物理大物作業答案2014全_第1頁
免費預覽已結束,剩余2頁可下載查看

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、作業四十四激光P半激發,粒子自發地從高能級向P能級躍遷發出光子作業四十四激光P半激發,粒子自發地從高能級向P能級躍遷發出光子激輻射所產生的光子x有P外來光子完全相同的特性2即它們的頻率1相O1振動向方向均相同粒子數反轉是指激光器的工作物質處于高能級中的粒子數超過處于P能級的粒子數 P26.631034 3E E E h 10.61061.6 N i NE 0.1171.62)111.3810 23N2 產生P維持光的振蕩,使光得到加強,進一m實現光放大 E PE 可能產生的激光頻率是由hvE4本征半導體是指 2P2子 導體的能帶結構是價帶是O滿的,在外電場的作用Q,種O 1 , 就未被電子填滿

2、,而個價帶又P2(2) 絕緣體的能帶結構是滿帶和空帶之間的禁帶很寬,滿帶中的電子很難從P能圖 NaCl,KCl 等)1分子晶體(如Cl2,CO2 等)屬于一類 能帶中的電子就起導電作用2如Q圖 (b)所示,價帶是滿帶,價帶P空帶之間禁 )導電性2鍺1硅等屬于l類 21p 型半導體的導電結構的化是在滿帶P方鄰近處有雜質能級能級),使得滿帶 1p 型半導體的導電結構的化是在滿帶P方鄰近處有雜質能級能級),使得滿帶 ,子流和空穴流的代數和2至于雜質半導體,n 型半導體要導電的載流子是電子,P 型半導 導帶中的電子數或滿帶中的空穴數2因而少量雜質將會顯著地影響半導體的導電性帶2量1E 0min maxhc 6.6310341035.9109m max1.21.602Eh

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論