第1章引言平視武器瞄準系統平視武器瞄準系統的概況20世紀60年代數字電子技術、真空電子器件的發展，引發了航空火控系統從探測傳感到控制計算和瞄準顯示的“數字革命”。從目標探測及飛機傳感到計算與顯示都發生了原理和結構的巨大變化。平視武器瞄準系統是首當其沖的。為了克服飛行員既要上視遠看目標及飛機外界(空中、地面)的景物，又要低頭看座艙內儀表板上極近距離的飛行數據、各功能分系統工作情況和武器準備狀態，所帶來的視覺轉換造成的黑視與延誤，用光學電子瞄準系統—平顯火控系統代替光學瞄準具，瞄準的同時又能夠觀察飛行信息，充分利用視準特性，保障可邊攻擊邊對飛行狀態及外部環境進行了解，提高了作戰效率［5］。平視武器瞄準系統的功能平視武器瞄準系統所執行的功能有：顯示飛行參數及引導控制數據，保障載機起降、航行與接敵過程的指揮，消除飛行員在飛行中對座艙內、外交替觀察的困擾。適應空空導彈、航炮等武器對空中目標的攻擊，完成它們的瞄準計算與控制，顯示易于判讀和操作的瞄準圖像。適應空地/空海導彈、炸彈、航箭、航炮等武器對地、對海目標的攻擊，完成它們的瞄準計算與控制，顯示易于判讀和操作所需的瞄準圖像。按作戰狀態確定應發武器的特性，輸給武器改善其性能的裝入信號，指揮武器投射。反映平顯火控系統及飛機的現狀，顯示必須的警告、故障等信息。平視武器瞄準系統的組成平視武器瞄準系統由下列設備組成：駕駛員顯示器(PDU)——它裝于飛行員前方，其內部結構集真空電子、高壓電磁偏轉、視準光學結構為一體的電子視準顯示設備，它具備光亮度自動調節能力［13］。電子組件(EU)——它突破了第一代火控系統中模擬計算裝置的唯一性，是一個火力控制、任務計算、顯示生成、多信息接口的數字計算機系統，其所裝軟件完全符合上述的工作狀態及畫面格式。前控制面板(UFCP)——它是平顯火控系統的主要人機接口，集中控制系統工作狀態和作戰裝入參數，其控制與顯示和操作都與工作狀態相對應。它可以作為慣導及懸掛管理數據裝入的控制盒及指示器用，起到了綜合控制的功能［5］。平視武器瞄準系統的發展平視武器瞄準系統是一個集中控制式的系統，因而在現今超大規模集成電路支持下，它很容易將電子組件擴展成一個計算機系統中集合多功能用的硬件單元，利用共享存儲器構型，把平視武器瞄準系統改變為綜合核心處理系統。因此，平視武器瞄準系仍然在不斷發展。方法之一是加強PDU的獨立化(即把顯示生成、畫面處理都置于其內)，接收數字信息完成顯示畫面的處理，成為一個只接受數字信息的獨立顯示器，又稱為靈巧型平顯，將EU改成多功能任務計算系統。除上述作戰與顯示功能外，還可增加引導處理、數據融合、頭瞄定位、下顯光柵等多種功能，構成以內部共享存儲器為信息聯接的核心處理機，即成平顯綜合火控系統。另一發展方法是與駕駛操縱及飛行領航相聯，使用紅外前視探測器及毫米波前視雷達，將PDU的筆劃字符生成改變成筆劃2光柵混合顯示，形成與外景相重疊的人工合成圖像，作為軍用機和民航機的夜間及復雜氣象起降用的平視引導系統(HGS)。用它后達到ni級著陸要求，確保著陸安全。