1、2019 年 4 月 9 日科目錄 HYPERLINK l _bookmark0 行業領軍人物構建強大的研發團隊4 HYPERLINK l _bookmark2 持續的關鍵技術創新5 HYPERLINK l _bookmark11 獲中國政府大力支持8 HYPERLINK l _bookmark13 專注刻蝕和薄膜沉積設備9 HYPERLINK l _bookmark18 行業前景：市場規模500 億美元，刻蝕設備占比上升12 HYPERLINK l _bookmark20 中長期看，半導體設備行業增長的三大動因可持續性強12 HYPERLINK l _bookmark24 刻蝕設備占比 15

2、%-20%，且占比逐年上升13 HYPERLINK l _bookmark27 行業集中度高，中微介質刻蝕市占率不足 5%15 HYPERLINK l _bookmark33 中微競爭優勢18 HYPERLINK l _bookmark38 募投項目202019 年 4 月 9 日科創圖表目錄 HYPERLINK l _bookmark1 圖表 1. 核心技術團隊成員4 HYPERLINK l _bookmark3 圖表 2.電容等離子體刻蝕設備核心技術概況5 HYPERLINK l _bookmark4 圖表 3. 電容等離子體刻蝕設備核心技術具體表征5 HYPERLINK l _bookm

3、ark5 圖表 4. 電感性等離子體刻蝕設備核心技術概況6 HYPERLINK l _bookmark6 圖表 5. 電感性等離子體刻蝕設備核心技術具體表征6 HYPERLINK l _bookmark7 圖表 6. 深硅刻蝕設備（TSV 系列）核心技術概況6 HYPERLINK l _bookmark8 圖表 7. 深硅刻蝕設備（TSV 系列）核心技術具體表征6 HYPERLINK l _bookmark9 圖表 8. MOCVD 設備核心技術概況6 HYPERLINK l _bookmark10 圖表 9. MOCVD 設備核心技術具體表征7 HYPERLINK l _bookmark12

4、 圖表 10. 中微重大專項研發項目8 HYPERLINK l _bookmark14 圖表 11. 中微主要產品演變9 HYPERLINK l _bookmark15 圖表 12. Semicon China 展會新產品統計10 HYPERLINK l _bookmark16 圖表 13. 國內半導體設備企業收入規模對比單位：億元11 HYPERLINK l _bookmark17 圖表 14. 中微半導體近三年收入結構11 HYPERLINK l _bookmark19 圖表 15. 2018-2019 年全球半導體設備市場規模的最新預測12 HYPERLINK l _bookmark21

5、 圖表 16. AI 大數據時代的半導體制程設備市場規模再上臺階12 HYPERLINK l _bookmark22 圖表 17. 等離子刻蝕工藝步驟隨制程微縮而大幅增加13 HYPERLINK l _bookmark23 圖表 18. 線寬微縮和 3D 化拉動晶圓制造設備投資劇增13 HYPERLINK l _bookmark25 圖表 19. 2017 年集成電路行業各類設備銷售額占比14 HYPERLINK l _bookmark26 圖表 20. 2017 年各類晶圓制造設備的市場規模占比變化趨勢14 HYPERLINK l _bookmark28 圖表 20. 全球半導體設備企業市占

6、率15 HYPERLINK l _bookmark29 圖表 21. 各類制程設備的行業競爭格局15 HYPERLINK l _bookmark30 圖表 22. 中微在干法刻蝕及介質刻蝕設備的全球市占率16 HYPERLINK l _bookmark31 圖表 23. 中微在國內某兩個存儲廠商刻蝕設備的訂單份額16 HYPERLINK l _bookmark32 圖表 24. 國內 MOCVD 設備行業競爭格局17 HYPERLINK l _bookmark34 圖表 25. 中微電容性等離子體刻蝕設備競爭力18 HYPERLINK l _bookmark35 圖表 26. 中微電感性等離子

7、體刻蝕設備競爭力18 HYPERLINK l _bookmark36 圖表 27. 中微深硅刻蝕設備（TSV 系列）競爭力18 HYPERLINK l _bookmark37 圖表 28. 中微 MOCVD 設備競爭力18 HYPERLINK l _bookmark39 圖表 29. 中微電感性等離子體刻蝕設備競爭力20 HYPERLINK l _bookmark40 圖表 30. 報告中提及上市公司估值表21行業領軍人物構建強大的研發團隊公司創始人、董事長及總經理尹志堯博士：在半導體芯片和設備產業有 35 年行業經驗，是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者；擁有應用材料、泛林半導體等

