..《電力電子技術》復習題一、是非題1、表示各種電力半導體器件的額定電流,都是以平均電流表示的。〔╳2、對于門極可關斷晶閘管,當門極上加正觸發脈沖時可使晶閘管導通,當門極加上足夠的負觸發脈沖時又可使導通著的晶閘管關斷。〔晶閘管由正向阻斷狀態變為導通狀態所需要的最小門極電流,稱為該管的維持電流。〔╳4、在規定條件下,不論流過晶閘管的電流波形如何,也不論晶閘管的導通角是多大,只要通過管子的電流的有效值不超過該管額定電流的有效值,管子的發熱就是允許的。〔三相半波可控整流電路的最大移相范圍是0°～180°。〔╳6、無源逆變是將直流電變換為某一頻率或可變頻率的交流電供給負載使用。〔7、正弦波脈寬調制〔SPWM是指參考信號為正弦波的脈沖寬度調制方式。〔8、直流斬波器可以把直流電源的固定電壓變為可調的直流電壓輸出。〔9、斬波器的定頻調寬工作方式,是指保持斬波器通端頻率不變,通過改變電壓脈沖的寬度來使輸出電壓平均值改變。〔10、電流型逆變器抑制過電流能力比電壓型逆變器強,適用于經常要求起動、制動與反轉拖動裝置。〔11、三相橋式全控整流大電感負載電路工作于整流狀態時,其觸發延遲角的最大移相范圍為0°～90°。〔12、額定電流為100A的雙向晶閘管與額定電流為50A兩只反并聯的普通晶閘管,兩者的電流容量是相同的。〔╳13晶閘管的正向阻斷峰值電壓,即在門極斷開和正向阻斷條件下,可以重復加于晶閘管的正向峰值電壓,其值低于轉折電壓。〔14、在SPWM調制方式的逆變器中,只要改變參考信號正弦波的幅值,就可以調節逆變器輸出交流電壓的大小。〔15在SPWM調制方式的逆變器中,只要改變載波信號的頻率,就可以改變逆變器輸出交流電壓的頻率〔╳16、若加到晶閘管兩端電壓的上升率過大,就可能造成晶閘管誤導通。〔二、選擇題1、雙極型晶體管和場效應晶體管的驅動信號D。A.均為電壓控制B.均為電流控制C.雙極性晶體管為電壓控制,場效應晶體管為電流控制D.雙極性晶體管為電流控制,場效應晶體管為電壓控制2、GTR的主要缺點之一是D。A.開關時間長B.高頻特性差C.通態壓降大D、有二次擊穿現象3、當陽極和陰極之間加上正向電壓而門極不加任何信號時,晶閘管處于B。A.導通狀態B.關斷狀態C.不確定狀態4、晶閘管觸發導通后,其門極對電路B。A.仍有控制作用B.失去控制作用C.有時仍有控制作用5、對于一個確定的晶閘管來說,允許通過它的電流平均值隨導電角的減小而B。A.增加B.減小C.不變6、如果對可控整流電路的輸出電流波形質量要求較高,最好采用A濾波。A.串平波電抗器B.并大電容C.串大電阻7、晶閘管整流電路中"同步"的概念是指C。A.觸發脈沖與主電路電源電壓同時到來,同時消失B.觸發脈沖與電源電壓頻率相同C.觸發脈沖與主點路電源電壓頻有8、帶續流二極管的單相半控橋式整流大電感負載電路,當觸發延遲角等于C時,流過續流二極管電流的平均值等于流過晶閘管電流的平均值。A.120°B.90°C.60°9、三相半波可控整流電路帶電阻負載時,每只晶閘管的最大導通角為D。A.60°B.150°C.90°D.120°10、三相半波可控整流電路帶阻性負載時,當觸發延遲角大于A時,輸出電流開始斷續。A.30°B.60°C.9011、在三相半波可控整流電路中,當負載為電感性時,在一定范圍內若負載電感量越大,則D。