傳感器與檢測技術第二版胡向東著第九章光電式傳感器第一頁，共70頁。9.1概述9.1.1光電式傳感器的類別光電式傳感器（或稱光敏傳感器）是利用光電器件把光信號轉換成電信號（電壓、電流、電阻等）的裝置。按工作原理分類光電效應傳感器紅外熱釋電探測器固體圖像傳感器光纖傳感器下頁上頁返回第二頁，共70頁。紅外熱釋電探測器主要是利用輻射的紅外光（熱）照射材料時引起材料電學性質發生變化或產生熱電動勢原理制成的一類器件。固體圖像傳感器主要是用CCD電荷耦合器件的光電轉換和電荷轉移功能制成CCD圖像傳感器。光纖傳感器利用發光管（LED）或激光管（LD）發射的光，經光纖傳輸到被檢測對象，被檢測信號調制后，光沿著光導纖維反射或送到光接收器，經接收解調后變成電信號。下頁上頁返回光電效應傳感器光電效應：因光照引起物體電學特性改變的現象，包括光照射到物體上使物體發射電子，或電導率發生變化，或產生光生電動勢等。第三頁，共70頁。特點：光電式傳感器具有結構簡單、響應速度快、高精度、高分辨率、高可靠性、抗干擾能力強（不受電磁輻射影響，本身也不輻射電磁波）、可實現非接觸式測量等特點；可直接檢測光信號，間接測量溫度、壓力、位移、速度、加速度等；發展速度快、應用范圍廣，具有很大的應用潛力。

下頁上頁返回第四頁，共70頁。9.1.2光電式傳感器的基本形式由光路及電路兩大部分組成光路部分實現被測信號對光量的控制和調制電路部分完成從光信號到電信號的轉換后的電信號傳輸與輸出等下頁上頁返回第五頁，共70頁。四種基本形式

透射式反射式輻射式開關式下頁上頁返回第六頁，共70頁。下頁上頁返回9.2光電效應與光電器件

光可認為是由具有一定能量的粒子所組成，而每個光子所具有的能量E與其頻率大小成正比。光照射在物體上就可看成是一連串的具有能量為E（E=hf）的粒子轟擊在物體上。所謂光電效應即是由于物體吸收了能量為E的光后產生的電效應。光電效應可分為：9.2.1外光電效應型光電器件指在光的照射下，材料中的電子逸出表面的現象。光電管及光電倍增管均屬這一類。

第七頁，共70頁。下頁上頁返回1.光電管及其特性一、構造圖9-2光電管的結構與測量電路第八頁，共70頁。下頁上頁返回二、特性

①光照特性

表示當光電管的陽極電壓一定時，陽極電流I與入射在陰極上光通量φ之間的關系。

第九頁，共70頁。下頁上頁返回②伏安特性

當入射光的頻譜及光通量一定時，陽極與陰極之間的電壓同光電流的關系叫伏安特性。

圖9-3光電管的伏安特性第十頁，共70頁。下頁上頁返回③光譜特性

光電管對光譜有選擇性：保持光通量和陽極電壓不變，陽極電流與光波長之間的關系叫光電管的光譜特性。不同光電陰極材料的光電管，對同一波長的光有不同的靈敏度；同一種陰極材料的光電管對于不同波長的光的靈敏度也不同。第十一頁，共70頁。圖9-3光電倍增管外形結構及電路2.光電倍增管及其特性下頁上頁返回第十二頁，共70頁。倍增系數M陽極電流光電倍增管的電流放大倍數光電倍增管靈敏度比普通光電管高（105-108）倍，一般用于微弱光照條件。下頁上頁返回n=9-11第十三頁，共70頁。內光電效應是指在光線作用下，物體的導電性能發生變化或產生光生電動勢的現象內光電效應可分為：因光照引起半導體電阻率變化的光電導效應因光照產生電動勢的光生伏特效應9.2.2內光電效應光電器件及其特性下頁上頁返回第十四頁，共70頁。下頁上頁返回采用具有內光電效應的光導材料制成的，為純電阻元件，其阻值隨光照增強而減小。1.光敏電阻圖9-8光敏電阻的結構及表示符號典型器件第十五頁，共70頁。下頁上頁返回