8、國際一流半導體設備企業研發、管理經驗。創辦中微公司以前， 尹博士于 1984 年至 1986 年間供職于英特爾，從事核心技術開發工作；于 1986 年至 1991 年間在泛林半導體負責領導若干重點產品的刻蝕技術開發；于 1991 年至 2004 年間在應用材料擔任高級管理職務，包括企業副總裁、刻蝕產品事業部總經理、亞洲總部首席技術官；是 89 項美國專利和 200 多項其他海內外專利的主要發明人；2018 年美國 VLSI Research 的全球評比中，中微公司董事長尹志堯博士與英特爾董事長、格羅方德 CEO 等一起被評為 2018 年國際半導體產業十大領軍明星（All Stars）。公司的

9、其他聯合創始人、核心技術人員和重要的技術、工程人員，包括杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士、楊偉先生、李天笑先生等 160 多位各專業領域的專家，其中很多是在國際半導體設備產業耕耘數十年，為行業發展做出杰出貢獻的資深技術和管理專家。他們在參與創立或后續加入中微公司后，不斷創造新的技術、工藝和設計，做出了不可替代的貢獻。圖表 1. 核心技術團隊成員公司職稱學歷加入中微前的工作經歷負責部門1984-1986 年，就職于英特爾中心技術開發部，擔任工藝工程師；中國科學技術大學 1986-1991 年，就職于 Lam Research，歷任研發部資深工程師、研發尹志堯博士 創始人、董事長學士，加州大學洛

10、杉部資深經理；1991-2004 年，就職于 Applied Materials，歷任等離子體刻蝕磯分校博士刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官董事及副總經 上海交通大學學士，1990-1999 年，歷任 Praxair Inc. 高級工程師、經理、董事總經理等；杜志游博士理美國麻省理工學院 1999-2001 年，擔任應用材料全球供應管理經理；2001-2004 年，擔任MOCVD倪圖強博士副總經理碩士、博士中國科學技術大學 學士、碩士，美國德州大學博士、博士后梅特勒-托利多上海子公司總經理1995-2004 年，擔任泛林半導體技術總監刻蝕美

11、國國籍，臺灣大學1985-1989 年，擔任英特爾資深工程師；1989-2003 年，擔任應用材料 CCP 等離子體麥仕義博士副總裁學士、美國馬里蘭大學博士資深總監；2004 年 1 月至 2004 年 6 月，擔任英特爾項目經理刻蝕產品，楊偉副總裁西安交通大學學士、1993-1995 年，擔任智群科技股份有限公司項目經理；1995-2004 年共同工程部碩士擔任應用材料軟件部資深總監復旦大學學士、美國1990-1995 年，擔任美國索尼資深電氣工程師；1995-2004 年，擔任應共用電氣工程李天笑副總裁韋恩大學碩士、美國紐約大學碩士用材料亞太項目經理技術部2019 年 4 月 9 日科創資

12、料來源：公司招股書，中銀國際證券持續的關鍵技術創新公司聚集國際和國內一流的技術人才。針對設備等不同研發對象和項目產品，組成了分工明確的專業研發團隊。截至 2018 年末，公司共有研發和工程技術人員 381 名，占員工總數的 58%。公司一直以來保持較高的研發投入，2016-2018 年研發費用占收入比例 49.62%、34%、24.65%。截至 2019 年 2 月末，公司申請了 1,201 項專利，其中發明專利 1,038 項，海外發明專利 465 項，海外發明專利占比為 45%。公司專利中，我們估計等離子刻蝕專利占比 80%，MOCVD 專利占比 20%。公司在開發等離子體刻蝕設備和 MO

13、CVD 設備的過程中，始終強調創新和差異化：電容性等離子體刻蝕設備：開創性地推出甚高頻去耦合等離體子刻蝕技術；電感性等離子體源：創造性地設計新型電感線圈架構，極大減少電容性耦合引起的不良作用；MOCVD 設備：設計精確定位的托盤鎖定機制。圖表 2.電容等離子體刻蝕設備核心技術概況名稱技術來源護措施技術水平PrimePrimePrime SSCPrime SSC雙反應臺高產出率自主研發已獲授權專利 5 項 國際先進技術D-RIE已量產AD-RIE已量產AD-RIE-HD-RIE-同時加工 2 片晶圓且不干擾加工精度接觸式上電極噴淋自主研發已獲授權專利 10 國際先進已量產已量產已量產已量產專利及