場致發射顯示器場致發射顯示器的概況場致發射顯示器(FED)被認為是最有可能真正與等離子(PDP)和液晶顯示器(LCD)相競爭的平板顯示器。其產生圖像的原理與陰極射線管(CRT)相同，均為電子撞擊熒光粉發光，但采用的是矩陣選址方式，畫面質量和分辨率可做到優于CRT。FED兼有了陰極射線管(CRT)與一般平板顯示器的優點，并克服了熱陰極的預熱延遲，他的響應速度非常快，不大于20us［2］。FED所需要的零件數和生產工序少，成本低。FED還具有分辨率高、對比度好，耐嚴酷的高低溫、抗振動沖擊、電磁輻射底、易于數字化顯示等特點。FED這一系列的優點，使得它有可能成為新一代性能優良的平板顯示器件，應用前景十分廣闊。場致發射顯示器的工作原理FED采用的是場致電子發射技術，只需要在陰極表面加一個強電場，不需要任何附加的能量，就能使陰極內的電子具有足夠的能量從表面逸出。其工作原理：在強電場作用下，陰極表面勢壘高度降低，寬度變窄，電子通過隧道效應穿過勢壘發射到真空，轟擊三基色熒光粉單元［1］。要得到足夠大的發射電流，應采用：1)提高柵極工作電壓；2)采用低表面逸出功的發射材料或陰極表面涂敷低逸出功材料；3)改變陰極的幾何形狀以增大幾何因子。受到高速電子束的激發，這些熒光粉單元分別發出強弱不同的紅、綠、藍三種光。根據空間混色法(將三個基色光同時照射同一表面相鄰很近的三個點上進行混色的方法)產生豐富的色彩［9］。FED的發光原理和傳統的CRT顯示器非常相似，都是利用電場吸引陰極電子源發射電子束，撞擊熒光物質發光。但FED在物理結構上卻與CRT截然不同。CRT是用一組電子槍負責整個屏幕的顯示，因此電子槍必須以掃描的方式才能生成一幅完整的畫面。而FED則將電子槍微型化，每一個像素點都有三個微型電子槍分別對應像素點上RGB三色。不同種類的FED，螢光屏側的陽極基板沒有太大不同，差別僅在于電子發射方式，即陰極基板側的電子發射源各有不同。1.2.3場致發射顯示器的結構FED基本結構為兩塊平板玻璃和一層空間，即由電子發射源板和熒光顯示屏兩部分組成，上層為熒光屏板，下層為微陣列電子發射源板，相互靠得很近。在每個像素點后面不到3mm處都放置了成千上萬個極小的電子發射器［7］。電子源撞擊像素點上的熒光物質（RGB），顯示屏就呈現出不同的圖形與色彩。結構如下圖所示：圖1.1FED的基本結構1.2.4幾種主要的場致發射顯示技術FEAFEA為FED最早的構造設計方式，屬圓錐狀的立體構造，如圖所示。它具有功耗小、工作電壓低、亮度高、視角寬和能在惡劣環境下穩定工作等優點。這種場致電子發射是由作用于表面的電場將金屬表面的勢壘降低并減薄后，使金屬內的大量電子可以越過勢壘頂部而成為自由電子在外電場的作用下形成發射［1］。為了得到足夠的有效發射，需采取一些必要的措施：1）加大工作電壓以增加場強；2）尋求低逸出功的微尖材料或采用微尖表面涂敷低逸出功材料；3）改變微尖的幾何形狀以增大幾何因子6降低發射閾值等。由于FEA的工藝制造復雜，合格率控制難度較高，同時存在支撐結構上電荷積

