2023學(xué)年高考物理模擬試卷注意事項(xiàng)：1．答卷前，考生務(wù)必將自己的姓名、準(zhǔn)考證號、考場號和座位號填寫在試題卷和答題卡上。用2B鉛筆將試卷類型（B）填涂在答題卡相應(yīng)位置上。將條形碼粘貼在答題卡右上角"條形碼粘貼處"。2．作答選擇題時(shí)，選出每小題答案后，用2B鉛筆把答題卡上對應(yīng)題目選項(xiàng)的答案信息點(diǎn)涂黑；如需改動，用橡皮擦干凈后，再選涂其他答案。答案不能答在試題卷上。3．非選擇題必須用黑色字跡的鋼筆或簽字筆作答，答案必須寫在答題卡各題目指定區(qū)域內(nèi)相應(yīng)位置上；如需改動，先劃掉原來的答案，然后再寫上新答案；不準(zhǔn)使用鉛筆和涂改液。不按以上要求作答無效。4．考生必須保證答題卡的整潔。考試結(jié)束后，請將本試卷和答題卡一并交回。一、單項(xiàng)選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1、如圖甲所示MN是一條電場線上的兩點(diǎn)，從M點(diǎn)由靜止釋放一個(gè)帶正電的帶電粒子，帶電粒子僅在電場力作用下沿電場線M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)，其運(yùn)動速度隨時(shí)間t的變化規(guī)律如圖乙所示下列敘述中不正確的是（）A．M點(diǎn)場強(qiáng)比N的場強(qiáng)小B．M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的電勢高C．從M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)電勢能增大D．從M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)粒子所受電場力逐漸地大2、如圖所示，一電子以與磁場方向垂直的速度v從P處沿PQ方向進(jìn)入長為d、寬為h的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，從N處離開磁場，若電子質(zhì)量為m，帶電荷量為e，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，則（）A．電子在磁場中做類平拋運(yùn)動B．電子在磁場中運(yùn)動的時(shí)間t=C．洛倫茲力對電子做的功為BevhD．電子在N處的速度大小也是v3、在核反應(yīng)方程24A．質(zhì)子B．中子C．電子D．α粒子4、如圖所示，跳水運(yùn)動員最后踏板的過程可以簡化為下述模型：運(yùn)動員從高處落到處于自然狀態(tài)的跳板上，隨跳板一同向下做變速運(yùn)動到達(dá)最低點(diǎn)，然后隨跳板反彈，則()A．運(yùn)動員與跳板接觸的全過程中只有超重狀態(tài)B．運(yùn)動員把跳板壓到最低點(diǎn)時(shí)，他所受外力的合力為零C．運(yùn)動員能跳得高的原因從受力角度來看，是因?yàn)樘鍖λ淖饔昧h(yuǎn)大于他的重力D．運(yùn)動員能跳得高的原因從受力角度來看，是因?yàn)樘鍖λ淖饔昧h(yuǎn)大于他對跳板的作用力5、一靜止的鈾核放出一個(gè)粒子衰變成釷核，衰變方程為.下列說法正確的是（）A．衰變后釷核的動能等于粒子的動能B．衰變后釷核的動量大小等于粒子的動量大小C．鈾核的半衰期等于其放出一個(gè)粒子所經(jīng)歷的時(shí)間D．衰變后粒子與釷核的質(zhì)量之和等于衰變前鈾核的質(zhì)量6、關(guān)于光電效應(yīng)，下列說法正確的是（）A．光電子的動能越大，光電子形成的電流強(qiáng)度就越大B．光電子的最大初動能與入射光的頻率成正比C．對于任何一種金屬，都存在一個(gè)“最大波長”，入射光的波長必須小于這個(gè)波長，才能產(chǎn)生光電效應(yīng)D．用不可見光照射金屬一定比用可見光照射同種金屬逸出的光電子的初動能大二、多項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，有多個(gè)選項(xiàng)是符合題目要求的。全部選對的得5分，選對但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分。7、下列各種說法中正確的是（）A．布朗運(yùn)動是分子熱運(yùn)動的宏觀現(xiàn)象，可以發(fā)生在固體、液體和氣體中B．?dāng)U散現(xiàn)象反映了分子的無規(guī)則運(yùn)動，可以發(fā)生在固體、液體、氣體的任何兩種中C．分子力較大時(shí)，分子勢能較大；分子力較小時(shí)，分子勢能較小D．液晶分子排列比較整齊，但不穩(wěn)定，其光學(xué)性質(zhì)隨溫度的變化而變化E.只要是具有各向異性的物體一定是晶體，具有各向同性的物體不一定是非晶體8、下列有關(guān)光學(xué)現(xiàn)象的說法正確的是________。A．光從光密介質(zhì)射入光疏介質(zhì)，若入射角大于臨界角，則一定發(fā)生全反射B．光從光密介質(zhì)射人光疏介質(zhì)，其頻率不變，傳播速度變小C．光的干涉，衍射現(xiàn)象證明了光具有波動性D．做雙縫干涉實(shí)驗(yàn)時(shí)，用紅光替代紫光，相鄰明條紋間距變小E.頻率相同、相位差恒定的兩列波相遇后能產(chǎn)生穩(wěn)定的干涉條紋9、如圖是某初中地理教科書中的等高線圖（圖中數(shù)字的單位是米）。小山坡的右側(cè)比左側(cè)更陡些，如果把一個(gè)球分別從山坡左右兩側(cè)滾下（把山坡的兩側(cè)看成兩個(gè)斜面，不考慮摩擦等阻礙），會發(fā)現(xiàn)右側(cè)小球加速度更大些。現(xiàn)在把該圖看成一個(gè)描述電勢高低的等勢線圖，左右兩側(cè)各有a、b兩點(diǎn)，圖中數(shù)字的單位是伏特，下列說法正確的是（）A．b點(diǎn)電場強(qiáng)度比a點(diǎn)大B．