微組裝生產線建線方案北京亞科晨旭科技有限公司2014年3月Foundedin1998.

成立于1998年Business：EquipmentofPackage,SMTandSemiconductorFrontend.

業務領域包括：微電子封裝、電子裝聯以及半導體前道設備Thecoretenet:KeepForgingAheadFirst,SatisfyOurCustomerParamount.

公司宗旨：“客戶至上，銳意進取”

CompanyProfile/公司簡介Headquarters/公司總部Beijing /北京 ：18人SubsidiaryCompanies/子公司Shanghai /上海 ：10人HongKong /香港 ：BranchOffices/辦事處Shenzhen /深圳 ：5人Chengdu /成都 ：3人Xi’an /西安 ：2人CompanyProfile/公司簡介2.Business&Products/業務&產品Package封裝Front-end前道SMT電裝粘片機倒裝鍵合機真空燒結爐粘片機倒裝鍵合機真空燒結爐Screenprinter絲印機Mounter貼片機ReflowOven回流焊爐Inserter插件機Wavesolder波峰焊Glue-Dispenser點膠機Reworkstation返修臺X-rayInspectionSystem X射線檢測設備WireProcessingTool 線纜加工工具……Aligner 光刻機Coater 勻膠機Developer 顯影機PVD 物理氣相沉積CVD 化學氣相沉積Etcher（ICP、DRIE、RIE） 等離子體刻蝕機Wetbench 濕法清洗機Ellisometry橢偏儀CMP 化學機械拋光機AFM 原子力顯微鏡Profiler 臺階儀

…

…DieBonder粘片機Wirebonder引線鍵合機Dispenser 點膠機BondTester拉力測試儀PlasmaCleaner 等離子清洗機ParallelSeamWelding 平行封焊AOI 自動光學檢測儀SinteringFurnace燒結爐LTCCEquipments

低溫共燒陶瓷設備……3.Cooperators/合作品牌4.Customers/客戶CETC中國電子科技集團公司CASC中國航天科技集團公司AVIC中國航空工業集團公司CSSC中國船舶工業集團公司CNGC中國兵器工業集團公司……1MilitaryIndustries

