微型計算機的組成第1頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六CPU主要參數及規格型號一、CPU架構，就是CPU核心的設計方案。目前CPU大致可以分為X86、IA64、RISC等多種架構，而個人電腦上的CPU架構，其實都是基于X86架構設計的，稱為X86下的微架構，常常被簡稱為CPU架構。更新CPU架構能有效地提高CPU的執行效率，但也需要投入巨大的研發成本，因此CPU廠商一般每2-3年才更新一次架構。近幾年比較著名的X86微架構有Intel的Netburst（Pentium4/PentiumD系列）、Core（Core2系列）、Nehalem（Corei7/i5/i3系列），以及AMD的K8（Athlon64系列）、K10（Phenom系列）、K10.5（AthlonII/PhenomII系列）。第2頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六二、CPU制造工藝：我們常說的CPU制作工藝是指生產CPU的技術水平，改進制作工藝，就是通過縮短CPU內部電路與電路之間的距離，使同一面積的晶圓上可實現更多功能或更強性能。制作工藝以納米（nm）為單位，目前CPU主流的制作工藝是45nm和32nm。對于普通用戶來說，更先進的制作工藝能帶來更低的功耗和更好的超頻潛力。三、CPU位寬

32/64位指的是CPU位寬，更大的CPU位寬有兩個好處：一次能處理更大范圍的數據運算和支持更大容量的內存。對于前者，普通用戶暫時沒法體驗到其優勢，但對于后者，很多用戶都碰到過，一般情況下32位CPU只支持4GB以內的內存，更大容量的內存無法在系統識別（服務器級除外）。于是就有了64位CPU，然后就有了64位操作系統與軟件。第3頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六四、主頻、倍頻、外頻、前端總線頻率、超頻：CPU主頻，就是CPU運算時的工作頻率，一般以MHz和GHz為單位。主頻=外頻x倍頻。而我們常說的超頻，就是通過手動提高外頻或倍頻來提高主頻。前端總線FSB（FrontSideBus）是處理器與主板北橋芯片或內存控制集線器之間的數據通道五、核心數、線程數：雖然提高頻率能有效提高CPU性能，但受限于制作工藝等物理因素，早在2004年，提高頻率便遇到了瓶頸，于是Intel/AMD只能另辟途徑來提升CPU性能，雙核、多核CPU便應運而生。目前主流CPU有雙核、三核和四核，六核也將在今年發布。其實增加核心數目就是為了增加線程數，因為操作系統是通過線程來執行任務的，一般情況下它們是1:1對應關系，也就是說四核CPU一般擁有四個線程。但Intel引入超線程技術后，使核心數與線程數形成1:2的關系，如四核Corei7支持八線程（或叫作八個邏輯核心），大幅提升了其多任務、多線程性能。第4頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六六、緩存：

緩存，Cache，它也是決定CPU性能的重要指標之一。為什么要引入緩存？在解釋之前必須先了解程序的執行過程，首先從硬盤執行程序，存放到內存，再給CPU運算與執行。由于內存和硬盤的速度相比CPU實在慢太多了，每執行一個程序CPU都要等待內存和硬盤，引入緩存技術便是為了解決此矛盾，緩存與CPU速度一致，CPU從緩存讀取數據比CPU在內存上讀取快得多，從而提升系統性能。當然，由于CPU芯片面積和成本等原因，緩存都很小。目前主流級CPU都有一級和二級緩存，高端的甚至有三級緩存。第5頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

CPU的工作電壓就是CPU正常工作所需的電壓，與制作工藝及集成的晶體管數相關。正常工作的電壓越低，功耗越低，發熱減少。CPU的發展方向，也是在保證性能的基礎上，不斷降低正常工作所需要的電壓。例如老核心AthlonXP的工作電壓為1.75v，而新核心的AthlonXP其電壓為1.65v七、工作電壓第6頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六TDP功耗：TDP的英文全稱是“ThermalDesignPower”，中文翻譯為“熱設計功耗”，是反應一顆處理器熱量釋放的指標，它的含義是當處理器達到負荷最大的時候，釋放出的熱量，單位為瓦（W）。

CPU的TDP功耗并不是CPU的真正功耗。CPU的功耗（功率）等于流經處理器核心的電流值與該處理器上的核心電壓值的乘積。而TDP是指CPU電流熱效應以及其他形式產生的熱能，他們均以熱的形式釋放。顯然CPU的TDP小于CPU功耗。換句話說，CPU的功耗很大程度上是對主板提出的要求，要求主板能夠提供相應的電壓和電流；而TDP是對散熱系統提出要求，要求散熱系統能夠把CPU發出的熱量散掉，也就是說TDP功耗是要求CPU的散熱系統必須能夠驅散的最大總熱量。八、TDP功耗：第7頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六封裝是采用特定的材料將CPU芯片或CPU模塊固化在其中以防損壞的保護措施，從大的分類來看通常采用Socket插座進行安裝的CPU使用PGA(CeramicPinGridArrauPackage插針柵格陣列)方式封裝，現在還有PLGA(PlasticLandGridArray)、OLGA(OrganicLandGridArray)等封裝技術。由于市場競爭日益激烈，目前CPU封裝的發展方向以節約成本為主。九、封裝形式（體積、散熱、安裝方便可靠）

PLGA即塑料焊盤柵格陣列封裝。由于沒有使用針腳，而是使用了細小的點式接口，具有更小的體積、更少的信號傳輸損失和更低的生產成本，可以有效提升處理器的信號強度、提升處理器頻率，同時也可以提高處理器生產的良品率、降低生產成本。目前Intel公司Socket775接口的CPU采用了此封裝。

OPGA封裝（有機管腳陣列）。這種封裝的基底使用的是玻璃纖維，類似印刷電路板上的材料。此種封裝方式可以降低阻抗和封裝成本。OPGA封裝拉近了外部電容和處理器內核的距離，可以更好地改善內核供電和過濾電流雜波。AMD公司的AthlonXP系列CPU大多使用此類封裝。第8頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第9頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六自處理器誕生起,處理器命名編號的變化便貫穿其中.早期處理器的命名方式相當直接、明了,比如P3-933、P4-2.4GHzC,讓大家一看就知道處理器的規格及功能.現在引入了新的“數字”命名規范.這項命名方式的改變主要是希望將處理器的重點不再只集中在“頻率”,凸顯出每個產品的性能差異.如T開頭的為筆記本CPU,E、X、Q開頭的為臺式PC的CPU,其中E開頭的是雙核,X、Q開頭的是四核.10、規格型號第10頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六臺式CPU、CPU內核ConroeCPU架構EM64T雙核心內核電壓（V）0.85V-1.3525V制作工藝（微米）0.065微米CPU頻率主頻（MHz）2660MHz總線頻率（MHz）1066MHz倍頻（倍）10外頻266MHzE6700Socket775針腳數775pinCPU緩存L1緩存（KB）64KBL2緩存（KB）2MB*2CPU技術超線程技術不支持第11頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六i3530CPU頻率主頻2930MHz外頻133MHz倍頻22倍插槽類型LGA1156針腳數目1156pinCPU內核核心數量雙核心線程數四線程制作工藝32納米核心類型ClarkdaleCPU架構Nehelem熱設計功耗(TDP)73W內核電壓0.6-1.4V晶體管數量1.77億核心面積114平方毫米CPU緩存一級緩存2×64K二級緩存2×256K三級緩存4MBi3530第12頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六二、硬盤參數及規格型號

