1、第三部分-附錄 每個用戶的硬盤中都存放著大量的有用數據，而硬盤又是一個易出毛病的部件。為了有效的保存硬盤中的數據，除了有效的保存硬盤中的數據，備份工作以外，還要學會在硬盤出現故障時如何救活硬盤，或者提取其中的有用數據，把損失降到最小程度。 1、系統不承認硬盤 此類故障比較常常見，即從硬硬盤無法啟動動，從其它盤盤啟動也無法法進入C盤，使使用CMOSS中的自動監監測功能也無無法發現硬盤盤的存在。這這種故障大都都出現在連接接電纜或IDDE口端口上上，硬盤本身身的故障率很很少，可通過過重新插拔硬硬盤電纜或者者改換IDEE口及電纜等等進行替換試試驗，可很快快發現故障的的所在。如果果新接上的硬硬盤不承認，

2、對對于IDE硬硬盤，還有一一個常見的原原因就是硬盤盤上的主從條條線，如果硬硬盤接在IDDE的主盤位位置，則硬盤盤必須跳為主主盤狀，跳線線錯誤一般無無法檢測到硬硬盤。 2、CMOS引引起的故障 CMOS的正確確與否直接影影響硬盤的正正常使用，這這里主要指其其中的硬盤類類型。好在現現在的機器都都支持IDDEautoodetecct的功能能，可自動檢檢測硬盤的類類型。當連接接新的硬盤或或者更換新的的硬盤后都要要通過此功能能重新進行設設置類型。當當然，現在有有的類型的主主板可自動識識別硬盤的類類型。當硬盤盤類型錯誤時時，有時干脆脆無法啟動系系統，有時能能夠啟動，但但會發生讀寫寫錯誤。比如如CMOS中中

3、的硬盤類型型小于實際的的硬盤容量，則則硬盤后面的的扇區將無法法讀寫，如果果是多分區狀狀態則個別分分區將丟失。還還有一個重要要的故障原因因，由于目前前的IDE都都支持邏輯參參數類型，硬硬盤可采用NNormall、LBA、LLarge等等。如果在一一般的模式下下安裝了數據據，而又在CCMOS中改改為其他的模模式，則會發發生硬盤的讀讀寫錯誤故障障，因為其物物理地質的映映射關系已經經改變，將無無法讀取原來來的正確硬盤盤位置。 3、主引導程序序引起的啟動動故障 硬盤的主引導扇扇區是硬盤中中的最為敏感感的一個部件件，其中的主主引導程序是是它的一部分分，此段程序序主要用于檢檢測硬盤分區區的正確性，并并確定活

4、動分分區，負責把把引導權移交交給活動分區區的DOS或或其他操作系系統。此段程程序損壞將無無法從硬盤引引導，但從軟軟區或光區之之后可對硬盤盤進行讀寫。修修復此故障的的方法較為簡簡單，使用高高版本DOSS的fdissk最為方便便，當帶參數數/mbr運運行時，將直直接更換(重重寫)硬盤的的主引導程序序。實際上硬硬盤的主引導導扇區正是此此程序建立的的，fdissk.exee之中包含有有完整的硬盤盤主引導程序序。雖然DOOS版本不斷斷更新，但硬硬盤的主引導導程序一直沒沒有變化，從從DOS3.x到目前有有winDOOS95的DDOS，所以以只要找到一一種DOS引引導盤啟動系系統并運行此此程序即可修修復。

5、4、分區表錯誤誤引導的啟動動故障 分區表錯誤是硬硬盤的嚴重錯錯誤，不同錯錯誤的程度會會造成不同的的損失。如果果是沒有活動動分區標志，則則計算機無法法啟動。但從從軟驅或光驅驅引導系統后后可對硬盤讀讀寫，可通過過fdiskk重置活動分分區進行修復復。如果是某某一分區類型型錯誤，可造造成某一分區區的丟失。分分區表的第四四個字節為分分區類型值，正正常的可引導導的大于322mb的基本本DOS分區區值為06，而而擴展的DOOS分區值是是05。如果果把基本DOOS分區類型型改為05則則無法啟動系系統，并且不不能讀寫其中中的數據。如如果把06改改為DOS不不識別的類型型如efh，則則DOS認為為改分區不是是D

6、OS分區區，當然無法法讀寫。很多多人利用此類類型值實現單單個分區的加加密技術，恢恢復原來的正正確類型值即即可使該分區區恢復正常。分分區表中還有有其他數據用用于紀錄分區區的起始或終終止地址。這這些數據的損損壞將造成該該分區的混亂亂或丟失，一一般無法進行行手工恢復，唯唯一的方法是是用備份的分分區表數據重重新寫回，或或者從其他的的相同類型的的并且分區狀狀況相同的硬硬盤上獲取分分區表數據，否否則將導致其其他的數據永永久的丟失。在在對主引導扇扇區進行操作作時，可采用用nu等工具具軟件，操作作非常的方便便，可直接對對硬盤主引導導扇區進行讀讀寫或編輯。當當然也可采用用debugg進行操作，但但操作繁瑣并并且