軍工單位TheInstituteofMicro-electronicsofCAS中科院微電子所IECAS中科院電子所TsinghuaUniversity清華大學PekingUniversity北京大學BUAA北京航空航天大學……2Institutes&Schools科研單位&學校NOKIAMOTOROLASonyEricssonBellHuaweiFlextronicsFoxconnLenovo……3ElectronicEnterprises高端電子企業微組裝技術簡述微組裝技術是當代電子組裝技術中較為先進的組裝技術,即所謂第五代組裝技術。它是將多個不同電路功能的裸芯片，高密度地貼裝在多層互連基板上并進行電氣互連，最后整體封裝起來，構成高密度、高速度/高頻率、高可靠性、微型化、多功能、模塊化、微電路組件的先進組裝技術。微組裝技術是推動電子設備特別是軍用電子產品實現小型化、輕量化、高性能、高可靠性的關鍵技術之一。在航空、航天、雷達、導航、通訊、計算機、敵我識別等軍事系統和裝備,以及一些要求運算速度快、存儲容量大的超級巨型計算機中具有廣泛應用。應用LTCC技術的衛星模塊微型化的雷達TR組件集成了傳感器和專用集成電路的智能傳感器微組裝技術的優勢CuAu/Ag介質損耗降低，Q值更高平面組裝3D封裝封裝密度更高，體積、重量、焊點數量的海量壓縮；減少了二次焊接、可靠性更高；引線更短；電路分布參數影響降低有機基板陶瓷基板更強的抗沖擊能力；更寬的溫度適應范圍；更高的導熱性；更高的工作頻率標準器件自制器件激光可調整的無源器件、介電常數可設計的基板帶來更優的模塊性能微組裝技術發展趨勢多芯片封裝多工藝封裝深腔封裝高精度封裝微組裝技術發展趨勢基于LTCC技術和微組裝技術的TR組件基于LTCC技術和微組裝技術的高性能數字解調器微波多芯片組件（MMCM）是為滿足有源相控陣雷達T/R組件微型化、輕型化的需求而發展和成熟起來的一種新型組裝技術分支。微組裝技術發展趨勢目前微組裝技術的典型產品,就是當今最熱門的高技術電子產品一多芯片組件（MCM）。微組裝技術發展趨勢微組裝技術發展趨勢近年來，微組裝技術在組裝材料、組裝結構、組裝工藝、組裝性能以及應用等方面均取得了巨大的進步，組裝效率（芯片面積與組裝面積的比值）成幾何倍數增長。目前國外高密度二維組裝（2D-MCM）技術的研究已日趨成熟，已走向全面應用的階段。隨著電子整機系統小型化、高性能化、多功能化、高可靠和低成本的要求越來越高，國外加強了極高密度三維立體組裝（3D-MCM）系統集成技術的研究，以此實現整機系統更高的組裝效率、更高的系統集成、更多的系統功能和I/O引腳、更低的功耗和成本。2D-MCM的組裝效率最高達80～85%，3D-MCM的組裝效率則可達到200%以上。微組裝技術發展趨勢早在十年前，美國就已將MCM列入90年代優先發展的六大關鍵軍事電子技術以及美國2000年前發展的十大軍民兩用高新技術之一。歐洲五國（英法瑞典奧地利芬蘭）的十余家公司、大學、研究所組成聯盟研究開發MCM新技術。2002年，全球有100多家公司研究MCM軍級產品的設計、生產和制造。目前MCM技術在軍事領域的應用具有巨大的潛力，軍用電子設備以及高可靠的電子系統都要求趨向于高速、功率耗散小的CMoS技術和節省組裝空間使用MCM技術可以實現系統的小型化、輕量化以及高速、高可靠性。微波MCM技術的開發主要集中于T／R組件的研制，應用于有源相控陣系統，有源相控陣天線可應用于衛星天線、電子對抗、雷達及末端制導靈巧武器的各個領域。微組裝技術發展趨勢RCA實驗室在高導熱陶瓷BeO基板上采用薄膜工藝制造的T/R組件(3)，尺寸為7.0cm×9.0cm×1.6cm,工作頻率16.0~16.5GHz,峰值功率3.9~4.4W,電壓調諧范圍2.5~2.9,噪聲系數5dB。MartinMarietta實驗室,采用薄膜技術制造了頻率高達94GHz的W波段的8單元T/R組件(4)。組件的尺寸16.5mm×28.3cm×1.8cm,最大增益47.8dB。日本NEC公司在MCM研究方面非常活躍，該公司化合物器件事業部用MCM技術開發了用于數字式手機的超小型功率放大器。該放大器的體積僅為7.0×7.0×2.0mrn3，采用HJFET器件，其工作頻率為889MHz～960MHz，在輸出功率+30．0dBm時，功率附加效率(PAE)為55.6～58.2％，功率增益為24.27～27.73dB，顯示了其優越的高頻性能。該公司采用倒裝片技術制作的毫米波GaASMMIC，應用于30GHz、60GHz和77GHz的低噪聲放大器。M．Akaishi等人發表了采用多層技術設計的MCM，器件的頻率范圍為27．5GHz～31．3GHz。J．Mime等人開發了60GHzT／R組件，采用了AIN多層HTCC和MMIC技術，其組件尺寸為21×16×3.05mm3GE公司的開發了S．C波段的T組件中采用的高密度封裝技術。模塊由8塊GaAsMMIC芯片芯片、4塊GaAs數控接口芯片、功放匹配網絡及RF旁路電容等構成。模塊的互連基板材料為99．6％AI203，基板上層為薄膜電路，下層為4層金屬化厚膜電路，它們的互連由金屬化通孔完成。多芯片（MCM）、高頻率（90G以上）、高集成度、高性能國內外微組裝技術發展現狀先進戰斗機用T/R組件模塊數X波段小型化T/R組件樣機4波段小型化T/R組件電路中使用了多個單片微波集成電路芯片(MMIC),設計中采用共晶焊接工藝將大功率MMIC芯片焊接到LTCC多層基板上,采用環氧導電膠粘接法使得小功率MMIC芯片與基板可靠連接