累問題，需要嚴格控制好束流的發散度以確保器件的耐壓特性和穩定性。大面積均勻成型錐尖所需的設備問題、柵極成膜的邊緣形貌與柵控效果的一致性問題、降低成本問題都是其技術產業化的瓶頸，因此進入商品化運作的企業較少。微尖場發射顯示器(FEA)結構示意圖如下圖所示：圖1.2微尖場發射顯示器結構示意圖CNT多璧碳納米管在場發射顯示器中作為電子發射源。與微尖相比，CNT具有較低的發射閾值電場，適合制作冷陰極電子源。CNT電子源制作有電弧法和化學氣相沉積法等，前者制作工藝流程較容易，但在基板上垂直成形較困難，必須進行提純去除雜質，再采用印刷法絲印含有CNT漿料成型，這樣的陰極發射均一性較差，閾值不一，在進行激光退火以后發射性能會得到提升。CVD法是將催化劑金屬直接沉積在基板上，CNT在與基板垂直方向上生長出與催化劑相同的圖形，但該方法需要較高的生長溫度，所選基板材料受到限制，且用該方法制備的發射體難以保證大面積發射的均勻性［8］。CNT場發射顯示器的三極式結構如下圖所示：熒光粉金屬電極陰極熒光粉金屬電極陰極圖1.3CNT顯示器結構示意圖近幾年來由于對CNT的理論研究和制備工藝都取得不同程度的突破和進展，國內外的許多研究機構已經加入到對CNT場致發射顯示器的研發。許多公司都在CNT場發射顯示器方面取得了巨大的進展，如三菱、日立、伊勢、三星等。SED