7、具有一定定的風險。 5、分區有效標標志錯誤引起起的硬盤故障障 在硬盤主引導扇扇區中還存在在一個重要的的部分，那就就是其最后的的兩個字節:55aahh，此字為扇扇區的有效標標志。當從硬硬盤，軟盤或或光區啟動時時，將檢測這這兩個字節，如如果存在則認認為有硬盤存存在，否則將將不承認硬盤盤。此標志時時從硬盤啟動動將轉入roombasiic或提示放放入軟盤。從從軟盤啟動時時無法轉入硬硬盤。此處可可用于整個硬硬盤的加密技技術。可采用用debugg方法進行恢恢復處理。另另外，DOSS引導扇區仍仍有這樣的標標志存在，當當DOS引導導扇區無引導導標志時，系系統啟動將顯顯示為:mmissinngoperratin

8、ggsysteem。其修修復的方法可可采用的主引引導扇區修復復方法，只是是地址不同，更更方便的方法法是使用下面面的DOS系系統通用的修修復方法。 6、DOS引導導系統引起的的啟動故障 DOS引導系統統主要由DOOS引導扇區區和DOS系系統文件組成成。系統文件件主要包括iio.syss、msdoos.syss、commmand.ccom，其中中commaand.coom是DOSS的外殼文件件，可用其他他的同類文件件替換，但缺缺省狀態下是是DOS啟動動的必備文件件。在Winndows995攜帶的DDOS系統中中，msdoos.syss是一個文本本文件，是啟啟動winddows必須須的文件。但但只啟

9、動DOOS時可不用用此文件。但但DOS引導導出錯時，可可從軟盤或光光盤引導系統統，之后使用用sys c:傳送系系統即可修復復故障，包括括引導扇區及及系統文件都都可自動修復復到正常狀態態。 7、fat表引引起的讀寫故故障 fat表紀錄著著硬盤數據的的存儲地址，每每一個文件都都有一組連接接的fat鏈鏈指定其存放放的簇地址。ffat表的損損壞意味著文文件內容的丟丟失。慶幸的的是DOS系系統本身提供供了兩個faat表，如果果目前使用的的fat表損損壞，可用第第二個進行覆覆蓋修復。但但由于不同規規格的磁盤其其fat表的的長度及第二二個fat表表的地址也是是不固定的，所所以修復時必必須正確查找找其正確位置

10、置，由一些工工具軟件如nnu等本身具具有這樣的修修復功能，使使用也非常的的方便。采用用debugg也可實現這這種操作，即即采用其m命命令把第二個個fat表移移到第一個表表處即可。如如果第二個ffat表也損損壞了，則也也無法把硬盤盤恢復到原來來的狀態，但但文件的數據據仍然存放在在硬盤的數據據區中，可采采用chkddsk或sccandissk命令進行行修復，最終終得到*.cchk文件，這這便是丟失ffat鏈的扇扇區數據。如如果是文本文文件則可從中中提取并可合合并完整的文文件，如果是是二進制的數數據文件，則則很難恢復出出完整的文件件。 8、目錄表損壞壞引起的引導導故障 目錄表紀錄著硬硬盤中文件的的文

11、件名等數數據，其中最最重要的一項項是該文件的的起始簇號，目目錄表由于沒沒有自動備份份功能，所以以如果目錄損損壞將丟失大大量的文件。一一種減少損失失的方法也是是采用上面的的chkdssk或scaandiskk程序的方法法，從硬盤中中搜索出chhk文件，由由目錄表損壞壞時是首簇號號丟失，在ffat為損壞壞的情況下所所形成的chhk文件一般般都比較完整整的文件數據據，每一個cchk文件即即是一個完整整的文件，把把其改為原來來的名字可恢恢復大多數文文件。 9、誤刪除分區區時數據的恢恢復 當用fdiskk刪除了硬盤盤分區之后，表表面現象是硬硬盤中的數據據已經完全消消失，在未格格式化時進入入硬盤會顯示示無

12、效驅動器器。如果了解解fdiskk的工作原理理，就會知道道，fdissk只是重新新改寫了硬盤盤的主引導扇扇區(0面00道1扇區)中的內容。具具體說就是刪刪除了硬盤分分區表信息，而而硬盤中的任任何分區的數數據均沒有改改變，可仿造造上述的分區區表錯誤的修修復方法，即即想辦法恢復復分區表數據據即可恢復原原來的分區即即數據，但這這只限于除分分區或重建分分區之后。如如果已經對分分區用forrmat格式式化，在先恢恢復分區后，在在按下面的方方法恢復分區區數據。 10、誤格式化化硬盤數據的的恢復 在DOS高版本本狀態下，格格式化操作fformatt在缺省狀態態下都建立了了用于恢復格格式化的磁盤盤信息，實際際

13、上是把磁盤盤的DOS引引導扇區，ffat分區表表及目錄表的的所有內容復復制到了磁盤盤的最后幾個個扇區中(因因為后面的扇扇區很少使用用)，而數據據區中的內容容根本沒有改改變。這樣通通過運行uunformmatc:即可恢復原原來的文件分分配表及目錄錄表，從而完完成硬盤信息息的恢復。另另外DOS還還提供了一個個mirorr命令用于紀紀錄當前的磁磁盤的信息，供供格式化或刪刪除之后的恢恢復使用，此此方法也比較較有效。 附錄一 各類類故障判斷思思路（流程）（一）加電類故故障判斷流程程啟動與關閉類故故障判斷流程程（三）磁盤盤類故障判斷斷流程（四）顯示類故故障判斷流程程（五）安裝類故故障判斷流程程（六）局域網

