1/262022年臺積電財務分析報告臺積電發布2021年第四季度財報，業績增長強勁。總營收為4831.9億元新臺幣，同比增長24.1%，環比增長5.7%，略高于預期；凈利潤為1662.3億元新臺幣，同比增長16.4%，環比增長6.4%；毛利率達到53%，環比增長1.3%，與預期基本一致。Capex資本支出調升，主要用于采購先進半導體設備材料。為解決訂單滿載產能不足的局面，臺積電宣布將2022年資本支出金額上調至在400億-440億美元之間，同比大幅增長。從制程來看：5nm工藝保持強勁增長，四季度占比23%。公司的5nm工藝占據了四季度總營收約23%，7nm工藝占比達27%，16nm工藝占據13%。另外，2021年總營收按技術劃分，7nm工藝占比31%，5nm和16nm分別占比19%和14%。按平臺分拆：全年汽車及HPC端業務2021年顯著提升，營收同比分別增長51%、34%。臺積電的智能手機業務貢獻了44%的營收，環比上升7%；高性能計算芯片（HPC）業務貢獻了37%，環比上升3%；另外，汽車端環比上升10%，物聯網環比上升3%。全年來看，智能手機業務占據了44%的營收，同比增長8%；HPC業務占據營收的37%，同比增長34%；另外汽車端營收同比顯著上升，達51%，物聯網同比增長21%。臺積電預計2022年產能持續保持緊張，下游傳導能力將會影響成長分化；景氣度仍然向上，板塊估值性價比顯現。臺積電預計2022Q1營收將達到166億至172億美元之間。預計毛利率將在53％到55％之間，營業利潤率在42-44%之間。從長期來看，毛利率有望達到53%的目標。2022年景氣度展望樂觀，全球需求持續向上，重點關注HPC/汽車/IoT，22年或將維持高增長。進入2022年，預計供應鏈將維持較高水平的庫存。雖然短期失衡可能持續，但5G和HPC相關應用的行業大趨勢支撐了長期半導體需求的結構性增長。公司預計產能將在2022年保持緊張。臺積電預測公司2020-2025年的年均增長率將達到10%至15%之間。公司預計HPC、汽車、loT業務增速將高于公司平均增速，智能手機增速與公司平均增速基本持平。建議關注：1）半導體設計：晶晨股份/瑞芯微/圣邦股份/思瑞浦/瀾起科技/中穎電子/恒玄科技/樂鑫科技/斯達半導/宏微科技/新潔能/全志科技/富瀚微/兆易創新/韋爾股份/卓勝微/晶豐明源/紫光國微/上海復旦2）IDM:聞泰科技/三安光電/時代電氣/士蘭微；3）晶圓代工：中芯國際/華虹半導體；4）半導體設備材料：北方華創/雅克科技/上海新陽/中微公司/精測電子/華峰測控/長川科技/有研新材/江化微；風險提示：產業政策變化、國際貿易爭端加劇、下游行業發展不及預期1、每周談：臺積電四季度財報亮眼，2022年景氣度展望樂觀臺積電發布2021年第四季度財報，業績增長強勁。總營收為4831.9億元新臺幣，同比增長24.1%，環比增長5.7%，略高于預期；凈利潤為1662.3億元新臺幣，同比增長16.4%，環比增長6.4%；毛利率達到53%，環比增長1.3%，與預期基本一致。第四季度的業績增長受到市場對公司在行業處于領先位置的5nm技術需求的拉動。公司2021年全年營收高達1.59萬億新臺幣，同比增長18.5%；全年凈利潤5965.4億元新臺幣，同比增長達15.2%；毛利率達到51.6%，受匯率影響，同比下降1.5%。臺積電上修2022資本開支計劃背后是潛在的更大超預期。Capex資本支出調升，主要用于采購先進半導體設備材料。2021年capex花費300億美元。為解決訂單滿載產能不足的局面，臺積電宣布將2022年資本支出金額上調至在400億-440億美元之間，較上一年的304.1億美元（折合平均匯率27.6計算）有大幅增長。其中70-80%的開支將用于先進制程技術的研發，包括7nm、5nm、3nm和2nm，10%用于先進封裝技術，另外10-20%用于特殊制程。