電子與通信技術：集成電路工藝原理考試題（強化練習）1、名詞解釋

蒸發鍍膜正確答案：加熱蒸發源，使原子或分子從蒸發源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（襯底）表面，凝結形成固態薄膜。2、名詞解釋

恒定表面源擴散正確答案：在整個（江南博哥）擴散過程中，雜質不斷進入硅中，而表面雜質濃度始終保持不變。3、判斷題

外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，即外延層。正確答案：對4、填空題

制作通孔的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）。正確答案：第一層層間介質氧化物淀積；氧化物磨拋；第十層掩模和第一層層間介質刻蝕5、名詞解釋

濺射鍍膜正確答案：濺射鍍膜是利用電場對輝光放電過程中產生出來的帶電離子進行加速，使其獲得一定的動能后，轟擊靶電極，將靶電極的原子濺射出來，沉積到襯底形成薄膜的方法。6、名詞解釋

物理氣相沉積正確答案：“物理氣相沉積”通常指滿意下面三個步驟的一類薄膜生長技術：A.所生長的材料以物理的方式由固體轉化為氣體；B.生長材料的蒸汽經過一個低壓區域到達襯底；C.蒸汽在襯底表面上凝聚，形成薄膜。7、問答題

簡述引線材料？正確答案：用于集成電路引線的材料，需要注意的特性為電特性、絕緣性質、擊穿、表面電阻熱特性，玻璃化轉化溫度、熱導率、熱膨脹系數，機械特性，揚氏模量、泊松比、剛度、強度，化學特性，吸潮、抗腐蝕。8、判斷題

LPCVD反應是受氣體質量傳輸速度限制的。正確答案：對9、判斷題

刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。正確答案：對10、判斷題

半導體級硅的純度為99.9999999%。正確答案：對11、判斷題

芯片上的物理尺寸特征被稱為關鍵尺寸，即CD。正確答案：對12、判斷題

電機電流終點檢測不適合用作層間介質的化學機械平坦化。正確答案：對13、判斷題

高阻襯底材料上生長低阻外延層的工藝稱為正向外延。正確答案：錯14、判斷題

關鍵層是指那些線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。正確答案：對15、問答題

測試過程4要素？正確答案：檢測：確定被測器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障。診斷：識別表現于DUT的特定故障。器件特性的描述：確定和校正設計或者測試中的錯誤。失效模式分析（FMA.：確定引起DUT缺陷制造過程中的錯誤。16、填空題

隨著銅布線中大馬士革工藝的引入，金屬化工藝變成刻蝕（）以形成一個凹槽，然后淀積（）來覆蓋其上的圖形，再利用（）把銅平坦化至ILD的高度。正確答案：介質；金屬；CMP17、填空題

光刻包括兩種基本的工藝類型：負性光刻和（），兩者的主要區別是所用光刻膠的種類不同，前者是（），后者是（）。正確答案：正性光刻；負性光刻膠；正性光刻膠18、填空題

集成電路的發展時代分為（）、中規模集成電路MSI、（）、超大規模集成電路VLSI、（）。正確答案：小規模集成電路SSI；大規模集成電路LSI；甚大規模集成電路ULSI19、問答題

硅錠直徑從20世紀50年代初期的不到25mm增加到現在的300mm甚至更大，其原因是什么？正確答案：（1）更大直徑硅片有更大的表面積做芯片，能夠減少硅片的浪費。（2）每個硅片上有更多的芯片，每塊芯片的加工和處理時間減少，導致設備生產效率變高。（3）在硅片邊緣的芯片減少了，轉化為更高的生產成品率。（4）在同一工藝過程中有更多芯片，所以在一塊芯片一塊芯片的處理過程中，設備的重復利用率提高了。20、問答題

插裝元器件的結構特點及應用？正確答案：結構特點：插裝元器件的管腳都帶有引線，引腳從封裝兩側引出，適合進行插裝，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。插裝元器件的引腳節距多為2.54mm，引腳一般在4—64之間。應用：應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。21、判斷題

沒有CMP，就不可能生產甚大規模集成電路芯片。正確答案：錯22、填空題

集成電路的制造分為五個階段，分別為（）、（）、硅片測試和揀選、（）、終測。正確答案：硅片制造備；硅片制造；裝配和封裝23、判斷題

與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設備簡單。正確答案：對24、判斷題

多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。正確答案：對25、問答題

BGA的封裝結構和主要特點？正確答案：封裝結構：BGA球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體（PAC.。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。焊球材料為低熔點共晶焊料合金，直徑約1mm，間距范圍1.27-2.54mm，焊球采用低熔點焊料合金連接在基板底部，組裝時焊球熔融，與PCB表面焊盤接合在一起，呈現桶狀。特點：BGA引腳很短，使信號路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能。BGA有利于散熱。BGA也適合MCM的封裝，有利于實現MCM的高密度、高性能。26、判斷題

