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文檔簡介

第5章

存儲器隨機存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)半導體存儲器(內存儲器、一般采用MOS管)5.1隨機存儲器5.1.1靜態隨機存儲器(SRAM)一、六管靜態基本存儲單元電路二、SRAM的內部組織6116邏輯符號2114邏輯符號按位擴充四、SRAM的外部組織按位擴充字節擴充5.1.2動態隨機存儲器(DRAM)一、單管靜態基本存儲單元電路2164邏輯符號二、DRAM的典型例子5.28086對存儲器的讀/寫時序一讀周期二寫周期5.3只讀存儲器(ROM)5.3.1只讀存儲器的結構、特點和分類一掩摸ROM二可編程ROM(PROM)三紫外線可編程ROM(EPROM)四電可擦除PROM(EEPROM)5.3.2只讀存儲器典型產品舉例5.4存儲器地址譯碼方式及譯碼電路的設計5.4.1全地址譯碼方式(全譯碼選擇方式)5.4.2部分地址譯碼方式和線選擇方式線選法部分譯碼5.4.3存儲器的地址譯碼電路一、專用譯碼電路的地址譯碼器二、ROM譯碼器5.5存儲器與CPU的連接在存儲器與CPU(系統總線)的連接時,應具體考慮如下幾個實際問題:①根據系統要求選擇哪一種合適的存儲器芯片;②系統總線的負載能力是否滿足要求;③采用何種存儲器的地址譯碼方式,采用什么樣的譯碼電路;④當存儲器的速度跟不上CPU的工作速度時,如何設計等待電路,使存儲器速度和CPU的速度相匹配。8088微處理器總線負載能力為:輸出高電平電流—-400uA輸出低電平電流—2mA允許負載電容(交流)—100PF。2764輸入電流Iin=10uA輸出電流Iout=10uA,直流負載要求。電容負載C=12PF(交流負載要求)。直流負載8088CPU掛接40片(400uA/10uA)。交流負載8088CPU掛接8片(100PF/12PF)。增加驅動器74LS244和74LS245。提高10倍,但增加20ns附加總線延時。5.5.1存儲器芯片負載要求的計算5.5.2存儲器的譯碼電路設計(略)5.5.3總線驅動器的使用5.5.4微處理器與慢速存儲器的連接

存儲器的圖片例題1:

下圖為8086存儲器的部分電路接線圖。問(1)M1的尋址范圍=

?(2)M0的尋址范圍=

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