1、單總線獨(dú)特的單線接口僅需一個(gè)端口引腳5.5V溫度計(jì)分辨率可以被使用者選擇為912單總線獨(dú)特的單線接口僅需一個(gè)端口引腳5.5V溫度計(jì)分辨率可以被使用者選擇為912用戶可定義的非易失性溫度設(shè)DS18B209-12編程的不因電而改變DS18B2064DS18B20同時(shí)連在 詳細(xì)的引腳說(shuō)明 圖 1 是表示 DS18B20DS18B209-12編程的不因電而改變DS18B2064DS18B20同時(shí)連在 詳細(xì)的引腳說(shuō)明 圖 1 是表示 DS18B20的方框圖，表 1 已經(jīng)給出了引腳說(shuō)明。64 位只器警值寄存器（TH 和TL），和一個(gè)字節(jié)的的配置寄存器。配置寄存器允許用戶將溫度的精度設(shè)定為 9，10，11

2、或 12 位。TH,TL 和配置寄存器是非易失性的（EEPROM。件依靠每個(gè)器件獨(dú)有的64電容（Cpp）8 引腳 SOIC 封裝TO-9 5142數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳。對(duì)于單線操作：用來(lái)提供電源（建“寄生電源”節(jié)33可選的 VDD 引腳。工作與寄生電源模式時(shí)VDD 必須接地。DS18B20圖DS18B20編程的 9，10，11 或12 DS18B20圖DS18B20編程的 9，10，11 或12 位，分別以 0.5，0.25，0.125和0.0625增量遞生的溫度數(shù)據(jù)以兩個(gè)字節(jié)的形式被到高速暫存器的溫度寄存器中，DS18B20,轉(zhuǎn)換結(jié)束返回 1。如果 DS18B20 由寄生電源供電，除非在進(jìn)入溫

3、度轉(zhuǎn)換時(shí)總線被一個(gè)強(qiáng)上拉拉高，否則將不會(huì)由返回值。寄生電源的總線要求在 DS18B20 供電節(jié)溫度寄存器格式 溫度/ 數(shù)據(jù)關(guān)系 *上電復(fù)位時(shí)溫度寄存器默認(rèn)值為T(mén)H 和TL 中一個(gè)字節(jié)的用儲(chǔ)器TH 和TL23THTL 寄存器格式 TH 和TL 為 8 位寄存器時(shí)，4 位溫度寄存器中的 11 個(gè)位用來(lái)和 TH、TL 進(jìn)行較。如果測(cè)溫度/ 數(shù)據(jù)關(guān)系 *上電復(fù)位時(shí)溫度寄存器默認(rèn)值為T(mén)H 和TL 中一個(gè)字節(jié)的用儲(chǔ)器TH 和TL23THTL 寄存器格式 TH 和TL 為 8 位寄存器時(shí)，4 位溫度寄存器中的 11 個(gè)位用來(lái)和 TH、TL 進(jìn)行較。如果測(cè)得的溫度高于 TH 或低于 條件成立就會(huì)置個(gè)搜索命令E

4、ChTHTLDS18B20 溫度 數(shù)據(jù)輸出（二進(jìn)制數(shù)據(jù)輸出（十六進(jìn)制h0000 0001 1001 0000 0000 1010 0000 0000 0000 00000 0000 0000 -1111 1111 1111 -1111 1111 0101 -1111 1110 0110 -1111 1100 1001 壓的電流（見(jiàn)直流電特性和交流電特性節(jié)）DS18B20DS18B20壓的電流（見(jiàn)直流電特性和交流電特性節(jié)）DS18B20DS18B20接拉到電源上就可以實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖 4。在發(fā)出溫度轉(zhuǎn)換指令44h或拷貝暫存器指DS18B20 供電的另一種傳統(tǒng)辦法是從 VDD 引腳接入一個(gè)外部電源，見(jiàn)圖

5、 5。這溫度高于 100時(shí)，使用寄生電源，因?yàn)?DS18B20 在這種溫使用DS18B20 的VDDDS18B20 預(yù)備了一種信號(hào)指示電源的使用意圖。總線控制器發(fā)出一個(gè) Skip ROMDS18B20 溫度轉(zhuǎn)換期間的強(qiáng)上拉供電 外部電源給DS18B20 供電 位（激）光刻只器碼。CRC 位（激）光刻只器碼。CRC 的詳細(xì)解釋見(jiàn) CRC 發(fā)生器節(jié)。64 位ROM 和ROM 操作控制區(qū)允許 DS18B2064（激）器 器DS18B20觸位 0 和位 1 為測(cè)得溫度信息的 LSB 和MSB。這兩個(gè)字節(jié)是只讀的。第 2 和第 3 字節(jié)是 TH 和TL 的拷貝。位 4 包含配置寄存器數(shù)據(jù)，其被詳述于配置