14、其他技術保應用和貢獻情況板技術晶圓邊緣區域氣簾技術項；申請中專利 6 項自主研發 已獲授權專利 2 項；國際先進-已量產已量產已量產申請中專利 2 項脈沖阻抗匹配技術自主研發已獲授權專利 11項；申請中專利 2 項國際先進-已量產已量產已量產等離子體約束技術自主研發 已獲授權專利 7 項；國際先進已量產已量產已量產已量產申請中專利 3 項資料來源：公司招股書，中銀國際證券注：應用和貢獻情況的已量產表示該核心技術已經在該機臺上得到量產運用圖表 3. 電容等離子體刻蝕設備核心技術具體表征名稱具體表征目前國際上的晶圓加工設備為保證加工精度，普遍采用單反應臺方式，即每個工藝模塊只配臵一個反應臺并一雙反

15、應臺高產出率技術接觸式上電極噴淋板技術晶圓邊緣區域氣簾技術脈沖阻抗匹配技術等離子體約束技術次加工一片晶圓。公司的高輸出量等離子體反應腔能同時加工 2 片晶圓且不干擾加工精度，有效增加產出率，可同時減少設備生產成本。公司的電極噴淋板技術采用了新型陶瓷材料、新型的加工方法并實現了耐腐蝕性；該技術采用噴淋板與控溫體機械接觸方式，不僅突破了受到專利保護的粘合技術，而且能實現相比粘合和技術更低的缺陷數和制造成本。提高晶圓加工良率的一大難點在于晶圓邊緣的處理，氣簾技術通過特殊的氣路和氣流通道孔徑設計，在保證刻蝕均勻度的同時在晶圓邊緣形成大流量氣體簾以達到阻礙異物顆粒從晶圓周邊進入晶圓上方導致沉降式顆粒缺陷

16、的目的。高深寬比刻蝕中需要對溝槽底部積累電荷進行去除，以改善圖形畸變問題，脈沖射頻等離子體是可采用的有效手段之一，但其挑戰性在于射頻阻抗匹配技術。公司自主開發的雙水平雙頻脈沖射頻等離子體阻抗匹配技術，有效解決了脈沖射頻等離子體的邊率輸出穩定性難題，實現對溝槽底部積累電荷進行去除。等離子體約束是在反應腔中將等離子體約束在晶圓反應區以內，以提高刻蝕效率并降低非晶圓加工區污染的技術，公司自主研發的等離子體約束技術基于電場屏蔽原理，通過對約束環的通孔尺寸形狀以及射頻通路的特殊設計，實現了在有效約束等離子體的情況下把對反應腔抽氣能力的影響降到最低。2019 年 4 月 9 日科創資料來源：公司招股書，中

17、銀國際證券圖表 4. 電感性等離子體刻蝕設備核心技術概況名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用和貢獻情況Prime nanova低電容耦合線圈技術自主研發已獲授權專利 4 項；申請中專利 1 項國際先進已量產抗損耗氧化釔鍍膜技術自主研發已獲授權專利 8 項；申請中專利 1 項國際先進已量產反應腔對稱抽氣技術自主研發已獲授權專利 2 項國際先進已量產資料來源：公司招股書，中銀國際證券圖表 5. 電感性等離子體刻蝕設備核心技術具體表征名稱具體表征公司低電容耦合線圈技術采用三維立體的線圈架構，通過獨特的線路和連接設計以及相配合的射頻匹配優低電容耦合線圈技術化，實現了在不影響射頻功率耦合效率和

18、分區域電流調節的情況下，最大限度地降低電容耦合成分，從而提高刻蝕的選擇性并加大工藝窗口。2019 年 4 月 9 日科創抗損耗氧化釔鍍膜技術 公司自主研發的基于物理氣相淀積方式的鍍膜技術在多方面超越了通用的等離子噴涂技術，其抗等離子體侵蝕的能力增加，多孔性降低從而提高了設備加工重復性并降低缺陷率。反應腔對稱抽氣技術公司對稱抽氣技術采用了軸對稱設計，提高了徑向和切向的氣流均勻性，并有效解決了下電極射頻耦合、熱傳導以及射頻電流回路所遇到的問題。資料來源：公司招股書，中銀國際證券圖表 6. 深硅刻蝕設備（TSV 系列）核心技術概況名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用和貢獻情況TSV 設備雙