臺積電大幅增加資本支出旨在滿足市場對其先進芯片制造業務的強勁需求，并捍衛其在先進制程技術的領先地位和全球晶圓代工的主導地位。從歷史經驗看，實際的資本開支往往還大于初始的預設，先行的預判總是低估或者高估實際的結果；年初上調資本開支可能實際全年上調幅度高于預估。因此臺積電對于2022年的資本開支上修可能預示著一個資本市場需要進一步上修預期的假設。設備股是資本開支上修下直接受益板塊，建議關注：北方華創/雅克科技/上海新陽/中微公司/精測電子/華峰測控/長川科技/有研新材/江化微從制程來看：5nm工藝保持強勁增長，四季度占比23%公司的5nm工藝占據了四季度總營收約23%，7nm工藝占比達27%，16nm工藝占據13%。另外，2021年總營收按技術劃分，7nm工藝占比31%，5nm和16nm分別占比19%和14%。N5：保持強勁增長，主要系HPC和手機的應用。N4P：性能較N5有較大提升，22年下半年可看到量產。N4X：預計23年上半年生產。N3：采用FinFET技術，應用在智能手機和HPC應用上，22年下半年量產。N3首年（今年）出貨量預計將高于N5首年出貨量。N3E：在N3之后的一年規劃N3E的生產，客戶在積極參與。成熟制程：公司將會在中國大陸、中國臺灣、日本擴充28nm制程產能。按平臺分拆：汽車及HPC端業務2021年顯著提升，營收同比分別增長51%、34%2021Q4，臺積電的智能手機業務貢獻了44%的營收，環比上升7%；高性能計算芯片（HPC）業務貢獻了37%，環比上升3%；另外，汽車端環比上升10%，物聯網環比上升3%。全年來看，智能手機業務占據了44%的營收，同比增長8%；HPC業務占據營收的37%，同比增長34%；另外汽車端營收同比顯著上升，達51%，物聯網同比增長21%。資產端及現金流情況：庫存周轉天數環比增加三天，庫存壓力較大在資產端，四季度結束時臺積電具有現金及可交易性金融資產共11884.6億新臺幣。流動負債相比上季度增長19.8%，至7395.0億新臺幣。公司應收賬款周轉天數與上季度相比保持不變，在40天，較為穩定。存貨周轉天數為88天，較上一季度增加3天。庫存壓力較大。未來業績指引：臺積電預計2022年產能持續保持緊張，下游傳導能力將會影響成長分化；景氣度仍然向上，板塊估值性價比顯現。展望2022年第一季度，臺積電預計營收將達到166億至172億美元之間。基于平均匯率27.6計算，公司預期毛利率將繼續上升，預計毛利率將在53％到55％之間，營業利潤率在42-44%之間。從長期來看，毛利率有望達到53%的目標。2022年營收按制程分類尚無明確指引，不過N5仍處在ramp產能爬坡階段，預計占營收比例將會持續增長。N3產能將會在22年下半年釋放，預計會在2023年貢獻營收。重點關注HPC/汽車/IoT，22年或將維持高增長。另外，公司預計2022年的業務將受到對公司行業領先的先進和專業技術的強勁需求的推動。公司看到來自智能手機、高性能計算、loT和汽車4個增長平臺的強烈需求。進入2022年，鑒于行業持續需要確保供應安全，預計供應鏈將維持較高水平的庫存。雖然短期失衡可能持續，但5G和HPC相關應用的行業大趨勢支撐了長期半導體需求的結構性增長。在許多終端設備中硅含量更高，包括汽車、PC、服務器、網絡和智能手機。因此，公司預計產能將在2022年全年保持緊張。行業高景氣度下游需求強勁：2022年景氣度展望樂觀，全球需求持續向上。臺積電管理層表示預計2021年全球半導體市場（不含存儲器）增長8%，代工行業環比增長10%，而臺積電受先進節點/專業需求和智能手機/HPC/汽車/物聯網應用增長的推動，優于市場，全年營收同比增長18.5%。公司預計2021年5G移動出貨量增長100%，5G移動滲透率超過35%（2020年為18%）。5G移動通信的含硅量相比4G對應的產品繼續增加。