1、硬盤參數

（1）硬盤外形：3.5英寸全高硬盤，3.5英寸半高硬盤，2.5英寸硬盤（2）硬盤容量：單位GB，如320GB、500GB。

（3）硬盤盤片數：單片、兩片等

（4）硬盤接口類型：ATA、SCSI，SATA硬盤（5）硬盤轉速：4200轉/分，5400轉/分，7200轉/分，10000轉/分，15000轉/分。（6）硬盤緩存容量：2MB緩存，8MB緩存、16MB緩存等。第13頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第14頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第15頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第16頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六2硬盤規格型號例如:HDP725050GLA360

H=Hitachi（日立標識）

D=Deskstar

P=P7K500系列（S代表Standard）

72=7200轉

50=此系列產品的最大容量為500GB（10=1000GB）

50=此款硬盤容量為500GB（16=160GB，25=250GB，32=320GB,50=500GB,75=750GB，10=1000GB）

G=系列代號

L=標準尺寸

A3=SATA3.0Gb/s接口（AT=PATA133接口）

6=16MB緩存（8=8MB緩存，6=16MB緩存，3=32MB緩存）

0=保留位第17頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六例如:ST3500320AS

ST=Seagate（希捷）

3

=3.5英寸（1=3.5英寸全高硬盤，3=3.5英寸半高硬盤）

500

=500GB容量（160=160GB，250=250GB，320=320GB，以此類推）

3=32MB緩存（8=8MB，6=16MB）

2=兩張碟片（1=單碟，3=三碟，4=四碟）

0=

保留位

S=SerialATA串行接口（A=PATA并行接口）第18頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六例如:WD2500JS-00SGB0

WD

=WesternDigital（西部數據）

2500

=250GB容量（1600=160GB，5000=500GB，以此類推）

J=7200rpm/8MB緩存（B=7200轉2MB，E=5400轉Protege系列，G=10000轉8MB）

S=SATA300MB/s接口（B=ATA接口，D=SATA150MB/s接口）

00=零售市場（非00則是面向OEM客戶）

S=單碟容量

G=代表同系列硬盤的版本

B0=代表硬盤Firmware版本（我們常見的就是A0和B0）第19頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六三、內存參數及規格型號1、速度。

內存速度一般用于存取一次數據所需的時間（單位一般都ns）來作為性能指標，時間越短，速度就越快。

2、容量。

單條內存的容量通常為512M、1G、2G、4G等3、內存電壓。

SDRAM使用3.3V電壓，而DDR使用2.5V電壓，DDR二代的電壓是1.8V，DDR3是1.5V4、數據寬度和帶寬。

內存的數據寬度是指內存同時傳輸數據的位數，以bit為單位，SDRAM32位，DDR1、DDR2、DDR3為64bit。內存的帶寬是指內存的數據傳輸速率(Mbps)。DDR1(200～400)、DDR2（400～800）、DDR3（800～2000）1Byte=8bit第20頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六五、內存的線數

內存的線數是指內存條與主板接觸時接觸點的個數，這些接觸點就是金手指，有168線、184線和240線等。

六、工作頻率（Mhz)

DDR1頻率分別有266333400DDR2頻率分別有4005336678001066DDR3頻率分別有106613331600

第21頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六七、內存的工作方式

SDRAM（同步動態RAM）使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數據

DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM是SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

DDR2（DoubleDataRate2）：它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據預讀取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。第22頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓,從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好，更為省電;DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀.DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度,盡管目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3內存模組仍會從1066Mhz起跳.DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計:1.8bit預取設計,而DDR2為4bit預取,這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz.2.采用點對點的拓樸架構,以減輕地址/命令與控制總線的負擔.在DDR3系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（Point-to-Point）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。

第23頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六3.采用100nm以下的生產工藝,增加異步重置(Reset)與ZQ校準功能.當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，并切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

第24頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDRSDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。4.參考電壓分成兩個：對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的VREFCA，另一個是為數據總線服務的VREFDQ，它將有效的提高系統數據總線的信噪等級。）

第25頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

DDR4內存的有效運行頻率初步設定在2133-4266MHz之間，運行電壓則會進一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節能版，生產工藝預計首批采用36nm或者32nm。

5.根據溫度自動自刷新：為了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3采用了一種新型的自動自刷新設計，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。

第26頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六八、內存的校驗（1）奇偶校驗.內存中最小的單位是比特,也稱為"位",位有只有兩種狀態分別以1和0來標示,每8個連續的比特叫做一個字節(byte).不帶奇偶校驗的內存每個字節只有8位,如果其某一位存儲了錯誤的值,就會導致其存儲的相應數據發生變化,進而導致應用程序發生錯誤.而奇偶校驗就是在每一字節(8位)之外又增加了一位作為錯誤檢測位.在某字節中存儲數據之后,在其8個位上存儲的數據是固定的,因為位只能有兩種狀態1或0,假設存儲的數據用位標示為1、1、1、0、0、1、0、1,那么把每個位相加(1+1+1+0+0+1+0+1=5),結果是奇數.對于偶校驗,校驗位就定義為1,反之則為0;對于奇校驗,則相反.當CPU讀取存儲的數據時,它會再次把前8位中存儲的數據相加,計算結果是否與校驗位相一致.從而一定程度上能檢測出內存錯誤,奇偶校驗只能檢測出錯誤而無法對其進行修正,同時雖然雙位同時發生錯誤的概率相當低,但奇偶校驗卻無法檢測出雙位錯誤.