A.輸出電壓越高B.輸出電壓越低C.導通角越小D.導通角越大12、帶感性負載的可控整流電路加入續流二極管后,晶閘管的導通角比沒有二極管前減小了,此時電路的功率因數A。A.提高了B.減小了C.并不變化13、在需要直流電壓較低、電流較大的場合,宜采用D整流電源。A.單相橋式可控B.三相橋式可控C.三相橋式全控D.帶平衡電抗器三相雙反星形可控14、帶平衡電抗器三相雙反星形可控整流電路中,每只晶閘管流過的平均電流是負載電流的D。A.1/2倍B.1/3倍C.1/4倍D.1/6倍15、三相橋式半控整流電路中,每只晶閘管流過的平均電流是負載電流的C。A.1倍B.1/2倍C.1/3倍D.1/6倍16、三相全控橋式整流電阻性負載電路中,整流變壓器二次相電壓的有效值為U2,當觸發延遲角的變化范圍在30°～60°之間時,其輸出平均電壓為Ud=B。A.1.17U2cosB.2.34U2cosC.Ud=2.34U2[1+cos<60°+>]D.2.34U2sin17、晶閘管三相串聯二極管式電流型逆變器是屬于A導通型。A.120°B.150°C.18018、要想使正向導通著的普通晶閘管關斷,只要C即可。A.斷開門極B.給門極加反壓C.使通過晶閘管的電流小于維持電流19、三相半波可控整流電路帶電阻負載時,其觸發延遲角的移動范圍是B。A.0°～120°B.0°～150°C.0°～180°20、三相橋式半控整流電路中,每只晶閘管承受的最高正反向電壓為變壓器二次相電壓的C。A.√倍B.√倍C.√X√倍D.2√倍21、帶平衡電抗器三相雙反星形可控整流電路中,平衡電抗器的作用是使兩組三相半波可控整流電路D。A.相串聯B.相并聯C.單獨輸出D.以180°相位差相并聯簡答題：電力晶體管〔GTR有哪些特點？答：電力晶體管〔GTR是一種雙極型大功率晶體管,屬于電流控制型器件。由于大電流時,GTR會產生大電流效應,導致放大倍數減小,因此在結構上常采用達林頓結構。其特點是：導通壓降低,所需的驅動電流大,使用在感性負載或開關頻率較高時必須設置緩沖電路,且過載能力差,易發生二次擊穿。電力場效應晶體管〔MOSFET有哪些特點？答：電力場效應管〔MOSFET是一種單極型大功率晶體管,屬于電壓控制型器件。其主要優點是基本上無二次擊穿現象,驅動功率小,開關頻率高,輸入阻抗大,易于并聯和保護。缺點是導通壓降較大,限制了其電流容量的提高。為什么選用了較高電壓、電流等級的晶閘管還要采用過電壓、過電流保護？答：因為電路發生短路故障時的短路電流一般都很大,而且電路中各種過電壓的峰值可達到電源電壓幅值的好幾倍,所以電路中一定要設置過電流、過電壓保護環節。此外,大電流,高電壓的晶閘管比較昂貴,也需要提供必要的保護。在晶閘管交流調壓調速電路中,采用相位控制和通斷控制各有何優缺點？答：在晶閘管交流調壓調速電路中,采用相位控制時,輸出電壓較為精確、調速精度較高,快速性好,低速時轉速脈動較小,但會產生諧波,對電網造成污染。采用同斷控制時,不會產生諧波污染,但電動機端電壓變化劇烈,轉速脈動較大。5．實現有源逆變的條件是什么？答：實現有源逆變的條件時：〔1變流電路直流側必須有直流電源Eg,且其值要略大于Ud,為逆變提供能量；〔2變流電路必須工作在β﹤90o〔即α﹥90o區域,使Ud﹤0,才能把直流電能逆變為交流電能。