技術方面，5nm在5G智能手機/HPC應用上的需求依然強勁，而3nm也在2021年進入RP，2022年進入VP。在半導體行業高景氣度的背景下，受益于5G、智能設備、汽車、家電等相關應用領域需求旺盛，臺積電預測公司2020-2025年的年均增長率將達到10%至15%之間。公司預計HPC、汽車、loT業務增速將高于公司平均增速，智能手機增速與公司平均增速基本持平。綜上，我們認為臺積電2021年第四季度營收和利潤均創下新高。從2022年一季度指引來看，公司預計營收將繼續增長。2.本周半導體行情回顧本周半導體行情跑贏主要指數。本周申萬半導體行業指數下跌0.89%，同期創業板指數上漲0.73%，上證綜指下跌1.63%，深證綜指下跌1.35%，中小板指下跌1.25%，萬得全A下跌1.12%。半導體行業指數跑贏主要指數。半導體各細分板塊多數有所下跌。半導體細分板塊中，半導體材料板塊本周上漲3.5%，IC設計板塊本周下1.3%，分立器件板塊本周下跌1.5%，半導體設備板塊本周下跌1.8%，半導體制造板塊本周下跌2.0%，其他板塊本周下跌2.1%，封測板塊本周下跌2.9%。本周半導體板塊漲幅前10的個股為：聚辰股份、宏微科技、納思達、滬硅產業-U、立昂微、富滿微、普冉股份、力芯微、紫光國微、新潔能。本周半導體板塊跌幅前10的個股為：芯朋微、艾為電子、晶豐明源、天岳先進-U、芯源微、中晶科技、敏芯股份、卓勝微、創耀科技、華峰測控。3.本周重點公司公告【國科微300672.SZ】公司于2022年1月10日公告《湖南國科微電子股份有限公司持股5%以上股東減持股份預披露公告》。公告顯示，公司股東國家集成電路產業投資基金股份有限公司計劃在本公告披露之日起15個交易日后的6個月內以集中競價交易方式減持公司股份不超過3,642,426股，即不超過公司總股本比例的2%（采取集中競價交易方式進行交易的，在任意連續九十個自然日內，減持股份的總數不得超過公司股份總數的百分之一）。公告披露前，集成電路產業投資基金共持22,723,544股（占公司總股本比例12.48%）。【太極實業600667.SH】公司于2022年1月11日公告《關于子公司十一科技重大項目合同主體變更的公告》。公告顯示，十一科技與浙江海芯微、浙江鴻翔半導體科技有限公司簽署了《浙江海芯微半導體科技有限公司300毫米晶圓核心特種工藝生產線項目設計-采購-施工總承包合同主體變更協議》，經過三方平等協商，一致同意將原合同主體“浙江海芯微”變更為“浙江鴻翔”。2020年9月29日，子公司十一科技中標浙江海芯微半導體科技有限公司（“浙江海芯微”）發包的浙江海芯微300毫米晶圓核心特種工藝生產線EPC項目。【阿石創300706.SZ】公司于2022年1月12日公告《關于全資子公司與三明市沙縣區人民政府簽訂《投資意向書》的公告》。公告顯示，公司全資子公福建頂創金屬材料有限責任公司與三明市沙縣區人民政府于近日簽訂《投資意向書》，擬在三明市沙縣區投資新建釩合金等新型材料生產項目。項目選址沙縣金古金屬加工區。計劃投資2.5億元，其中固定資產投入1.5億元。主要從事釩合金等新型材料研發、生產和銷售。公司于2022年1月12日公告《關于收購控股子公司少數股東股權的進展公告》。公告顯示，為進一步增強公司對控股子公司的管控力度，提高經營決策效率，增強公司持續盈利能力，公司擬授權全資子公司福建頂創控股有限公司（以下簡稱“頂創控股”）以自有資金收購平潭興證鑫澤股權投資合伙企業（有限合伙）（以下簡稱“興證鑫澤”）持有的常州蘇晶電子材料有限公司（以下簡稱“常州蘇晶”）15.6137%的股權，本次交易完成后，頂創控股持有常州蘇晶52.8748%的股權。【滬硅產業688037.SH】公司于2022年1月13日公告《上海硅產業集團股份有限公司股東集中競價減持股份結果公告》。