第27頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

ECC(ErrorCheckingandCorrecting,錯誤檢查和糾正)內存,它同樣也是在數據位上額外的位存儲一個用數據加密的代碼.當數據被寫入內存,相應的ECC代碼與此同時也被保存下來.當重新讀回剛才存儲的數據時,保存下來的ECC代碼就會和讀數據時產生的ECC代碼做比較.如果兩個代碼不相同,他們則會被解碼,以確定數據中的那一位是不正確的.然后這一錯誤位會被拋棄,內存控制器則會釋放出正確的數據.被糾正的數據很少會被放回內存.假如相同的錯誤數據再次被讀出,則糾正過程再次被執行.重寫數據會增加處理過程的開銷,這樣則會導致系統性能的明顯降低.如果是隨機事件而非內存的缺點產生的錯誤,則這一內存地址的錯誤數據會被再次寫入的其他數據所取代.如果數據位是8位,則需要增加5位來進行ECC錯誤檢查和糾正,數據位每增加一倍,ECC只增加一位檢驗位,也就是說當數據位為16位時ECC位為6位,32位時ECC位為7位,數據位為64位時ECC位為8位,依此類推,在內存中ECC能夠容許錯誤,并可以將錯誤更正,使系統得以持續正常的操作,不致因錯誤而中斷,且ECC具有自動更正的能力,可以將Parity無法檢查出來的錯誤位查出并將錯誤修正.

第28頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六1、tRAS在內存規范的解釋是ActivetoPrechargeDelay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求后到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開始接受數據的間隔時間。2.tRCD是指RAStoCASDelay（RAS至CAS延遲)，對應于CAS,RAS是指RowAddressStrobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內存尋址。RAS(數據請求后首先被激發)和CAS(RAS完成后被激發)并不是連續的，存在著延遲。

3.CAS

（Column

Address

Strobe，列地址選通信號），準確的說應該是CL（CAS

Latency，縱列存取延遲時間），它用時鐘周期數表示。在某一固定外頻下，其數值越小越好，一般為2個時鐘周期。

九、內存時間參數第29頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六4.tRP

指RASPrechargeTime，行預充電時間。也就是內存從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS,然后RAS,tRCD,和CAS之后，需要結束當前的狀態然后重新開始新的循環，再從tRAS開始。這也是內存工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的數據變化，例如視頻渲染，此時一個程序就需要使用很多的行來存儲，tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度越快。以時鐘周期數表示，一般為2。

5.tAC數據存取時間。一般是6ns或6.5ns，其值越小越好tAC是AccessTimefromCLK的縮寫,是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘,是以納秒為單位的,存取時間(tAC)代表著讀取、寫入的時間。

6.tCLK時鐘周期。tCLK決定內存芯片的額定最高工作頻率。額定最高工作頻率=1000/tCLK，如：tCLK=10ns，則額定最高工作頻率=100MHz。

7.Burst

Cycle

Time突發周期時間（突發長度決定了READ或者WRITE命令能夠訪問的列地址的最大數目）第30頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六顯示卡參數及規格型號（1）顯卡核心：ATI系列、nVIDIA比如ATI方面4650/4670/4830/4850

nVIDIA方面Geforce9600GSO/9800GTX+

（2）顯存類型：DDRII或者DDRIII

（3）顯存位寬與顯存容量128位、256位256M、512M、1G

（4）總線接口：AGP、PCI-EPCI-E有1X到16X速度

（5）輸出接口

VGA(模擬接口)DVI(數字接口)HDMI(高清接口)

HDMI是終結以往影音分離傳輸的全新接口;其最大傳輸速度可達5Gb/s,除影像數據外,更可同時傳輸高達8聲道的音訊信號;非壓縮式的數字數據傳輸,可有效降低數/類轉換所造成的信號干擾與衰減.HDMI是首個支持在單線纜上傳輸,不經過壓縮的全數字高清晰度、多聲道音頻和智能格式與控制命令數據的數字接口.HDMI接口由SiliconImage美國晶像公司倡導,聯合索尼、日立、松下、飛利浦、湯姆遜、東芝等八家著名的消費類電子制造商聯合成立的工作組共同開發的.

第31頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第32頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第33頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六（6）顯卡的分辨率:640X480、1024X768、1280X1024等

（7）散熱系統：散熱器、風扇

第34頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六顯示器技術參數及規格信號1、顯示器分類：

CRT顯示器、液晶顯示器

CRT顯示器顯示組件是銀光粉和電子束掃描。

液晶顯示器的顯示組件是液晶材料和背光燈。通俗地說液晶顯示器就是兩塊玻璃中間夾了一層（或多層）液晶材料，玻璃后面有幾根燈管持續發光，液晶材料在信號控制下改變自己的透光狀態，于是你就能在玻璃面板前看到圖像了。

2、可視面積和比例：顯示器的對角線距離（英寸）如：19英寸、23英寸等

比例是寬高比，如：16:9,16:10,4:3等3、色彩：現實中的顏色是有無限種的,而液晶由于自身的限制,是不能表現出無數種顏色的.我們常用的就是16.2M和16.7M,顏色越多,在一些比較復雜的畫面,尤其是顏色逐漸過度逐漸變化的畫面中,顯示器的表現就越好.16.7M.就是1670萬種顏色第35頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六4、點距和分辨率：點距是指組成液晶顯示屏的每個像素點之間的間隔大小（毫米），分辨率為：指屏幕多少個像素點如1024×768、1440×900等。

最佳分辨率（物理分辨率），也叫最大分辨率，在該分辨率下，才能顯現最佳圖像。液晶顯示器也可在較低分辨率的顯示，有兩種方式進行顯示。第一種為居中顯示：例如在1024×768的屏幕上顯示800×600的畫面時，只有屏幕居中的800×600個像素被呈現出來，其它被呈現出來的像素則維持黑暗。目前該方法較少采用。另一種稱為擴展顯示：在顯示低于最佳分辨率的畫面時，各像素點通過差動算法擴充到相鄰像素點顯示，從而使整個畫面被充滿。這樣也使畫面失去原來的清晰度和真實的色彩。。

第36頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六5、亮度：顯示器亮度是指物體明暗的程度（單位面積的發光強度），它的單位是nits(尼特)或稱堪德拉每平米(cd/m2)，1nits=1坎特拉/平方米，亮度越高，顯示器對周圍環境的抗干擾能力就越強，顯示效果顯得更明亮。此參數至少要達到200cd／m2，最好在250cd／m2以上。6、對比度（動態對比度）：

對比度是指在規定的照明條件和觀察條件下，顯示器亮區與暗區的亮度之比。對比度是直接體現該液晶顯示器能否體現豐富色階的參數，對比度越高，還原的畫面層次感就越好。如1000∶1。對比度必須與亮度配合才能產生最好的顯示效果。