14、類類故障判斷流流程（八）Inteernet類類故障判斷流流程（九）端口與外外設類故障判判斷流程（十）音視頻類類故障判斷流流程附錄二 部分部部件、設備的的技術規格內存技術規格識識別 從PC1100標準開開始內存條上上帶有SPDD芯片，SPPD芯片是內內存條正面右右側的一塊88管腳小芯片片，里面保存存著內存條的的速度、工作作頻率、容量量、工作電壓壓、CAS、ttRCD、ttRP、tAAC、SPDD版本等信息息。當開機時時，支持SPPD功能的主主板BIOSS就會讀取SSPD中的信信息，按照讀讀取的值來設設置內存的存存取時間。我我們可以借助助SiSofft Sanndra20001（下載載地址 HYP

15、ERLINK ）這類類工具軟件來來查看SPDD芯片中的信信息，例如軟軟件中顯示的的SDRAMM PC1333U-3333-5422就表示被測測內存的技術術規范。內存存技術規范統統一的標注格格式，一般為為PCx-xxxx-xxxx，但是不不同的內存規規范，其格式式也有所不同同。 1、內存的定義義內存指的就是主主板上的存儲儲部件，是CCPU直接與與之溝通，并并對其存儲數數據的部件。存存放當前正在在使用的(即即執行中)的的數據和程序序，它的物理理實質就是一一組或多組具具備數據輸入入輸出和數據據存儲功能的的集成電路。2、內存的分類類1）內存類型分分類RAM (Randoom Acccess MMemo

16、ryy)隨機讀寫存儲器器ROM (Readd Onlyy Memoory)只讀存儲器SRAM (Statiic Ranndom AAccesss Memoory)靜態隨機讀寫存存儲器DRAM (Dynammic Raandom Accesss Memmory) 動態隨機讀寫存存儲器2）內存芯片分分類FPM (FFast-PPage MMode) DRAM 快速頁面模式的的DRAMEDO (Extennded DData OOut) DDRAM即擴展數據輸出出DRAM 速度比FPMM DRAMM快15%30%BEDO (Burstt EDO) DRAMM突發式EDO DRAM 性能提高400%左

17、右SDRAM (Syncchronoous DRRAM) 同步DRAM 與CPU的外部部工作時鐘同同步RDRAM (Rambbus DRRAM ) DDR (DDoublee Dataa Ratee) DRAAM 3）按內存速度度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按內存接口口形式分SIMM(SSinglee-In LLine MMemoryy Moduule)單邊接觸內存存條,分為30線和72線兩種。DIMM(DDual IIn-Linne Memmory MModulee)雙邊接觸內存存條，1688（SDRAAM）線，184(DDDR1)線，240(DDR22)線等，目目

18、前廣泛使用用DDR3內內存，工作電電壓1.3。SODIMMM Smalll Outlline DDual IIn-linne Memmory MModulee144線DIMMM主要用于于筆記本型電電腦RIMM5）按是否有緩緩沖分UnbuffferedRegisttered6）按是否有校校驗分Non-ECCCECC3、PC66/100 SSDRAM內內存標注格式式 （1）11.01.2版本本 這類版本內內存標注格式式為：PCaa-bcd-efgh，例例如PC1000-3222-622RR，其中a表表示標準工作作頻率，用MMHZ表示（如如66MHZZ、100MMHZ、1333MHZ等等）；b表示示

19、最小的CLL（即CASS縱列存取等等待時間），用用時鐘周期數數表示，一般般為2或3；c表示最少少的Trcdd（RAS相相對CAS的的延時），用用時鐘周期數數表示，一般般為2；d表表示TRP（RRAS的預充充電時間），用用時鐘周期數數表示，一般般為2；e表表示最大的ttAC（相對對于時鐘下沿沿的數據讀取取時間），一一般為6（nns）或6。55，越短越好好；f表示SSPD版本號號，所有的PPC100內內存條上都有有EEPROOM，用來記記錄此內存條條的相關信息息，符合Inntel PPC100規規范的為1。22版本以上；g代表修訂訂版本；h代代表模塊類型型；R代表DDIMM已注注冊，2566MB以

20、上的的內存必須經經過注冊。 （2）1.2b+版本本 其格格式為：PCCa-bcdd-eefffghR，例例如PC1000-3222-541222R，其中中a表示標準準工作頻率，用用MHZ表示示；b表示最最小的CL（即即CAS縱列列存取等待時時間），用時時鐘周期數表表示，一般為為2或3；cc表示最少的的Trcd（RRAS相對CCAS的延時時），用時鐘鐘周期數表示示；d表示TTRP（RAAS的預充電電時間），用用時鐘周期數數表示；eee代表相對于于時鐘下沿的的數據讀取時時間，表達時時不帶小數點點，如54代代表5.4nns tACC；ff代表表SPD版本本，如12代代表SPD版版本為1.22；g代表

21、修修訂版本，如如2代表修訂訂版本為1.2；h代表表模塊類型；R代表DIIMM已注冊冊，256MMB以上的內內存必須經過過注冊。 44、PC1333 SDRRAM（版本本為2.0）內內存標注格式式 威威盛和英特爾爾都提出了PPC133 SDRAMM標準，威盛盛力推的PCC133規范范是PC1333 CASS=3，延用用了PC1000的大部分分規范，例如如168線的的SDRAMM、3.3VV的工作電壓壓以及SPDD；英特爾的的PC1333規范要嚴格格一些，是PPC133 CAS=22，要求內存存芯片至少77.5ns，在在133MHHz時最好能能達到CASS=2。 PC1333 SDRRAM標注格格