左側(cè)電勢降低的更快C．同一電荷在電勢高處電勢能也一定大D．同一電荷在電場強(qiáng)度大處所受電場力也一定大10、如圖所示，小球甲從點(diǎn)水平拋出，同時(shí)將小球乙從點(diǎn)自由釋放，兩小球先后經(jīng)過點(diǎn)時(shí)的速度大小相等，速度方向夾角為37°。已知、兩點(diǎn)的高度差，重力加速度，兩小球質(zhì)量相等，不計(jì)空氣阻力。根據(jù)以上條件可知（）A．小球甲水平拋出的初速度大小為B．小球甲從點(diǎn)到達(dá)點(diǎn)所用的時(shí)間為C．、兩點(diǎn)的高度差為D．兩小球在點(diǎn)時(shí)重力的瞬時(shí)功率相等三、實(shí)驗(yàn)題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過程。11．（6分）舉世矚目的嫦娥四號，其能源供給方式實(shí)現(xiàn)了新的科技突破：它采用同位素溫差發(fā)電與熱電綜合利用技術(shù)結(jié)合的方式供能，也就是用航天器兩面太陽翼收集的太陽能和月球車上的同位素?zé)嵩磧煞N能源供給探測器。圖甲中探測器兩側(cè)張開的是光伏發(fā)電板，光伏發(fā)電板在外太空將光能轉(zhuǎn)化為電能。某同學(xué)利用圖乙所示電路探究某光伏電池的路端電壓U與電流I的關(guān)系，圖中定值電阻R0=5Ω，設(shè)相同光照強(qiáng)度下光伏電池的電動勢不變，電壓表、電流表均可視為理想電表。(1)實(shí)驗(yàn)一：用一定強(qiáng)度的光照射該電池，閉合開關(guān)S，調(diào)節(jié)滑動變阻器R0的阻值，通過測量得到該電池的U-I如圖丁曲線a，由此可知，該電源內(nèi)阻是否為常數(shù)______（填“是”或“否”），某時(shí)刻電壓表示數(shù)如圖丙所示，讀數(shù)為______V，由圖像可知，此時(shí)電源內(nèi)阻值為______Ω。(2)實(shí)驗(yàn)二：減小實(shí)驗(yàn)一光照的強(qiáng)度，重復(fù)實(shí)驗(yàn)，測得U-I如圖丁曲線，在實(shí)驗(yàn)一中當(dāng)滑動變阻器的電阻為某值時(shí)路端電壓為2.0V，則在實(shí)驗(yàn)二中滑動變阻器仍為該值時(shí)，滑動變阻器消耗的電功率為______W（計(jì)算結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）12．（12分）圓柱形陶瓷元器件表面均勻鍍有一層導(dǎo)電薄膜，已知導(dǎo)電薄膜電阻率為，為了測量該薄膜厚度，某同學(xué)使用銅絲緊繞在元件表面，銅絲繞制成圓形，圓柱體軸線垂直于銅絲圓面，制成電極A、B，如圖甲所示(1)用螺旋測微器測量元件的直徑，測量結(jié)果如圖乙所示，其讀數(shù)為_________mm。(2)為了測量元件電阻，某同學(xué)首先使用多用電表對元件粗測，元件電阻約為，現(xiàn)需準(zhǔn)確測量電阻阻值，可供器材如下A．被測元件（阻值約）B．直流電源（電動勢約，內(nèi)阻約）C．電流表（量程，內(nèi)阻約）D．電壓表（量程，內(nèi)阻）E.電壓表（量程，內(nèi)阻約）F.定值電阻（）G.滑動變阻器（）H.滑動變阻器（）I.電鍵、導(dǎo)線等①在可供選擇的器材中，已經(jīng)選擇A、B、C、I除此之外，應(yīng)該選用________（填寫序號）②根據(jù)所選器材，在圖丙方框中畫出實(shí)驗(yàn)電路圖_______③需要測量的物理量________，請用上述物理量表示被測電阻______。(3)為了測量薄膜厚度還需要測量的物理量為__________。(4)若被測元件電阻為，元件直徑為，電阻率為，請結(jié)合使用(3)物理量表示薄膜厚度____。四、計(jì)算題：本題共2小題，共26分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，要求寫出必要的文字說明、方程式和演算步驟。13．（10分）如圖所示，MN是半徑為R=0.8m的豎直四分之一光滑弧軌道。豎直固定在水平桌面上，軌道末端處于桌子邊緣并與水平桌面相切于N點(diǎn)。把一質(zhì)量為m=1kg的小球B靜止放于N點(diǎn)，另一個(gè)與B完全相同的小球A由M點(diǎn)靜止釋放，經(jīng)過N點(diǎn)時(shí)與B球發(fā)生正碰，碰后粘在一起水平飛出，落在地面上的P點(diǎn)，若桌面高度為h=1.25m，取重力加速度g=l0m/s2。不計(jì)空氣阻力，小球可視為質(zhì)點(diǎn)。求：(1)與B球碰前瞬間，A球的速度大小：(2)A、B兩球碰后瞬間的共同速度大小；(3)P點(diǎn)與N點(diǎn)之間的水平距離x。14．（16分）如圖，從離子源A發(fā)出的初速度為零、帶電荷量為質(zhì)量為的正離子，被電壓為的電場加速后，沿中心軸線射入帶電的平行板電容器。電容器的板長為、板間距離為，板間電壓為。離子射出電場一段時(shí)間后又進(jìn)入一個(gè)環(huán)狀區(qū)域的勻強(qiáng)磁場，磁場的外半徑為，寬度，磁場方向垂直于紙面向里，磁場的圓心與平行板電容器的中心重合，求：(1)該離子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場時(shí)速度的大小；(2)為使該離子不能從磁場外邊緣射出，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最小值；(3)為保證該離子不從磁場外邊緣射出，離子在磁場中運(yùn)動的最長時(shí)間。15．（12分）如圖，玻璃球冠的折射率為，其底面鍍銀，底面的半徑是球半徑的倍；在過球心O且垂直于底面的平面（紙面）內(nèi)，有一與底面垂直的光線射到玻璃球冠上的M點(diǎn)，該光線的延長線恰好過底面邊緣上的A點(diǎn)．求該光線從球面射出的方向相對于其初始入射方向的偏角．