19、反應臺高產出率技術自主研發已獲授權專利 3 項；申請中專利 1 項國際先進已量產側引入氣體均勻化技術自主研發已獲授權專利 13 項；申請中專利 1 項國際先進已量產高速氣體轉換技術自主研發已獲授權專利 9 項；申請中專利 1 項國際先進已量產資料來源：公司招股書，中銀國際證券圖表 7. 深硅刻蝕設備（TSV 系列）核心技術具體表征名稱具體表征雙反應臺高產出率技術公司 TSV 設備采用雙反應臺系統，通過一次加工兩片晶圓有效增加產出率，通過共用氣系統和抽氣系統來降低設備成本。側引入氣體均勻化技術該技術是在頂部進氣的基礎上，增加了從反應腔側面供氣的通道，并配合關鍵的中心導流板，從而能夠滿足刻蝕均勻度

20、的需要。高速氣體轉換技術公司自主研發的高速氣體轉換技術采用高速氣流控制器、優化和縮短氣流通道技術，以及優化的變頻式射頻匹配技術等，可實現氣體快速切換，從而優化了刻蝕形貌。資料來源：公司招股書，中銀國際證券圖表 8. MOCVD 設備核心技術概況名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用和貢獻情況Prime D-bluePrime A7雙區可調控工藝氣體噴淋頭自主研發已獲授權專利 18 項；申請中專利 1 項國際先進-已量產高溫度均勻性加熱器和帶鎖托盤驅動技術自主研發已獲授權專利 1 項；申請中專利 2 項國際先進已量產已量產高精度可編程托盤傳輸技術自主研發已獲授權專利 4 項；申請中專利

21、1 項國際先進已量產已量產智能化溫控技術自主研發已獲授權專利 16 項；申請中專利 1 項國際先進已量產已量產資料來源：公司招股書，中銀國際證券2019 年 4 月 9 日科創圖表 9. MOCVD 設備核心技術具體表征名稱具體表征雙區可調控工藝氣體噴淋頭 更高的氣體和 MO 源利用率，可根據不同外延生長材料（氮化鎵和鋁鎵氮）選擇不同區 MO 源的配比更高的 MO 源利用率的同時擁有更好的厚度及組分的均勻性。高溫度均勻性加熱器和帶鎖加熱器最高溫度可達 1200，加熱片材料為高純度難熔金融及高溫合金，表面采用特殊處理方式使其托盤驅動技術具有高熱發射率；加熱器分為多個不同的區，每區獨立控制溫度；轉

22、軸與托盤接口的肩托卡槽式設計高精度可編程托盤傳輸技術 獨立的石墨盤雙層冷卻系統，具有冷卻效果好、生產效率高以及更好的耐高溫性等有限；與先進機械手廠商合作機械手；肩托卡槽式設計使托盤的傳輸定位更加準確。智能化溫控技術調節范圍大（溫度控制范圍達到 450-1200）；動態響應快（響應范圍寬至 0.01/秒-3/秒）；穩態精度高（最大超調范圍0.5%，穩態精度0.5%）。資料來源：公司招股書，中銀國際證券2019 年 4 月 9 日科創獲中國政府大力支持1、公司先后承擔了五個國家科技發展重大專項研發項目，是執行國家科技發展重大專項的標桿單位。公司已順利完成四個等離子體刻蝕設備的開發和產業化項目。目前

23、正在執行的第五個研發項目已提前兩年達到預定技術指標。圖表 10. 中微重大專項研發項目序號項目類別重大科研項目名稱項目時間1國家科技重大專項65-45nm 介質刻蝕機研發與產業化2009.1-2012.72上海市高新技術產業化重大項目計劃高端 MOCVD 設備研發及產業化2018.8-2013.123國家科技重大專項32-22nm 介質刻蝕機研發與產業化2011.1-2014.9420120 年度上海市戰略新興產業項目450mm 大尺寸刻蝕機研發2013.1-2015.125國家科技重大專項22-14nm 介質刻蝕機開發及關鍵零部件國產化2013.1-2016.126國家科技重大專項14-7n