22、式為：PCCab-cdde-ffgg，例如PCC133U-333-5542，其中中a表示標準準工作頻率，單單位MHZ；b代表模塊塊類型(R代代表DIMMM已注冊，UU代表DIMMM不含緩沖沖區；c表示示最小的CLL（即CASS的延遲時間間），用時鐘鐘周期數表示示，一般為22或3；d表表示RAS相相對CAS的的延時，用時時鐘周期數表表示；e表示示RAS預充充電時間，用用時鐘周期數數表示；fff代表相對于于時鐘下沿的的數據讀取時時間，表達時時不帶小數點點，如54代代表5.4nns tACC；g代表SSPD版本，如如2代表SPPD版本為22.0。 55、PC16600/21100 DDDR SDRR

23、AM（版本本為1.0）內內存標注格式式其格式式為：PCaab-ccdde-ffgg，例如PCC2100RR-25333-750，其其中a表示內內存帶寬，單單位為MB/s；a*11/16=內內存的標準工工作頻率，例例如21000代表內存帶帶寬為21000MB/ss，對應的標標準工作頻率率為21000*1/166=133MMHZ；b代代表模塊類型型(R代表DDIMM已注注冊，U代表表DIMM不不含緩沖區；cc表示CCAS延遲時時間，用時鐘鐘周期數表示示，表達時不不帶小數點，如如25代表CCL=2.55；d表示RRAS相對CCAS的延時時，用時鐘周周期數表示；e表示RAAS預充電時時間，用時鐘鐘周期

24、數表示示；ff代表表相對于時鐘鐘下沿的數據據讀取時間，表表達時不帶小小數點，如775代表7.5ns ttAC；g代代表SPD版版本，如0代代表SPD版版本為1.00。 6、RDRAAM 內存標標注格式其格式為：aMB/bb c d PCe，例例如256MMB/16 ECC PPC800，其其中a表示內內存容量；bb代表內存條條上的內存顆顆粒數量；cc代表內存支支持ECC；d保留；ee代表內存的的數據傳輸率率，e*1/2=內存的的標準工作頻頻率，例如8800代表內內存的數據傳傳輸率為8000Mt/ss，對應的標標準工作頻率率為800*1/2=4400MHZZ。 7、各廠商內內存芯片編號號（1）H

25、YYUNDAII（現代） 現代代的SDRAAM內存兼容容性非常好，支支持DIMMM的主板一般般都可以順利利的使用它，其其SDRAMM芯片編號格格式為：HYY 5a b ccde fgg h i j k llm-no 其中中HY代表現現代的產品；5a表示芯片片類型(577=SDRAAM，5D=DDR SSDRAM)；b代表工工作電壓(空空白=5V，VV=3.3VV,U=2.5V)；ccde代表容容量和刷新速速度（16=16Mbiits、4KK Ref，664=64MMbits、88K Reff，65=664Mbitts、4K Ref，1128=1228Mbitts、8K Ref，1129=122

26、8Mbitts、4K Ref，2256=2556Mbitts、16KK Ref，2257=2556Mbitts、8K Ref）；fg代表芯芯片輸出的數數據位寬（440、80、116、32分分別代表4位位、8位、116位和322位）；h代代表內存芯片片內部由幾個個Bank組組成（1、22、3分別代代表2個、44個和8個BBank，是是2的冪次關關系）；I代代表接口（00=LVTTTLLoww Volttage TTTL接口口）；j代表表內核版本（可可以為空白或或A、B、CC、D等字母母，越往后代代表內核越新新）；k代表表功耗（L=低功耗芯片片，空白=普普通芯片）；lm代表封封裝形式（JJC=40

27、00mil SSOJ，TCC=400mmil TSSOP-III，TD=113mm TTSOP-III，TG=16mm TTSOP-III）；noo代表速度（77=7ns143MHHz，8=8ns1125MHzz，10pp=10nssPC-1100 CLL2或3，110s=100nsPCC-100 CL3，110=10nns1000MHz，112=12nns83MMHz，115=5nss66MHHz）。 例如如HY57VV6580110CTC-10s，HHY表示現代代的芯片，557代表SDDRAM，665是64MMbit和44K reffreshcyclees/64mms，8是88位輸出，11

28、0是2個BBank，CC是第4個版版本的內核，TTC是4000mil TTSOP-封裝，100S代表CLL=3的PCC-100。 市面面上HY常見見的編號還有有HY57VV65XXXXXXTCXXX、HY557V6511XXXXXXATC100，其中ATTC10編號號的SDRAAM上1333MHz相當當困難；編號號ATC8的的可超到1224MHz，但但上133MMHz也不行行；編號BTTC或-7、-10p的SSDRAM上上133MHHz很穩定。一一般來講，編編號最后兩位位是7K的代代表該內存外外頻是PC1100，755的是PC1133的，但但現代內存目目前尾號為775的早已停停產，改換為為T-

