半導(dǎo)體整流現(xiàn)象

非平衡狀態(tài)下的P－N結(jié)

平衡P－N結(jié)中，存在著具有一定寬度和勢壘高度的勢壘區(qū)，其中相應(yīng)地出現(xiàn)自建電場；每一種載流子的擴散電流和漂移電流互相抵消，P－N結(jié)中凈電流為零。P－N結(jié)中費米能級處處相等。半導(dǎo)體整流現(xiàn)象

當(dāng)P－N結(jié)兩端有外加電壓時，P－N結(jié)處于非平衡狀態(tài)，勢壘區(qū)及費米能級都相應(yīng)發(fā)生變化。

由此可見，勢壘區(qū)中，價帶空穴濃度僅為P區(qū)多數(shù)載流子的10－10倍，而該處的導(dǎo)帶電子濃度僅為N區(qū)多數(shù)載流子的1/50。一般情況下，室溫附近，對于絕大部分勢壘區(qū)，其中雜質(zhì)雖然都已電離，但載流子濃度比起N區(qū)和P區(qū)的多數(shù)載流子濃度小得多，好像已經(jīng)耗盡了，所以通常也稱勢壘區(qū)為耗盡層。即認為其中載流子濃度很小，可以忽略，空間電荷密度就等于電離雜質(zhì)濃度。正向偏壓P－N結(jié)勢壘的變化

勢壘區(qū)電場減弱，勢壘高度下降，載流子擴散與漂移之間的平衡被破壞，擴散流大于漂移流，產(chǎn)生了：電子由N區(qū)越過勢壘向P區(qū)的凈擴散流，空穴由P區(qū)越過勢壘向N區(qū)的凈擴散流，形成非平衡載流子的電注入。這些擴散流形成了沿外加電場方向的凈電流，且隨著正偏壓增加快速增加（e指數(shù)增大）。

1)

外加電壓下，P－N結(jié)勢壘區(qū)的變化及載流子的運動：

加正向偏壓V(P區(qū)正，N區(qū)負)，由于勢壘區(qū)的載流子濃度、電阻與P區(qū)、N區(qū)體內(nèi)的相差很大，電壓基本落在勢壘區(qū)，產(chǎn)生了與自建電場相反的電場，使勢壘區(qū)電場強度減小，這意味著勢壘區(qū)空間電荷減少，勢壘區(qū)寬度減小，同時勢壘高度由eV0降低到e(V0-V)。P－N結(jié)伏安特性P－N結(jié)伏安特性反向偏壓P－N結(jié)勢壘的變化

勢壘區(qū)電場增強，勢壘高度升高,載流子擴散與漂移之間的平衡被破壞，漂移流大于擴散流。這時，N區(qū)邊界處的空穴和P區(qū)邊界處的電子分別被強電場驅(qū)向P區(qū)和N區(qū)，這些漂移流形成了沿外加電場方向的凈電流。由于少子濃度低，而擴散長度基本不變化，所以反向偏壓時少子濃度梯度也較小，基本不隨反向偏壓變化，因此反向偏壓下，P－N結(jié)的電流較小并且趨于不變(反向飽和)。

1)

外加電壓下，P－N結(jié)勢壘區(qū)的變化及載流子的運動：

加反向偏壓V(P區(qū)負，N區(qū)正)，產(chǎn)生了與自建電場相同方向的外加電場，使勢壘區(qū)電場強度增強，這意味著勢壘區(qū)空間電荷增加，勢壘區(qū)寬度增大，同時勢壘高度由eV0升高到e(V0＋V)。因此，P－N結(jié)具有非線性伏安特性，即具有整流特性。因為擴散區(qū)比勢壘區(qū)大，準(zhǔn)費米能級的變化主要發(fā)生在擴散區(qū)，在勢壘區(qū)中的變化則忽略不計，所以在勢壘區(qū)內(nèi)，準(zhǔn)費米能級保持不變。

2)

外加直流電壓下，P－N結(jié)的能帶圖：

加偏壓V，P－N結(jié)的N區(qū)和P區(qū)都有非平衡載流子的注入，在非平衡載流子存在的區(qū)域，必須用電子的準(zhǔn)費米能級EFN和空穴的準(zhǔn)費米能級EFP取代平衡時的統(tǒng)一費米能級EF。正向偏壓P－N結(jié)的費米能級V>0,在空穴擴散區(qū)，電子濃度高，故電子的準(zhǔn)費米能級EFN的變化很小，可看作不變；但空穴濃度很小，故空穴的擴散引起準(zhǔn)費米能級EFP的變化很大。在電子擴散區(qū)，可作類似分析。空穴擴散區(qū)

2)

外加直流電壓下，P－N結(jié)的能帶圖：

加反偏壓V，在電子擴散區(qū)、勢壘區(qū)、空穴擴散區(qū)中，電子和空穴的準(zhǔn)費米能級EFN和EFP的的變化規(guī)律與正向偏壓時基本相似，所不同的是EFN和EFP的相對位置發(fā)生變化。反向偏壓P－N結(jié)的費米能級V<0,電子擴散區(qū)電子被抽走P－N結(jié)的形成和雜質(zhì)分布：

在一塊N型(或P型)半導(dǎo)體單晶上，用適當(dāng)?shù)墓に嚪椒ò裀型(或N型)雜質(zhì)摻入其中，使這塊單晶的不同區(qū)域分別具有N型和P型導(dǎo)電類型，在區(qū)域交界處形成P－N結(jié)。工藝方法：1）合金法：雜質(zhì)分布為突變結(jié)合金法制造p-n結(jié)過程2）擴散法：擴散法制造p-n結(jié)過程雜質(zhì)分布為緩變結(jié)3）離子注入法：(Ionimplantation)，雜質(zhì)分布為突變結(jié)易造成晶格損傷，需用退