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文檔簡介

一.有磁介質(zhì)的高斯定理在磁介質(zhì)存在時，磁感應(yīng)線仍然是一系列無頭無尾的閉合曲線——含磁介質(zhì)的磁場高斯定理對于任意閉合曲面S§6-7(b)有磁介質(zhì)時的安培環(huán)路定理二.有磁介質(zhì)時的安培環(huán)路定理定義磁場強(qiáng)度——磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理磁介質(zhì)內(nèi)磁場強(qiáng)度沿所選閉合路徑的環(huán)流等于閉合積分路徑所包圍的所有傳導(dǎo)電流的代數(shù)和。討論真空中電介質(zhì)中的高斯定理磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定理稱為相對電容率或相對介電常量。之間的關(guān)系：

之間的關(guān)系實驗規(guī)律稱為相對磁導(dǎo)率磁導(dǎo)率介電常量解：當(dāng)環(huán)內(nèi)是真空時當(dāng)環(huán)內(nèi)充滿均勻介質(zhì)時例在均勻密繞的螺繞環(huán)內(nèi)充滿均勻的順磁介質(zhì)，已知螺繞環(huán)中的傳導(dǎo)電流為，單位長度內(nèi)匝數(shù),環(huán)的橫截面半徑比環(huán)的平均半徑小得多，磁介質(zhì)的相對磁導(dǎo)率和磁導(dǎo)率分別為和。求環(huán)內(nèi)的磁場強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度。例如圖所示，一半徑為R1的無限長圓柱體（導(dǎo)體

≈

0）中均勻地通有電流I，在它外面有半徑為R2的無限長同軸圓柱面，兩者之間充滿著磁導(dǎo)率為

的均勻磁介質(zhì)，在圓柱面上通有相反方向的電流I。試求（1）圓柱體外圓柱面內(nèi)一點的磁場；（2）圓柱體內(nèi)一點磁場；（3）圓柱面外一點的磁場。解（1）磁場是軸對稱分布的，而磁介質(zhì)亦呈軸對稱分布，因而不會改變場的這種對稱分布。做如圖所示的安培環(huán)路，根據(jù)安培環(huán)路定理有IIIR1R2rIIIR1R2r一無限長載流直導(dǎo)線，其外部包圍一層磁介質(zhì)，相對磁導(dǎo)率(1)磁介質(zhì)中的磁場強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度(2)介質(zhì)內(nèi)外界面上的束縛電流例求解根據(jù)磁介質(zhì)的安培環(huán)路定理Is恒定磁場小結(jié)一、電流激發(fā)的磁場1.求載流體的2.求運(yùn)動電荷的（1）（2）3.求磁通量二、磁場對電流

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