上述兩個條件,缺一不可,同時逆變電路需要串聯平波電抗器。絕緣柵雙極晶體管〔IGBT有哪些特點？答：結緣柵雙極型晶體管〔IGBT是一種由單極性的MOSFET和雙極型晶體管復合而成的器件。它兼有MOSFET和GTR二者的優點,屬于電壓型驅動器件。其特點是：輸入阻抗高,驅動功率小；工作頻率高,導通壓降低,功耗小。IGBT是一種很有發展前途的新型電力半導體器件,在中、小容量的電力電子應用方面大有取代其它全控型器件的趨勢電力場效應晶體管〔MOSFET有哪些特點？答：電力場效應管〔MOSFET是一種單極型大功率晶體管,屬于電壓控制型器件。其主要優點是基本上無二次擊穿現象,驅動功率小,開關頻率高,輸入阻抗大,易于并聯和保護。缺點是導通壓降較大,限制了其電流容量的提高。額定電流為100A的雙向晶閘管,可以用兩只普通晶閘管反并聯來代替,若使其電流容量相等,普通晶閘管的額定電流應是多大？答：雙向晶閘管的額定電流與普通晶閘管不同,是以最大允許有效電流來定義的。額定電流100A的雙向晶閘管,其峰值為141A,,而普通晶閘管的額定電流是以正弦半波平均值表示,因此,峰值為141A的正弦半波,它的平均值為。所以一個100A的雙向晶閘管可以用兩個45A的普通晶閘管來代替。在脈沖寬度調制〔PWM技術中,脈沖寬度可以通過何種電路來實現調制？答：在脈寬調制〔PWM技術中,脈沖寬度可以提高一個比較器來實現,即用一個三角波〔調制信號與一個直流控制電壓〔參考信號進行比較,比較器輸出電壓的極性由這兩個比較電壓的差值的正負來決定。這樣改變控制電壓的大小,即可以改變兩個電壓的交點位置,也就是改變輸出電壓極性的位置,從而改變正、負脈沖的寬度電流型逆變器有何特點？答：電流型逆變器的直流電源經大電感濾波,直流側可近似的看成恒壓源。逆變器輸出的電流波形為矩型波,電壓波形為近似的正弦波,該逆變器抑制過電流的能力很強,特別適用于頻繁啟動和加、減速的電動機負載。四、計算題：1、單相半控橋式整流電路帶電阻性負載,已知U1=220V,Rd=4,要求整流電路的直流輸出電流Id在0～25A之間變化,求〔1變壓器的電壓比；〔2若導線允許電流密度J=5A,求連接負載導線的截面積；〔3若考慮晶閘管電壓、電流取2倍的裕量,選擇晶閘管型號；〔4忽略變壓器勵磁功率,求變壓器的容量；〔5計算負載電阻Rd的功率；〔6計算電路的功率因數。1.解：〔1<2>當α＝0時,整流電路的輸出最大。<3>取取因此選擇晶閘管的型號為：KP30－4〔4取<5><6>〔當α＝0時2、三相全控橋式整流電路帶大電感負載,已知三相整流變壓器的二次繞組接成星形,整流電路輸出Ud可從0～220V之間變化,負載的Ld=0.2H,Rd=4,試計算〔1整流變壓器的二次線電壓U2l；〔2晶閘管電流的平均值IT<AV>、有效值IT及晶閘管可能承受的最大電壓UTM；〔3選擇晶閘管型號〔晶閘管電壓、電流裕量取2倍。1、解：〔1當α＝0時,整流電路的輸出最大,Ud=220V。此時U2=2.34U2φ=1.35U2l故<2>〔3晶閘管的額定值選擇如下： 取取因此,選擇晶閘管的型號為KP50－53、如圖所示為可控整流電路中的各種保護環節,指出圖中～各保護元件的名稱及作用。答：〔1為交流側硒堆。用于