南大光電研究報告公司概況：先進半導體材料平臺型公司歷史沿革：江蘇南大光電材料股份有限公司，成立于2000年，于2012年在深圳證券交易所創業板上市，是主要從事先進前驅體材料、電子特氣、光刻膠及配套材料三大半導體材料產品生產、研發和銷售的高新技術企業。在前驅體領域，公司依托“863”計劃項目成果，經數年發展，在技術水平、產品種類、市場拓展上均實現了跨越式發展。2021年南大光電為全球MO源市場占有率前二的廠商，市場占有率接近30%，并占據國內市場第一的份額。在電子特氣領域，公司于2013年獲得國家“02專項”高純特種電子氣體研發與產業化項目，同年成立全椒南大光電材料有限責任公司，啟動砷烷、磷烷等特種氣體的研發工作，同時在含氟電子特氣方面，公司于2019年收購飛源氣體，該公司是全球含氟電子特氣主要供應商，目前三氟化氮產量位居國內第二。在光刻膠領域，公司于2017年獲得國家“02專項”193nm光刻膠及配套材料的研發項目立項，2020年公司研發的ArF光刻膠產品成為國內通過產品驗證的第一只國產ArF光刻膠，標志著國產光刻膠產品的產業化取得關鍵性的突破。主營業務：公司的業務以前驅體、電子特氣、光刻膠三大關鍵半導體材料產品生產、研發和銷售為主。公司先進前驅體材料板塊主要由MO源類產品構成，同時布局高純ALD/CVD前驅體、高K三甲基鋁、硅前驅體和OLED材料等產品。公司在MO源的合成制備、純化技術、分析檢測、封裝容器等方面已全面達到國際先進水平，主要產品有三甲基鎵、三甲基銦、三乙基鎵、三甲基鋁等，產品的純度大于等于6N級別。公司電子特氣板塊主要包括氫類電子特氣產品和含氟電子特氣產品。公司氫類電子特氣主要包括磷烷、砷烷等，產品純度已達到6N級別。公司子公司飛源氣體是國內主要的含氟電子特氣生產企業，產品主要包括三氟化氮、六氟化硫及其副產品。在光刻膠及配套材料板塊，公司正在自主研發和產業化的ArF光刻膠（包含干式及浸沒式）可以達到90nm-14nm的集成電路工藝節點，有望實現高端光刻膠材料的進口替代。產業鏈介紹：MO源是光電產業的支撐材料之一，其純度、品質對最終的光電器件或高頻器件的質量和性能起著決定性作用。MO源行業的上游主要有鎵、銦等稀有金屬以及其他輔助原料，其中其他輔助原料均屬于常規工業用品，國內供應比較充足。目前90%以上的MO源都被用來生產LED外延片。此外，MO源逐漸進入新一代太陽能電池領域如非晶硅薄膜太陽能電池、砷化鎵太陽能電池等，在相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等其他高科技領域也逐步開展應用。電子特氣行業的上游主要是空氣、工業廢氣以及基礎化學材料，其純度決定了產品質量。電子氣體在電子產品制程工藝中廣泛應用于離子注入、刻蝕、氣相沉積、摻雜等工藝，被稱為集成電路、液晶面板、LED及光伏等材料的“糧食”和“源”，半導體行業的高速發展是電子特氣的主要推動力。光刻膠行業的上游主要是感光材料、樹脂、溶劑等，公司所生產的高端光刻膠應用于半導體行業。股權結構：截至2021年9月30日，公司前十大股東共持有1.5億股，占總股本35%。第一大股東沈潔直接持股4318.16萬股，占總股本10.23%。由于公司股權較為分散，單一股東持有或控制的公司股份比例均不超過30%，也沒有單一股東能夠決定半數以上董事會成員的選任，公司單個或存在同一控制下的董事或高級管理人員亦無法單獨支配公司重大財務和經營決策，且公司前三大股東之間不存在關聯關系，因此公司不存在控股股東和實際控制人。營業收入與凈利潤：公司2021年前三季度實現營收7.09億元，同比增長65.11%；

歸母凈利潤1.24億元，同比增長38.58%。2020年實現營收5.95億元，同比增長85.13%；