29、H這樣樣的尾號，可可市場上PCC133的現現代內存尾號號為75的還還有很多，這這可能是以前前的屯貨，但但可能性很小小，假貨的可可能性較大，所所以最好購買買T-H尾號號的PC1333現代內存存。 （2）LLGSLGG Semiicon LGGs如今已被被HY兼并，市市面上LGss的內存芯片片也很常見。 LGGS SDRRAM內存芯芯片編號格式式為：GM772V abb cd ee 1 f g T hi 其中中GM代表LLGS的產品品；72代表表SDRAMM；ab代表表容量(166=16Mbbits，666=64MMbits)；cd表示示數據位寬(一般為4、88、16等)；e代表BBank（22=

30、2個Baank，4=4個Bannk）；f表表示內核版本本，至少已排排到E；g代代表功耗（LL=低功耗，空空白=普通）；T代表封裝裝（T=常見見的TSOPP封裝，II=BLP封封裝）；hii代表速度（77.5=7.5ns1133MHzz，8=88ns1225MHz，7K=110nsPPC-1000 CL2或或3 ，77J=10nns1000MHz，110K=100ns1000MHz，12=112ns883MHz，15=115ns666MHz）。 例如GMM72V6661641CCT7K，表表示LGs SDRAMM，64Mbbit，166位輸出，44個Bankk，7K速度度即PC-1100、CLL

31、=3。 LGSS編號后綴中中，7.5是是PC1333內存；8是是真正的8nns PC 100內存存，速度快于于7K/7JJ；7K和77J屬于PCC 100的的SDRAMM，兩者主要要區別是第三三個反應速度度的參數上，77K比7J的的要快，上1133MHzz時7K比77J更穩定；10K屬于于非PC1000規格的，速速度極慢，由由于與7J/7K外型相相似，不少奸奸商把它們冒冒充7J/77K的來賣。 （3）Kiingmaxx(勝創) Kiingmaxx的內存采用用先進的TiinyBGAA封裝方式，而而一般SDRRAM內存都都采用TSOOP封裝。采采用TinyyBGA封裝裝的內存，其其大小是TSSOP

32、封裝內內存的三分之之一，在同等等空間下TiinyBGAA封裝可以將將存儲容量提提高三倍，而而且體積要小小、更薄，其其金屬基板到到散熱體的最最有效散熱路路徑僅有0.36mm，線線路阻抗也小小，因此具有有良好的超頻頻性能和穩定定性，不過KKingmaax內存與主主板芯片組的的兼容性不太太好，例如KKingmaax PC1150內存在在某些KT1133主板上上竟然無法開開機。 Kinggmax SSDRAM內內存目前有PPC150、PPC133、PPC100三三種。其中PPC150內內存(下圖)實際上是能能上150外外頻且能穩定定在CL=33（有些能上上CL=2）的的極品PC1133內存條條，該類型

33、內內存的REVV1.2版本本主要解決了了與VIA 694X芯芯片組主板兼兼容問題，因因此要好于RREV1.11版本。購買買Kingmmax內存時時，你要注意意別買了打磨磨條，市面上上JS常把原原本是8nss的Kinggmax PPC100內內存打磨成77ns的PCC133或PPC150內內存，所以你你最好用SIISOFT SANDRRA20011等軟件測試試一下內存的的速度，注意意觀察內存上上字跡是否清清晰，是否有有規則的刮痕痕，芯片表面面是否發白等等，看看芯片片上的編號。 KIINGMAXX PC1550內存采用用了6納秒的的顆粒，這使使它的速度得得到了很大程程度的提升，即即使你用它工工作在

34、PC1133，其速速度也會比一一般的PC1133內存來來的快；Kiingmaxx的PC1333內存芯片片是-7的，例例如編號KSSV884TT4A1A-07；而PC1000內存芯片片有兩種情況況：部分是-8的（例如如編號KSVV884T44A0-088），部分是是-7的（例例如編號KSSV884TT4A0-077）。其中KKINGMAAX PC1133與PCC100的區區別在于：PPC100的的內存有相當當一部分可以以超頻到1333，但不是是全部；而PPC133的的內存卻可以以保證1000%穩定工作作在PC1333外頻下（CCL=2）。 （4）Geeil(金邦邦、原樵風金金條) 金邦金條條分為

35、金、紅紅、綠、銀、藍藍五種內存存條，各種金金邦金條的SSPD均是確確定的，對應應不同的主板板。其中紅色色金條是PCC133內存存；金色金條條針對PCC133服務務器系統，適適合雙處理器器主板；綠色色金條是PCC100內存存；藍A色金金條針對AMMD750/760 KK7系主板，面面向超頻玩家家；藍V色金金條針對KXX133主板板；藍T色金金條針對KTT-133主主板；銀色金金條是面向筆筆記本電腦的的PC1333內存。 金邦內內存芯片編號號例如GL22000 GGP 6 LLC 16MM8 4 TTG -7 AMIR 00 322 其其中GL20000代表芯芯片類型（GGL20000=千禧條TT

36、SOPs即即小型薄型封封裝，金SDDRAM=BBLP）；GGP代表金邦邦科技的產品品；6代表產產品家族（66=SDRAAM）；LCC代表處理工工藝（C=55V Vccc CMOSS，LC=00.2微米33.3V VVdd CMMOS，V=2.5V Vdd CCMOS）；16M8是設設備號碼（深深度*寬度，內內存芯片容量量 = 內存存基粒容量 * 基粒數數目 = 116 * 88 = 1228Mbitt，其中166 = 內存存基粒容量；8 = 基基粒數目；MM = 容量量單位，無字字母=Bitts，K=KKB，M=MMB，G=GGB）；4表表示版本；TTG是封裝代代碼（DJ=SOJ，DDW=寬型