24、m 介質刻蝕機研發及產業化2016.1-至今7國家科技重大專項刻蝕工藝零部件驗證與應用2017.1 至今資料來源：公司招股書，中銀國際證券2、國家集成電路大基金持股比例為 19.39%，大基金通過巽鑫投資間接持股。3、享受行業政策紅利。例如，2014 年 6 月出臺的國家集成電路產業發展推進綱要強調，進一步突出企業的主體地位，以需求為導向，以技術創新、模式創新和體制機制創新為動力，突破集成電路關鍵裝備和材料瓶頸，推動產業整體提升，實現跨越式發展。國家高度重視和大力支持行業發展， 相繼出臺了多項政策，推動中國半導體產業的發展和加速國產化進程，將半導體產業發展提升到國家戰略的高度，充分顯示出國家發

25、展半導體產業的決心。2018 年國務院政府工作報告亦強調“加快制造強國建設。推動集成電路、第五代移動通信、飛機發動機、新能源汽車、新材料等產業發展”。公司所處的設備制造業是集成電路產業的制高點，在現代電子信息產業中占有極其重要的地位。一系列支持法規和政策的推出，為公司提供了難能可貴的發展機遇。2019 年 4 月 9 日科創專注刻蝕和薄膜沉積設備公司定位高端半導體設備制造，主要業務是開發加工微觀器件的大型真空工藝設備，包括等離子體刻蝕設備和薄膜沉積設備。等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備與光刻機是制造集成電路、LED 芯片等微觀器件的最關鍵設備。自 2004 年成立伊始，中微公司首先開發甚高頻去耦

26、合等離子體刻蝕設備 Primo D-RIE，到目前為止已成功開發了雙反應臺 Primo D-RIE、雙反應臺 PrimoAD-RIE 和單反應臺 Primo SSC AD-RIE 三代刻蝕設備， 涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米和 5 納米微觀器件的眾多刻蝕應用。2012 年中微公司開發電感性等離子體刻蝕設備，到目前為止已成功開發單反應臺 Primo nanova 刻蝕設備，并同時開發雙反應臺電感性等離子體刻蝕設備，主要涵蓋 14 納米以下微觀器件的刻蝕應用。中微公司還針對集成電路先進封裝和 MEMS 傳感器產業發展的市場需求，開發了廣泛應

27、用于這些領域的電感性等離子體深硅刻蝕設備。薄膜沉積設備方面，2010 年中微公司開始開發用于 LED 器件加工中最關鍵的設備MOCVD 設備。公司已開發了三代 MOCVD 設備，該設備是一種高端薄膜沉積設備，主要用于藍綠光 LED 和功率器件等生產加工，包括第一代設備 Prismo D-Blue、第二代設備 Prismo A7 及第三代更大尺寸設備。圖表 11. 中微主要產品演變資料來源：公司招股書，中銀國際證券隨著公司持續的技術創新和市場開拓，公司核心競爭力持續提升并取得了良好的經營成果。公司的半導體設備產品線逐漸擴充并實現規?；N售，已經形成刻蝕設備和 MOCVD 設備并重的收入結構， 新

28、一代產品也逐漸進入市場。圖表 12. Semicon China 展會新產品統計公司產品類別2019 年主打產品備注DISCO晶圓加工設備等離子體切割設備北方華創沉積、刻蝕、清洗、氧化擴散等ALD、ALE、銅互連 PVDSi 拋光到 Oxide，到 STI，到現在的 Cu CMP。2015年進入中芯國際，2018 年進入上海華力Universal-300Plus、Universal-300DualCMP華海清科針對 5G, 汽車電子和人工智能領域的芯片測試的組合解決方案ATETeradyneAdvantestATEV93000 人工智能(AI)測試解決方案2018 年推出 T2000 AiR

29、系統、EVA100 量測系統能表面處理設備）盛美半導體單片清洗設備 多陽極局部電鍍銅設備，先進封裝拋銅設備，以及 Tahoe 高溫硫酸清洗設備等三款最新產品屹唐（Mattson）去膠設備HydrilisTM（真空傳送平臺）和 NovykaTM（高性北京華峰測控ATESTS8300，可實現 ALL-in-ONE，針對更多管腳、更多工位的模擬、電源管理及混合信號 IC 測試成立于 1993 年封裝自動化、測試機解決方案、傳感器測試機成立于 2014 年，集成電路制程設備項目、自動化宏實自動化ATE晶盛機電硅片加工、長晶爐械手、紫外線硅片記憶抹除機、濕制程濃度分析儀拋光機系統集成項目、智能工廠系統集