歸母凈利潤8701.63萬元，同比增長58.18%。業務占比：公司業務主要包括MO源、電子特氣以及其他主營業務，其中MO源以三甲基銦和三甲基鎵為主。從公司收入占比來看，從2012年到2016年，公司收入主要來自于MO源產品。2017年電子特氣業務開始發力，高純砷烷、磷烷產品成功進入了國內主要LED客戶的大規模生產中。2019年公司收購飛源氣體，電子特氣營收首次超過MO源產品營收，2020年電子特氣業務收入4.29億元，占比72.18%，成為公司的核心收入來源。2020年，三甲基鎵、三甲基銦、三甲基鋁、三乙基鎵等合并為MO源產品，共占比20.21%。毛利率情況：公司2012-2020年銷售毛利率整體維持在40%以上。公司2020年銷售毛利率41.09%，其中電子特氣業務毛利率43.59%，MO源產品整體毛利率為29.30%。費率情況：2018年以來，公司總費用率整體呈下降趨勢，2018年公司的總費用率為40.43%，2020年總費用率為35.66%。2020年公司研發費用率10.63%，較去年同期下降1.51個百分點；2020年管理費用率19.13%，較上年同期上升4.84個百分點，主要是公司因經營成果計提績效獎金增加、新增管理用固定資產及暫時未投產固定資產計提折舊及非同一控制下企業合并子公司合并期間比上期增加綜合影響所致；2020年銷售費用率為5.51%，較上年同期下降1.3個百分點。公司財務費用率一直維持在較低水平。卡位半導體核心材料MO源，技術領先龍頭地位凸顯LED需求+新興應用拉動，MO源市場穩健增長MO源是現代化合物半導體產業的支撐原材料。MO源即高純金屬有機源，是利用先進的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝生成化合物半導體材料的關鍵支撐原材料，因而又被稱為MOCVD的“前驅體”。主要產品包括：三甲基鎵、三甲基銦、三甲基鋁、三乙基鋁、三乙基鎵、二乙基鋅、二甲基鋅、二茂鎂、二乙基碲、二叔丁基碲、三甲基銻、三乙基銻、四氯化碳、四溴化碳、液態二茂鎂、二茂鐵、硼酸三乙酯、三乙基硼，其中三甲基鎵、三甲基銦和三甲基鋁等四五種用量較大。MO源是制備LED、新一代太陽能電池、相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料，在半導體照明、信息通訊、航天等領域有著極其重要的作用。MO源的質量直接決定了最終器件的性能，因此MOCVD工藝對MO源的質量要求很高，其中純度是衡量MO源質量的關鍵指標。生產MO源的工藝過程主要包括合成、純化、分析和灌裝四個環節。大多數MO源化合物對氧氣、水汽極其敏感，遇空氣會發生自燃，遇水可發生爆炸，且毒性大。因此，MO源實現從研發到生產的轉化需要極為苛刻的條件支持。南大光電的合成環節采用獨特的合金法，該方法和鹵化物法相比工藝簡單，原料無腐蝕性，副產物少，且價格便宜，有效解決MO源污染嚴重的問題。四大企業占據MO源行業主要市場份額。目前全球范圍內MO源的生產廠商較少，只有中國、美國、歐洲、日本四個區域的少數幾個公司擁有產業化生產的能力。現階段，全球范圍內市場份額占比高的MO源生產企業主要為中國南大光電（Nata）、美國陶氏化學