參考答案一、單項(xiàng)選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1、C【解析】

AD．從v-t圖像可以看出，加速度越來越大，根據(jù)牛頓第二定律，則說明受到的電場力越來越大，根據(jù)公式，說明電場強(qiáng)度越來越大，所以M點(diǎn)場強(qiáng)比N的場強(qiáng)小，故AD正確；B．因?yàn)閹щ娏Ｗ幼黾铀龠\(yùn)動，所以受到的電場力往右，又因?yàn)閹щ娏Ｗ訋д姡噪妶鼍€的方向往右，又因?yàn)轫樦妶鼍€的方向電勢降低，所以M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)的電勢高，故B正確；C．從M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)動能增加，電勢能應(yīng)該減小，故C錯(cuò)誤。故選C。2、D【解析】電子垂直射入勻強(qiáng)磁場中，由洛倫茲力提供向心力將做勻速圓周運(yùn)動，運(yùn)動時(shí)間為：，故AB錯(cuò)誤；由洛倫茲力方向始終與速度方向垂直，電子在洛倫茲力方向沒有位移，所以洛倫茲力對電子不做功，故C錯(cuò)誤；電子垂直射入勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動，速度大小不變也是v，故D正確．所以D正確，ABC錯(cuò)誤．3、A【解析】設(shè)X為：AZX，根據(jù)核反應(yīng)的質(zhì)量數(shù)守恒：4+14=17+Z電荷數(shù)守恒：2+7=8+A，則A=1，即X為：11點(diǎn)睛：本題考查了核反應(yīng)方程式，要根據(jù)電荷數(shù)守恒、質(zhì)量數(shù)守恒得出X的電荷數(shù)和質(zhì)量數(shù)，從而確定X的種類。4、C【解析】