30、成項目京創先進半導體劃片設備 AR9000 全自動設備和 AC8000 改進型清洗機2018 年推出 AR3000、AR7000、AR8000中科信離子注入機重點展示離子注入機2018 年推出新一代的 CI P900HP 中束流離子注入機上海精測工藝流程控制首次展出膜厚設備等光力科技晶圓加工設備GDS6230 雙軸半自動切割機不久將會推向市場應用于 IC 前道制造的 600 系列光刻機、應用于2002 年成立。2018 年展出新一代超高產率、高精光刻設備、曝光 IC 后道先進封裝的 500 系列投影光刻機、應用度 LED 步進投影光刻機SSB380/10A 光刻機；上海微電子機于 LED/ME

31、MS/ Power Devices 制造的 300 系列投影應用于 IC 前道制造的 600 系列光刻機、應用于 IC光刻機、應用于 FPD 面板制造的 200 系列投影光刻機、SOI 晶圓缺陷自動檢測設備中微刻蝕設備7nm 刻蝕設備 Prismo A7長川科技ATE探針臺、晶圓表面缺陷檢測設備無錫微導沉積、刻蝕原子層沉積團簇系統 Dragon 3000、半導體全自動晶圓蝕刻設備、半導體精密打標設備資料來源：Semicon China 2019，中銀國際證券后道先進封裝的 500 系列光刻機2019 年 4 月 9 日科創公司營業收入保持高增長，從 2016 年的 6.10 億元增長至 201

32、8 年的 16.39 億元，年均復合增長率達 64%， 成長性突出。2019 年 4 月 9 日科創圖表 13. 國內半導體設備企業收入規模對比 單位：億元資料來源：公司招股書，中銀國際證券在 2018 年收入結構中，刻蝕設備銷售收入達到 5.66 億元，占比 35%，MOCVD 設備銷售收入 8.32 億元， 占比 51%，備品備件收入 2.27 億元，占比 14%。圖表 14. 中微半導體近三年收入結構2016占比(%)2017占比(%)2018占比(%)營業總收入專用設備4.88808.268513.9885MOCVD 設備0.1635.30558.3251刻蝕設備4.70772.893

33、05.6635其他設備0.0200.0710備品備件1.16191.35142.2714設備維護0.0610.1110.141其他業務-00.0000.010總 計6.101009.7210016.39100資料來源：公司招股書，中銀國際證券刻蝕設備：2016-2018 年銷售數量分別為 56、33、71 個腔室，均價分別為 840、876、797 萬元/腔。MOCVD：2016-2018 年銷售數量分別為 3、57、106 個腔室，均價分別為 519、930、785 萬元/腔。2019 年 4 月 9 日科創行業前景：市場規模500 億美元，刻蝕設備占比上升半導體設備行業規模中樞從 300

34、億抬升到 600 億美元。據 SEMI 統計，2018 年全球半導體設備市場規模 605 億美元，相比 2017 年 552 億美元同比增長 9.6%。SEMI 預計 2019 年全球半導體設備市場規模達到 558 億美元，同比下滑 7.8%，但 2020 年全球半導體設備市場規模重返 600 億美元以上。圖表 15. 2018-2019 年全球半導體設備市場規模的最新預測2017同比(%)2018同比(%)2019同比(%)北美5419.7048(10.50)503.00中國大陸662.5012284.30120(2.00)歐洲4083.004511.8043(5.60)日本6438.408

35、736.3086(1.00)韓國198157.30185(6.50)121(34.70)東南亞190.002637.6024(4.60)中國臺灣111(8.90)92(17.30)11424.20全球合計55233.906059.60558(7.80)資料來源：SEMI，中銀國際證券中長期看，半導體設備行業增長的三大動因可持續性強動因 1：人工智能大數據時代等將成為芯片新需求，從而推動半導體設備行業規模整體上升。2000-2010年是全球 PC 互聯網時代，半導體制程設備行業的市場規模位于 250 億美元平均水平（制程設備占道半導體設備行業整體的 70%-80%）。到了 2010-2017 年

36、，人類進入了智能手機社交媒體時代，半導體制程設備行業的市場規模上升到 320 億美元的平均線上。2017-2020 年，人類將進入了人工智能和物聯網時代，半導體制程設備的市場規模增加到 450 億美元的數量級。圖表 16. AI 大數據時代的半導體制程設備市場規模再上臺階資料來源： HYPERLINK / 、中銀國際證券2019 年 4 月 9 日科創動因 2：半導體新的工藝節點，需要更多更復雜的刻蝕、薄膜工藝、清洗工藝、檢測工藝等等，這也會帶動每萬片晶圓產能的投資額大幅增加。邏輯芯片從 65nm 工藝發展到 28nm，等離子刻蝕工藝步驟從 20 步增加到 40 步，而從 20nm 工藝發展到