（Dow）、德國默克旗下Sigma-Aldrich、荷蘭阿克蘇諾貝爾（AkzoNobel）等，這四家企業合計市場份額占比達到95%左右。2021年南大光電的市場占有率達30%左右，國內市占率第一。LED是目前MO源的主要應用。在MO源的下游應用中，有超過90%的產品被用于生產LED外延片。LED生產包括外延片生長、芯片加工和芯片封裝三個步驟，其中外延片生長是三個環節中附加值最高、技術難度最大的環節，MOCVD也是外延片生長的主流工藝，核心材料即為MO源。得益于下游LED行業的發展和制造LED所需制造外延片需要的MOCVD設備市場的增長，MO源市場規模保持穩健增長。中國MOCVD設備擁有量占全球70%以上，隨著LED產業鏈逐漸向大陸轉移，該比重仍有上升趨勢。2017年大陸MOCVD保有量1718臺，同比增長16.71%，整體保持較快增速。LED照明領域面臨壓力。在國內LED市場，目前LED的主要應用領域仍是通用照明領域。2019年通用照明LED應用占總規模的42.40%。近十年，受益于全球LED行業的高景氣度以及節能環保理念的普及，國內LED產值總體保持在15%以上的增速。近三年，由于全球景氣度下降以及國內產能過剩，增速逐漸回落，2020年受新冠疫情影響，全球經濟發展和消費市場均受到了嚴重沖擊，疊加照明行業激烈的市場競爭態勢，LED照明企業普遍面臨巨大的經營壓力。2020年全國LED總產值5512億元，同比下降26.97%。從全球LED照明市場來看，在節能環保理念傳播下，LED照明市場總體保持在10%以上增速，2018年全球LED照明產業規模達到629億美元，同比增長14.2%，但近幾年增速亦明顯放緩。長期來看，預計LED照明滲透率仍有上升空間，行業景氣度隨著行業內資源整合和疫情后經濟復蘇會有回升。中國LED顯示屏行業發展迅速。中國LED顯示屏行業發展起步較晚，早期產品主要以單、雙色顯示屏為主。隨著LED器件材料的發展與LED顯示屏控制技術的突破，LED全彩顯示屏市場發展迅速，應用領域不斷得到延伸，逐步取代單雙色屏、投影等傳統顯示產品成為室內外主流大屏幕顯示產品。2019年LED顯示應用規模占總應用規模的17%，市場規模達626億元，同比上升20%。2019年LED顯示領域產值1089億元，同比上升14.99%。LED顯示應用迎來新的發展機遇。隨著文旅經濟、室內高清顯示屏、車用顯示屏等對顯示產品的進一步需求，小間距及MiniLED、MicroLED、IRLED、UVLED還將存在廣闊的市場空間，LED顯示應用有新的發展機遇。2021年，蘋果、華為、創維、TCL、三星等大廠紛紛在電視、筆記本電腦等產品中應用MiniLED技術。下游巨頭全面入局，有望加速產業鏈的發展。根據Arizton數據，2024年全球MiniLED市場規模有望達到23.22億美元，6年的復合增速將達到147.92%。新型應用場景驅動化合物半導體快速成長，為MO源注入新動能。除LED外，MO源逐漸進入新一代太陽能電池領域如非晶硅薄膜太陽能電池、砷化鎵太陽能電池等；在相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等其他高科技領域也逐步開展應用。氮化鎵、砷化鎵等化合物半導體（即“新一代半導體”）近年來開始在通信器件、電力電子器件、新型光電器件等領域顯現出重要作用。MO源是制備新一代半導體的重要材料。新一代半導體所需要的MO源純度要求更高，雜質更低，這對MO源超純化和超純分析技術提出了更高的要求。在攻克技術條件的前提下，隨著第三代半導體的蓬勃發展，MO源有望在這一新領域迎來新的機會。PERC工藝的普及提升了MO源在光伏領域的應用。在PERC結構中Al2O3鈍化層是提高效率的關鍵，而Al2O3薄膜的制備采用PECVD或者ALD沉積工藝并使用三甲基鋁