6、寄存器5，67數(shù)據(jù)通過(guò)寫(xiě)暫存器指令4Eh寫(xiě)入高速暫存器的 2，3 和 4 位；數(shù)據(jù)必須以位 2 為取（使用讀暫存器指令BEh 。在讀暫存器時(shí)，數(shù)據(jù)以位 0 為最低有效位從單總線移出控制器傳遞從暫存器到 EEPROMTH,TL 和配置數(shù)據(jù)必須發(fā)出拷貝暫存器8EEPROM數(shù)據(jù)也EEPROM 命令從暫EEPROM。總線控制器令后發(fā)出讀時(shí)序，DS18B201EEPROM數(shù)據(jù)也EEPROM 命令從暫EEPROM。總線控制器令后發(fā)出讀時(shí)序，DS18B201器圖 入；在讀回?cái)?shù)據(jù)時(shí)，它們?nèi)勘憩F(xiàn)為邏輯 1。寫(xiě)配置寄存器 溫度計(jì)精確度配置 CRC CRCDS18B2064 位ROM的一器中。CRC 碼由ROM的

7、前位計(jì)算得到，被包含在 ROM 的重要字節(jié)當(dāng)中。CRC 在器中的數(shù)CRC CRCDS18B2064 位ROM的一器中。CRC 碼由ROM的前位計(jì)算得到，被包含在 ROM 的重要字節(jié)當(dāng)中。CRC 在器中的數(shù)CRC 能夠在總線控制器DS18B20 時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)。為校驗(yàn)數(shù)據(jù)是否被正確讀取，總線控制器必須用接受到的數(shù)據(jù)計(jì)算出一個(gè)CRC值，在DS18B20 64ROM中的值（ROM時(shí)）時(shí)）進(jìn)行比較。如果計(jì)算得到的 CRC 值8CRC（器出來(lái)的 CRC 值相吻合，數(shù)據(jù)被無(wú)傳輸。CRCDS18B20的或由其計(jì)算到 CRC 值和總線控制器計(jì)算的值不相DS18B2CRC = X8 + X5 + X4 + 單總

8、線CRCXORCRC寄存器將復(fù) 0。CRC 發(fā)生器 單總線系統(tǒng)包括一個(gè)總線控制器和一個(gè)或多個(gè)從機(jī)。DS18B20 5K的外部上拉電阻；單總線的空閑狀態(tài)是高電平。無(wú)論任5K的外部上拉電阻；單總線的空閑狀態(tài)是高電平。無(wú)論任步驟1步驟每一次 DS18B20 的操作都必須滿足以上步驟，若是缺少步驟或是順，器件不會(huì)返回值。例如這樣的順序：發(fā)起 ROM 搜索指令F0h和后，總線控制器必須返回步驟 1。搜索指令ECh制器知道 DS18B20 在總線上且已準(zhǔn)備好操作，詳見(jiàn)單總線信號(hào)節(jié)。ROM Search ROM F0h ( 搜索ROM Search ROM F0h ( 搜索ROMROM（見(jiàn)下文）ROMiBu

9、ttonBookofStandards須返回步驟 1。READ ROM 33h ROM指令。MATH ROM 55h （匹配ROM指令的SKIP ROM CCh ( ROM指令后只能跟著發(fā)出一條 暫存器指令BEh。在單點(diǎn)總線情況下使用該命令，器。ALARM SEARCH ECH 搜索指令操作流程DS18B20 于圖 12。CONVERT T 44h ( 溫度轉(zhuǎn)換指DS18B20 于圖 12。CONVERT T 44h ( 溫度轉(zhuǎn)換指寄生電源模式下發(fā)出該命令后，在溫度轉(zhuǎn)換期間（tconv，必須在 10us(最多),內(nèi)給單總線一個(gè)強(qiáng)上拉，見(jiàn) DS18B20 供電節(jié)。如果 DS18B20 以外部電源