優點：靈敏度高，體積小、重量輕，光譜響應范圍寬，機械強度高、耐沖擊和振動，壽命長，性能穩定。缺點：使用時需要有外部電源，同時當有電流通過它時，會產生熱的問題。材料：硫化物（CdS、PbS、TlS）硒化物（CdSe、PbSe）碲化物（PbTe）等應用：照相機自動嚗光、電視機亮度自動調節、燈光（航標燈）自動控制等。第十六頁，共70頁。下頁上頁返回第十七頁，共70頁。下頁上頁返回結構與一般二極管相似，通常工作于反向工作狀態，當不受光線照射時，處于截止狀態，當受光線照射時，處于導通狀態。2.光敏二極管第十八頁，共70頁。下頁上頁返回3.光敏三極管：光電流相當于三極管的基極，集電極電流是光電流的倍，比光敏二極管具有更高的靈敏度。第十九頁，共70頁。4.光電池下頁上頁返回第二十頁，共70頁。下頁上頁返回

光電池是基于光生伏特效應制成的，是自發電式有源器件。它有較大面積的PN結，當光照射在PN結上時，在PN結附近激發電子-空穴對，在電場作用下，電子、空穴產生定向移動，在PN結的兩端產生電位差。硅光電池硒光電池第二十一頁，共70頁。下頁上頁返回一、光電（照）特性光電特性是指這些半導體光電元件產生的光電流與光照之間的關系。

圖9-9半導體光電元件的光電特性硒光敏電阻光敏晶體管硅光電池特性第二十二頁，共70頁。下頁上頁返回二、伏安特性伏安特性是指光照一定時，這些光電元件的端電壓U與電流I之間的關系。圖9-10半導體光電元件的伏安特性第二十三頁，共70頁。下頁上頁返回半導體光電元件對不同波長的光，其靈敏度是不同的，因為只有能量大于半導體材料禁帶寬度的那些光子才能激發出光生電子—空穴對。而光子能量的大小與光的波長有關。三、光譜特性

圖9-11半導體光電元件的光譜特性第二十四頁，共70頁。下頁上頁返回四、頻率特性半導體光電元件的頻率特性是指它們的輸出電信號與調制光頻率變化的關系。圖9-12半導體光電元件的頻率特性第二十五頁，共70頁。下頁上頁返回五、溫度特性半導體材料易受溫度的影響，它直接影響光電流的值。因此需要討論這些光電元件的溫度特性，以便選用合適的工作溫度。圖9-13半導體光電元件的溫度特性硫化鉛光敏電阻的光譜溫度特性第二十六頁，共70頁。下頁上頁返回9.3光電式傳感器的應用要使光電式傳感器能很好地工作。除了合理選用光電轉換元件外，還必須配備合適的光源、可靠的光學通路和合理的測量電路。被測量X1直接對光源作用被測量X2作用于光學通路，對光通量進行解調第二十七頁，共70頁。1光源及光學通路光源上頁返回下頁熱輻射光源：利用發熱物體向空間發出一定的光輻射（如白熾燈、鹵鎢燈等）。氣體放電光源：利用電流通過氣體放電的現象（發光）（如日光燈、低壓汞燈、氙燈、氦燈等）。電致發光器件：利用固體發光材料在電場激發下產生發光現象（如發光二極管）。激光器：即光受激輻射放大，分為固體激光器、氣體激光器、半導體激光器和液體激光器等。第二十八頁，共70頁。光學通路包括透鏡、濾光片、棱鏡、光通量調制器、光柵等。上頁返回下頁第二十九頁，共70頁。下頁上頁返回2.應用電路圖9-14真空光電管的差接測量電路1.光源2.小鏡3.6.透鏡4.光闌5.被測物7.8.真空光電管V1、V2放大管第三十頁，共70頁。下頁上頁返回光控閃爍安全警示燈第三十一頁，共70頁。圖9-25路燈自動控制器電路下頁上頁返回第三十二頁，共70頁。光敏三極管應用電路下頁上頁返回第三十三頁，共70頁。圖9-26光電式數字轉速表下頁上頁返回第三十四頁，共70頁。下頁上頁返回天幕靶第三十五頁，共70頁。下頁上頁返回光電耦合器結構圖光電耦合器（opticalcoupler，英文縮寫為OC）