表面傳導顯示器SED的技術是由Canon開發的，是由超微細PdO粒子所形成的薄膜，在陰極組件的電極之間形成納米級的溝道，當施加電壓時產生電子隧穿，隧穿電子到達電極另一端后發生碰撞散射，一部分散射電子經由陽極的作用力而射向熒光屏形成有效發射［1］。其結構如下圖所示：Ua熒光粉金屬電極層Ua熒光粉金屬電極層Uf圖1.4SED陰極的結構和原理圖SED顯示器通過在每對陰極電極上利用噴墨打印技術形成PdO薄膜，并施加脈沖電壓，形成亞微米級的裂縫，再通過通電激活處理工序，在微縫處生長碳膜，進一步縮小縫隙到5nm左右，從而就能在低電壓下得到足夠大的陰極傳導電流［1］。通電激活處理是陰極組件獲得穩定發射、降低閾值的關鍵工藝，也是該SED的核心技術部分之一。現在SED顯示器在大尺寸上已經開發成功，SED顯示器的量產工作也已啟動。但SED顯示器的研究將始終貫穿在預產和量產過程中，說明這一新技術在成本控制方面還有較大的改進空間。我們有理由相信隨著技術的發展，SED顯示器技術成本的降低，這一新技術必將在顯示領域造成巨大的沖擊，有望成為新一代主流顯示技術。MIM＆MISM這種場發射顯示方式屬于薄膜內場致發射。它是藉電子隧穿效應產生熱電子，形成有效發射。這種場發射顯示方式有直流型(MIM)和交流型(MISM)兩種工作形式。這種薄膜內場致發射的電子是基本上垂直于表面出射，而在電極的邊緣部分有明顯的自聚焦作用，對解決色純、分辨率和避免電荷積累等方面的問題有著很大的優勢。早期MIM的絕緣介質層采用陽極氧化工藝，陽極氧化的絕緣介質層致密度高，閾值內漏電流小，適用于小尺寸顯示器的制作。尺寸增大后陽極氧化介質的效果就變差，漏電流增加，均勻性和耐壓性能很難得到保證。后來工藝擴展為采用濺射、CVD等工藝直接形成或復合、漸變形成絕緣層，上電極采用逸出功低的金屬薄膜。增加工作電壓、提高電子平均自由程進都能提高發射率。MIM場發射顯示器結構示意圖如下圖所示：熒光粉 ■玻璃基板J 鋁層上電極介質層上電極介質層電子下電極圖1.5MIM場發射顯示器結構示意圖MISM結構與MIM結構的差別在于有傳輸層的存在，它來完成電子的加速和傳輸，是交流工作模式，負半周時電子由上電極注入到傳輸層，并存儲在傳輸層與絕緣層之間的界面態能級上，正半周時，存儲在界面態能級上的電子在傳輸層中獲得加速到達上電極，一部分能量高的電子穿過上電極逸出而成為發射電子［1］。MISM類型陰極結構優點：1）尋址電壓低，約20V；2）制作工藝簡易；3）發射的電子具有自聚焦特性；大面積工藝相對簡單。雖然MISM有如此多優點，但是多年來它一直沒有達到實用化。這主要是因為它發射比小和發射均勻性差的問題，所以MISM顯示器在功能材料和工藝上的開發要達到實用化要求還有一段艱巨的路要走。BSD彈道電子表面發射顯示BSD是在陰極上通過陽極氧化對硅薄膜層進行多孔處理形成一多孔性的納米晶硅層，當中有細的微結晶粒，直徑約5nm，表面是薄的二氧化硅層，在上部沉積一層金屬層作為柵極。電子從基底進入多孔硅中，電子和納米晶粒之間的碰撞幾率很小，電子的自由程比較大，故稱彈道式電子傳輸。當在陰極與陽極間施加直流電壓時，電子注入納米晶硅層并進入多晶硅的微結晶之間，電子加速運動得到高能量而放出，一部分電子穿過電極成為自由電子，電子發射效率可達2.1%。由于高能量的電子是從陰極的垂直方向飛出，不需要作電子束斑調整，因此具有平面狀電子束流。其發射閾值低，16V時電流密度可達113mA/cm2,功耗相當于同尺寸PDP的1/2，故有高發光效率、高亮度、低功耗的特點，并且最大的一個優勢就是這種顯示器對器件的真空度要求比較低，從高真空到低真空狀態發射電流變化不大，相對比較穩定，但也面臨大面積成膜和氧化成膜的問題。彈道電子表面發射顯示BSD顯示器結構示意圖如下圖所示:金屬電極圖1.6BSD顯示器結構示意圖第2章模擬軟件及模擬模型模擬軟件(FEPG)FEPG的概況本次模擬使用的軟件是北京飛箭軟件有限公司旗下產品有限元程序自動生成系統FEPG(FiniteElementProgramGenerator)。FEPG為有限元分析和計算機輔助工程分析(CAE)軟件平臺。用戶只需輸入有限元方法所需的各種表達式和公式，即可由FEPG自動產生所需的全部有限元計算的源程序，包括單元子程序，算法程序等，免去了大量的繁瑣的有限元編程勞動，保證了程序的正確性和統一性。FEPG的開發思想FEPG的開發思想是采用元件化的程序設計方法和人工智能技術，根據有限元方法統一的數學原理及其內在規律，以類似于數學公式推理的方式，由微分方程表達式和算法表達式自動產生有限元源程序。在FEPG系統中，我們可以以兩種方式得到計算所需的全部程序，第一種方法是使用公式庫生成程序，我們把常見的物理問題，如固體力學、電磁場、傳熱、滲流、流體等的描述方程用有限元語言描述好放在公式庫中。用戶只需點擊公式庫菜單即可生成用戶所需的全部有限元計算程序。另一種方法便是由用戶公式生成程序。我們根據自己研究的物理問題，用有限元語言將控制方程寫成VDE、PDE文件，將計算方法寫成gcn和gio文件，然后用FEPG系統命令(Gio命令)產生全部有限元程序。FEPG的應用FEPG適用于求解各種領域的各種工程與科學的有限元問題，突破了目前通用有限元程序只用于特定領域和特定問題的限制。廣泛應用于石油化工、機械制造、能源、汽車交通、鐵道、國防軍工、電子、土木工程、造船、生物醫學、輕工、地礦、水利、航空航天、日用家電等工業部門，尤其適合于各類學科的科學研究，也非常適合于高校進行有限元教學。模擬模型模擬目標1）熟練掌握有限元程序自動生成系統FEPG的使用方法；2）得到正確的電勢分布圖并且能夠對電勢圖做出正確的分析；3）培養學生自我動手能力及發現、分析、處理問題的能力。模擬任務及要求本次模擬是二維的電磁學靜態模擬，模擬對象為FED中的三極結構，三極結構包括：陰極、柵極、陽極。模擬模型幾何圖形如下圖所示：圖2.2模型幾何圖形利用有限元程序自動生成系統FEPG生成以圖2.2模型幾何圖形為基礎的電勢分布圖。