37、SSOJ，F=54針4行行FBGA，FFB=60針針8*16 FBGA，FFC=60針針11*133 FBGAA，FP=反反轉芯片封裝裝，FQ=反反轉芯片密封封，F1=662針2行FFBGA，FF2=84針針2行FBGGA，LF=90針FBBGA，LGG=TQFPP，R1=662針2行微微型FBGAA，R2=884針2行微微型FBGAA，TG=TTSOP（第第二代），UU= BGGA）；-77是存取時間間（7=7nns（1433MHz）；AMIR是是內部標識號號。以上編號號表示金邦千千禧條，1228MB，TTSOP（第第二代）封裝裝，0.2微微米3.3VV Vdd CMOS制制造工藝，77ns

38、、1443MHz速速度。 （55）SEC（SSamsunng Eleectronnics，三三星） 三星EDDO DRAAM內存芯片片編號例如KKM416CC254D表表示：KM表表示三星內存存；4代表RRAM種類（44=DRAMM）；16代代表內存芯片片組成x166（1=x11以1的倍倍數為單位、4=x44、8=x88、16=xx16）；CC代表電壓（CC=5V、VV=3.3VV）；2544代表內存密密度256KKbit（22562554 = 256Kxx、512(514) = 5122Kx、1 = 1Mxx、4 = 4Mx、88 = 8MMx、16 = 16MMx）；D代代表內存版本本（空

39、白=第第1代、A=第2代、BB=第3代、CC=第4代、DD=第5代）即即三星2566Kbit*16=4MMb內存。 三星星SDRAMM內存芯片編編號例如KMM416S116230AA-G10表表示：KM表表示三星內存存；4代表RRAM種類（44=DRAMM）；16代代表內存芯片片組成x166（4 = x4、8 = x8、116 = xx16）；SS代表SDRRAM；166代表內存芯芯片密度166Mbit（11 = 1MM、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16MM）；2代表表刷新（0 = 4K、11 = 2KK、2 = 8K）；33表示內存排排數（2=22排、3=44排）；0

40、代代表內存接口口（0=LVVTTL、11=SSTLL）；A代表表內存版本（空空白=第1代代、A=第22代、B=第第3代）；GG代表電源供供應（G=自自動刷新、FF=低電壓自自動刷新）；10代表最最高頻率（77 = 7nns1433MHz、88 = 8nns1255 MHz、10 = 10nss100 MHz、HH = 1000 MHzz CAAS值為2、LL = 1000 MHzz CAAS值為3 ）。三星的的容量需要自自己計算一下下，方法是用用S后的的數字乘S前前的數字，得得到的結果即即為容量，即即三星16MM*16=2256Mbiit SDRRAM內存芯芯片，刷新為為8K，內存存Banks

41、s為3，內存存接口LVTTTL，第22代內存，自自動刷新，速速度是10nns(1000 MHz)。 三星PC1133標準SSDRAM內內存芯片格式式如下： Unbbufferred型：KKMM3 xxx s xxxxx BBT/BTSS/ATS-GA Regissteredd型：KMMM3 90 s xxxxx BTII/ATI-GA 三星DDDR同步DRRAM內存芯芯片編號例如如KM4166H40300T表示：KKM表示三星星內存；4代代表RAM種種類（4=DDRAM）；16表示內內存芯片組成成x16（44=x4、88=x8、116=x166、32=xx32）；HH代表內存電電壓（H=DDD

42、R SDDRAM33.3V、LL=DDR SDRAMM2.5VV）；4代代表內存密度度4Mbitt（4 =44M、8 = 8M、16 = 16MM、32 = 32M、644 = 644M、12 = 1288M、25 = 2566M、51 = 5122M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代代表刷新（00 = 644m/4K 15.66s、11 = 322m/2K 15.66s、22 = 1228m/8KK15.66s、33 = 644m/8K7.8ss、4 = 128mm/16K7.8ss）；3表表示內存排數數（3=4排排、4=8排排）；0代表表接口電壓（00=混合接口口LV

43、TTLL+SSTLL_3(3.3V)、11=SSTLL_2(2.5V)）；T表示封裝裝類型（T=66針TSSOP III、B=BGGA、C=微微型BGA(CSP)）；Z代表速度度133MHHz（5 = 5ns, 200MMHz (4400Mbpps)、6 = 6nss, 1666MHz (333Mbbps)、YY = 6.7ns, 150MHHz (3000Mbpss)、Z = 7.5nns, 1333MHz (266MMbps)、88 = 8nns, 1225MHz (250MMbps)、00 = 100ns, 1100MHzz (2000Mbps)）。即三星星4Mbitt*16=664Mb

44、itt內存芯片，33.3V DDDR SDDRAM，刷刷新時間0 = 64mm/4K (15.6s)，內存存芯片排數為為4排（兩面面各兩排），接接口電壓LVVTTL+SSSTL_33(3.3VV)，封裝類類型66針TTSOP III，速度1133MHZZ。 三三星RAMBBUS DRRAM內存芯芯片編號例如如KM4188RD8C表示：KKM表示三星星內存；4代代表RAM種種類（4=DDRAM）；18代表內內存芯片組成成x18（116 = xx16、188 = x118）；RDD表示產品類類型（RD=Direcct RAMMBUS DDRAM）；8代表內存存芯片密度88M（4 = 4M、8 =

