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文檔簡介
【實驗內容（100）硅單晶端面的偏離度。注意光圖與腐蝕坑形狀之間的關系。確定<111>單晶的（100）【實驗步驟單晶樣##進行金相顯微鏡下腐蝕坑的形貌觀察，(100)(111)二、樣品端面晶向偏離度的測將生長方向為（100）照射下會發射出6個不同方向的反射光，而這6個方向中每3到三個橢圓的反射斑，但也可隱約看出另3晶面的偏差2、平移載物臺，使激光射在(111)3、調節載物臺上下、左右的傾角使反射像的中心與激光出射孔重合，α1=α2=Δα=β1=β2=Δβ=cosθ=cosΔαcosΔβθ=1.35°由此可知，實驗中的(111)面樣品與實際偏差1.35°α1=α2=Δα=β1=β2=Δβ=cosθ=cosΔαcosΔβθ=15.9°θ角理論值為70.5°-54.74°=相對誤差為α1=α2=Δα=β1=-β2=Δβ=cosθ=cosΔαcosΔβθ=15.9°θ54.7°
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