第3章模擬過程及結果模擬過程連接網絡在開始菜單中找到FEPG快捷圖標，單擊后進入模擬軟件主界面。主界面主要由三個部分組成：最上方是菜單欄及工具欄；左上的是工作窗口，工作窗口可以顯示出Workspace和AppWizard等工作區；下方顯示程序運行情況。如圖3.1所示。圖3.1FEPG主界面由于本次模擬過程中使用的軟件工具是北京飛箭的在線有限元分析軟件，所以需要在連接互聯網的情況下進行模擬計算。點擊file菜單下的login選項進行連接FEPG網絡。彈出IFEPGinfo窗口，點擊OK鍵連接網絡。其界面如圖3.2所示。圖3.2網絡連接

利用公式庫生成計算程序在連接FEPG網絡成功后，在Fire菜單中選擇setDirectory選項進行目錄設置，選擇有限元軟件安裝目錄下的temp文件夾后，點擊OK鍵即可，下一步即可調用公式庫。點擊project菜單，在子菜單Application中依次選擇wizard選項、ElectromagneticFieldemf選項、static選項，然后選中2dxy進入以下界面，其表示本次模擬過程是二維的電磁學靜態模擬。其中的ElectromagneticField表示電磁學，static表示靜態的，2dxy表示坐標是二維的，其界面如圖3.3所示。圖3.3電磁學靜態模擬界面完成上述所有操作后，點擊工作窗口上方的AWZ按扭進入SelectScheme對話框，然后進行求解器、存儲方法等項的設置。在對話框中VolumeElement選項提供的選項下，根據本次模擬的類型，其中選擇體單元t3,其界面如圖3.4所示。圖3.4VolumeElement設置完成上一步VolumeElement選項操作后，在SelectScheme對話框中Boundary

Element選項提供的選項下，根據本次模擬類型模擬的具體要求，選擇112選項，其界面如圖3.5所示。圖3.5BoundaryElement設置完成上一步BoundaryElement選項操作后，在SelectScheme對話框中Solver選項提供的選項下，根據本次模擬類型，選擇求解器sin函數，其界面如圖3.6所示：圖3.6Solver設置在完成上一步Solver選項操作后，在SelectScheme對話框中StoringOption選項提供的選項下，根據本次模擬類型，選擇存儲方法為outcome，其界面如圖3.7所示。完成以上SelectScheme對話框所有選項設置后，確認所有設置正確無誤后，點擊右下角的OK鍵，系統開始自動生成計算程序。計算程序生成無誤后界面顯示如圖3.8所示。

圖3.7StoringOption設置圖3.8計算程序生成界面3.1.3修改前處理接口文件及填寫材料參數生成計算程序后，單擊Pre/post菜單下的子菜單setting,選擇matedata選項彈出填定材料參數窗口，在此窗口中可以對材料參數進行設定。不同模型的模擬參數都不一樣，本次模擬過程中的所有的參數都為出廠值，所以材料參數都設置為系統的默認值而不需要改變。在設置完所有參數后，確認參數設置無誤后點擊Finish鍵結束參數的設置，其界面如圖3.9所示。完成材所有料參數設置，點擊Pre/Post菜單，選擇Preprocess選項，即進入GID界面。在GID界面中出現Sysinfoselection對話窗口，由于是默認系統參數，所以在此窗口無需設置點擊其中cansel按鈕即可，系統提示已建立一個新工程。其界面如