離子注入中高能量意味著注入硅片更深處，低能量則用于超淺結注入。正確答案：對27、問答題

片式鉭電解電容和鋁電解電容有什么主要特點和主要差別？正確答案：片式鉭電解電容器：是用金屬鉭做正極，用稀硫酸等配液做負極，用鉭表面生成的氧化膜作為介質制成。矩形鉭電解電容外殼為有色塑料封裝，一端印有深色標志線，為正極，在封面上有電容量的數值及耐壓值，一般有醒目的標志，以防用錯。鋁電解電容：以金屬鋁為正極，其表面氧化膜作為介質，電解液作為負極的電容，液體電解質片式鋁電解電容器的特點：它是由鋁圓筒做負極、里面裝有液體電解質，插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質。其特點是容量大、但是漏電大、穩定性差、有正負極性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時，正、負極不能接反。28、判斷題

硅上的自然氧化層并不是一種必需的氧化材料，在隨后的工藝中要清洗去除。正確答案：對29、判斷題

世界上第一塊集成電路是用硅半導體材料作為襯底制造的。正確答案：錯30、判斷題

曝光后烘焙，簡稱后烘，其對傳統I線光刻膠是必需的。正確答案：對31、判斷題

摻雜的雜質和沾污的雜質是一樣的效果。正確答案：錯32、問答題

簡述離子注入工藝中退火的主要作用？正確答案：由于離子注入所造成的損傷區及畸形團，增加了散射中心及陷阱能級，使遷移率和壽命等半導體參數下降。此外，大部分的離子在被注入時并不位于替位位置，未退火之前的注入區域將呈顯高阻區。為（1）激活被注入的離子（使其變成替位雜質）；（2）恢復有序的晶格結構（如果是無定形結構，就談不上替位雜質與間隙雜質），其目的是恢復遷移率（減少散射中心）和恢復壽命（減少缺陷能級，減少陷阱），必須在適當的時間與溫度下將半導體退火。33、名詞解釋

保形覆蓋正確答案：保形覆蓋是指無論襯底表面有什么樣的傾斜圖形在所有圖形的上面都能沉積有相同厚度的薄膜。34、填空題

擴散是物質的一個基本性質，描述了（）的情況。其發生有兩個必要條件（）和（）。正確答案：一種物質在另一種物質中的運動；一種材料的濃度必須高于另一種材料的濃度；系統內必須有足夠的能量使高濃度的材料進入或通過另一種材料35、填空題

晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。正確答案：去掉兩端；徑向研磨；硅片定位邊和定位槽36、判斷題

人員持續不斷地進出凈化間，是凈化間沾污的最大來源。正確答案：對37、問答題

插裝元器件與表面貼裝元器件主要區別？正確答案：表面貼裝元器件體積小，便于小型化生產，便于減小成品尺寸。表面貼裝管腳引線短，降低了其特性中附加的電感和電容成分，尤其在高頻電路中，表面貼裝成本低，便于批量生產。38、填空題

對芯片互連的金屬和金屬合金來說，它所必備一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蝕性、應力等。正確答案：導電率；淀積；平坦化39、判斷題

離子注入會將原子撞擊出晶格結構而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質也能得到一定比例的電激活。正確答案：對40、判斷題

刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。正確答案：對41、問答題

片式電感器的類型主要有幾種？其結構各有什么特點？正確答案：片式電感器從制造工藝來分，片式電感器主要有4種類型，即繞線型、疊層型、編織型和薄膜片式電感器。其中，繞線式是傳統繞線電感器小型化的產物，疊層式則采用多層印刷技術和疊層生產工藝制作，體積比繞線型片式電感器還要小，是電感元件領域重點開發的產品。片式電感器現狀與發展趨勢由于微型電感器要達到足夠的電感量和品質因數（Q）比較困難，同時由于磁性元件中電路與磁路交織在一起，制作工藝比較復雜，故作為三大基礎無源元件之一的電感器片式化，明顯滯后于電容器和電阻器。特點：繞線型它的特點是電感量范圍廣（mH～H），電感量精度高，損耗小（即Q大），容許電流大、制作工藝繼承性強、簡單、成本低等，但不足之處是在進一步小型化方面受到限制。陶瓷為芯的繞線型片電感器在這樣高的頻率能夠保持穩定的電感量和相當高的Q值，因而在高頻回路中占據一席之地。NLC型適用于電源電路，額定電流可達300mA；NLV型為高Q值，環保（再造塑料），可與NL互換；NLFC有磁屏，適用于電源線。疊層型：它具有良好的磁屏蔽性、燒結密度高、機械強度好。不足之處是合格率低、成本高、電感量較小、Q值低。它與繞線片式電感器相比有諸多優點：尺寸小，有利于電路的小型化，磁路封閉，不會干擾周圍的元器件，也不會受臨近元器件的干擾，有利于元器件的高密度安裝；一體化結構，可靠性高；耐熱性、可焊性好；形狀規整，適合于自動化表面安裝生產。薄膜片式：具有在微波頻段保持高Q、高精度、高穩定性和小體積的特性。其內電極集中于同一層面，磁場分布集中，能確保裝貼后的器件參數變化不大，在100MHz以上呈現良好的頻率特性。編織型：特點是在1MHz下的單位體積電感量比其它片式電感器大、體積小、容易安裝在基片上。用作功率處理的微型磁性元件。42、判斷題

氧化物有兩個生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。正確答案：對43、填空題

縮略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是（）、（）、高密度等離子體化學氣相淀積和（）。正確答案：等離子體增強化學氣相淀積；低壓化學氣相淀積；常壓化學氣相淀積44、判斷題

CD是指硅片上的最小特征尺寸。正確答案：對45、問答題

說明APCVDLPCVDPECVD各自的含義及特點。正確答案：含義：APCVD——常壓化學氣相沉積法；LPCVD——低壓化學氣相沉積法；PECVD——等離子體增強型化學氣相沉積法。特點：APCVD制程發生在大氣壓力常壓下，適合在開放環境下進行自動化連續生產。APCVD易于發氣相反應，沉積速率較快，可超過1000A/min，適合沉積厚介質層。但由于反應速度較快，兩種反應氣體在還未到達硅片表面就已經發生化學反應而產生生成物顆粒，這些生成物顆粒落在硅片表面，影響硅片表面的薄膜生長過程，比較容易形成粗粗糙的多孔薄膜，使得薄膜的形貌變差.低氣壓（133.3PA.下的CVD較長的平均自由路徑可減少氣相成核幾率，減少顆粒，不需氣體隔離，成膜均勻性好；晶圓垂直裝載和提高生產力；但是反應速率較低，需要較高的襯底溫度。APCVD通常使用稀釋的硅烷（在氮中占3%）和LPCVD使用純硅烷。PECVD低溫下有高的沉積速率；射頻在沉積氣體中感應等離子體場；表面所吸附的原子不斷受到離子與電子的轟擊容易遷移使成膜均勻性好臺階覆蓋性好；射頻控制沉積薄膜的應力；反應室可用等離子體清洗。46、問答題

堆疊封裝的發展趨勢？正確答案：當前半導體封裝發展的趨勢是越來越多的向高頻、多芯片模塊（MCM），系統集成（SiP）封裝，堆疊封裝（PiP，PoP）發展，出現了半導體裝配與傳統電路板裝配間的集成，如倒裝晶片直接在終端產品裝配。元件堆疊技術是在業已成熟的倒裝晶片裝配技術上發展起來的。47、填空題

CZ直拉法生長單晶硅是把（）變為（）并且（）的固體硅錠。正確答案：融化了的半導體級硅液體；有正確晶向的；被摻雜成p型或n型48、判斷題

反刻是一種傳統的平坦化技術，它能夠實現全局平坦化。正確答案：錯49、判斷題

快速熱處理是一種小型的快速加熱系統，帶有輻射熱和冷卻源，通常一次處理一片硅片。正確答案：對50、判斷題

當硅片暴露在空氣中時，會立刻生成一層無定形的氧化硅薄膜。正確答案：對51、判斷題

接觸是指硅芯片內的器件與第一層金屬層之間在硅表面的連接。正確答案：對52、判斷題

大馬士革工藝來源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術品的圖案。正確答案：對53、判斷題

步進光刻機的三個基本目標是對準聚焦、曝光和合格產量。正確答案：錯54、判斷題

硅中的雜質只有一部分被真正激活，并提供用于導電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數雜質仍然處在間隙位置，沒有被電學激活。正確答案：對55、填空題

熱擴散利用（）驅動雜質穿過硅的晶體結構，這種方法受到（）和（）的影響。正確答案：高溫；時間；溫度56、判斷題

純凈的半導體是一種有用的半導體。正確答案：錯57、填空題

制造電子器件的基本半導體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）或（）。正確答案：硅襯底；微芯片；芯片58、問答題