第三十六頁，共70頁。下頁上頁返回圖9-28光電耦合器光電耦合器特性曲線第三十七頁，共70頁。下頁上頁返回作用：脈沖及直流電平轉換開關信號傳輸不同邏輯電路接口抗干擾高低壓隔離等。第三十八頁，共70頁。燃氣灶的脈沖點火控制器下頁上頁返回第三十九頁，共70頁。9.4CCD固體圖像傳感器電荷耦合器件（ChargeCoupleDevice,縮寫為CCD）是一種大規模金屬氧化物半導體（MOS）集成電路光電器件。它是1970年貝爾實驗室的W·S·Boyle和G·E·Smith發明的，它與光敏二極管陣列集成為一體，構成具有自掃描功能的CCD圖像傳感器。可實現光電信號轉換、存儲、轉移并讀出信號電荷的功能。它不僅作為高質量固體化的攝像器件成功地應用于廣播電視、可視電話和無線電傳真，而且在生產過程自動檢測和控制等領域已顯示出廣闊的前景和巨大的潛力。下頁上頁返回第四十頁，共70頁。1.CCD的工作原理（1）結構CCD是由若干個電荷耦合單元組成的。其基本單元是MOS（金屬-氧化物-半導體）電容器。一個MOS結構稱為一個光敏元或一個像素。將MOS陣列加上輸入、輸出結構就構成了CCD器件。

P型MOS光敏元

下頁上頁返回第四十一頁，共70頁。(2)電荷存儲原理當在金屬電極上施加一個正電壓Ug時，P型硅中的多數載流子（空穴）受到排斥，半導體內的少數載流子（電子）吸引到P-Si界面處來，從而在界面附近形成一個帶負電荷的耗盡區，也稱勢阱。對帶負電的電子來說，耗盡區是個勢能很低的區域。在一定的條件下，所加正電壓Ug越大，耗盡層就越深，勢阱所能容納的少數載流子電荷的量就越大。如果有光照射在硅片上，在光子作用下，半導體硅產生了電子-空穴對，光生電子被附近的勢阱所吸收，而空穴被排斥出耗盡區。勢阱內所吸收的光生電子數量與入射到該勢阱附近的光強成正比。下頁上頁返回第四十二頁，共70頁。電荷轉移過程（3）電荷轉移原理下頁上頁返回t1時刻，高電平，其電極下形成勢阱，存儲信息電荷。t2時刻，高電平，電極下形成勢阱，電荷從電極耦合到電極。t3時刻，信息電荷開始從第一組向第二組轉移。t4時刻，轉移完畢。為了保證信息電荷按確定的方向和路線轉移，在MOS光敏元陣列上所加的各相電壓脈沖要求嚴格滿足相位要求。第四十三頁，共70頁。（4）電荷注入電荷注入方法（a）光信號注入；（b）電信號注入

下頁上頁返回第四十四頁，共70頁。（5）電荷的輸出

下頁上頁返回圖9-34電荷的輸出電荷數量——光的強弱電荷順序——光的位置→放大器→脈沖輸出第四十五頁，共70頁。2.CCD固體圖像傳感器的分類線陣型CCD圖像傳感器將光敏元件排列成直線，主要用于尺寸監測、傳真、文字識別等。下頁上頁返回第四十六頁，共70頁。面陣型CCD圖像傳感器

將光敏元件排列成矩陣，主要用于攝像。下頁上頁返回第四十七頁，共70頁。3.特性參數光電轉移效率

總轉移效率分辨率分辨率是指攝像器件對物像中明暗細節的分辨能力，是圖像傳感器最重要的特性，主要取決于感光單元之間的距離。即相同感光面積下光敏單元的密度。下頁上頁返回第四十八頁，共70頁。靈敏度及光譜響應

