1、學(xué)習(xí)目標(biāo)：、掌握離子晶體的概念、物理性質(zhì)的特點(diǎn)、理解離子晶體配位數(shù)及其影響因素、能識(shí)別幾種常見晶體的晶胞結(jié)構(gòu)第四節(jié) 離子晶體一、離子晶體1.定義：由陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。成鍵粒子：陰、陽離子相互作用力：離子鍵種類繁多：強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、 絕大多數(shù)鹽 酸呢？硬度較大閱讀：P79最后一節(jié)，總結(jié)離子晶體物理性質(zhì)：思考：為什么具有這樣的物理性質(zhì)？熔、沸點(diǎn)較高 因?yàn)殡x子晶體中存在較強(qiáng)的離子鍵，破壞離子鍵需提供較多的能量。如何比較離子晶體熔沸點(diǎn)的高低？2、離子晶體的物理性質(zhì)本人文庫(kù)有大量word和PPT合集匯總資料每份資料都含有多份可編輯打印修改的內(nèi)容希望多到我的文庫(kù)中看看影響離子鍵強(qiáng)度

2、的因素：1離子所帶電荷數(shù)2離子半徑離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng) 。（熔沸點(diǎn)越高，硬度越大）NaF NaCl NaBr NaINaCl晶體中陰、陽離子配位數(shù)(C.N.)每個(gè)Cl- 周圍與之最接近且距離相等的Na+共有 個(gè)。 6這幾個(gè)Na+在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 。正八面體每個(gè)Na+ 周圍與之最接近且距離相等的Cl-共有 個(gè)。 6這幾個(gè)Cl-在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 。正八面體思考：每個(gè)Na+ 周圍與之最接近且距離相等的Na+ 共有 個(gè)。 (Cl-) 12CsCl晶體的結(jié)構(gòu) CsCl晶體中陰、陽離子的配位數(shù)（C.N.）（1）每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子的個(gè)數(shù)？ （2）在氯化銫晶體中，每個(gè)

3、Cs+周圍與之最接近且距離相等的Cl-共有 ；這幾個(gè)Cl-在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 。（3）在每個(gè)Cl-周圍距離相等且最近的Cs+共有 ；這幾個(gè)Cs 在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型 。 個(gè)個(gè)個(gè)立方體型個(gè)立方體型NaCl，CsCl晶體中的陰、陽離子的配位數(shù)（C.N.）離子晶體陰離子配位數(shù)陽離子配位數(shù) NaCl CsCl66881、幾何因素：正負(fù)離子的半徑比配位數(shù)與 r +/ r- 之比相關(guān)：0.225 0.414 4 配位 0.414 0.732 6 配位0.732 1.000 8 配位3、離子晶體中的離子的配位數(shù)（C.N.）的影響因素：（P79科學(xué)探究）2、電荷因素：正負(fù)離子的電荷比CaF2的晶胞CaF2

4、的晶體中，Ca2和F的個(gè)數(shù)之比_，電荷數(shù)之比_，Ca2配位數(shù)是_，F(xiàn)的配位數(shù)是_。1:22:184影響離子配位數(shù)的因素：1.幾何因素2.電荷因素3.鍵性因素分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可知：陽離子半徑越大，金屬碳酸鹽的分解溫度越高。科學(xué)視野碳酸鹽的熱分解溫度高低規(guī)律以堿土金屬碳酸鹽為例熱分解實(shí)質(zhì)閱讀P80，結(jié)合表格，思考什么是晶格能？晶格能的影響因素？對(duì)離子晶體的性質(zhì)有怎樣的影響？二.晶格能1、定義： 氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量，通常取正值。2、規(guī)律：離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，晶格能越大。晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔沸點(diǎn)越高，硬度越大。巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系：晶格能高的晶體熔點(diǎn)

5、較高，更容易在巖漿冷卻過程中冷卻下來，從而先結(jié)晶析出。晶體類型離子晶體分子晶體原子晶體金屬晶體構(gòu)成微粒作用力硬度熔沸點(diǎn)導(dǎo)電性溶解性典型實(shí)例四種類型晶體的比較晶體類型離子晶體分子晶體原子晶體金屬晶體構(gòu)成微粒離子分子原子金屬陽離子和自由電子作用力離子鍵分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵硬度較大 小大有大有小熔沸點(diǎn)較高 低高有高有低導(dǎo)電性固態(tài)不導(dǎo)電，熔融或水溶液導(dǎo)電固態(tài)或熔融態(tài)不導(dǎo)電 不導(dǎo)電 導(dǎo)電溶解性有些可溶，有些不可溶相似相溶 不溶 不溶比較物質(zhì)熔點(diǎn)高低的方法：1、若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體離子晶體分子晶體。2、若晶體類型相同，則有：離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，離子所帶電荷數(shù)越高，離子半徑越小，離子鍵就越強(qiáng)（晶格能越大），熔點(diǎn)就越高。原子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時(shí)，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。分子晶體中（不含氫鍵時(shí)），分子組成和結(jié)構(gòu)相似時(shí)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。金屬晶體中，離子電荷越高，離子半徑越小，金屬鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。合金的熔點(diǎn)比它的各成分金屬的熔點(diǎn)低。例.下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)順序判斷不正確的是 ( )A