簡述溝道效應的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免？正確答案：對晶體進行離子注入時，當離子注入的方向與與晶體的某個晶向平行時，一些離子將沿溝道運動，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的電子密度很低。受到的電子阻止也很小，這些離子的能量損損失率很低，注入深度就會大于無定形襯底中深度，這種現象稱為溝道效應。溝道效應的存在，使得離子注入的濃度很難精確控制，因為它會使離子注入的分布產生一個很廠的拖尾，偏離預計的高斯分布規律。溝道效應降低的技巧：（1）、覆蓋一層非晶體的表面層、將硅晶片轉向或在硅晶片表面制造一個損傷的表層。（2）、將硅晶片偏離主平面5-10度，也能有防止離子進入溝道的效果。（3）、先注入大量硅或鍺原子以破壞硅晶片表面，可在硅晶片表面產生一個隨機層。59、填空題

制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。正確答案：鈦淀積阻擋層；氮化鈦淀積；鎢淀積60、判斷題

離子注入能夠重復控制雜質的濃度和深度，因而在幾乎所有應用中都優于擴散。正確答案：錯61、判斷題

傳統的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。正確答案：對62、問答題

矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？正確答案：基板：基板要具有良好的電絕G8P-1A4PDC12緣性、導熱性和機械強度高等特征。一般基板的材科多采用高純度的（96%）AL203陶瓷。其工藝要求表面平整、劃線準確，以確保電阻、電極漿料印制到位。電極：片式電阻器一般都采用三層電極結構，最內層的是內層電極，它是連接電阻體位于中間層的是中間電極，它是鍍鎳（Ni）層，也被稱為阻擋層，其主要作用是提高電阻器在焊接時的耐熱性，避免造成內層電極被溶蝕。位于最外層的是外層電極，它也被稱為可焊層，該層除了使電極具有良好的可焊性外，還可以起到延長電極保存期的作用。通常，外層電極采用錫一鉛（S。-PB.合金電鍍而成。電阻膜：電阻膜是采用具有一定電阻率的電阻漿料印制在陶瓷基板上，然后再經過燒結而成的厚膜電阻。保護層：保護層位于電阻膜的外部，主要起保護作用。它通常可以細分為封包玻璃保護膜、玻璃釉涂層和標志玻璃層。63、判斷題

擴散運動是各向同性的。正確答案：錯64、判斷題

離子注入物質必須以帶電粒子束或離子束的形式存在。正確答案：對65、填空題

根據氧化劑的不同，熱氧化可分為（）、（）和（）。正確答案：干氧氧化；濕氧氧化；水汽氧化66、判斷題

多層金屬化指用來連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。正確答案：錯67、問答題

常用的半導體材料為何選擇硅？正確答案：1）硅的豐裕度。硅是地球上第二豐富的元素，占地殼成分的25%；經合理加工，硅能夠提純到半導體制造所需的足夠高的純度而消耗更低的成本。2）更高的熔化溫度允許更寬的工藝容限。硅1412℃>鍺937℃。3）更寬的工作溫度。用硅制造的半導體件可以用于比鍺更寬的溫度范圍，增加了半導體的應用范圍和可靠性。4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一種高質量、穩定的電絕緣材料，而且能充當優質的化學阻擋層以保護硅不受外部沾污；氧化硅具有與硅類似的機械特性，允許高溫工藝而不會產生過度的硅片翹曲。68、判斷題

晶體管的源漏區的摻雜采用自對準技術，一次摻雜成功。正確答案：對69、判斷題

接觸是由導電材料如鋁、多晶硅或銅制成的連線將電信號傳輸到芯片的不同部分。正確答案：錯70、填空題

單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。正確答案：CZ法；區熔法；硅錠71、判斷題

LPCVD緊隨PECVD的發展而發展。由660℃降為450℃，采用增強的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。正確答案：錯72、問答題

簡述MCM的概念、分類與特性？正確答案：概念：將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。分類：MCM-L是采用片狀多層基板的MCM、MCM-C是采用多層陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技術的MCM。特性：尺寸小、技術集成度高、數據速度和信號質量高、可靠性高、成本低、PCB板設計簡化、提高圓片利用率、降低投資風險。可大幅度提高電路連線密度，增加封裝效率；可完成輕、薄、短、小的封裝設計；封裝的可靠性提升。73、判斷題