（TMA）為原料，這進一步為MO源的應用打開了空間。在砷化鎵太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池等新一代太陽能電池中，MO源也是核心原材料，其質量是決定太陽能電池質量的關鍵。隨著新一代太陽能電池制造的PERC技術迎來突飛猛進的發展，MO源在光伏領域的應用進一步提升。砷化鎵太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池的普及應用將給MO源行業的發展帶來新的動力。薄膜太陽能電池占太陽能電池份額較小，但經過40多年的發展，目前全球薄膜電池的年出貨量也達到GW量級，成為光伏市場的重要補充。2019年晶體硅太陽能電池依然是太陽能電池的主導產品，其產量占全部太陽能電池產量的比重為95.37%，薄膜電池產量占全部太陽能電池產量的4.63%。隨著技術的發展，新興太陽能電池近年來也將有所發展。全球MO源市場仍將保持快速上升態。受益于LED、太陽能電池、相變存儲器等行業發展的拉動，全球MOCVD設備保有量不斷增多，生產能力不斷增強，帶動MO源需求量持續快速增長。根據M數據，2011-2015年，全球MO源市場需求量年均復合增長率達到40%以上。受消費電子、家電市場飽和度不斷提高，以及光伏發電新增裝機量增速下滑等因素影響，2015-2020年，全球MO源市場需求增速有所下降，但仍保持上升態勢。根據M的數據，2019年全球MO源市場規模在1.1億美元左右。我們預計到2025年，全球MO源市場規模將達到約1.8億美元，對應2021-2026年復合增長率為8.3%。公司MO源技術優勢顯著，客戶覆蓋度高中國MO源行業發展勢頭強勁。現階段，中國已經具備MO源自主生產能力，南大光電是中國MO源行業中的領先企業，其MO源產品布局較為全面，已經進入全球半導體市場供應鏈，得到歐美日韓等國家與地區企業認可。2019年，南大光電

MO源產品銷量達到29.2噸，同比增長9.29%。南大光電在MO源制備中形成了系統的技術優勢。以MO源的合成技術為例，鹵化物法是國際上最為通用的方法，該方法由于副產物過多，合成效率不高，且其原料具有腐蝕性，生產過程對安全要求非常高。南大光電經過多年的研究開發，已掌握了鹵化物法，在產業化過程中，針對鹵化物法所存在的弊端，逐步開發完善了具備更多優勢的合金法生產技術，最終實現了獨特的合金法生產工藝，該方法原料無腐蝕性且價格便宜；副產物較少，合成效率相對較高；原料和副產物安全，降低了生產過程中的危險系數，是一種既安全又清潔高效的生產方法。另外，南大光電在純化、分析、封裝等生產技術和工藝方面持續自主創新，并全面達到國際先進水平，從而形成了系統的技術優勢。南大光電擁有經驗豐富的研發和管理團隊。公司匯聚了一批國內MO源領域最頂尖的技術專家和管理專家。公司董事長孫祥禎教授先后主持國家863計劃MO源項目、MO源國家重點科技攻關項目等研究工作，是國家863計劃新材料MO源研究開發中心創始人，曾獲國家科技部授予的“八六三計劃先進個人”稱號、國家科委授予的“八六三”計劃先進工作者一等獎、并作為MO源項目第一完成人獲得國家教委授予的科學技術進步二等獎。公司的核心技術人員呂寶源先生、陳化冰先生、許從應先生、吉敏坤先生等均具有十年以上的MO源研究、產業化實踐和企業管理經驗。公司總經理李建華先生具有豐富的大型制造類企業經營管理經驗以及海外市場拓展經驗。公司穩定高效的核心管理團隊均持有公司股份。公司產品遠銷亞太、歐美等主流市場，高端客戶群不斷壯大。公司高端客戶主要包括歐洲的Osram，日本的ToyodaGosei，中國臺灣的晶元光電、廣鎵光電，韓國的首爾半導體、LG等。公司產品在中國大陸市場處于優勢地位，大陸主要外延片廠商都與公司建立了長期合作關系。國產光刻膠先行者，ArF通過產品驗證技術壁壘高企，海外巨頭壟斷光刻膠市場光刻膠行業具有較高的技術壁壘。光刻膠由樹脂、溶劑、光引發劑、添加劑四部分組成。