動態對比度：在背光可控下達到的最大對比度

如5000000:1動態對比度對于那些需要頻繁在明亮場景和昏暗場景切換的應用才有較為明顯的實際意義，如：影視，而文本處理、上網、辦公、編程全部基本沒有明暗變化較大的情況出現第37頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六7、可視角度：液晶顯示器屬于背光型顯示器件，其發出的光由液晶模塊背后的背光燈提供，這必然導致液晶顯示器只有一個最佳的欣賞角度———正視。當你從其他角度觀看時，由于背光可以穿透旁邊的像素而進入人眼，就會造成顏色的失真，不失真的范圍就是液晶顯示器的可視角度。液晶顯示器的視角還分為水平視角和垂直視角，水平視角一般大于垂直視角。目前來看，只要在水平視角上達到120度就可以滿足大多數用戶的應用需求了。8、響應時間：響應時間指的是LCD顯示器對于輸入信號的反應速度，也就是液晶由暗轉亮或者是由亮轉暗的反應時間。一般來說分為兩個部分：Tr（上升時間）、Tf（下降時間），而我們所說的響應時間指的就是兩者之和，響應時間越小越好，如果超過40毫秒，就會出現運動圖像的遲滯現象。9、接口：VGA、DVI、HDMI第38頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六10、液晶面板類型：

VA型：VA型液晶面板在目前的顯示器產品中應用較為廣泛的，使用在高端產品中，16.7M色彩和大可視角度是它最為明顯的技術特點，目前VA型面板分為兩種：MVA、PVA。MVA型：全稱為（Multi-domainVerticalAlignment），是一種多象限垂直配向技術。它是利用突出物使液晶靜止時并非傳統的直立式，而是偏向某一個角度靜止；當施加電壓讓液晶分子改變成水平以讓背光通過則更為快速，這樣便可以大幅度縮短顯示時間，也因為突出物改變液晶分子配向，讓視野角度更為寬廣。在視角的增加上可達160度以上，反應時間縮短至20ms以內。PVA型：是三星推出的一種面板類型，是一種圖像垂直調整技術，該技術直接改變液晶單元結構，讓顯示效能大幅提升，可以獲得優于MVA的亮度輸出和對比度。此外在這兩種類型基礎上又延出改進型S-PVA和P-MVA兩種面板類型，在技術發展上更趨向上，可視角度可達170度，響應時間被控制在20毫秒以內，而對比度可輕易超過700:1的高水準，第39頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

IPS型：IPS型液晶面板具有可視角度大、顏色細膩等優點，看上去比較通透，這也是鑒別IPS型液晶面板的一個方法，PHILIPS不少液晶顯示器使用的都是IPS型的面板。而S-IPS則為第二代IPS技術，它又引入了一些新的技術，以改善IPS模式在某些特定角度的灰階逆轉現象。LG和飛利浦自主的面板制造商也是以IPS為技術特點推出的液晶面板。

TN型：這種類型的液晶面板應用于入門級和中端的產品中，價格實惠、低廉，被眾多廠商選用。在技術上，與前兩種類型的液晶面板相比在技術性能上略為遜色，它不能表現出16.7M艷麗色彩，只能達到16.7M色彩（6bit面板）但響應時間容易提高。可視角度也受到了一定的限制，現在市場上一般在8ms響應時間以內的產品大多都采用的是TN液晶面板。

液晶面板連系著液晶顯示器自身的質量、價格和市場走向。其中液晶面板關系著玩家最看重的響應時間、色彩、可視角度、對比度等參數第40頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六（1）CCFLColdCathodeFluorescentLamp簡稱CCFL,中文譯名為冷陰極螢光燈管

（2）LED是發光二極管(LightEmittingDiode,LED)的簡稱11、背光一般來說有CCFL和LED兩種！第41頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六三星BX2350的技術參數

尺寸：23英寸

面板類型：TN

背光類型：LED背光

色彩：16.7M點距：0.266mm分辨率：1920×1080

屏幕比例：16:9

亮度：250nits對比度：1000:1(5000000:1動態)

可視角度(水平/垂直)：176/170...

灰階響應時間：2ms

接口類型：VGA,HDMI×2支持HDCP

HDCP是High-bandwidthDigitalContentProtection的縮寫，中文可稱作“HDCP數字內容保護”。不支持HDCP協議的顯示器無法正常播放有版權的高清節目。

第42頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六主板技術參數及規格信號PCB板是一塊多層印刷電路板，通過它主板才能把CPU、內存以及各種總線擴展槽鏈接起來。PCB板一般為4層、6層或8層，板的層數越多，主板的根基就越扎實，能夠保證電子元器件不相干擾，這樣主板性能也就越穩定。1.PCB基板2.CPU插座

3.電源插座4.主板芯片組

主板芯片組主要由北橋芯片和南橋芯片組成。位于CPU和內存插槽附近的是北橋芯片，通常會有散熱片，它是CPU與外部設備之間的聯系紐帶，主要負責控制主板的CPU、內存、AGP等高速設備。第43頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

南橋(SouthBridge)與北橋共同組成了芯片組，主要連接ISA設備和I/O設備。南橋芯片負責管理中斷及DMA通道，其作用是讓所有的資料都能有效傳遞。

5.插槽

AGP、PCI-E、PCI、ISA、內存插槽

第44頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第45頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第46頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第47頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第48頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六第49頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六微機維修方法觀察法、最小系統法、逐步添加去除法、隔離法、替換法、比較法、升降溫法、敲打法、清潔法，這些可以機動搭配使用，以求快而準地找出電腦故障點。

一、觀察法

觀察，是維修斷定進程中第一要法。視察不僅要當真，而且要全面。要察看的內容包含：

四周的環境；硬件環境。包括接插頭、座和槽等；軟件環境；用戶操作的習慣、過程

第50頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

二、最小系統法

最小系統是指，從維修判斷的角度能使電腦開機或運行的最基本的硬件和軟件環境。最小系統有兩種情勢：

硬件最小系統：由電源、主板和CPU組成。在這個系統中，不任何信號線的連接，只有電源到主板的電源連接。在判斷過程中是通過聲音和診斷卡上的代碼來判斷這一中心組成部分是否可正常工作；

軟件最小系統：由電源、主板、CPU、內存、顯示卡/顯示器、鍵盤和硬盤組成。這個最小系統主要用來判斷系統是否可實現畸形的啟動與運行。

最小系統法，主要是要先判斷在最基本的軟、硬件環境中，系統是否可正常工作。如果不能正常工作，即可斷定最基本的軟、硬件部件有故障，從而起到故障隔離的作用。最小系統法與逐步添加法聯合，能較疾速地定位故障點

