電磁場與電磁波基礎(chǔ)第9章_第1頁
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1、電磁場與電磁波基礎(chǔ)第9章第1頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五邊界條件入射波(已知)反射波(未知) 透射波(未知) 現(xiàn)象:電磁波入射到不同媒質(zhì) 分界面上時,一部分波 被分界面反射,一部分 波透過分界 面。均勻平面波垂直入射到兩種不同媒質(zhì)的分界平面 入射方式:垂直入射、斜入射; 媒質(zhì)類型: 理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)、導(dǎo)電媒質(zhì) 分析方法:第2頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 9.1 均勻平面波對分界平面的垂直入射 本節(jié)內(nèi)容 對導(dǎo)電媒質(zhì)分界面的垂直入射 9.1.2 對理想導(dǎo)體表面的垂直入射 9.1.3 對理想介質(zhì)分界面的垂直入射第3頁,共27頁,2022年,5

2、月20日,6點(diǎn)34分,星期五9.1.1 對導(dǎo)電媒質(zhì)分界面的垂直入射zx媒質(zhì)1:媒質(zhì)2:y 沿x方向極化的均勻平面波從 媒質(zhì)1 垂直入射到與導(dǎo)電媒質(zhì) 2 的分界平面上。 z 0中,導(dǎo)電媒質(zhì) 2 的參數(shù)為第4頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五媒質(zhì)1中的入射波:媒質(zhì)1中的反射波:媒質(zhì)1中的合成波:第5頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五媒質(zhì)2中的透射波:在分界面z = 0 上,電場強(qiáng)度和磁場強(qiáng)度切向分量連續(xù),即第6頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 定義分界面上的反射系數(shù)R 為反射波電場的振幅與入射波電場振幅之比、透射系數(shù)T 為透射波電

3、場的振幅與入射波電場振幅之比,則 討論: R 和T是復(fù)數(shù),表明反射波和透射波的振幅和相位與入射波 都不同。 若兩種媒質(zhì)均為理想介質(zhì),即電導(dǎo)率= 0,則得到 若媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體,電導(dǎo)率 ,則 ,故有第7頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五9.1.2 對理想導(dǎo)體表面的垂直入射x媒質(zhì)1:媒質(zhì)2:zz = 0y媒質(zhì)1為理想介質(zhì),電導(dǎo)率0媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體,電導(dǎo)率故媒質(zhì)1中的入射波:媒質(zhì)1中的反射波:則在分界面上,反射波電場與入射波電場的相位差為第8頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 媒質(zhì)1中合成波的電磁場為合成波的平均能流密度矢量瞬時值形式理想導(dǎo)體表面上的感應(yīng)電

4、流第9頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 合成波的特點(diǎn) (n = 0,1,2,3,) (n = 0 ,1,2,3, ) 媒質(zhì)1中的合成波是駐波。 電場振幅的最大值為2Eim, 最小值為0 ;磁場振幅的最 大值為2Eim /1,最小值也 為0。 電場波節(jié)點(diǎn)( 的最小值的位置) 電場波腹點(diǎn)( 的最大值的位置)第10頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 坡印廷矢量的平均值為零,不 發(fā)生能量傳輸過程,僅在兩個 波節(jié)間進(jìn)行電場能量和磁場能 的交換。 在時間上有/ 2 的相移。 在空間上錯開/ 4,電 場的波腹(節(jié))點(diǎn)正好是磁場 的波節(jié)腹)點(diǎn)。 兩相鄰波節(jié)點(diǎn)之間任

5、意兩點(diǎn) 的電場同相。同一波節(jié)點(diǎn)兩 側(cè)的電場反相。第11頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 例 一均勻平面波沿+z 方向傳播,其電場強(qiáng)度矢量為 解:(1) 電場強(qiáng)度的復(fù)數(shù)表示 (1)求相伴的磁場強(qiáng)度 ;(2)若在傳播方向上 z = 0處,放置一無限大的理想導(dǎo)體平板, 求區(qū)域 z 0 中的電場強(qiáng)度 和磁場強(qiáng)度 ;(3)求理想導(dǎo)體板表面的電流密度。則 第12頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五寫成瞬時表達(dá)式 (2) 反射波的電場為 反射波的磁場為第13頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五在區(qū)域 z 1時,R 0,反射波電場與入射波電場同相

6、。 當(dāng)2 1時,R 0)當(dāng)1z =n,即 z =n1/ 2 時,有當(dāng)1z =(2n1)/2,即z =(n/2+1/4)1 時,有第18頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 合成波電場振幅(R 0) 合成波電 場振幅 合成波電 場z當(dāng)1z =n,即 z =n1/ 2 時,有當(dāng)1z =(2n1)/2,即z =(n/2+1/4)1 時,有第19頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 駐波系數(shù) S 定義為合成波的電場強(qiáng)度振幅的最大值與最小值之比,即駐波系數(shù)(駐波比) S 討論 當(dāng)R0 時,S 1,為行波。 當(dāng)R-1 時,S = ,是純駐波。 當(dāng) 時,1 S 2 ; 入射角不小于稱為全反射的臨界角。 第25頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五 下圖為光纖的剖面示意圖,如果要求光波從空氣進(jìn)入光纖芯線后,在芯線和包層的分界面上發(fā)生全反射,從一端傳至另一端,確定入射角的最大值。 解:在芯線和包層的分界面上發(fā)生全反射的條件為由于所以故第26頁,共27頁,2022年,5月20日,6點(diǎn)34分,星期五2. 全透射和布儒斯特角平行極化波發(fā)生全透射。當(dāng)ib 時,R/ = 0 全透射現(xiàn)象:反射系數(shù)為0 無反射波。

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