45、8M、16 = 16MM）；C代表表封裝類型（CC = 微型型BGA、DD =微型BBGA 逆逆轉CSP、W = WL-CSSP）；800代表速度（660 = 6600Mbpps、80 = 8000Mbps）。即即三星8M*18bbit=1444M，BGGA封裝，速速度800MMbps。 （6）Miicron（美美光） Microon公司是世世界上知名內內存生產商之之一（如右圖圖Microon PC1143 SDDRAM內存存條），其SSDRAM芯芯片編號格式式為：MT448 ab cdMeff Ag TTG-hi j 其中MT代代表Micrron的產品品；48代表表產品家族（448=SDRR

46、AM、4=DRAM、446=DDRR SDRAAM、6=RRambuss）；ab代代表處理工藝藝（C=5VV Vcc CMOS，LLC=3.33V Vddd CMOSS，V=2.5V Vddd CMOOS）；cddMef設備備號碼（深度度*寬度），無無字母=Biits，K=Kilobbits（KKB），M=Megabbits（MMB），G=Gigabbits（GGB）Mriicron的的容量=cdd*ef；eef表示數據據位寬(4、88、16、332分別代表表4位、8位位、16位和和32位)；Ag代表WWrite RecovveryTTwr(AA2=Twrr=2clkk)；TG代代表封裝（TT

47、G=TSOOPII封裝裝，DJ=SSOJ，DWW=寬型SOOJ，F=554針4行FFBGA，FFB=60針針8*16 FBGA，FFC=60針針11*133 FBGAA，FP=反反轉芯片封裝裝，FQ=反反轉芯片密封封，F1=662針2行FFBGA，FF2=84針針2行FBGGA，LF=90針FBBGA，LGG=TQFPP，R1=662針2行微微型FBGAA，R2=884針2行微微型FBGAA，U= BGA）；j代表功耗耗（L=低耗耗，空白=普普通）；hjj代表速度，分分成以下四類類： （A）、DDRAM -4=40nns，-5=50ns，-6=60nns，-7=70ns SDRAMM，x32

48、DDR SSDRAM（時時鐘率 CL3） -15=666MHz，-12=833MHz，-10+=1100MHzz，-8x+=125MMHz，-775+=1333MHz，-7x+=1143MHzz，-65=150MHHz，-6=167MHHz，-555=183MMHz，-55=200MMHz DDDR SDRRAM（x44，x8，xx16）時鐘鐘率 CCL=2.55 -8+=125MHHz，-755+=1333MHz，-7+=1443MHz （B）、RRambuss（時鐘率） -4D=4400MHzz 40nss，-4C=4000MHz 45ns，-4B=4000MHz 50ns，-3C=356

49、MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns +的含義 -8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 L

50、C 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz 其它還有如：黑金剛Kingbox 宇瞻Apacer 英飛凌Infineon 金士頓Kingston 記憶科技 Ramaxxel 星存StarrRam 威剛 ADATAA 金金士泰Kingsttek 主要內存顆粒生生產商：三星星(SAMSSUNG)、現現代(Hynnix)、英英飛凌(Innfi neeon)、美美光(Miccron)、勤勤茂(TwiinMOS)、南亞(NNANYA)、華邦(WWinbonnd)茂矽(MOSELL)（7）其其它內存芯片片編號 NEC的的內存芯片編編號

51、例如PPD45644841G55-A80-9JF表示示：PD44代表NECC的產品；55代表SDRRAM；644代表容量664MB；88表示數據位位寬（4、88、16、332分別代表表4位、8位位、16位、332位，當數數據位寬為116位和322位時，使用用兩位）；44代表Bannk數（3或或4代表4個個Bank，在在16位和332位時代表表2個Bannk；2代表表2個Bannk）；1代代表LVTTTL（如為116位和322位的芯片，則則為兩位，第第2位雙重含含義，如1代代表2個Baank和LVVTTL，33代表4個BBank和LLVTTL）；G5為TSSOPII封封裝；-A880代表速度度：

52、在CL=3時可工作作在125MMHZ下，在在100MHHZ時CL可可設為2（880=8nss125MMHz CLL 3，110=10nnsPC1100 CLL 3，110B=100ns較100慢，Tacc為7，不完完全符合PCC100規范范，12=112ns，770=PCC133，775=PCC133）；JF代表封封裝外型（NNF=44-pinTSSOP-III；JF=554-pinn TSOPPII；JHH=86-ppin TSSOP-III）。 HITAACHI的內內存芯片編號號例如HM552648005F -BB60表示：HM代表日日立的產品；52是SDDRAM類型型（51=EEDO D

53、RRAM，522=SDRAAM）；644代表容量664MB；880表示數據據位寬（400、80、116分別代表表4位、8位位、16位）；5F表示是第第幾個版本的的內核（現在在至少已排到到F了）；空白表示功功耗（L=低低功耗，空白白=普通）；TT為TSSOII封裝裝；B60代代表速度（775=7.55ns1333MHz，80=88ns1225MHz，A60=10nsPC-1000 CL22或3，BB60=100nsPCC-100 CL3即即100MHHZ時CL是是3）。 SIEEMENS（西西門子）內存存芯片編號格格式為：HYYB39S ab cdd0 e TT f -ggh 其中aab為容量，