第51頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

三、逐步添加/去除法

逐步增添法，以最小系統為基礎，每次只向系統添加一個部件/設備或軟件，來檢查故障現象是否消失或產生變更，以此來判斷并定位故障部位。

逐步去除法，正好與逐步增加法的操作相反。

逐步添加/去除法正常要與替換法配合，可較為正確地定位故障部位。

四、隔離法

是將可能妨害故障判斷的硬件或軟件屏蔽起來的一種判斷方法。它也可用來將懷疑互相抵觸的硬件、軟件隔分開以判斷故障是否發生變化的一種方法。上提到的軟硬件屏蔽，對于軟件來說，等于結束其運行，或者是卸載；對于硬件來說，是在設備管理器中，禁用、卸載其驅動，或將硬件從系統中去除。第52頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

五、調換法

替換法是用好的部件去取代可能有故障的部件，以判斷故障現象是否消逝的一種維修方法。好的部件可以是同型號的，也可能是不同型號的。替換的順序一般為：故障率高底來考慮最先替換的部件。故障率高的部件先替換最先考核與懷疑有故障的部件相連接的連接線、信號線等，之后是替換懷疑有故障的部件，再后是替換供電部件，最后是與之相關的其它部件。

六、比較法

比較法與替代法相似，即用好的部件與猜忌有故障的部件進行外觀、配置、運行景象等方面的比較，也可在兩臺電腦間進行比較，以判定故障電腦在環境設置，硬件配置方面的不同，從而找出故障部位。

第53頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

七、升降溫法

1）一般抉擇環境溫度較低的時段，如一清早或較晚的時光；2）使電腦停機12~24小時以上等方法實現；3）用電風扇對著故障機吹，以加快降溫速度。4）電烙鐵、熱風槍吹，以加快升溫速度。

八、敲打法

敲打法普通用在疑惑電腦中的某部件有接觸不良的故障時，通過振動、恰當的扭曲，用橡膠錘敲打部件或設備的特定部件來使故障復現，從而判斷故障部件的一種維修方法。

第54頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

九、對電腦產品進行清潔的建議

有些電腦故障，往往是因為機器內灰塵較多引起的，這就要求我們在維修過程中，注意觀察故障機內、外部是否有較多的灰塵，如果是，應當先進行除塵，再進行后續的判斷維修。在進行除塵操作中，以下幾個方面要特別注意：

1、注意風扇的清潔

3、注意接插頭、座、槽、板卡金手指部分的清潔

金手指的清潔，可以用橡皮擦拭金手指部分，或用酒精棉擦拭也可以。插頭、座、槽的金屬引腳上的氧化現象的去除：一是用酒精擦拭，一是用金屬片（如小一字改錐）在金屬引腳上微微刮擦。

第55頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六4、注意大范圍集成電路、元器件等引腳處的清潔

清潔時，應用小毛刷或吸塵器等除掉灰塵，同時要觀察引腳有無虛焊和潮濕的現象，元器件是否有變形、變色或漏液現象。

5、注意使用的清潔工具

清潔用的工具，首先是防靜電的。如清潔用的小毛刷，應使用自然毛料制成的毛刷，禁用塑料毛刷。其次是如使用金屬工具進行清潔時，必需堵截電源，且對金屬工具進行泄放靜電的處置。

用于清潔的工具包括：小毛刷、皮老虎、吸塵器、抹布、酒精（不可用來擦拭機箱、顯示器等的塑料外殼）。

6、對于比較濕潤的情況，使其干燥后

第56頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六主板常見故障

一、主板故障產生的原因

主板故障產生的原因有多種，主要可以分為人為因素、環境因素、元器件質量等。

1.人為因素

人為造成的故障比外界因素造成的故障多，主要是操作不當。如帶電插拔電纜、數據線、控制卡、網卡、顯示卡、內存條等，這容易造成元器件的短路，嚴重時，有可能燒毀主板;開關設置不對或跳線接錯，也可能會造成主板的損壞。

2.環境因素

瞬間電壓的變化會由于感應電壓峰值太大而對主板造成損壞;人體帶電可以高達千伏，如果用手觸摸CMOS、BIOS器件，會把它們擊穿;灰塵、溫度、濕度及外界的影響、干擾也會損壞主板的功能。有條件的用戶應配備穩壓電源和不間斷電源UPS。工作電源的地線要真正接地，接地電阻應盡可能小。應該保持正常的溫度和濕度，定期打開機箱用毛刷和吸塵器除去主板上的灰塵

。

第57頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

3.元器件質量

主板上有很多芯片、電容、電阻、功率管、穩壓管等元器件。這些元器件可能會因為種種原因損壞，比如CPU插座附近的電容如果有質量問題，很可能在使用一段時間后出現“爆漿”的嚴重故障。若電源質量不好，主板I/O插槽中的控制卡超載運行、適配卡出現故障時沒有及時排除或者其他配件短路往往會讓主板上的芯片、電阻、功率管、穩壓管燒毀。第58頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六二、開機鳴叫故障主板BIOS有一項重要功能就是POST上電自檢程序，微機接通電源后，系統首先由該程序來對主板本身及內存等主要配件進行檢查，一旦在自檢中發現問題，系統將給出提示信息或鳴笛警告。1短：系統正常啟動

2短：常規錯誤

1長1短：RAM或主板出錯。

1長2短：顯示器或顯示卡錯誤

1長3短：鍵盤控制器錯誤。

1長9短：主板FlashRAM或EPROM錯誤，BIOS損壞。

重復長響：內存條未插緊或損壞重復短響：電源有問題。

第59頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

三、CMOS易掉電、時鐘不準在開機自檢時總出現“CMOSchecksumerror-----Defaultsloades”的提示，此時必須按F1，LoadBIOSdefault才能正常開機。這種情況很可能就是主板上給CMOS供電的紐扣電池沒電了，換一顆電池。有些朋友的電腦時鐘總是不太準確，一天快慢的誤差會達到10分鐘以上，而且CMOS電池電量會很快耗盡，可能的原因是主板CMOS電池插座、CMOS供電電路濾波電容、CMOS芯片有短路或漏電現象。

四、電源類故障

1、開機后，過幾秒鐘就自動關機。

電源開關或RESET鍵按下后彈不起來。

2、不定期的出現重啟現象

電源供電插座有虛接，松動

3、不能開機電源開關、電源開關線、主板電源模塊壞第60頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六五、主板上的保險電阻熔斷

出現找不到鍵盤鼠標、USB移動設備不能使用等現象

六、主板上的電容損壞

當電容因電壓過高或長時受高溫熏烤，會冒泡或淌液，這時電容的容量減小或失容，電容便會失去濾波的功能，使提供負載電流中的交流成份加大，造成CPU、內存、相關板卡工作不穩定，表現為容易死機或系統不穩定，經常出現藍屏。