圖3.9材料參數設置圖3.10所示。例，P圖3.9材料參數設置圖3.10所示。例，P通蝴11<1圖3.10GID界面3.1.4前處理建模，加材料和初邊值條件點擊OK鍵即可，成功建立一個新工程。新工程建立完成后，開始繪制本次模擬模型的幾何圖形。具體操作步驟如下：在GID界面的工具條中找到Createline選項，選中并在GID界面中依次輸入坐標（0，0）、（10，0）、（10，-5）、（15，-5）、（20，-10）、（25，-5）、（30，-5）、（30，0）、（40，0）、（40，30）、（0，30）、（0，0）。在輸入坐標的過程中我們需要注意的是先輸入x坐標，敲入回車鍵后再輸y坐標而不是一次性輸入x、y坐標。在輸完坐標后系統提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接，生成以下幾何圖形如圖3.11所示。完成幾何圖形的繪制，在GID界面的工具條中選擇CreateNURBSsurface

按鈕，選中封閉曲線創建面，這過程需要注意的是需要選擇所有點線，按住左鍵并拖動形成線框，框住所有點線松開左鍵曲線變紅表示被選中。選中封閉曲線后按鍵盤上的ESC鍵生成面。在原有的圖形內部出現一個紫色的、與原有圖形相似的圖形，表示操作成功，其界面如圖3.12所示。圖3.11幾何圖形生成界面?X?圖3.11幾何圖形生成界面?X?/SUJL宅fkISLJLKe/一定；二廿二a口/支息0Q/一、『.盆心一司:華~■一牛圖3.12創建面生成界面在成功建模之后，選中Data菜單下的子菜單Problemtype,點擊fepg選項生成文件，單擊后彈出詢問窗口，確認后單擊OK鍵。完成上述所有操作后，在Data菜單下選擇Conditions子菜單進行加材料和初邊值條件的設置操作。其界面顯示如圖3.13所示。點擊Conditions選項，首先在點、線、面、立體四個選項里選擇面按紐，再在面設置的下拉選項中選擇第三個surface-aet3選項，然后點擊assign按鈕選擇需要進

行定義的面，用鼠標左鍵點擊圖中紫色線，線的顏色改變表示成功選中，按Esc鍵或用鼠標點擊Conditions窗口中的Finish按鈕完成面定義；然后選擇線按鈕進行設置，根據本次模擬任務要求，在設置窗口中依次設置陽極電壓為1700V、柵極電壓為250V、陰極電壓為0V。完成所有電壓設置后，點擊color選項確認是否賦值成功，如果賦值成功則代表三極線條為彩色，否則為黑色。確認所有設置無誤后點擊Finish鍵，即完成所有條件設置。條件設置界面如圖3.14所示。圖3.13面條件設置圖3.13面條件設置圖3.14邊線值參數設置完成以上Conditions選項所有參數設置后，選擇Mesh菜單中的子菜單Generatemesh選項，進行網格生成操作。點擊Generatemesh選項后會彈出Entervaluewindow窗口，在此窗口中將密度參數設置為5。在確認網格密度參數設置無誤后，點擊OK鍵確認后會彈出Dialogwindow窗口，再點擊OK鍵即可生成網格。其界面如圖3.15

所示。生成網格后，再選擇Unstructured菜單下的Assignsizesonpoints選項對線進行局部加密。點擊Assignsizesonpoints選項后會彈出加密尺度參數設置窗口，在此窗口中將加密尺度參數設置為0.4。確認加密尺度參數設置無誤后點擊OK鍵，選擇需要加密的陰極、柵極和陽極對應的線，線變紅即表示被選中。完成后按Esc鍵后，點擊Close按鈕。在菜單欄中選擇Mesh菜單中的Generate選項即可生成加密網格，其界面如圖3.16所示。立口。￥等事|t圖3.15網格生成界面二/d?-I￡p:立口。￥等事|t圖3.15網格生成界面二/d?-I￡p:ei"::;--5:總?一落:￡■If。旅賓40?/一\。短?一節也如亨?存1L-r—?L“4平連事”Q圖3.16加密網格生成界面完成網格劃分后，進行數據導出。單擊Calculata菜單下的Calculata選項進行數據導出操作。具體操作步驟：點擊Calculata選項后彈出Processinfo窗口，點擊OK按鈕確定數據導出完成；數據到處后保存文件，文件保存成功后即可關閉GID界面。就此完成了前處理建模，加材料和初邊值條件設置的所有操作。其界面如圖3.17所示。圖3.17數據導出界面3.1.5后處理及顯示結果數據導出后關閉GID界面。返回主界面。選擇Workspace選項中的run_batch_file文件夾下的temp.bat文件，點擊右鍵，然后選中temp.bat點幾擊左鍵。即可運行程序，自行計算求解。如圖3.18所示。圖3.18計算程序運行界面自行求解完成后，單擊Pre/post菜單中的子菜單postprocess下的General選項進入后處理程序主界面，單擊Displaystyle按鈕，不顯示圖形顏色。如圖3.19所示。