公告顯示，近日收到上海嘉定工業區開發（集團）有限公司出具的《關于股份減持結果的告知函》，本次減持計劃時間區間已屆滿，嘉定開發集團通過集中競價累計減持公司股份2,094,347股，減持股份數量占公司總股本的0.0844%。【泰晶科技603738.SH】公司于2022年1月15日公告《關于完成股權轉讓工商變更登記的公告》。公告顯示，公司不再持有深圳市鵬赫精密科技有限公司股權，深圳市鵬赫精密科技有限公司不再納入公司合并報表范圍。公司已收到深圳市鵬赫精密科技有限公司發來的《變更（備案）通知書》和新的《深圳市鵬赫精密科技有限公司營業執照》，至此本次股權轉讓的工商變更登記手續已完成。【立昂微605358.SH】公司于2022年1月15日公告《杭州立昂微電子股份有限公司持股5%以上股東減持股份時間過半的進展公告》。公告顯示，本次減持計劃實施前,公司持股5%以上的股東寧波利時信息科技有限公司持有公司27,332,500股，占公司總股本的5.98%。2021年9月14日，寧波利時計劃通過集中競價交易方式減持公司股份數量不超4,000,000股，占當時公司總股本的1%。本次減持計劃減持時間已過半，減持計劃尚未實施完畢。【聚辰股份688123.SH】公司于2022年1月15日公告《聚辰半導體股份有限公司關于持股5%以上股東減持比例達到1%的提示性公告》。公告顯示，北京新越成長投資中心（有限合伙）于2021年11月30日通過大宗交易方式減持公司1,200,000股股份，占公司總股本的比例為0.99%。且北京新越成長投資中心于2022年1月14日通過集中競價方式減持公司271,132股股份，占公司總股本的比例為0.22%。4.本周半導體重點新聞國務院印發“十四五”數字經濟發展規劃，瞄準集成電路等戰略性領域。1月12日，國務院關于印發“十四五”數字經濟發展規劃，規劃指出，要加快推動數字產業化，增強關鍵技術創新能力，提升核心產業競爭力。其中，增強關鍵技術創新能力方面，規劃提到，要瞄準傳感器、量子信息、網絡通信、集成電路、關鍵軟件、大數據、人工智能、區塊鏈、新材料等戰略性前瞻性領域。發揮我國社會主義制度優勢、新型舉國體制優勢、超大規模市場優勢，提高數字技術基礎研發能力。提升核心產業競爭力方面，著力提升基礎軟硬件、核心電子元器件、關鍵基礎材料和生產裝備的供給水平，強化關鍵產品自給保障能力。同時，實施產業鏈強鏈補鏈行動，加強面向多元化應用場景的技術融合和產品創新，提升產業鏈關鍵環節競爭力，完善5G、集成電路、新能源汽車、人工智能、工業互聯網等重點產業供應鏈體系。（資料來源：全球半導體觀察）國內首條全自動12英寸半導體大硅片生產線建成投產。2022年1月9日，國晶（嘉興）半導體有限公司宣布其生產集成電路用12英寸硅片自動生產線已貫通投產。國晶半導體原名為中晶（嘉興）半導體有限公司，成立于2018年12月，注冊資本10億元，主要研發、生產、銷售集成電路核心半導體材料12英寸大硅片及滿足28納米以下制程標準的拋光片和外延片。產能方面，國晶半導體規劃產能為年產12英寸半導體硅片480萬片。該項目分為兩期實施，其中一期規劃建設月產能15萬片，二期規劃建設月產能30萬片。其控股股東上海柘中集團股份有限公司（以下簡稱“柘中股份”）發布公告稱，該生產線質量與量產處于爬坡階段，產品將交付下游客戶對硅片可靠性、穩定性進行測試認證。（資料來源：全球半導體觀察）賽微電子：擬6190.09萬元轉讓中科昊芯22.66%股權。據公告披露，2019年1月，賽微電子全資子公司微芯科技以1000萬元對外投資設立參股子公司中科昊芯并持有其34%股權；2020年3月，中科昊芯完成Pre-A輪融資，微芯科技持股比例稀釋為28.90%；2021年2月，中科昊芯完成Pre-A+輪融資，微芯科技持股比例稀釋為26.66%；2021年6月，微芯科技以1214.12萬元對外轉讓中科昊芯4%股權，持股比例下降為22.66%。