七、主板自動保護鎖定

有的主板具有自動偵測保護功能，當電源電壓有異常、或者CPU超頻、調整電壓過高等情況出現時，會自動鎖定停止工作。表現就是主板不啟動，這時可把CMOS放電后再加電啟動，有的主板需要在打開主板電源時，按住RESET鍵即可解除鎖定。

第61頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六

八、主板溫控、及溫控失常

由于現在CPU發熱量非常大，主板都提供了嚴格的溫度監控和保護裝置。一般CPU溫度過高，或主板上的溫度監控系統出現故障（如溫控線脫落），主板就會自動進入保護狀態。拒絕加電啟動，或報警提示。

（機器突然藍屏死機，馬上不能重啟或開機，雖過一段時間能開機，但故障會再次出現。）

九、南橋芯片壞1、主板大電流，無法開機2、南橋芯片表面變色或有燒焦痕跡3、硬盤、光驅、USB設備、控制卡等控制異常或無法識別第62頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六十、北橋芯片壞1、主板大電流，無法開機2、北橋芯片表面變色或有燒焦痕跡3、顯示設備、內存控制異常或無法識別4、無法啟動，無法安裝、隨機性死機或藍屏

十一、BIOS芯片壞1、無法開機2、自檢異常、無法識別硬盤、光驅、USB設備等，無法引導操作系統第63頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六電腦主板故障診斷卡代碼