10、供電，總線控制器在發(fā)出該命令后跟著發(fā)出讀時(shí)序，DS18B20 如處于轉(zhuǎn)換中，將在總線上WRITE SCRATCHPAD （寫(xiě)暫存器指令READ SCRATCHPAD BEh （讀暫存器指令節(jié)（8，CRC）。COPY SCRATCHPAD 48h （拷貝暫存器指令保持 10ms，見(jiàn) DS18B20 供電節(jié)所述RECALL E2 B8H EEPROM 指令線控制器在發(fā)出該命令后讀時(shí)序，DS18B20會(huì)輸出拷回標(biāo)識(shí)：0標(biāo)識(shí)正在拷回，1標(biāo)識(shí)拷回結(jié)束。這種拷回操作在 DS18B20上電時(shí)自動(dòng)執(zhí)行，這樣器件一上電暫存器里OWER SUPPLY B4h (讀電源法信息詳述于 DS18B20 供電節(jié)ROM 指

11、令流ROM 指令流程圖 DS18B20 功能指DS18B20 功能指令流程圖 在初始化序列期間，總線控制在初始化序列期間，總線控制器拉低總線并保持 480us 以發(fā)出（TX）一個(gè)復(fù)位脈沖，然總線，進(jìn)入接收狀態(tài)（RX。單總線由 5K 上拉電阻拉到高電平。DS18B20 探測(cè)到 I/O 引腳上的上 15-60us,然后發(fā)出一個(gè)60-初始化時(shí)序 讀/ 寫(xiě)時(shí)1011DS18B20，寫(xiě) 0時(shí)序?qū)戇壿?0DS18B20。所有寫(xiě)時(shí)序必須最少持續(xù) 60us，包括兩個(gè)寫(xiě)周期之間至少 1us 的恢復(fù)時(shí)制器把數(shù)據(jù)線從邏輯高電平拉到低電平的時(shí)候，寫(xiě)時(shí)序開(kāi)始（見(jiàn)圖 14。始后的時(shí)候，5K 的上拉電阻將拉高樣。如果線上是

12、高電平，就是寫(xiě) 1。如果線上是低電平，就是寫(xiě) 0。讀/ 寫(xiě)時(shí)序圖EEPROM 指令B8h之后讀時(shí)序，詳見(jiàn) DS18B20讀/ 寫(xiě)時(shí)序圖EEPROM 指令B8h之后讀時(shí)序，詳見(jiàn) DS18B20 功能指令或1us,I/O15us,以 I/O 腳狀態(tài)。15TINIT,TRC1 的詳細(xì)時(shí)序 1 時(shí)序 1 的詳細(xì)時(shí)序 1 時(shí)序 的傳真服務(wù)（(214)4500441）27：“理解并多次循環(huán)冗余檢測(cè)達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司的接觸式注意事項(xiàng)55：“擴(kuò)大接觸74FTP。DS18B20 操作舉例 DS18B20 操作舉例 數(shù)據(jù)器讀到8數(shù)據(jù)字CRC，把CRC和的CRC 進(jìn)行比較，如果相同DS18B20 操作舉例 DS18B

13、20 操作舉例 數(shù)據(jù)器讀到8數(shù)據(jù)字CRC，把CRC和的CRC 進(jìn)行比較，如果相同，控制器向下進(jìn)至少保持 10ms數(shù)據(jù)發(fā)匹配ROM64ROM發(fā)匹配ROM64ROM器讀到8數(shù)據(jù)字CRC，把CRC和的CRC 進(jìn)行比較，如果相同，控制器向下進(jìn)-55到-55到參見(jiàn)J-STD-020A 的-55到-55到參見(jiàn)J-STD-020A 的規(guī)*(-55Cto+125C;VDD=3.0VtoVPU 相等。為了達(dá)到 DS18B20 的 VIH 規(guī)格，實(shí)際晶體管上拉供電必須包括電為了將IDDS減到最為了將IDDS減到最少，DQ圍如下：GNDDQGND + 0.3V or VDD DQ VDD動(dòng)態(tài)電流涉及溫度轉(zhuǎn)換和寫(xiě)器DQ數(shù)據(jù)線為高（“hi-Z”狀態(tài)）交流電特性： 器(-55C to +100C; VDD=3.0V to (-55C to +100C; VDD=3.0V to 關(guān)于時(shí)序見(jiàn)圖18時(shí)序圖 圖單總線寫(xiě)0時(shí)序圖 圖單總線寫(xiě)0單總線讀0寫(xiě)在最后：鑒于網(wǎng)上目前還沒(méi)有看到真正的DS1820