標準解讀

《GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質譜儀測定 多晶硅表面金屬雜質》是一項國家標準，旨在通過酸浸取結合電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）技術來檢測多晶硅材料表面上存在的金屬雜質。該標準適用于純度較高的多晶硅材料中痕量金屬元素的分析與測定，對于保證半導體材料質量具有重要意義。

根據該標準，首先需要對樣品進行適當的預處理，即使用特定濃度的酸溶液在一定條件下浸泡多晶硅樣品，使得附著于其表面或淺表層內的微量金屬雜質能夠被有效地溶解出來形成溶液樣本。此過程中所使用的酸液種類及比例、浸取溫度和時間等因素均需嚴格按照規定執行，以確保實驗結果的一致性和準確性。

接下來，將得到的液體樣本利用電感耦合等離子體質譜儀進行測試。ICP-MS是一種非常靈敏且高效的分析手段，它可以通過測量不同元素特有的質荷比來識別并定量存在于樣品中的各種金屬成分。為了獲得可靠的數據，在實際操作時還需要注意控制好儀器的工作參數，并采取適當的質量控制措施如定期校準、空白對照試驗等。

整個分析流程涵蓋了從樣品制備到最終報告生成的所有步驟，每一步都給出了詳細的操作指南和技術要求，為實驗室提供了統一規范化的檢測方法。此外，標準還列出了可能影響測定結果準確性的因素以及相應的解決策略，有助于提高分析工作的科學性和可靠性。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

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中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取電感耦合等離子質譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質

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２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

酸浸取電感耦合等離子質譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質

ＧＢ／Ｔ２４５８２—２００９

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經銷

開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字數９千字

２００９年１２月第一版２００９年１２月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５８３

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版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犌犅／犜２４５８２—２００９

前言

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出并歸口。

本標準負責起草單位：新光硅業科技責任有限公司。

本標準主要起草人：王波、過惠芬、吳道榮、梁洪、敖細平。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取電感耦合等離子質譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質

１范圍

１．１本標準規定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質，并用電感耦合等離子質譜儀定量檢測多晶硅表

面上的金屬雜質痕量分析方法。

１．２本標準適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅以及其他元素如鋁

的檢測。

１．３本標準適用于各種棒、塊、粒、片狀多晶表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規則，面積

很難準確測定，故根據樣品重量計算結果，使用的樣品重量為５０ｇ～３００ｇ，檢測限為０．０１ｎｇ／ｍＬ。

１．４酸的濃度、組成、溫度和浸取時間決定著表面腐蝕深度和表面污染物的浸取效率。在這個實驗方

法中腐蝕掉的樣品重量小于樣品重量的１％。

１．５本標準適用于重量為２５ｇ～５０００ｇ的樣品的測定，為了達到仲裁的目的，該實驗方法規定樣品的

重量為約３００ｇ。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＩＳＯ１４６４４１潔凈室和相應的受控環境第１部分：空氣中的懸浮粒子的分類

ＳＥＭＩＣ２８氫氟酸的詳細說明和指導

ＳＥＭＩＣ３０過氧化氫的詳細說明和指導

ＳＥＭＩＣ３５硝酸的詳細說明和指導

ＡＳＴＭＤ５１２７電子和半導體工業中用超純水指南

３術語、定義和縮略語

３．１術語和定義

下列術語和定義適用于本標準。

３．１．１

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用

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