37、 7nm 工藝時，等離子刻蝕工藝步驟從 40 步增加到140 步，全部工藝步驟也從不到 1000 步增加到 1500 個步驟，相同晶圓產能的投資額將增加 1 倍左右， 而 memory 的投資額增幅更大。圖表 17. 等離子刻蝕工藝步驟隨制程微縮而大幅增加Logic 器件65 納米45 納米28 納米20 納米14 納米10 納米7 納米5 納米頭發絲的直徑1/30001/50001/70001/100001/14000等離子蝕刻機20304055 步驟65 步驟115 步驟140 步驟160 步驟全工藝步驟1000 步驟1100 步驟1400 步驟1500 步驟2000 步驟資料來源：中微半

38、導體, 中銀國際證券動因 3：集成電路新的圖形技術，導致每萬片晶圓產能的投資額大幅增加。例如 3D NAND 工藝替代2D NAND 工藝，每萬片晶圓產能的投資額將增加 60%；平板顯示技術 OLED 的投資額較相同世代的TFT-LCD 產線投資增加 400%以上。圖表 18. 線寬微縮和 3D 化拉動晶圓制造設備投資劇增資料來源： HYPERLINK / 、中銀國際證券刻蝕設備占比 15%-20%，且占比逐年上升晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生

39、產工藝中最重要的三類設備。根據 SEMI 統計，2017 年按全球晶圓制造設備銷售金額占比類推，目前刻蝕設備、光刻機和薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約 24%、23%和 18%。2019 年 4 月 9 日科創圖表 19. 2017 年集成電路行業各類設備銷售額占比資料來源：SEMI、中銀國際證券隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結構 3D 化，晶圓制造向 7 納米、5 納米以及更先進的工藝發展。由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應來實現，使得相關設備的加工步驟增多。刻蝕設備和薄

40、膜沉積設備有望正成為更關鍵且投資占比最高的設備。根據 SEMI 的統計數據，截至 2017 年各類晶圓制造設備的市場規模占比變化趨勢如下：圖表 20. 2017 年各類晶圓制造設備的市場規模占比變化趨勢資料來源：SEMI、中銀國際證券2019 年 4 月 9 日科創行業集中度高，中微介質刻蝕市占率不足 5%全球半導體設備行業市場集中度高，前三家 AMAT、ASML、Lam 的市場份額合計約占 1/2，前五家 AMAT、 ASML、Lam、TEL、KLA-Tencor 市占率合計為 2/3。圖表 20. 全球半導體設備企業市占率資料來源：公司公告，Gartner, 中銀國際證券各項半導體設備的競

41、爭格局：前五家基本壟斷。前道設備也就是指 PVD、光刻機、顯影設備、刻蝕機、離子注入機、膜厚檢測設備等。多數設備被 AMAT、TEL、ASML、Lam、KLA-Tencor 壟斷。圖表 21. 各類制程設備的行業競爭格局WaferDepositionPhotoresistLithographyDoping/themalEtchingCMPProcess controlSolicon WafersCVD/PVDSpin CoaterStepper, developerIon implantation,Diffusion,RTPEthcer,Wet bench,Clean toolsCMP too

42、lMetrology,Wafer inspection1SUMCO:30%AMAt:40%TEL:90%ASML:95%AMAT:60%Lam Reaserch:40%AMAT:70%KLA Tencor:50%2ShinEtsu:10-15%Lam Research:15%Screen:5%Nikon:10%Axcelis:10%TEL:20%Ebara:25%AMAT:10-15%3Siltronic:10-15%TEL:15%KingsemiKingsemiHitachi Kokusai:7%AMAT:15%HwatsingHitachi High-tech:10%4ASML:8%SME

43、EBeijing NMCAsceen:10%CETC5Hitachi Kokusai:7%MattsonAMEC6Beijing NMCCETCBeijing NMC7PiotechMattson資料來源：Gartner, 中銀國際證券隨著集成電路中器件互連層數增多，刻蝕設備的使用量不斷增大，泛林半導體由于其刻蝕設備品類齊全，從 65 納米、45 納米設備市場起逐步超過應用材料和東京電子，成為行業龍頭。2017 年全球干法刻蝕設備市場中，Lam、TEL、AMAT 市占率分別為 47%、26%、18.5%，合計市占率為 92%。2019 年 4 月 9 日科創圖表 22. 中微在干法刻蝕及介質刻