01處理器測試1，處理器狀態核實,如果測試失敗，循環是無限的。處理器寄存器的測試即將開始，不可屏蔽中斷即將停用。CPU寄存器測試正在進行或者失敗。02如果鍵盤緩沖器含有數據就會失效。停用不可屏蔽中斷；通過延遲開始。CMOS寫入／讀出正在進行或者失靈。03清除8042鍵盤控制器，發出TESTKBRD命令（AAH）通電延遲已完成。ROMBIOS檢查部件正在進行或失靈。04使8042鍵盤控制器復位，核實TESTKBRD。鍵盤控制器軟復位／通電測試。可編程間隔計時器的測試正在進行或失靈。05如果不斷重復測試1至5，可獲得8042控制狀態。已確定軟復位／通電；即將啟動ROM。DMA初如準備正在進行或者失靈。第64頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六06使電路片作初始準備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁面寄存器和CMOS停機字節。已啟動ROM計算ROMBIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。DMA初始頁面寄存器讀／寫測試正在進行或失靈。07處理器測試2，核實CPU寄存器的工作。ROMBIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發出BAT（基本保證測試）命令。.08使CMOS計時器作初始準備，正常的更新計時器的循環。已向鍵盤發出BAT命令，即將寫入BAT命令。RAM更新檢驗正在進行或Я欏?09EPROM檢查總和且必須等于零才通過。核實鍵盤的基本保證測試，接著核實鍵盤命令字節。第一個64KRAM測試正在進行。0A使視頻接口作初始準備。發出鍵盤命令字節代碼，即將寫入命令字節數據。第一個64KRAM芯片或數據線失靈，移位。第65頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六0B測試8254通道0。寫入鍵盤控制器命令字節，即將發出引腳23和24的封鎖／解鎖命令。第一個64KRAM奇／偶邏輯失靈。0C測試8254通道1。鍵盤控制器引腳23、24已封鎖／解鎖；已發出NOP命令。第一個64KRAN的地址線故障。0D1、檢查CPU速度是否與系統時鐘相匹配。2、檢查控制芯片已編程值是否符合初設置。3、視頻通道測試，如果失敗，則鳴喇叭。已處理NOP命令；接著測試CMOS停開寄存器。第一個64KRAM的奇偶性失靈0E測試CMOS停機字節。CMOS停開寄存器讀／寫測試；將計算CMOS檢查總和。初始化輸入／輸出端口地址。0F測試擴展的CMOS。已計算CMOS檢查總和寫入診斷字節；CMOS開始初始準備。.10測試DMA通道0。CMOS已作初始準備，CMOS狀態寄存器即將為日期和時間作初始準備。第一個64KRAM第0位故障。第66頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六11測試DMA通道1。CMOS狀態寄存器已作初始準備，即將停用DMA和中斷控制器。第一個64DKRAM第1位故障。12測試DMA頁面寄存器。停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器并使端口B作初始準備。第一個64DKRAM第2位故障。13測試8741鍵盤控制器接口。視頻顯示器已停用，端口B已作初始準備；即將開始電路片初始化／存儲器自動檢測。第一個64DKRAM第3位故障。14測試存儲器更新觸發電路。電路片初始化／存儲器處自動檢測結束；8254計時器測試即將開始。第一個64DKRAM第4位故障。15測試開頭64K的系統存儲器。第2通道計時器測試了一半；8254第2通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第5位故障。16建立8259所用的中斷矢量表。第2通道計時器測試結束；8254第1通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第6位故障。第67頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六17調準視頻輸入／輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。第1通道計時器測試結束；8254第0通道計時器即將完成測試。第一個64DKRAM第7位故障。18測試視頻存儲器，如果安裝選用的視頻BIOS通過，由可繞過。第0通道計時器測試結束；即將開始更新存儲器。第一個64DKRAM第8位故障。19測試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。已開始更新存儲器，接著將完成存儲器的更新。第一個64DKRAM第9位故障。1A測試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。正在觸發存儲器更新線路，即將檢查15微秒通／斷時間。第一個64DKRAM第10位故障。1B測試CMOS電池電平。完成存儲器更新時間30微秒測試；即將開始基本的64K存儲器測試。第一個64DKRAM第11位故障。1C測試CMOS檢查總和。第一個64DKRAM第12位故障。1D調定CMOS配置。.第一個64DKRAM第13位故障。第68頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六1E測定系統存儲器的大小，并且把它和CMOS值比較。.第一個64DKRAM第14位故障。1F測試64K存儲器至最高640K。.第一個64DKRAM第15位故障。20測量固定的8259中斷位。開始基本的64K存儲器測試；即將測試地址線。從屬DMA寄存器測試正在進行或失靈。21維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入／輸出通道的檢查）。通過地址線測試；即將觸發奇偶性。主DMA寄存器測試正在進行或失靈。22測試8259的中斷功能。結束觸發奇偶性；將開始串行數據讀／寫測試。主中斷屏蔽寄存器測試正在進行或失靈。23測試保護方式8086虛擬方式和8086頁面方式。基本的64K串行數據讀／寫測試正常；即將開始中斷矢量初始化之前的任何調節。從屬中斷屏蔽存器測試正在進行或失靈。24測定1MB以上的擴展存儲器。矢量初始化之前的任何調節完成，即將開始中斷矢量的初始準備。設置ES段地址寄存器注冊表到內存高端。第69頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六25測試除頭一個64K之后的所有存儲器。完成中斷矢量初始準備；將為旋轉式斷續開始讀出8042的輸入／輸出端口。裝入中斷矢量正在進行或失靈。26測試保護方式的例外情況。讀出8042的輸入／輸出端口；即將為旋轉式斷續開始使全局數據作初始準備。開啟A20地址線；使之參入尋址。27確定超高速緩沖存儲器的控制或屏蔽RAM。全1數據初始準備結束；接著將進行中斷矢量之后的任何初始準備。鍵盤控制器測試正在進行或失靈。28確定超高速緩沖存儲器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。完成中斷矢量之后的初始準備；即將調定單色方式。CMOS電源故障／檢查總和計算正在進行。29.已調定單色方式，即將調定彩色方式。CMOS配置有效性的檢查正在進行。2A使鍵盤控制器作初始準備。已調定彩色方式，即將進行ROM測試前的觸發奇偶性。置空64K基本內存。第70頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六2B使磁碟驅動器和控制器作初始準備。觸發奇偶性結束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調節。屏幕存儲器測試正在進行或失靈。2C檢查串行端口，并使之作初始準備。完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM并加以控制。屏幕初始準備正在進行或失靈。2D檢測并行端口，并使之作初始準備。已完成任選的視頻ROM控制，即將進行視頻ROM回復控制之后任何其他處理的控制。屏幕回掃測試正在進行或失靈。2E使硬磁盤驅動器和控制器作初始準備。從視頻ROM控制之后的處理復原；如果沒有發現EGA／VGA就要進行顯示器存儲器讀／寫測試。檢測視頻ROM正在進行。2F檢測數學協處理器，并使之作初始準備。沒發現EGA／VGA；即將開始顯示器存儲器讀／寫測試。.第71頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六30建立基本內存和擴展內存。通過顯示器存儲器讀／寫測試；即將進行掃描檢查。認為屏幕是可以工作的。31檢測從C800：0至EFFF：0的選用ROM，并使之作初始準備。顯示器存儲器讀／寫測試或掃描檢查失敗，即將進行另一種顯示器存儲器讀／寫測試。單色監視器是可以工作的。32對主板上COM／LTP／FDD／聲音設備等I／O芯片編程使之適合設置值。通過另一種顯示器存儲器讀／寫測試；卻將進行另一種顯示器掃描檢查。彩色監視器（40列）是可以工作的。33.視頻顯示器檢查結束；將開始利用調節開關和實際插卡檢驗顯示器的關型。彩色監視器（80列）是可以工作的。34.已檢驗顯示器適配器；接著將調定顯示方式。計時器滴答聲中斷測試正在進行或失靈。35.完成調定顯示方式；即將檢查BIOSROM的數據區。停機測試正在進行或失靈。36.已檢查BIOSROM數據區；即將調定通電信息的游標。門電路中A－20失靈。第72頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六37.識別通電信息的游標調定已完成；即將顯示通電信息。保護方式中的意外中斷。38.完成顯示通電信息；即將讀出新的游標位置。RAM測試正在進行或者地址故障＞FFFFH。39.已讀出保存游標位置，即將顯示引用信息串。.3A.引用信息串顯示結束；即將顯示發現ESC信息。間隔計時器通道2測試或失靈。3B用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲器作初始準備。已顯示發現＜ESC＞信息；虛擬方式，存儲器測試即將開始。按日計算的日歷時鐘測試正在進行或失靈。3C建立允許進入CMOS設置的標志。.串行端口測試正在進行或失靈。3D初始化鍵盤／PS2鼠標／PNP設備及總內存節點。.并行端口測試正在進行或失靈。第73頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六3E嘗試打開L2高速緩存。.數學協處理器測試正在進行或失靈。40.已開始準備虛擬方式的測試；即將從視頻存儲器來檢驗。調整CPU速度，使之與外圍時鐘精確匹配。41中斷已打開，將初始化數據以便于0：0檢測內存變換（中斷控制器或內存不良）從視頻存儲器檢驗之后復原；即將準備描述符表。系統插件板選擇失靈。42顯示窗口進入SETUP。描述符表已準備好；即將進行虛擬方式作存儲器測試。擴展CMOSRAM故障。43若是即插即用BIOS，則串口、并口初始化。進入虛擬方式；即將為診斷方式實現中斷。.44.已實現中斷（如已接通診斷開關；即將使數據作初始準備以檢查存儲器在0：0返轉。）BIOS中斷進行初始化。45初始化數學協處理器。數據已作初始準備；即將檢查存儲器在0：0返轉以及找出系統存儲器的規模。.第74頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六46.測試存儲器已返回；存儲器大小計算完畢，即將寫入頁面來測試存儲器。檢查只讀存儲器ROM版本。47.即將在擴展的存儲器試寫頁面；即將基本640K存儲器寫入頁面。.48.已將基本存儲器寫入頁面；即將確定1MB以上的存儲器。視頻檢查，CMOS重新配置。49.找出1BM以下的存儲器并檢驗；即將確定1MB以上的存儲器。.4A.找出1MB以上的存儲器并檢驗；即將檢查BIOSROM數據區。進行視頻的初始化。4B.BIOSROM數據區的檢驗結束，即將檢查＜ESC＞和為軟復位清除1MB以上的存儲器。.4C.清除1MB以上的存儲器(軟復位)即將清除1MB以上的存儲器.屏蔽視頻BIOSROM。.4D已清除1MB以上的存儲器（軟復位）；將保存存儲器的大小。.第75頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六4E若檢測到有錯誤；在顯示器上顯示錯誤信息，并等待客戶按＜F1＞鍵繼續。開始存儲器的測試：（無軟復位）；即將顯示第一個64K存儲器的測試。顯示版權信息。4F讀寫軟、硬盤數據，進行DOS引導。開始顯示存儲器的大小，正在測試存儲器將使之更新；將進行串行和隨機的存儲器測試。.50將當前BIOS監時區內的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存儲器測試；即將高速存儲器的大小以便再定位和掩蔽。將CPU類型和速度送到屏幕。51.測試1MB以上的存儲器。.52所有ISA只讀存儲器ROM進行初始化，最終給PCI分配IRQ號等初始化工作。已完成1MB以上的存儲器測試；即將準備回到實址方式。進入鍵盤檢測。53如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、并口和設置時種值。保存CPU寄存器和存儲器的大小，將進入實址方式。.54.成功地開啟實址方式；即將復原準備停機時保存的寄存器。掃描“打擊鍵”第76頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六55.寄存器已復原，將停用門電路A－20的地址線。.56.成功地停用A－20的地址線；即將檢查BIOSROM數據區。鍵盤測試結束。57.BIOSROM數據區檢查了一半；繼續進行。.58.BIOSROM的數據區檢查結束；將清除發現＜ESC＞信息。非設置中斷測試。59.已清除＜ESC＞信息；信息已顯示；即將開始DMA和中斷控制器的測試。.5A..顯示按“F2”鍵進行設置。5B..測試基本內存地址。5C..測試640K基本內存。60設置硬盤引導扇區病毒保護功能。通過DMA頁面寄存器的測試；即將檢驗視頻存儲器。測試擴展內存。61顯示系統配置表。視頻存儲器檢驗結束；即將進行DMA＃1基本寄存器的測試。.62開始用中斷19H進行系統引導。通過DMA＃1基本寄存器的測試；即將進行DMA＃2寄存器的測試。測試擴展內存地址線。第77頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六63.通過DMA＃2基本寄存器的測試；即將檢查BIOSROM數據區。.64.BIOSROM數據區檢查了一半，繼續進行。.65.BIOSROM數據區檢查結束；將把DMA裝置1和2編程。.66.DMA裝置1和2編程結束；即將使用59號中斷控制器作初始準備。Cache注冊表進行優化配置。67.8259初始準備已結束；即將開始鍵盤測試。.68..使外部Cache和CPU內部Cache都工作。6A..測試并顯示外部Cache值。6C..顯示被屏蔽內容。6E..顯示附屬配置信息。70..檢測到的錯誤代碼送到屏幕顯示。72..檢測配置有否錯誤。74..測試實時時鐘。76..掃查鍵盤錯誤。第78頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六7A..鎖鍵盤。7C..設置硬件中斷矢量。7E..測試有否安裝數學處理器。80.鍵盤測試開始，正在清除和檢查有沒有鍵卡住，即將使鍵盤復原。關閉可編程輸入／輸出設備。81.找出鍵盤復原的錯誤卡住的鍵；即將發出鍵盤控制端口的測試命令。.82.鍵盤控制器接口測試結束，即將寫入命令字節和使循環緩沖器作初始準備。檢測和安裝固定RS232接口（串口）。83.已寫入命令字節，已完成全局數據的初始準備；即將檢查有沒有鍵鎖住。.84.已檢查有沒有鎖住的鍵，即將檢查存儲器是否與CMOS失配。檢測和安裝固定并行口。85.已檢查存儲器的大小；即將顯示軟錯誤和口令或旁通安排。