美國Westinghouse公司采用微組裝技術生產制作了F-22殲擊機的X波段T/R模塊，該模塊由8個GaAsMMIC芯片、4個GaAs數控接口芯片、功放匹配網絡以及RF旁路電容等構成，互連電路基板為LTCC多層基板，其內部含有22層布線以及多種形狀復雜的空腔結構，線寬/間距均為125微米，與原先的分立模塊相比較，體積和重量縮小了數十倍。美國Hughes公司利用微組裝技術研制出4通道X波段有源相控陣雷達T/R模塊，4塊A1N共燒多層陶瓷基板疊裝成1個三維疊層封裝結構，面積僅為32×32mm，與原先結構產品相比，體積減小了86%，殼溫低于125℃，產品可靠性得以明顯的提高。國內相關科研機構（電子13所、14所、29所、38所、55所等）均在積極開展微組裝技術的研究和產品開發工作，在三維立體微組裝技術領域的研究尚處于理論研究和技術跟蹤階段，在工程化應用方面還需加以時日。國內外微組裝技術發展現狀國內外微組裝技術發展現狀發展方向多芯片封裝（MCP）1995年以來，國外陸續使用自動化、半自動化微組裝設備進行微波模塊、光電組件、各種傳感器產品的研制與生產，如：美國五大軍工公司使用了Palomar公司的全自動粘片機、全自動球焊機等設備。國內2008年前使用的微組裝設備主要以手動、半自動設備為主，以美國Westbond公司的環氧粘片機、共晶粘片機、引線鍵合機等設備為代表，主要以分立器件、低集成度模塊，小批量試生產。2008年后，相關科研機構陸續引進了國外的自動化微組裝設備——全自動點膠機、全自動貼片機、全自動鍵合機等，以滿足市場對高集成度、高性能、高穩定性、高可靠性、高一致性產品的需要。如：中電13所、中電14所、24所、中電29所、中電38所、中電43所、中電55所、兵器214所。另也積極發展以MCM為代表的高集成度封裝器件。國內外微組裝技術發展現狀產品優勢：具有大量已在各大研究所中獲得廣泛應用的封裝及檢測設備，產品性能、穩定性、可靠性獲得用戶認可，并得到持續訂貨。目前封裝工藝線設備較為齊全。技術優勢：通過在各個客戶服務過程中、通過自身學習和探討，在封裝工藝方面積累了大量經驗，甚至引導客戶進行工藝方面的改進和提升。所代理的半自動設備均可自主進行設備安裝和售后服務。全司各地均有技術服務人員提供有效技術支持。在微組裝領域的優勢微組裝建線方面的建議設備方面總體建議：半自動設備為先導，逐步發展到全自動設備，檢測手段依據需求依次增加。半自動設備的特點：兼顧靈活性及關鍵過程的自動化，較適宜對工藝過程經驗較少、產品批量不高的場合，前期投入小；全自動設備的特點：工藝過程自動化、產品質量穩定、一致性好、穩定性好、定位精度高，適合具有一定批量的產品應用。微組裝建線方面的建議技術方面：以單片電路、混合電路為先導，逐步發展MCM、先進封裝器件。具體設備和對應工藝序號設備工藝市場占有率軍工使用情況采購周期培訓維護保養廠家型號技術指標人員環境1美國MARCHAP600內部腔體尺寸：406W*267H*465D等離子頻率：13.56MHz工藝氣體：N2、H2、Ar、O2工人萬級以上凈化清洗70%中電13、14、43所12周國內培訓，1天一年一次2美國HYBONDEDB-140B可貼裝芯片尺寸：152*152μm-25*25mm貼裝精度：25.4μm工人萬級以上凈化環氧粘片15%航天23、33、513所14周國內培訓，2天一年一次3美國HYBONDUDB-141可貼裝芯片尺寸：152*152μm-19*19mm貼裝精度：25.4μm工人萬級以上凈化共晶粘片15%中電55所、航天513所、中電51所14周國內培訓，2天一年一次4美國ASYMTEK820B工作區域：350*350mmXYZ軸速度：500mm/s定位精度：75μm工藝萬級以上凈化點膠60%中電13、38、43所12周國內培訓，5天一年一次5美國PALOMAR3800貼裝精度：±7μm平臺尺寸：900*500mm吸嘴：8個旋轉頭深腔近壁貼裝工藝萬級以上凈化共晶粘片、環氧粘片、倒裝粘片70%中電13、14、43所14周國內培訓，7天一年一次具體設備和對應工藝6德國CENTROTHERMVLO20加熱盤：230*400mm器件最大高度：100mm爐腔容積：20升升溫速率：≤50K/min降溫速率：≤180K/min真空：最大10-5mbar工藝萬級以上凈化共晶粘片、管殼封裝40%航天704、771所、兵器214所14周國內培訓，3天一年一次7美國HYBOND626線徑范圍：12.7-75μm帶徑范圍：最大25.4*510μm深腔能力：12mm工人萬級以上凈化球焊、楔焊20%中電29、55所、航天504所、14周國內培訓，2天一年一次8美國PALOMAR8000線徑范圍：18-50μm工作范圍：300*150mm放置精度：±2.5um深腔能力：12mm工藝萬級以上凈化球焊、凸點制作80%中電14、43、55所14周國內培訓，5天一一次9德國HESSEBJ820線徑范圍：18-60μm帶徑范圍：最大25*250μm工作范圍：305*410mm循環周期：約120ms放置精度：±2.5μm弧高控制：70μm-20mm最小線間距：40μm工藝萬級以上凈化楔焊60%中電13、14、55所14周國內培訓，5天一年一次10美國SSEC2400E封裝尺寸：1/8-8英寸適用管殼材質：可伐、部分不銹鋼電源：數字電源，5KW6軸運動控制機構實時壓力控制工人萬級以上凈化封焊70%中電13、38、43所16周國內培訓，3天一年一次具體設備和對應工藝11美國UNITEKLW600AH適用管殼材質：可伐、鋁、紫銅等封裝速度：最大40mm/s激光：1064nmNd:YAG激光器激光脈沖閉環反饋末點能量自動衰減控制工藝萬級以上凈化封焊30%航天704所、中電51所，中電34所16周國內培訓，5天一年一次12美國UNITEKLMF2000激光：1064nm半導體激光器最小字符高度：125μm功率：最大20W工藝萬級以上凈化管殼打標20%國內培訓，1天13英國VISIONHAWK7測量平臺：200*150mm

