《計(jì)算機(jī)維修技術(shù)》第7章內(nèi)存故障維修

教學(xué)目標(biāo)：

通過(guò)本章的學(xué)習(xí)，學(xué)生將了解內(nèi)存的類型、特點(diǎn)以及發(fā)展歷史，掌握內(nèi)存維修的原則和方法。教學(xué)重點(diǎn)與難點(diǎn):存儲(chǔ)器的分類內(nèi)存條的組成內(nèi)存條的主要技術(shù)性能7.1內(nèi)存的發(fā)展與類型DDRSDRAM（雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）DDR內(nèi)存在SDRAM基礎(chǔ)上改進(jìn)了技術(shù)。DDRSDRAM在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數(shù)據(jù)，在不提高時(shí)鐘頻率的情況下，使數(shù)據(jù)傳輸率提高了一倍。

·DDR內(nèi)存在每個(gè)時(shí)鐘周期中可以存取2個(gè)數(shù)據(jù)；·DDR內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率為200～400MHz；·DDR芯片容量為128Mbit～1Gbit；·DDR采用SSTL信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)，電壓為2.5V；·DDRII內(nèi)存增加到4個(gè)數(shù)據(jù)。·DDRII提高到400～800MHz。·DDRII芯片容量為256Mbit～2Gbit。·DDRII采用SSTL2信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)，電壓為1.8V。ROM的類型(1)EPROM：可以多次寫入數(shù)據(jù)，寫入數(shù)據(jù)時(shí)需要專用設(shè)備。(2)EEPROM：保存數(shù)據(jù)不需電池，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)長(zhǎng)達(dá)十年之久。(3)FlashROM：也稱為FlashMemory，可在不加電下長(zhǎng)期保存信息。FlashROM普遍用作BIOS芯片，存儲(chǔ)容量有1Mbit、2Mbit、4Mbit等類型。7.2內(nèi)存芯片工作原理存儲(chǔ)細(xì)胞由晶體管和電容組成，可以保存一位二進(jìn)制數(shù)。DRAM存儲(chǔ)細(xì)胞電路原理

·在DRAM存儲(chǔ)細(xì)胞電路中，晶體管M的作用是一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，它控制著數(shù)據(jù)輸入線D端到存儲(chǔ)電容CS之間的電流通斷。當(dāng)晶體管M處于閉合（ON）狀態(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線D端到存儲(chǔ)電容CS之間是連通的。當(dāng)晶體管M處于斷開(kāi)（OFF）狀態(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線D端到存儲(chǔ)電容CS之間不能連通。可見(jiàn)晶體管開(kāi)關(guān)M控制著電容CS的充電和放電。·電路中存儲(chǔ)電容CS的作用是保存數(shù)據(jù)，當(dāng)電容CS中充有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯“1”狀態(tài)，當(dāng)電容CS中沒(méi)有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯“0”狀態(tài)。·字線WL的作用是控制晶體管M的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，當(dāng)WL=1時(shí)，晶體管M處于閉合（ON）狀態(tài)，這時(shí)允許在數(shù)據(jù)線D端進(jìn)行寫或讀操作。當(dāng)WL=0時(shí)，晶體管M處于斷開(kāi)（OFF）狀態(tài)，這時(shí)數(shù)據(jù)線D端的信號(hào)不能寫入或讀出，DRAM保持電路的原來(lái)狀態(tài)。·數(shù)據(jù)線D也稱為“位線”，他是數(shù)據(jù)位寫入或讀出的端點(diǎn)。

SRAM存儲(chǔ)單元工作原理SRAM存儲(chǔ)細(xì)胞（Cell）的工作原理類似于一個(gè)開(kāi)關(guān)，當(dāng)接通開(kāi)關(guān)時(shí)，相當(dāng)于“1”狀態(tài)，當(dāng)關(guān)閉開(kāi)關(guān)時(shí)，相當(dāng)于“0”狀態(tài)。如果不去改變開(kāi)關(guān)，它就保持上次的狀態(tài)。

靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM經(jīng)常用來(lái)設(shè)計(jì)高速緩存（Cache）存儲(chǔ)單元。

SRAM存儲(chǔ)細(xì)胞中的每一位，都是由4～6個(gè)CMOS晶體管構(gòu)成，因此保存一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，需要8個(gè)這樣的存儲(chǔ)單元，也就是說(shuō)需要32～48個(gè)CMOS晶體管。

7.3內(nèi)存條的基本組成內(nèi)存條由內(nèi)存顆粒芯片、內(nèi)存序列檢測(cè)芯片（SPD）、ECC校驗(yàn)芯片（部分內(nèi)存條有）、印刷電路板（PCB）、貼片電阻、貼片電容、金手指等部分組成。目前市場(chǎng)上主要有DDRSDRAM、RDRAM、SDRAM三種技術(shù)規(guī)范的內(nèi)存條，它們的工作方式不同，互相不能兼容，但是外觀形狀大同小異。

SPD芯片從PC100內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始，內(nèi)存條上就帶有SPD芯片。內(nèi)存條制造商將該內(nèi)存條的基本技術(shù)參數(shù)預(yù)先寫入