第79頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六86.已檢查口令；即將進行旁通安排前的編程。重新打開可編程I／O設備和檢測固定I／O是否有沖突。87.完成安排前的編程；將進行CMOS安排的編程。.88.從CMOS安排程序復原清除屏幕；即將進行后面的編程。初始化BIOS數據區。89.完成安排后的編程；即將顯示通電屏幕信息。.8A.顯示頭一個屏幕信息。進行擴展BIOS數據區初始化。8B.顯示了信息：即將屏蔽主要和視頻BIOS。.8C.成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開始CMOS后的安排任選項的編程。進行軟驅控制器初始化。8D.已經安排任選項編程，接著檢查滑了鼠和進行初始準備。.8E.檢測了滑鼠以及完成初始準備；即將把硬、軟磁盤復位。.8F.軟磁盤已檢查，該磁碟將作初始準備，隨后配備軟磁碟。.第80頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六90.軟磁碟配置結束；將測試硬磁碟的存在。硬盤控制器進行初始化。91.硬磁碟存在測試結束；隨后配置硬磁碟。局部總線硬盤控制器初始化。92.硬磁碟配置完成；即將檢查BIOSROM的數據區。跳轉到用戶路徑2。93.BIOSROM的數據區已檢查一半；繼續進行。.94.BIOSROM的數據區檢查完畢，即調定基本和擴展存儲器的大小。關閉A－20地址線。95.因應滑鼠和硬磁碟47型支持而調節好存儲器的大小；即將檢驗顯示存儲器。.96.檢驗顯示存儲器后復原；即將進行C800：0任選ROM控制之前的初始準備。“ES段”注冊表清除。97.C800：0任選ROM控制之前的任何初始準備結束，接著進行任選ROM的檢查及控制。.第81頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六98.任選ROM的控制完成；即將進行任選ROM回復控制之后所需的任何處理。查找ROM選擇。99.任選ROM測試之后所需的任何初始準備結束；即將建立計時器的數據區或打印機基本地址。.9A.調定計時器和打印機基本地址后的返回操作；即調定RS－232基本地址。屏蔽ROM選擇。9B.在RS－232基本地址之后返回；即將進行協處理器測試之初始準備。.9C.協處理器測試之前所需初始準備結束；接著使協處理器作初始準備。建立電源節能管理。9D.協處理器作好初始準備，即將進行協處理器測試之后的任何初始準備。.9E.完成協處理器之后的初始準備，將檢查擴展鍵盤，鍵盤識別符，以及數字鎖定。開放硬件中斷。9F.已檢查擴展鍵盤，調定識別標志，數字鎖接通或斷開，將發出鍵盤識別命令。.第82頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六A0.發出鍵盤識別命令；即將使鍵盤識別標志復原。設置時間和日期。A1.鍵盤識別標志復原；接著進行高速緩沖存儲器的測試。.A2.高速緩沖存儲器測試結束；即將顯示任何軟錯誤。檢查鍵盤鎖。A3.軟錯誤顯示完畢；即將調定鍵盤打擊的速率。.A4.調好鍵盤的打擊速率，即將制訂存儲器的等待狀態。鍵盤重復輸入速率的初始化。A5.存儲器等候狀態制定完畢；接著將清除屏幕。.A6.屏幕已清除；即將啟動奇偶性和不可屏蔽中斷。.A7.已啟用不可屏蔽中斷和奇偶性；即將進行控制任選的ROM在E000：0之所需的任何初始準備。.更換內存插槽位置。BIOS還原。A8.控制ROM在E000：0之前的初始準備結束，接著將控制E000：0之后所需的任何初始準備。清除“F2”鍵提示。第83頁，共109頁，2023年，2月20日，星期六A9.從控制E000：0ROM返回，即將進行控制E000：0任選ROM之后所需的任何初始準備。.AA.在E000：0控制任選ROM之后的初始準備結束；即將顯示系統的配置。掃描“F2”鍵打擊。AC..進入設置.AE..清除通