1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。CMOS圖像傳感器集成A-CMOS圖像傳感器集成A/D轉換器技術的研究來源：中國科學院，微電子研究所時間：2008-11-13字體：HYPERLINKjavascript:FontZoom(16)t_self大HYPERLINKjavascript:FontZoom(14)t_self中HYPERLINKjavascript:FontZoom(12)t_self小HYPERLINKmailto:editor投稿摘要：片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯

2、片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發展趨勢。關鍵詞：CMOS圖像傳感器；A/D轉換器Abstract:TheA/DconversionisthekeycomponentoftheCMOSsensor.Inthispaperwesummarizethetheories,performancesandfeaturesofthechiplevel,columnlevelandpixellevelintegratedADCoftheimagesensor.Finally,thefuturetrendofthedevelopmentoftechn

3、iquesforanalogtodigitalconversionofCMOSimageispredicted.KeyWords：CMOSimagesensor；A/Dconversion1.引言隨著半導體制造技術，多媒體技術的迅速發展，圖像傳感器作為數碼相機，攝像頭等圖像獲取設備的核心部件正在成為當前和未來研究的重點。按照類型來分圖像傳感器主要可以分為CCD型和CMOS型。CCD（ChargedCoupledDevice）技術由在貝爾實驗室在1969年首先提出，至今已有25年的歷史。它是利用一個特殊的VLSI工藝，在硅片表面上生成一個緊密壓縮的多硅電極網格，通過光電效益收集電荷。在過去的20

4、多年里，CCD圖像傳感器以其高靈敏性低噪聲和寬的動態范圍的優點占領了圖像傳感器市場。但是隨著CCD應用范圍的擴大，其缺點逐漸顯露出來，首先是CCD光敏單元陣列難與驅動電路及信號處理電路單片集成，不易處理一些模擬和數字功能，這些功能包括模數轉換器、精密放大器、存儲器、運算單元等元件的功能，其次CCD陣列驅動的脈沖復雜，需要使用相對高的工作電壓，不能與深亞微米超大規模集成電路（VLSI）技術兼容，而且CCD功耗大的缺點嚴重限制了其在便攜電子設備上的應用。MOS圖像傳感器的概念最早出現在20世紀60年代，但當時由于大規模集成電路工藝的限制未能進行研究。隨著超大規模集成電路和微細加工技術的發展，最近人

5、們已經成功將圖像傳感器，模數轉換電路，圖像處理電路等模塊集成在一塊CMOS圖像傳感器芯片上12，以達到低功耗，高性能，高集成度和高可靠性，并且大大降低系統成本和面積，CMOS圖像傳感器開始突破原來成像質量差的缺點，逐漸成為圖像傳感器領域的研究熱點。請登陸:輸配電設備網瀏覽更多信息本文主要針對CMOS圖像傳感器上集成的模數轉換器轉換電路的主要類型及其特點和最新進展作一介紹。2.集成A/D轉換器的分類任何A/D轉換器都具有抽樣、量化和編碼的基本功能。抽樣使模擬信號在時間上離散化使之變為抽樣信號；量化則是將抽樣信號的幅度離散化使之變成數字信號；編碼是將數字信號最終表示成為數字系統所能接受的形式，如何

6、實現這三個基本功能就決定了A/D轉換器的結構和功能3。按照對信號的處理方式上來分，A/D轉換器可以分為并行處理A/D轉換器和串行處理A/D轉換器兩大類。并行結構處理速度較快，結構較復雜，串行A/D轉換器結構簡單，處理速度較慢。如果根據量化編碼方式的不同，可以分為采用Nyquist頻率采樣并均勻量化的PCM型A/D轉換器和采用增量調制的過采樣型A/D轉換器。CMOS圖像傳感器上使用的A/D轉換器按照集成方式的不同可以分為三種主要類型，芯片級集成，列級集成和象素級集成。來源:來源:2.1芯片級集成(ChipLevel)芯片級集成是整個傳感器陣列使用一個高速A/D轉換器。這種結構的優點是由于A/D轉

7、換器作為一個獨立的單元放置在傳感器陣列外，A/D轉換器的面積不受很強的限制。缺點是由于A/D轉換器的高轉換速率會帶來較大功耗，而且由于傳感器陣列與A/D轉換器單元之間數據傳輸的是模擬信號，不可避免會引入額外的噪聲，影響整個系統性能。2.1.1并行結構A/D轉換器并行結構A/D轉換器主要由電阻分壓器，比較器，編碼器構成。它的工作原理是每一級都需要一個比較器和分壓電阻，通過串聯電阻來產生比較器的參考電壓。比較器輸出輸入信號和參考電壓的比較結果送到一個解碼器解碼后輸出數字量。這種結構的主要優點是采樣速度只受比較器速度的限制，因而采樣速度快，是目前采樣速度最高的A/D轉換器。主要缺點是采用大量比較器，