A.運(yùn)動員與跳板接觸的下降過程中，先向下加速，然后向下減速，最后速度為零，則加速度先向下，然后向上，所以下降過程中既有失重狀態(tài)也有超重狀態(tài)，同理上升過程中也存在超重和失重狀態(tài)，故A錯(cuò)誤；

B.運(yùn)動員把跳板壓到最低點(diǎn)時(shí)，跳板給其的彈力大于其重力，合外力不為零，故B錯(cuò)誤；

C.從最低點(diǎn)到最高過程中，跳板給運(yùn)動員的支撐力做正功，重力做負(fù)功，位移一樣，運(yùn)運(yùn)動員動能增加，因此跳板對他的作用力大于他的重力，故C正確；

D.跳板對運(yùn)動員的作用力與他對跳板的作用力是作用力與反作用力，大小相等，故D錯(cuò)誤．故選C.5、B【解析】

A．根據(jù)可知，衰變后釷核的動能小于粒子的動能，故A錯(cuò)誤；B．根據(jù)動量守恒定律可知，生成的釷核的動量與粒子的動量等大反向，故B正確；C．鈾核的半衰期等于一半數(shù)量的鈾核衰變需要的時(shí)間，而放出一個(gè)粒子所經(jīng)歷的時(shí)間是一個(gè)原子核衰變的時(shí)間，故兩者不等，故C錯(cuò)誤；D．由于該反應(yīng)放出能量，由質(zhì)能方程可知，衰變后粒子與釷核的質(zhì)量之和小于衰變前鈾核的質(zhì)量，故D錯(cuò)誤。6、C【解析】

A．單位時(shí)間經(jīng)過電路的電子數(shù)越多，電流越大，而光電子的動能越大，光電子形成的電流強(qiáng)度不一定越大，A錯(cuò)誤；B．由愛因斯坦的光電效應(yīng)方程可知，光電子的最大初動能與入射光的頻率成一次函數(shù)關(guān)系，不成正比，B錯(cuò)誤；C．入射光的頻率大于金屬板的極限頻率或入射光的波長小于金屬板的極限波長，才能產(chǎn)生光電效應(yīng)，C正確；D．不可見光的頻率不一定比可見光的頻率大，因此用不可見光照射金屬不一定比用可見光照射同種金屬產(chǎn)生的光電子的初動能大，D錯(cuò)誤．故選C。二、多項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，有多個(gè)選項(xiàng)是符合題目要求的。全部選對的得5分，選對但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分。7、BDE【解析】

A．布朗運(yùn)動是懸浮在液體、氣體中的固體小顆粒的運(yùn)動，所以只能發(fā)生在液體和氣體中，故A錯(cuò)誤；B．?dāng)U散現(xiàn)象是兩種物質(zhì)的分子相互進(jìn)入對方，可在固、液、氣三種物質(zhì)中任兩種中發(fā)生，故B正確；C．當(dāng)分子力表現(xiàn)為引力時(shí)，隨分子間的距離增大，分子力先增后減，但分子勢能一直增大，故C錯(cuò)誤；D．液晶分子在特定的方向排列比較整齊，具有各向異性，但分子排列不穩(wěn)定，外界條件的微小變化都會引起液晶分子排列的變化，從而改變液晶的某些性質(zhì)，如溫度、壓力和外加電壓等的變化，都會引起液晶光學(xué)性質(zhì)的變化，故D正確；E．單晶體的物理性質(zhì)是各向異性，多晶體和非晶體的物理性質(zhì)是各向同性，故E正確。故選BDE。8、ACE【解析】