54、ggh是速度（66=166MMHz，7=143MHHz，7.55=133MMHz，8=125MHHz，8B=100MHHzCL33，10=100MHHzPC666規格）。 TOOSHIBAA的內存芯片片編號例如TTC59S66408BFFTL-800表示：TCC代表是東芝芝的產品；559代表SDDRAM（其其后的S=普普通SDRAAM，R=RRambuss SDRAAM，W=DDDR SDDRAM）；64代表容容量（64=64Mb，MM7=1288Mb）；008表示數據據位寬（044、08、116、32分分別代表4位位、8位、116位和322位）；B表表示內核的版版本；FT為為TSOPIII封

55、裝（FFT后如有字字母L=低功功耗，空白=普通）；880代表速度度（75=77.5ns133MHHz，800=8ns125MHHz，100=10nss100MMHz CLL=3）。 IBMM的內存芯片片編號例如IIBM03116809CCT3D-110，其中IIBM代表IIBM的產品品；03代表表SDRAMM；16代表表容量16MMB；80表表示數據位寬寬（40、880、16分分別代表4、88、16位）；C代表功耗耗（P=低功功耗，C=普普通）；D表表示內核的版版本；10代代表速度（668=6.88ns1447MHz，75A=7.5NS1133MHzz，2660或2222=10nssPC100

56、0 CL22或3，3360或3222=10nnsPC1100 CLL3，B版版的64Mbbit芯片中中，260和和360在CCL=3時的的標定速度為為：135MMHZ，100=10NSS100MMHz。 硬盤的技術規格格硬盤的分類按照結構分為機機械式硬盤（英英文名：Haard Diisc Drrive，簡簡稱HDD，全全名溫徹斯特特式硬盤）和和固態硬盤（SSSD ：SSolid Statee Diskk，全名固態電電子存儲芯片片陣列）硬盤的技術規格格 轉速：硬硬盤通常是按按每分鐘轉速速(RPM，RRevoluutionss Per Minutte)計算：該指標代表表了硬盤主軸軸馬達（帶動動磁盤

57、）的轉轉速，比如55400 RRPM就代表表該硬盤中主主軸轉速為每每分鐘54000轉。目前前主流筆記本本硬盤轉速為為5400RRPM；臺式式機硬盤則為為7200RRPM。但隨隨著技術的不不斷進步，筆筆記本和臺式式機均有萬轉轉產品問世，但但多用用于企企業用戶。單碟容量：單碟碟容量是硬盤盤相當重要的的參數之一。硬硬盤是由多個個存儲碟片組組合而成，而而單碟容量就就是指一個存存儲碟所能存存儲的最大數數據量。目前前在垂直記錄錄技術的幫助助下，單碟容容量從之前880GB升級級到500GGB或者6440GB，發發展速度相當當快。硬盤單單碟容量提高高不僅僅可以以帶來總容量量提升，有利利于降低生產產成，提高工工

58、作穩定性；而且單碟容容量越大其內內部數據傳輸輸速率就越快快。平均尋道時間：平均尋道時時間指硬盤在在盤面上移動動讀寫磁頭到到指定磁道尋尋找相應目標標數據所用的的時間，單位位為毫秒。當當單碟容量增增大時，磁頭頭的尋道動作作和移動距離離減少，從而而使平均尋道道時間減少，加加快硬盤訪問問速度。 緩存：緩存是硬盤盤與外部交換換數據的臨時時場所。硬盤盤讀/寫數據據時，通過緩緩存一次次地地填充與清空空，再填充，再再清空，就像像一個中轉倉倉庫一樣。目目前大多數硬硬盤緩存已經經達到32MMB，而對于于大容量產品品則均為644MB容量。內部數據傳輸率率：內部傳輸輸率是指硬盤盤磁頭與緩存存之間的數據據傳輸率，簡簡單

59、說就是硬硬盤將數據從從盤片上讀取取出來，然后后存儲在緩存存上的速度。內內部傳輸率可可以明確表現現出硬盤的讀讀寫速度，它它的高低才是是評價一個硬硬盤整體性能能的決定性因因素。目前大大多數桌面級級硬盤基本都都在70-990MB/SS之間，筆記記本硬盤則在在55MB/S左右。日立硬盤 例例如: HDDP7250050GLAA360 H = Hittachi（日日立標識）D = DesskstarrP = P7KK500系列列（S代表SStandaard） 72 = 72200轉50 = 此系系列產品的最最大容量為5500GB（110=10000GB） 50 = 此款款硬盤容量為為500GBB（16=

60、1160GB，225=2500GB，322=320GGB, 500=500GGB, 755=750GGB，10=1000GGB）G = 系列代代號 L = 標準尺尺寸A3 = SAATA 3.0Gb/ss 接口（AAT=PATTA 1333接口）6 = 16MMB緩存（88=8MB 緩存，6=16MB緩緩存，3=332MB緩存存） 0 = 保留位位希捷硬盤 例如: SST310000528AASST = Seeagatee（希捷）3 = 3.55英寸（1=3.5英寸寸全高硬盤，33=3.5英英寸半高硬盤盤）1000 = 1TB容量量（250=250GBB，320=320GBB，500=500G