不正確的刻蝕將導致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。正確答案：對74、問答題

倒裝焊芯片凸點的分類、結構特點及制作方法？正確答案：蒸鍍焊料凸點：蒸鍍焊料凸點有兩種方法，一種是C4技術，整體形成焊料凸點；電鍍焊料凸點：電鍍焊料是一個成熟的工藝。先整體形成UBM層并用作電鍍的導電層，然后再用光刻膠保護不需要電鍍的地方。電鍍形成了厚的凸點。印刷焊料凸點：焊膏印刷凸點是一種廣泛應用的凸點形成方法。印刷凸點是采用模板直接將焊膏印在要形成凸點的焊盤上，然后經過回流而形成凸點釘頭焊料凸點：這是一種使用標準的球形導線鍵合技術在芯片上形成的凸點方法。可用Au絲線或者Pb基的絲線。化學凸點：化學鍍凸點是一種利用強還原劑在化學鍍液中將需要鍍的金屬離子還原成該金屬原子沉積在鍍層表面形成凸點的方法。75、問答題

簡述焊接材料？正確答案：焊接材料是指焊接時所消耗材料，有軟焊接材料，Sn—Pb，低于450攝氏度，還有硬焊接材料。76、判斷題

離子注入是一個物理過程，不發生化學反應。正確答案：對77、判斷題

干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。正確答案：對78、名詞解釋

化學氣相沉積正確答案：化學氣體或蒸氣和晶圓表面的固體產生反應，在表面上以薄膜形式產生固態的副產品，其它的副產品是揮發性的會從表面離開。79、填空題

選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。正確答案：局部氧化；淺槽隔離；STI80、判斷題

平滑是一種平坦化類型，它只能使臺階角度圓滑和側壁傾斜，但高度沒有顯著變化。正確答案：對81、判斷題

在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質元素，即熱擴散和離子注入。正確答案：對82、判斷題

熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。正確答案：對83、判斷題

P是VA族元素，其摻雜形成的半導體是P型半導體。正確答案：對84、填空題

如果淀積的膜在臺階上過度地變薄，就容易導致高的（）、（）或者在器件中產生不希望的（）。正確答案：膜應力；電短路；誘生電荷85、填空題

刻蝕剖面指的是（），有兩種基本的刻蝕剖面（）刻蝕剖面和（）刻蝕剖面。正確答案：被刻蝕圖形的側壁形狀；各向同性；各向異性86、問答題

晶圓的英文是什么？簡述晶圓制備的九個工藝步驟。正確答案：Wafer。（1）單晶硅生長：晶體生長是把半導體級硅的多晶硅塊轉換成一塊大的單晶硅。生長后的單晶硅被稱為硅錠。可用CZ法或區熔法。（2）整型。去掉兩端，徑向研磨，硅片定位邊或定位槽。（3）切片。對200mm及以上硅片而言，一般使用內圓切割機；對300mm硅片來講都使用線鋸。（4）磨片和倒角。切片完成后，傳統上要進行雙面的機械磨片以去除切片時留下的損傷，達到硅片兩面高度的平行及平坦。硅片邊緣拋光修整，又叫倒角，可使硅片邊緣獲得平滑的半徑周線。（5）刻蝕。在刻蝕工藝中，通常要腐蝕掉硅片表面約20微米的硅以保證所有的損傷都被去掉。（6）拋光。也叫化學機械平坦化（CMP），它的目標是高平整度的光滑表面。拋光分為單面拋光和雙面拋光。（7）清洗。半導體硅片必須被清洗使得在發給芯片制造廠之前達到超凈的潔凈狀態。（8）硅片評估。（9）包裝。87、問答題

集成電路測試的意義和基本任務？正確答案：意義：集成電路（IC.測試是伴隨著集成電路的發展而發展的，它對促進集成電路的進步和應用作出了巨大地貢獻。任務：測試的基本任務是生成測試輸入，測試系統的基本任務是將測試輸入應用于被測器件，并分析其輸出的正確性。88、判斷題

區熔法是20世紀50年代發展起來的，能生產到目前為止最純的硅單晶，含氧量非常少。正確答案：對89、問答題

簡述兩步擴散的含義與目的？正確答案：為了同時滿足對表面濃度、雜質總量以及結深等的要求，實際生產中常采用兩步擴散工藝：第一步稱為預擴散或預淀積，在較低的溫度下，采用恒定表面源擴散方式在硅片表面擴散一層雜質原子，其分布為余誤差涵數，目的在于控制擴散雜質總量；第二步稱為主擴散或再分布，將表面已沉積雜質的硅片在較高溫度下擴散，以控制擴散深度和表面濃度，主擴散的同時也往往進行氧化。90、問答題

埋層芯片互聯－后布線技術的結構特點及發展趨勢？正確答案：結構特點：先布線焊