨勢，主要是因為1)CPU升級：新一代的服務器通常配備

比前一代更多的內存、核心、存儲和更快的l/Oo2023年1月英特爾

正式推出第四代至強可擴展處理器，(SapphireRapids),通過內

置加速器將目標工作負載的平均每瓦性能提升了2.9倍。2)加速計

算：隨著加速服務器的部署不斷增長，數據中心持續優化升級，GPU、

FPGA等AI加速器芯片配備率持續提升。

AI服務器逆勢擴張，加速滲透。自2018年自動駕駛、AloT與邊緣

運算等新興應用驅動下，諸多大型云服務商開始大量投入AI相關的

設備建設，TrendForce估計2022年搭載GPGPU的AI服務器年出

貨量占整體服務器比重近1%，同時2023年隨著ChatBOT相關應用

的進一步帶動，Microsoft.Google等云端服務商都積極投入，預計

2023年AI服務器出貨量同比增長將超過10%。

AI服務器存儲容量較傳統服務器大幅提升。TrendForce統計，傳統

服務的服務器DRAM容量約為500-600GB,而AI服務器平均內存

容量達到1.2-1.7TB。對于企業級固態硬盤(SSD),盡管AI服務器

由于對速度較高，優先選擇DRAM或HBM技術，但是AI服務器仍

然需要更大的SSD容量，且PCIe5.0接口在滿足高速計算需求方面

更受青睞。此外，AI服務器加速卡還會配備HBM,目前HBM的單

服務器使用量約為320-640GB。隨著AI