賽微電子認為，微芯科技本次向頂芯未來轉讓所持有的中科昊芯股權，目的在于調整投資結構，實現投資收益，資源配置進一步向公司主業聚焦。經公司初步測算，本次交易因股權轉讓形成的投資收益約為6160萬元，預計將對公司本年度經營業績產生稅前約6160萬元（未經審計）的積極影響，占公司2020年度（最近一個會計年度2021年的財務數據尚待審計）經審計歸屬于上市公司股東凈利潤的30.63%。（資料來源：全球半導體觀察）中科藍訊科創板IPO成功過會。1月13日，深圳市中科藍訊科技股份有限公司（以下簡稱“中科藍訊”）科創板IPO成功上會。據了解，中科藍訊主要從事于無線音頻SoC芯片的研發、設計與銷售，產品包括TWS藍牙耳機芯片、非TWS藍牙耳機芯片、藍牙音箱芯片等。客戶群體包括飛利浦、聯想、鐵三角、惠威、摩托羅拉等專業音頻廠商，網易、唱吧、360、愛奇藝、QCY、天貓精靈等電商及互聯網客戶。據悉，公司自成立即采用RISC-V指令集架構作為技術開發路線研發、設計芯片。基于開源的RISC-V指令集架構，中科藍訊配合開源實時操作系統RT-Thread，自主開發出高性能CPU內核和DSP指令，實現了各種音頻算法。在開源的藍牙協議棧基礎上，公司通過深度優化研發出了具有自主知識產權的藍牙連接技術。在此基礎上，公司自主設計開發出藍牙雙模基帶和射頻、FM接收發射基帶和射頻、音頻CODEC、電源管理系統、接口電路等多個功能模塊。（資料來源：全球半導體觀察）南京江寧區通過盛鑫大尺寸硅外延材料項目等重大產業項目實施計劃。1月13日，南京江寧區十八屆人大一次會議審議通過了區2022年重大產業項目實施計劃。消息顯示，2022年，南京江寧區將實施包括中興通訊服務器和存儲產品研發生產中心、中材鋰膜、盛鑫大尺寸硅外延材料等項目在內的172個重大產業項目，總投資2717億元，當年計劃投資593億元。據悉，中興通訊服務器和存儲產品研發生產中心項目總投資150億元，主要產品包括服務器、磁盤列陣、分布式存儲、備份一體機及相關軟件，項目建成后，預計形成年產通訊服務器和存儲產品27萬臺的產能。盛鑫大尺寸硅外延材料產業化項目總建筑面積約14.7萬平方米，年產8英寸硅外延片216萬片、12英寸硅外延片12萬片，項目達產后，預計新增銷售收入約20億元/年，新增利潤總額約4.3億元/年。（資料來源：全球半導體觀察）芯片設計廠商翱捷科技在科創板正式掛牌上市。翱捷科技成立于2015年4月30日，是一家提供無線通信、超大規模芯片的平臺型芯片的企業。科創板上市公告書顯示，翱捷科技此次實際募集資金68.83億元，超額募資逾40億元。翱捷科技此次募集資金將用于商用5G增強移動寬帶終端芯片平臺研發、5G工業物聯網芯片項目、商業WiFi6芯片項目、智能IPC芯片設計項目、多種無線協議融合、多場域下高精度導航定位整體解決方案及平臺項目、研發中心建設項目、補充流動資金項目。參與本次戰略配售的投資方包括包括國家大基金二期、兆易創新、美的、聞泰科技等，其中，國家大基金二期本次以約2億元資金獲配翱捷科技1,209,462股。目前，翱捷科技已成功量產超過25顆全新芯片，產品線全面覆蓋蜂窩通信領域、非蜂窩通信領域，并在芯片定制、IP授權等領域實現大額收入。（資料來源：全球半導體觀察）國際半導體企業天津工廠停工，復工時間待定。1月9日，根據天津市政府指示，全市范圍開展全員核酸檢測并采取人員流動管控措施。為此，在天津市設有工廠的全球知名半導體廠商羅姆宣布其天津工廠暫時停止生產。羅姆半導體（中國）有限公司是經全球知名半導體廠商日本羅姆株式會社在天津成立的全資子公司，該公司投資總額340.62億日元，位于天津經濟技術開發區的微電子工業區。公司主要從事用羅姆自主開發、具有世界領先技術生產，廣泛應用于手機、數字照相機、數字攝像機、DVD、PC、多功能打印機及各種音響設備的片式二極管、片式發光二極管、傳感器、半導體激光器、液晶顯示器等半導體分產元器件。