靈敏度是指單位發射照度下，單位時間、單位面積發射的電量。光譜響應圖9.37光譜靈敏度特性下頁上頁返回第四十九頁，共70頁。動態范圍飽和曝光量和等效曝光量的比值稱為CCD的動態范圍CCD器件的動態范圍一般在103～104數量級暗電流暗電流是缺陷產生的主要原因。暗電流的產生不均勻，會在圖像傳感器中出現固定圖形，限制器件的靈敏度和動態范圍。與溫度密切有關，溫度每降低10℃，暗電流約減小一半。噪聲CCD是低噪聲器件，但由于其他因素產生的噪聲會疊加到信號電荷上，使信號電荷的轉移受到干擾。噪聲的來源有轉移噪聲、散粒噪聲、電注入噪聲、信號輸入噪聲等。下頁上頁返回第五十頁，共70頁。4.應用CCD固體圖像傳感器的應用主要在以下幾方面：計量檢測儀器：工業生產產品的尺寸、位置、表面缺陷的非接觸在線檢測、距離測定等。光學信息處理：光學文字識別、標記識別、圖形識別、傳真、攝像等。生產過程自動化：自動工作機械、自動售貨機、自動搬運機、監視裝置等。軍事應用：導航、跟蹤、偵查(帶攝像機的無人駕駛飛機、衛星偵查)。下頁上頁返回第五十一頁，共70頁。產生夫瑯和費衍射圖像

圖像暗紋間距：同時基于光敏陣列器件得到的脈沖數N和陣列單元間距

有：所以被測細絲或小孔的直徑：下頁上頁返回微小尺寸自動檢測第五十二頁，共70頁。p-像素的間距倍率大尺寸物體光學成像下頁上頁返回覆蓋的光敏像素數第五十三頁，共70頁。下頁上頁返回一、光導纖維的結構和傳輸原理

9.5光纖傳感器9.5.1光導纖維光導纖維(簡稱光纖)是用比頭發絲還細的石英玻璃絲制成的，每一根光導纖維由一個圓柱形纖芯和包層組成，而且纖芯的折射率略大于包層的折射率。涂覆層保護光纖不受水汽的侵蝕和機械擦傷，同時增加光纖的柔韌性，以延長光纖壽命。第五十四頁，共70頁。下頁上頁返回第五十五頁，共70頁。二、光導纖維的種類

1.光導纖維按其折射變化情況分為：階躍型漸變型2.按其傳輸模式多少來分：上頁返回下頁單模光纖多模光纖單模：信號畸變小，線性好，靈敏度高，但纖芯細，制造困難；多模：傳輸模式多，制造容易，但性能較差第五十六頁，共70頁。圖9-26光導纖維的種類上頁返回下頁第五十七頁，共70頁。下頁上頁返回9.5.2光纖傳感器的工作原理=90°)第五十八頁，共70頁。∴∴數值孔徑下頁上頁返回第五十九頁，共70頁。數值孔徑只取決于折射率，與光纖的幾何尺寸、光源的發射功率等因素無關。數值孔徑是光纖的一個重要參數，它能反映光纖的集光能力，光纖的NA越大，表明它可以在較大入射角范圍內輸入全反射光，集光能力就越強，光纖與光源的耦合越容易，即實現全反射越容易。數值孔徑越大，光信號的畸變也越大。故要適當選擇NA的大小，石英光纖的NA=0.2-0.4（即=11.5°－23.5°）下頁上頁返回第六十頁，共70頁。①抗電磁干擾，電絕緣，耐腐蝕，耐高壓，本質安全，在易燃環境下安全可靠。②靈敏度高。③重量輕，體積小，外形可變。④測量對象廣泛。⑤頻帶寬，測量動態范圍大。⑥對被測介質影響小，這對于醫藥生物領域的應用極為有利。⑦便于復用，便于成網。⑧成本低。下頁上頁返回性能特點第六十一頁，共70頁。分類下頁上頁返回功能型（傳感型）光纖傳感器是利用光纖本身的特性把光纖作為敏感元件，被測量對光纖內傳輸的光波進行調制，使傳輸的光信號的強度、相位、頻率或偏振等特性發生變化，再通過對被調制過的信號進行解調，從而得出被測信號。非功能型（傳光型）光纖傳感器是利用其他敏感元件感受被測量的變化，與其它敏感元件組合而成的傳感器，