8、而且比較器的數目相對采樣的精度呈指數增長，因而使芯片面積急劇增大，集成在CMOS圖像傳感器芯片中的精度在8位左右。1998年美國學者Loinaz1，成功的將一個8位并行結構A/D轉換器集成到圖像傳感器芯片中，工作在3.3v電壓下，功耗為200mW。請登陸:輸配電設備網瀏覽更多信息請登陸:輸配電設備網瀏覽更多信息為了克服并行結構帶來的比較器過多，面積過大的問題，人們從面積和速度上進行折中，提出了一種半并行結構A/D轉換器。半并行結構由高位和低位不同精度并行結構A/D轉換器重構為一個A/D轉換器，從高位和低位分別輸出。半并行結構雖然速度是并行結構的二分之一，但比較器的數目也減少到原來的一半。Smi

9、th2等人的單片視頻記錄芯片里就采用了這種半并行結構的A/D轉換器。2.1.2流水線結構A/D轉換器流水線結構A/D轉換器是流水線和半并行結構A/D轉換器的結合。它通過流水線把整個采樣過程分為若干級，每級由一個低精度半并行A/D轉換器，一個D/A轉換器和一個采樣保持放大電路組成，每通過一級輸出數字量，同時信號減掉輸出數字信號經過DAC反饋回來的量送到下一級。這樣每級采樣1-2位，然后合起來一起并行輸出。雖然這樣采樣速度受級數影響，需要經過若干時鐘周期才能輸出，但是由于采用了流水線結構，還是能達到很快的轉換速度，同時有效的控制了面積和功耗。近年來，流水線結構A/D轉換器被廣泛應用在各種高速數據轉

10、換電路和CMOS圖像傳感器芯片中5。2.2列級集成(ColumnLevel)列級集成是使用半并行的A/D轉換器，通過集成一個中低速A/D轉換器的陣列，每個A/D轉換器只完成對一行或者幾行象素的轉換來實現對整個圖像傳感器模數轉換的功能。列級A/D轉換器的主要優點是可以使用簡單中低速的A/D轉換器。缺點是會使芯片版圖布局變的更復雜10。來源:輸配電設備網來源:2.2.1逐次逼近型A/D轉換器逐次逼近型A/D轉換器可以提供8位到18位，速度最快在5Msps左右的模數轉換。它使用了一個比較器，一個采樣保持電路，一個N位的DAC，一個N位的移位寄存器和一個SAR邏輯。這種結構利用數據不斷通過環路逐次逼近

11、的方法來達到所需要的精度。想要達到N位的精度就需要循環比較N個周期。這種循環利用結構的缺點是A/D轉換器的采樣速度較慢。優點是芯片面積小。這種類型A/D轉換器的另一特點是電路的功耗隨采樣率成比例增加，而不像全并行和流水線類型A/D轉換器的對應采樣率有固定功耗。逐次比較型A/D轉換器在R.Panicacci6等人的圖像傳感器芯片中成功的列級集成，并且得到了很好的應用效果。來源:來源:2.2.2單邊積分型A/D轉換器單邊積分型A/D轉換器可以提供高精度的模數轉換，并且具有很好的噪聲抑制。單邊A/D轉換器的工作原理是一個未知輸入電路電壓VIN通過RC電路進行積分。積分結果VINT與已知參考電壓VRE

12、F進行比較。已知積分后的電壓VINT比輸入的VIN電壓和積分時間t成比例關系，即VINT/VIN和達到的積分時間成比例關系。所以可以根據TINT等于VREF所耗用的時間來確定VIN的大小。這種結構A/D轉換器的制約因素是的精度和RC的精度。因此參考電壓，電阻和電容微小的變換都會影響轉換精度。文獻7的設計中成功使用了單邊積分型A/D轉換器與芯片進列級集成。2.2.3周期型A/D轉換器周期型A/D轉換器在原理上類似流水線結構A/D轉換器。它在結構上相當于流水線A/D轉換器中的一階，通過多周期調用達到所需要的精度。工作原理是輸入信號在讀入控制信號上升時被讀入電路，然后在A/D轉換器電路中被采樣，結果

13、存入寄存器輸出，再通過一個DAC后和原信號相減。剩余信號通過采樣保持放大器，放大到原來大小，在反饋控制信號上升時進行下一次采樣。這種周期性重復使用的結構降低了功耗，提供了中低速的模擬信號到數字信號的轉換。1998年S.Decker8教授在ISSCC會議上發表了采用該種結構A/D轉換器，采用0.8工藝,5v電壓，用于256256象素的圖像傳感器芯片。來源:2.3象素級集成(PixelLevel)象素級集成的特點是采用每個光電檢測器（Photodetector）或者幾個光電檢測器共用一個低速A/D轉換器，大量低速A/D轉換器并行工作達到一個高速A/D轉換器的效果。象素級A/D轉換器使得圖像傳感器中心與周邊的通訊由模擬信號改變為數字信號，減少了原來模擬信號傳輸過程中信號的損失。象素級A/D轉換器和象素傳感器集成帶來了圖像傳感器結構上的重復性，從而使圖像傳感器內部具有很多重復單元，因而具有可擴縮性。雖然象素級A/D轉換器有著諸多優點，但是象素級A/D轉換器由于集成在象素單元內，A/D轉換器面積