01臺積電的低預期摩爾定律指出，芯片上的晶體管數量應每兩年翻一番，半個多世紀以來，它一直是衡量半導體進步的金蠟燭。由于芯片尺寸大致保持不變，這實際上意味著晶體管密度（即針對相同面積歸一化的晶體管數量）應該每兩年翻一番。在這方面已經普及的度量標準是MTr/mm2（每平方毫米數百萬個晶體管），為方便起見，將進一步縮寫為簡單的MT。比如Intel的10nm（改名為Intel7）的密度是100MTr/mm2，或者干脆是100MT。1、N5差于預期雖然N5作為臺積電在2018年從英特爾手中奪取制程領先地位的N7的繼任者，在2020年推出的蘋果（AAPL）A14中延續了臺積電的領導地位，但迄今為止，臺積電對實際工藝規格仍然非常模糊，此外說N5與N7相比縮小了1.8倍（略低于2倍基準，但符合臺積電每個節點的平均縮小）。這讓很多人得出結論，N5的邏輯密度達到了171MT甚至更高，遠超Intel最先進的10nm/7工藝的100MT。然而，Angstronomics基于實際測量的新分析表明，情況并非如此。雖然在2020年蘋果公司報告A14的晶體管數量時，N5沒有實現預期縮小的第一個暗示已經浮出水面，但實際的晶體管測量提供了確鑿的證據，即N5實際上只實現了1.52倍的縮小。對于投資者來說，這應該是一個危險信號。2、N3也比預期差正如投資者所知，積累財富的關鍵是復合回報。然而，反過來也是正確的：以較低的復合年增長率進行復利將顯著降低累積長期回報。因此，鑒于N5帶來的收縮低于預期，這會流向N3，因此也提供低于預期的密度。例如，幾年前曾預計N3將提供約300公噸的密度。然而，上述信息得出的新（初步）密度估計僅為215公噸。雖然較低的密度肯定會降低節點的絕對競爭力，但最終重要的是相對競爭力，例如英特爾此后也推遲了其7nm節點（更名為英特爾4）。在這方面，最近英特爾在一次會議上透露了相當多的信息。最令人驚訝的是，英特爾4基本上已淪為一個權宜之計節點，只有一個高性能邏輯庫。作為比較，以前的節點具有三個庫以及更多功能，例如I/O和模擬。因此，盡管Intel4提供了2倍的擴展（因為CPU大量使用高性能庫），但節點的理論最大密度（本文的主題）僅為123MT。因此，直到2024年初的Intel3，Intel才會再次實現密度的重大飛躍。根據我的分析，2-1庫（數字代表每個PMOS和NMOS晶體管的鰭片數量）應該提供大約200MT的密度，而1-1庫可以提供超過230MT的密度，超過TSMC的N3。雖然TMSC正在開發更高密度的N3S節點，但它的精確時間尚不清楚。為了完整起見，請注意，目前這只是猜測，因為英特爾甚至還沒有正式確認英特爾3將有一個高清庫，只是說它將有一個“更高密度的惠普庫”。盡管如此，英特爾的每個FinFET節點（從22nm開始）都有一個高清庫，如果英特爾3沒有一個高清庫，這將是令人驚訝的，特別是因為英特爾3也是針對英特爾代工服務客戶的。另外，我對2-1或1-1fin庫的猜測是在臺積電宣布自己的N32-1庫之前做出的，而N3S很可能是1-1庫；這驗證了2-1庫是合理的。總之，2-1庫將使英特爾在鰭片數量和整體晶體管密度方面基本上與臺積電相當（英特爾3大約為200噸，而N3大約為215噸）。盡管英特爾在上市時間方面會晚一年。我在2020年的初步分析表明，英特爾4（當時稱為7nm）在晶體管密度方面將落在N5和N3之間。但是，根據目前的信息，僅考慮HP（高性能）庫時，Intel4實際上似乎比N5更接近N3，而由于缺少HD（高密度）庫，Intel4在最大密度方面明顯落后。因此，直到英特爾3，即英特爾4（和N3）一年后，英特爾才會推出新的高清庫。不過，與HP庫的情況類似，Intel3HD庫實際上應該與N3差不多。3、N2也比預期的差英特爾3不僅比之前預期的更接近臺積電N3，而且N2也一直在違背預期的下行空間。