光刻膠產品種類多、專用性強，需要長期技術積累，對企業研發人員素質、行業經驗、技術儲備等都具有極高要求，企業需要具備光化學、有機合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價等技術，具有較高的技術壁壘。光刻膠是光刻環節的重要耗材。光刻是將IC設計好的圖形由掩膜版轉移至硅片后再進行下一步刻蝕的工藝，成本占芯片制造的30%，時間占50%，是IC制造中耗時最大、難度最高的工藝。光刻時會在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠化學性質發生變化，再經顯影后將曝光的光刻膠去除，實現圖形從掩膜版到硅片的轉移。光刻膠作為光刻環節的重要耗材，其質量和性能直接影響IC產線良率，是IC制造的核心材料之一。光刻膠品類繁多。光刻膠的品種很多，使用的工藝條件依光刻膠的品種不同而有很大的不同。按曝光波長不同可分為紫外（300～450nm）光刻膠、深紫外（180～265nm）光刻膠、電子束光刻膠（0.01～0.001nm）、離子束光刻膠（＜0.001nm）、x射線光刻膠等。隨著曝光波長變化，光刻膠中的關鍵組分，如成膜樹脂、感光劑、添加劑也隨之發生相應的變化，光刻膠的綜合性能也不斷提高。ArF光刻膠目前是光刻膠的重要應用品類。隨著摩爾定律的發展，晶圓上需要容納的二極管越來越多，在晶圓上刻畫電路的精度和難度也相應提高。為滿足更高集成度更精密的集成電路制造，光刻環節必須采用更短波長的光源，光刻分辨率也相應提高——光刻機的曝光光源從寬譜紫外線發展到I線（365nm）、KrF線（248nm）、ArF線（193nm）以及目前最前沿的EUV（13.5nm）光源，而不同的光源需要使用不同的光刻膠。ArF（193nm）光源對應曝光的是ArF光刻膠，而集成電路工藝在從90nm節點拓展到7nm節點的過程中，幾乎都采用ArF工藝做為關鍵層工藝，以滿足其對于分辨率及套刻精度的要求。為適應光刻工藝，ArF光刻膠逐漸由干法ArF光刻膠發展為濕法ArF光刻膠。根據光刻條件下使用的折射介質的不同，ArF光刻膠可分為干法光刻膠與濕法（浸沒式）光刻膠：干法工藝的折射介質是空氣，應用于45nm以上技術節點；而濕法工藝的折射介質是水，45nm及以下技術節點主要采用濕法工藝來滿足更小的分辨率需求。首先得到推廣的是干法ArF光刻膠。ArF光刻膠屬于化學放大型光刻膠的一種，其雛形源自IBM公司，由于KrF光刻膠所使用的聚對羥基苯乙烯體系對波長更短的193nm深紫外ArF光有強烈的吸收（主要源自其結構中的苯環），因此該體系不適用于ArF光刻。為解決這一問題，1991年IBM公司設計出ArF光刻膠的原型——甲基丙烯酸甲酯（MMA）、甲基丙烯酸丁酯

（TBMA）和甲基丙烯酸（MAA）三元共聚物，通過調整各組分的比例可以實現對光刻膠性能的微調。隨著光刻工藝步入45nm及以下的節點，干法ArF光刻膠難以滿足此時的需求，濕法ArF光刻膠（也稱“浸沒式ArF光刻膠”）則順勢而起。浸沒式ArF光刻技術憑借在65nm及以下的工藝節點開始取得巨大的突破而收到更多關注——2004年JSR首次通過ArF浸沒式光刻成功實現了32nm分辨率，引領了巨大的的技術變革。2006年JSR又與IBM合作，通過ArF浸沒式光刻成功實現了30nm及更小的線寬。日美企業在光刻膠領域具有壟斷地位。從全球市場份額來看，光刻膠市場主要由日本、美國、韓國企業所把控。2021年東京應化、JSR、住友化學、富士膠片分別占據27%、13%、12%、8%的市場份額，陶氏化學占據17%的市場份額，韓國東進占據11%的市場份額。細分到高端的ArF光刻膠領域，行業的壟斷格局更為明顯。