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1、作業四十四激光P半激發,粒子自發地從高能級向P能級躍遷發出光子作業四十四激光P半激發,粒子自發地從高能級向P能級躍遷發出光子激輻射所產生的光子x有P外來光子完全相同的特性2即它們的頻率1相O1振動向方向均相同粒子數反轉是指激光器的工作物質處于高能級中的粒子數超過處于P能級的粒子數 P26.631034 3E E E h 10.61061.6 N i NE 0.1171.62)111.3810 23N2 產生P維持光的振蕩,使光得到加強,進一m實現光放大 E PE 可能產生的激光頻率是由hvE4本征半導體是指 2P2子 導體的能帶結構是價帶是O滿的,在外電場的作用Q,種O 1 , 就未被電子填滿
2、,而個價帶又P2(2) 絕緣體的能帶結構是滿帶和空帶之間的禁帶很寬,滿帶中的電子很難從P能圖 NaCl,KCl 等)1分子晶體(如Cl2,CO2 等)屬于一類 能帶中的電子就起導電作用2如Q圖 (b)所示,價帶是滿帶,價帶P空帶之間禁 )導電性2鍺1硅等屬于l類 21p 型半導體的導電結構的化是在滿帶P方鄰近處有雜質能級能級),使得滿帶 1p 型半導體的導電結構的化是在滿帶P方鄰近處有雜質能級能級),使得滿帶 ,子流和空穴流的代數和2至于雜質半導體,n 型半導體要導電的載流子是電子,P 型半導 導帶中的電子數或滿帶中的空穴數2因而少量雜質將會顯著地影響半導體的導電性帶2量1E 0min maxhc 6.6310341035.9109m max1.21.602Eh
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