44、蝕設備的全球市占率資料來源： HYPERLINK / 、中銀國際證券2017 年，中微在全球介質刻蝕市場的市占率為 2.5%；在全球干法刻蝕市場的市占率為 0.6%；2018 年， 鑒于中微集成電路收入增長 1 倍，而全球半導體設備行業增長 9.6%，我們估計 2018 年中微在全球介質刻蝕市場的市占率為 4.5%；在全球干法刻蝕市場的市占率為 1%。公司在國內刻蝕設備市場中有突出市場競爭力，近期兩家國內知名存儲芯片制造企業采購的刻蝕設備臺數中，中微市占率達到 15%-17%。表明公司自主研發的刻蝕設備正逐步打破國際領先企業在國內市場的壟斷，已被海內外主流集成電路廠商接受。圖表 23. 中微在

45、國內某兩個存儲廠商刻蝕設備的訂單份額資料來源：中國國際招標網、中銀國際證券2017 年以前 MOCVD 設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017 年以來公司的 MOCVD 設備逐步打破上述企業的壟斷。根據 IHS Markit 的統計，2018 年公司在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設備市場占據主導地位。2019 年 4 月 9 日科創圖表 24. 國內 MOCVD 設備行業競爭格局資料來源：2017 年第 20 屆中國集成電路制造年會，中銀國際證券2019 年 4 月 9 日科創中微競爭優勢關鍵性能參數公司 Prime AD-RIE單位時間生產效率達到國際同類設備水平腔體維護時

46、間達到國際同類設備水平顆粒污染率達到國際同類設備水平關鍵尺寸穩定性達到國際同類設備水平產品競爭優勢：多項刻蝕技術達到國際水平圖表 25. 中微電容性等離子體刻蝕設備競爭力資料來源：中微招股書、中銀國際證券圖表 26. 中微電感性等離子體刻蝕設備競爭力關鍵性能參數公司 Prime nanova關鍵尺寸均勻性達到國際同類設備水平關鍵尺寸穩定性達到國際同類設備水平結構邊緣的粗糙度達到國際同類設備水平結構形貌變形達到國際同類設備水平結構的邊角侵蝕達到國際同類設備水平雜質微粒達到國際同類設備水平機臺占地面積達到國際同類設備水平資料來源：中微招股書、中銀國際證券圖表 27. 中微深硅刻蝕設備（TSV 系列

47、）競爭力關鍵性能參數公司 Prime TSV設備平臺最大裝載能力優于國際同類設備200 毫米/200 毫米晶圓通用機臺支持 200 毫米和 300 毫米切換，國際同類設備一般不可產出率雙反應臺的 TSV 優于單反應臺的產出率機臺占地面積優于國際同類設備兼容硅和氧化硅刻蝕達到國際同類設備水平兼容硅和玻璃襯底達到國際同類設備水平資料來源：中微招股書、中銀國際證券圖表 28. 中微 MOCVD 設備競爭力關鍵性能參數公司 PrimeA7產能（片/爐次）達到國際同類設備水平MO 源區輸入優于國際同類設備控溫方式達到國際同類設備水平波長均勻性達到國際同類設備水平厚度均勻性達到國際同類設備水平資料來源：中

48、微招股書、中銀國際證券管理優勢：員工持股+獨特的管理理念和管理體系。公司擁有獨特的管理理念和管理體系，歸納起來主要有以下七個方面：（1）目標管理和綜合評分制；（2）關鍵指標管理；（3）矩陣管理；（4）全員持股激勵制度；（5）充分發揮員工積極性；（6） 兼顧各方利益；（7）打造學習型組織。截至本招股說明書簽署日，845 名發行人在職、離職員工直接或間接合計持有發行人 94,509,140 股股份，占發行人股份總數的 19.63%，包括員工通過境內員工持股平臺（南昌智微、勵微投資和芃徽投資）和境外員工持股平臺（Bootes、Grenade 和中微亞洲）的間接持股以及 8 名自然人的直接持股。2019 年 4 月 9 日科創重視研發技術的產業化。在成立初期就為設備的產業化確立了十項設計和開發的基本原則：為達到工藝加工的最高要求和產品的最好性能而設計；為實現工藝過程的重復性和穩定性而設計；為確保設備的可靠性和耐用性而設計；為保障設備的高輸出量和高效率而設計；為設備安全性和減少環境污染而設計；為設備