完成上述所有操作后，單擊Window菜單下的子菜單Deformmesh選項顯示模型的形變。選擇Referencemesh選項中的Deformed項，單擊Apply應用按鍵，顯示模型的形變；然后再選擇OFF項，單擊Apply應用按鍵，即取消形變的顯示。如圖3.20所示。蕊0田(鏟々口？疑*.由總工先除%.蕊0田(鏟々口？疑*.由總工先除%.一日,川e二凡一&=海/0『/一球圖3.19后處理主界面P*.三皿

:wvI 4E圖3.20Deformmesh設置完成以上Referencemesh選項設置，選擇MainMesh選項中的Deformed項，單擊Apply應用按鍵，顯示形變；然后選中Original參考模型，單擊Apply應用按鍵，即模型不再顯不形變。如圖3.21所示。在完成Deformmesh選項所有設置后，關閉其窗口。點擊Viewresults菜單下的

子菜單ContourFill中的Unoda0選項查看模擬結果。選中Unoda0選項即可顯示出陽極電壓為1700V、柵極電壓為250V、陰極電壓為0V的電勢分布，確認電勢圖無誤后即完成整個模擬。本次模擬的結果電勢分布圖其界面如圖3.22所示。心Tnq心Tnq《,■.?￡/LL-?L口襄界"曲。/-M口>.口1k..任一,一嗝山詈圖3.21MainMesh設置?Aw| ~ 十?Aw| ~ 十圖3.22電勢分布圖3.2其它顯示結果按照以上操作步驟建立新的工程，在新工程GID界面依次輸入坐標（0,0）、（10,0）、（10，-5）、（15，-5）、（20，-10）、（25，-5）、（30，-5）、（30，0）、（40，0）、（40，30）、（0，30）、（0，0），輸完坐標系統提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接生成模型幾何圖形,經加密后生成網格。網格密度參數為5,加密參數為0.4。這里需要注意的是，在進行邊值條件設置是應注意根據模擬要求正確設置陽

極電壓、柵極電壓和陰極電壓，生成的加密網格圖如圖3.23所示。Fill中的、陰極電圖3.23加密網格生成界面-V41，牛耳浮力￡二『■?至BL)ST.口■寸巴￡■金聲Fill中的、陰極電圖3.23加密網格生成界面-V41，牛耳浮力￡二『■?至BL)ST.口■寸巴￡■金聲一。嘉*%4?>:?口且w=/一寸■;!#■ft圖3.24電勢分布圖按照以上操作步驟建立新的工程，在新工程GID界面依次輸入坐標（0，0）、（10，0）、（10，-5）、（15，-5）、（20，-10）、（25，-5）、（30，-5）、（30，0）、（40，0）、（40，30）、（0，30）、（0，0），輸完坐標系統提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接生成模型幾何圖形，經加密后生成以下網格。網格密度參數為5、加密參數為0.4。這里需要注意的是，在進行邊值條件設置是應注意根據模擬要求正確設置陽極電壓、柵極電壓和陰極電壓，生成的加密網格圖如圖3.25所示。