在ArF光刻膠方面，JSR、信越化學、東京應化、住友化學、富士膠片、陶氏化學分別占據24%、23%、20%、15%、8%、4%的市場份額。幾大供應廠商的市占率合計均超過90%。高資本開支下，光刻膠市場持續擴容隨著全球晶圓制造產能持續增長，光刻膠市場不斷擴容。集成電路制造為IC光刻膠的下游應用，其資本開支情況為上游原材料行業景氣度的先行指標。2019年，全球晶圓制造資本支出392.7億美元，同比增長8.37%。其中制造設備方面，根據SEMI數據，2020全年半導體制造設備銷售額712億美元，相比2019年的598億美元增長了19%。我們預計在下游較大的資本開支支持下，上游半導體材料仍將保持高景氣度。半導體產業重心正在向中國轉移。從區域上看，2019年全球半導體銷售額4101億美元，較2018年同比下降12.05%，但中國半導體銷售額占全球比例逐年上升，從2014年的27.3%提升至2020年的34.40%，體現了中國高于全球的行業增速。產業重心正在向中國轉移。中國仍然是全球最大的半導體市場。根據SIA發布的數據，中國仍然是全球最大的半導體市場，2021年的銷售額為1925億美元，增長了27.1%。中國大陸晶圓產能近年將明顯提升。根據芯思想數據，截止2021年，中國內地12英寸、8英寸和6英寸及以下的晶圓制造線共有210條，已經投產的12英寸晶圓制造線有29條，合計裝機月產能約131萬片。截止2021年，中國大陸在全球晶圓產能中的份額達到16%，僅次于韓國和中國臺灣地區。隨著下游產能的快速增長，我們預計光刻膠市場亦將持續擴容。光刻膠領域全球具有百億市場。光刻膠是集成電路制造必不可少的關鍵原材料。2021年，全球光刻膠市場規模19億美元，折合人民幣約120.4億元，同比增長11%。預計2022年達到21.34億美元。隨著半導體線路圖形越來越小，光刻工藝對光刻膠的需求量也越來越大，再加之全球電子產業東移趨勢持續，中國IC光刻膠市場將持續擴容，我們預計2022年中國IC光刻膠市場規模為31.59億元。高端光刻膠依賴進口，國產化提升空間巨大。當前，中國半導體領域的g線、i線光刻膠基本可以滿足自給。兩者主要用于6英寸晶圓的集成電路制造。而更為高端的KrF、ArF光刻膠，中國則高度依賴進口，國產化率存在極大的提升空間。在EUV光刻膠研發受限的情況下，ArF光刻膠已成為國產光刻材料公司所能做的技術水平最高的光刻膠（主要指商用領域）。公司持續深耕謀求突破，ArF光刻膠已通過產品驗證南大光電獲得國家"02專項"193nm光刻膠及配套材料的研發項目立項，研發ArF光刻膠進展順利。公司2017年9月正式立項“193nm光刻膠及配套材料關鍵技術研究項目”

的一期研究，并于2018年12月投資65557萬元實施“193nm（ArF）光刻膠材料開發和產業化”項目，以全資子公司寧波南大光電材料有限公司為實施主體。同時，公司設立光刻膠事業部，組建了包括高級光刻膠專業人才的獨立研發團隊，建成1500平方米的研發中心和百升級光刻膠中試生產線，開發出了多款樹酯、光敏劑、單體，創新并不斷優化提純工藝，研究出193nm光刻膠的配方，產品研發進展和成果得到業界專家的認可。公司在光刻膠方面研發經費持續投入，研發團隊不斷擴大。公司2020年年報顯示，截至2020年年底公司擁有研發人員136人，占公司總人數的比例為19%左右，擁有豐富的研發人員儲備和良好的研發人員培養機制。持續不斷的研發投入、穩定的研發團隊和創新文化是公司能夠持續進行技術創新與產品研發的基礎。目前已經建成一支具有國際水平的高素質研發與管理團隊，并不斷加強優質人才儲備，保障公司的持續研發能力。南大光電自主研發的ArF光刻膠產品成功通過客戶的使用認證。