如前所述，N2的時間安排使該節點比N3的節奏慢了3年，而N3本身已經處于相對緩慢的2.5年節奏，同時也帶來了約1.55倍的平庸收縮。但血腥屠殺仍在繼續。臺積電最近在其技術研討會上提供了更多關于N2的信息，而且非常糟糕。臺積電表示，預計N2將帶來“1.1倍”的縮小。這個數字是基于50%邏輯、30%SRAM和20%模擬的芯片組成。即使假設SRAM和模擬根本不縮小，那么邏輯縮放比例應該在20-30%左右（除非TSMC出于某種原因顯著降低了>1.1倍的數字）。最終，這意味著在2026年N2投放市場時，臺積電將提供人們直到最近才真正期待2023年N3的晶體管密度。02擴展趨勢與英特爾如果以上聽起來臺積電不會有競爭力而失去領導地位，這似乎是正確的。雖然如上所述還沒有官方確認，但BobSwan在2019年底曾表示7nm（英特爾4/3）和5nm（20A/18A）都將實現2倍的縮小。從那以后，英特爾進一步表示，它可以在超過20A/18A的節點上實現40-100%的密度進一步增加。從表面上看，這意味著到2025年初，英特爾可能會提供400噸的晶體管密度，到2026年將達到800噸。從上面的討論中，N2幾乎完全沒有規模化意味著臺積電在2026年甚至可能很難達到300噸。這意味著，在最壞的情況下，到2026年，英特爾的晶體管密度可能是臺積電的3倍。這將是一個令人震驚且非常迅速的消亡。總體而言，從N5到N3再到N2（時間是從Q3'20到Q2'26），臺積電將在6年內實現約2倍的擴展，復合年增長率為13%。相比之下，從英特爾4到3到20A到18A到14A（時間是從23年第二季度到26年第四季度），英特爾將在3.5年內實現約6.5倍的擴展。需要明確的是，對于臺積電來說，直到N3的數字基本得到確認，而根據臺積電本身的說法，所討論的N2僅代表輕微的收縮（>1.1x”）。對于英特爾來說，直到英特爾4的數字得到確認，而英特爾3假定英特爾7縮小了2倍，英特爾18A假定英特爾3縮小了2倍。此信息來自BobSwan在2019年談到“7nm”和“5nm”時“縮小。顯然，其中一些目標可能在過去三年中發生了變化。最后，2026年的14A節點假設再縮小2倍。這個節點也有一些假設，盡管總體假設是英特爾將簡單地以繼續遵循摩爾定律為目標。例如，2021年10月PatGelsinger表示，結合英特爾的3D封裝，他預計未來十年英特爾的發展速度將超過摩爾定律。特別是，假設該節點引入了英特爾在2021年12月披露的“CFET”晶體管架構，并評論說這可以實現30-50%的縮小。雖然此處假設的50%縮小（2倍密度）處于該范圍的高端，但即使14A實現了0%的縮小，英特爾仍將保持其領先地位。英特爾為自己設定的目標是繼續摩爾定律，每個節點（每兩年）將晶體管密度提高2倍。為了重新奪回制程領先地位，英特爾正在通過將節奏加速至20A（這兩個節點之間僅相差18個月左右）來彌補英特爾4的延遲。另一方面，臺積電在N5（~1.5倍）開始顯著減緩其密度擴展并在N2（估計為~1.25倍）接近停滯，同時在N3和3也顯著放緩至2.5年才能達到N2。03風險及注意事項正如英特爾披露的英特爾4所表明的那樣，主要困難在于工藝技術和實際芯片通常由幾個不同的“單元庫”組成，每個單元庫在性能、功率和面積(PPA)方面都有不同的權衡。首先，這意味著本文的討論有點學術性。例如，英特爾（在大多數情況下）一開始甚至沒有為其CPU使用100MTHD庫，因為CPU旨在達到盡可能高的時鐘速度（性能）。盡管如此，正如上面引用的Angstronomics文章所示，理論和實際實現的晶體管密度之間仍然存在很強的相關性。舉個假設的例子，如果Intel3和TSMCN3的密度都在210MT左右，那么在這兩種工藝上制造的AppleSoC應該會產生大致相同的芯片尺寸。其次，更重要的是，不同的庫可能會在節點之間實現不同的收縮。在這種情況下，雖然英特爾已經詳細說明了英特爾4HP庫是如何實現2倍縮小的，