經后處理等一系列步驟，點擊Viewresults菜單下的子菜單ContourFill中的UnodaO項查看模擬結果，即可顯示陽極電壓為1700V、柵極電壓為300V、陰極電壓為0V的電勢分布，如圖3.26所示。與T-U4I，『=現一與T-U4I，『=現一+寸sc，-*fefl行_vssr叨『一D,「百一7一■點/Adga。/-■。￡..■;□-一工寓圖3.25加密網格生成界面圖3.26電勢分布圖按照以上操作步驟建立新的工程，在新的工程GID界面依次輸入坐標（0，0）、（10，0）、（10，-10）、（15，-10）、（20，-15）、（25，-10）、（30，-10）、（30，0）、（40，0）、（40，30）、（0，30）、（0，0），輸完坐標系統彈出一個窗口提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接生成模型幾何圖形，經過對線條加密后生成以下網格，網格密度參數為5，加密參數為0.4。生成的加密網格圖其界面如圖3.27所示。經后處理等一系列步驟，點擊Viewresults菜單下的子菜單ContourFill中的

UnodaO項查看模擬結果，即可顯示出陽極電壓為1700V、柵極電壓為250V、陰極電壓為0V，柵極與陰極之間距離為100u的電勢分布，其電勢分布圖界面如圖3.28所示。圖3.27加密網格生成界面圖3.28電勢分布圖按照以上操作步驟建立新的工程，在新的工程GID界面依次輸入坐標（0,0）、（10，0）、（10，-15）、（15，-15）、（20，-20）、（25，-15）、（30，-15）、（30，0）、（40，0）、（40，30）、（0，30）、（0，0），輸完坐標系統彈出一個窗口提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接生成模型幾何圖形，經過對線條加密后生成以下網格，網格密度參數為5，加密參數為0.4。生成的加密網格圖其界面如圖3.29所示。經后處理等一系列步驟，點擊Viewresults菜單下的子菜單ContourFill中的

UnodaO項查看模擬結果，即可顯示陽極電壓為1700V、柵極電壓為250V、陰極電壓為0V，柵極與陰極之間距離為150u的電勢分布，其電勢分布圖界面如圖3.30所示。圖3.29加密網格生成界面Ft>'器堂22T0圖3.29加密網格生成界面Ft>'器堂22T0>。金一才一后看ft月■■修I- 口…圖3.30電勢分布圖按照以上操作步驟建立新的工程，在新的工程GID界面依次輸入坐標（0，0）、（10，0）、（10，-20）、（15，-20）、（20，-25）、（25，-20）、（30，-20）、（30，0）、（40，0）、（40，30）、（0，30）、（0，0），輸完坐標系統彈出一個窗口提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接生成模型幾何圖形，經加密后生成以下網格，網格密度參數為5，加密參數為0.4。生成的加密網格圖如圖3.31所示。經后處理等一系列步驟，點擊Viewresults菜單下的子菜單ContourFill中的Unoda0項查看模擬結果，即可顯示陽極電壓為1700V、柵極電壓為250V、陰極電壓為0V,柵極與陰極之間距離為200u的電勢分布，其電勢分布圖界面如圖3.32所圖3.31加密網格生成界面(41■件任>專0a(41■件任>專0a◎一?.&■」明”二?TN—一?￡,,1&K避*aQXJvBl通-tfzEl圖3.32電勢分布圖按照以上操作步驟建立新的工程，在新的工程GID界面依次輸入坐標（0，0）、（15，0）、（15，-10）、（25，-10）、（30，-15）、（35，-10）、（45，-10）、（45，0）、（60，0）、（60，30）、（0，30）、（0，0），輸完坐標系統彈出一個窗口提示是否連接，點擊Join鍵選擇將（0，30）、（0，0）兩坐標連接生成模擬幾何圖形，經加密后生成以下網格，網格密度參數為5，加密參數為0.5。生成的加密網格圖如圖3.33所示。在經過后處理等一系列步驟后，選中Viewresults菜單下的子菜單ContourFill中的UnodaO項查看模擬結果，點擊即可顯示陽極電壓為1700V、柵極電壓為250V、陰極電壓為0V，柵極板的長度為150u的電勢分布，其電勢分布圖