2020年12月17日，寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠產品成功通過客戶的使用認證，驗證使用的50nm閃存技術平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業界有代表性。公司產品成為國內通過產品驗證的第一只國產ArF光刻膠，具有里程碑式意義。公司預計未來形成年產25噸193nm（ArF干式5噸和浸沒式20噸）光刻膠產品的生產規模，產品性能滿足90nm-14nm集成電路制造的要求。并建成先進光刻膠分析測試中心和高分辨率光刻膠研發中心，為公司新的高端光刻膠產品的研發和產業化提供技術保障。積極布局電子特氣，砷烷磷烷+含氟氣體優勢顯著電子特氣百億市場，下游需求持續增長電子特氣高技術含量、高附加值，下游應用領域廣泛。電子特氣是隨著電子行業的興起而在工業氣體門類下逐步細分發展起來的新興產業，屬于高技術、高附加值產品，其制造要經過氣體合成、氣體純化、氣體混配、氣瓶處理、氣體充裝、氣體分析檢測等生產工序。電子特氣是集成電路、平板顯示、LED、太陽能電池等泛半導體領域生產制造過程中不可或缺的關鍵性化工材料，并對最終產品產生較大影響，被譽為電子產業的“糧食”和

“血液”。按照使用場景的不同，電子氣體可以被分為“硅族氣體、摻雜氣體、刻蝕清洗氣體、反應氣體、沉積氣體”等。高純電子特氣是電子工業核心關鍵材料之一。隨著半導體集成電路技術的發展，對電子氣體的純度和質量也提出了更高要求。高純電子特種氣體在制造環節使用較多，比如離子注進、氣相沉積、洗滌、遮掩膜形成過程中使用到一些化學氣體，常見的有SiH4、PH3、ASH3、B2H6、N20、NH3、SF6、NF3、CF4、BCI3、BF3、HCI、Cl2等。根據中國半導體行業協會數據，由于電子特氣在制造過程中使用的步驟較多，消耗量遠遠高于其他材料，占比為14%，氣體(包含高純和混合氣體)作為半導體材料中的核心原料，是除硅晶圓之外的第二大材料。電子特氣行業集中度高，國際氣體巨頭占據市場。從全球市場上來看，行業CR4高達94%，其中美國空氣化工、德國林德-普萊克斯并列第一，市場份額均達到26%。分析國內半導體用電子氣體市場情況，市場份額同樣被國際巨頭壟斷。美國空氣化工、德國林德-普萊克斯市場份額均達到30%，日本昭和電工位居第三，占比達到15%。光伏產業勢頭迅猛，帶動電子特氣需求空間增長。在光伏領域，電池片作為太陽能電池的核心組件，電子特氣在其生產過程中扮演著重要角色。據中商產業研究院統計，2020年中國光伏產業太陽能電池產量達15728.6萬千瓦，同比增長22.3%。從區域上看，中國光伏產能占全球比例快速提升，2020年中國光伏產能253834兆瓦，占全球比例從2009年的1.82%快速提升至35.88%。在全球能源革命的驅動下，光伏產業發展勢頭迅猛，有望帶動電子特氣的需求空間進一步增長。顯示面板出貨仍有增長，推動電子特氣市場增長。在顯示面板領域，電子特氣主要應用于成膜和干刻工藝。據賽迪智庫數據，2011-2018年中國顯示面板產業增速保持在20%以上，2019、2020年兩年增速有所下降，但仍維持在10%以上，2020年，中國新型顯示產業直接營收達到4460億元，全球占比達到了40.3%，產業規模位居全球第一。截至2020年底，中國大陸地區已建成6代及以上面板生產線35條，產線總投資達到1.24萬億元，年產能達到2.22億平方米。我們預計未來幾年面板出貨面積仍有增長空間。集成電路、LED等電子工業市場的快速發展，有望帶動電子特氣市場規模不斷增大。2020年，中國電子特氣按下游應用進行分類，集成電路及器件領域占比44.2%；面板領域占比34.7%；太陽能及LED等領域占比21.1%。