分辨率:1μm

放大倍率：10X-1000X擴瞳技術設計目鏡工人萬級以上凈化人工光學檢測、測量30%航天704所、中科院電子所，49所8周國內培訓，1天一年一次14美國MVPULTRA850G檢測精度：＜1μm檢測范圍：355×355mm圖像采集速度：56M像素/秒兼容SMT檢測工藝萬級以上凈化自動光學檢測、測量30%航天704、771所、航空615所12周國內培訓，5天一年一次15德國PHOENIXMICROMEX光管：180KV,20W最小分辨率：0.5μm幾何放大倍數：1970倍樣品最大尺寸：680mm（高度）*635mm（直徑）工藝萬級以上凈化透射性檢測30%中科院微電子所、航天35、772所、中電55所16周國內培訓，5天一年一次具體設備和對應工藝16韓國SECSNE3200M最大倍率

6萬倍

分辨率：15nm加速電壓：5kVto30kV工藝萬級以上凈化芯片檢測、材料分析5%清華大學、亞旭電子、江蘇科技大學16周國內培訓，5天原廠保養，一年一次17德國PVAAM300換能器頻率：5-400MHz掃描范圍：1*1mm-150*150mm掃描分辨率：0.5μm工藝萬級以上凈化透射性檢測30%航天201、511、625、771、704、航空301所、061基地、中科院電子所、微電子所、半導體所、中電13所、兵器211所、綿陽九院、廣州五所16周國內培訓，2天一年一次18美國ROYCE650系統