A．發(fā)生全發(fā)射的條件是，光從光密介質(zhì)射入光疏介質(zhì)，且入射角大于或等于臨界角，故A正確；B．光從光密介質(zhì)射到光疏介質(zhì)，頻率不變，根據(jù)可知，折射率減小，所以速度增大，故B錯(cuò)誤；C．光的衍射和干涉是波獨(dú)有的現(xiàn)象，所以可以說明光具有波動性，故C正確；D．紅光的波長大于紫光，根據(jù)條紋間距公式可知紅光的條紋間距大于紫光，故D錯(cuò)誤；E．兩列波發(fā)生穩(wěn)定的干涉現(xiàn)象的條件是頻率相同，相位差恒定，故E正確。故選ACE。9、AD【解析】

A．根據(jù)U=Ed相同電勢差右側(cè)b點(diǎn)的距離更小，所以b點(diǎn)電場強(qiáng)度比a點(diǎn)大，故A正確；B．等勢線越密集的地方電勢降落的越快，b點(diǎn)等勢線更密集，所以右側(cè)電勢降低的更快，故B錯(cuò)誤；C．電勢能還與電荷的正負(fù)有關(guān)，所以同一電荷在電勢高處電勢能也不一定大，故C錯(cuò)誤；D．同一電荷在電場強(qiáng)度大處所受電場力一定大，故D正確。故選AD。10、AB【解析】

A．小球乙到C的速度為此時(shí)小球甲的速度大小也為，又因?yàn)樾∏蚣姿俣扰c豎直方向成角，可知水平分速度為。故A正確；B．根據(jù)計(jì)算得小球甲從點(diǎn)到達(dá)點(diǎn)所用的時(shí)間為，故B正確；C．、C兩點(diǎn)的高度差為故、兩點(diǎn)的高度差為，故C錯(cuò)誤；D．由于兩球在豎直方向上的速度不相等，所以兩小球在C點(diǎn)時(shí)重力的瞬時(shí)功率也不相等。故D錯(cuò)。故選AB。三、實(shí)驗(yàn)題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過程。11、否1.804.782.5【解析】

（1）[1]．根據(jù)閉合電路歐姆定律有：U=E-Ir，所以圖象的斜率為電源內(nèi)阻，但圖象的斜率在電流較大時(shí)，變化很大，所以電源的內(nèi)阻是變化的。[2][3]．從電壓表的示數(shù)可以示數(shù)為1.80V，再從圖象的縱軸截距為2.9V，即電源的電動勢為2.9V，又從圖象看出，當(dāng)路端電壓為1.80V時(shí)，電流為0.23A，所以電源的內(nèi)阻。（2）[4]．在實(shí)驗(yàn)一中，電壓表的示數(shù)為2.0V，連接坐標(biāo)原點(diǎn)與電源的（2.0V路端電壓）兩點(diǎn)，作出定值的伏安特性曲線如圖所示，此時(shí)還能求出滑動變阻器的阻值R=Ω-R0≈4.5Ω同時(shí)該直線與圖象b有一交點(diǎn)，則該交點(diǎn)是電阻是實(shí)驗(yàn)二對應(yīng)的值，由交點(diǎn)坐標(biāo)可以讀出：0.7V，0.75A。所以滑動變阻器此時(shí)消耗的功率P=（0.75）2×4.5W=2.5W。12、0.398（0.396~0.399均可給分）DFG（分壓式接法也可以）電流表示數(shù)，電壓表示數(shù)（或）電極A、B之間的距離【解析】

(1)[1]螺旋測微器主尺刻度為0，可動刻度為39.8×0.01mm=0.398mm，所以讀數(shù)為0+0.398mm=0.398mm(2)[2]因?yàn)橹绷麟娫措妱觿轂?V，電壓表V2量程太大，不能選擇，可將電壓表V1改裝，因此需要DF；滑動變阻器起限流作用，安全下選擇小的，比較方便操作，所以選擇G。[3]該電路設(shè)計(jì)滑動變阻器阻值比被測阻值大，而且能保證儀器安全，因此滑動變阻器采用限流方式，使用伏安法測量被測電阻，其中電壓表需串聯(lián)一個(gè)分壓電阻，總電阻遠(yuǎn)大于待測電阻，采用電流表外接。電路如圖：[4]根據(jù)歐姆定律，需要測量電流表示數(shù)，電壓表示數(shù)；[5]電壓應(yīng)為電壓表和定值電阻的總電壓，電流應(yīng)為流過待測電阻的電流，則因?yàn)椋砸部杀硎緸?3)[6]根據(jù)電阻定律其中薄膜很薄，展開后可認(rèn)為是以圓周長為邊，厚度為高的矩形，即所以為了測量薄膜厚度，還需要測量連入電路的電阻長度為電極A、B之間的距離。(4)[