集成電路是目前最大的應用場景，未來中國集成電路市場有望迎來高速增長，有望助力電子特氣市場規模不斷擴大。參考國內及全球下游行業增速，我們預測，至2023年，全球電子特氣市場總規模將達934億元，其中集成電路用電子特氣市場規模401億元；至2023年，中國電子特氣市場總規模將達238億元，其中集成電路用電子特氣市場規模100億元。砷烷磷烷打破海外壟斷，擴大產能滿足市場需求公司自主研制高純砷烷、磷烷等特氣打破國外壟斷。磷烷、砷烷是高純特種氣體中技術門檻和開發難度極高的兩個品種，是半導體、LED、光伏、航天和國防事業的關鍵原材料，并長期處于海外技術封鎖中。砷烷因其易燃、劇毒、易爆等特征，從生產角度來說合成到提純各個環節難度都較大。2013年，南大光電上市之初，許從應博士團隊便著手國家“02專項”高純砷烷、磷烷等特氣的研發和中試項目，經過多年耕耘，其產品自2016年起開始推向市場并率先被LED客戶廣泛接受，有效打破國外壟斷。公司磷烷、砷烷業務從“增長點”向“支撐點”發展。公司在2016年完成一期量產，年產35噸高純磷烷、15噸高純砷烷，產品純度均達到6N標準以上級。目前公司已占據國內75%市場份額，并進入英特爾、歐司朗、飛利浦等一流公司供應商名錄。2019年公司啟動產能擴大項目，計劃一期提升17.5噸磷烷產能，在2019年底二期項目再提升17.5噸磷烷以及15噸砷烷。2019年公司電子特氣業務實現營收1.64億元，占公司總營收50.91%，首次超過MO源業務，公司砷烷、磷烷業務逐漸向“支撐點”發展。南大光電高純磷烷砷烷將迎來新的機遇。磷烷及砷烷在GaAs基LED外延生長過程中的GaAs、InAlP化學氣相沉積沉積中被大量使用，自2017年以來，蘋果手機搭載的GaAs基VCSEL激光器將GaAs應用場景從傳統的紅黃光LED拓展至3D傳感和人臉識別領域，將GaAs材料推向加速發展的快車道，此外，5G大發展之下的射頻器件也是GaAs材料的重要增量。根據觀研天下數據，2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2000萬片，預計到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3500萬片；2019年全球砷化鎵襯底市場規模約為2億美元，預計到2025年全球砷化鎵襯底市場規模將達到3.48億美元，2019-2025年復合增長率9.67%。隨著GaAs材料的快速發展，預計南大光電高純磷烷砷烷將迎來新的機遇。收購飛源氣體切入含氟特氣，產能規模行業領先收購飛源氣體，公司持續布局電子特氣業務。2019年，為進一步推進電子特種氣體業務的布局與發展，公司采用現金收購及增資方式取得山東飛源氣體57.97%的股權，正式切入氟系電子特種氣體領域。山東飛源氣體主要從事三氟化氮（NF3）、六氟化硫（SF6）、四氟化碳（CF4）及其副產品的生產及銷售，產品主要面向面板行業和半導體行業。交易完成后，山東飛源氣體技術改造和生產建設項目順利推進，生產穩定，發展勢頭良好，產品品質得到廣大客戶的認可。公司已成功進入多家國際領先企業供應名單，如臺積電、中芯國際、京東方、鴻海集團等。三氟化氮方面：三氟化氮是一種優良的等離子蝕刻氣體，具有優異的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染。在電子工業中，NF3作為蝕刻劑和清洗劑被廣泛應用于IC（集成電路）行業、LCD（面板顯示）行業等，應用占比超過70%；同時在火箭發射中作為氧化劑和推進劑使用。2018-2021年，全球三氟化