1、電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院1第9章 半導體二極管和三極管電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院29.1 9.1 半導體的導電特性半導體的導電特性半導體半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間的材料。：導電能力介于導體和絕緣體之間的材料。 常見的半導體材料有常見的半導體材料有硅硅、鍺、硒及許多金屬的氧、鍺、硒及許多金屬的氧化物和硫化物等。化物和硫化物等。半導體材料的特性：半導體材料的特性：1. 純凈半導體的導電能力很差；純凈半導體的導電能力很差；2. 溫度升高溫度升高導電能力增強；導電能力增強；3. 光照增強光照增強導電能力增強；導電能力增強；4. 摻入少量雜質摻入少量雜質導電能力增

2、強。導電能力增強。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院3現代電子學中，用的最多的半導體是硅和現代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。GeSi一、一、 本征半導體本征半導體電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院4硅和鍺的共價鍵結構硅和鍺的共價鍵結構共價鍵共共價鍵共用電子對用電子對+4+4表示除表示除去價電子去價電子后的原子后的原子+4+4+4+4+4+4電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院5形成共價鍵后，每個原子的最外層電形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩定結構。子是八個，構成穩定結構。共價鍵有很

3、強的結合力，共價鍵有很強的結合力，使原子規則排列，形成晶體。使原子規則排列，形成晶體。+4+4+4+4完全純凈的、結構完整的半導體晶體，完全純凈的、結構完整的半導體晶體，稱為稱為本征半導體本征半導體。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院6硅和鍺的晶體結構硅和鍺的晶體結構在絕對溫度在絕對溫度0度（度（T=0K）和沒有外界激）和沒有外界激發時發時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流載流子子），它的導電能力為），它的導電能力為0，相當于絕緣體。，相當于絕緣體。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院

4、7 當溫度升高或受到光的照射時，價電當溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導電，成為的束縛，而參與導電，成為自由電子自由電子。 自由電子產生的同時，在其原來的共價鍵中自由電子產生的同時，在其原來的共價鍵中就出現了一個空位，原子的電中性被破壞，呈現就出現了一個空位，原子的電中性被破壞，呈現出正電性，其正電量與電子的負電量相等，人們出正電性，其正電量與電子的負電量相等，人們常稱呈現正電性的這個空位為常稱呈現正電性的這個空位為空穴空穴。 這一現象稱為這一現象稱為本征激發，本征激發，也稱也稱熱激發熱激發。本征半導體的導電機

5、理本征半導體的導電機理電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院8+4+4+4+4本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理自由電子自由電子空穴空穴束縛電子束縛電子電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院9電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院10電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院11本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理本征半導體中存在數量相等的兩種載流本征半導體中存在數量相等的兩種載流子，即子，即自由電子自由電子和和空穴空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導體的導電能力越強，征半導體的導電能力越強，溫度是影響半導溫度是影響半導體性能的一個重要

6、的外部因素體性能的一個重要的外部因素，這是半導體，這是半導體的一大特點。的一大特點。本征半導體的導電能力取決于載流子的本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。濃度。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院12在本征半導體中摻入某些微量的雜質，在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。就會使半導體的導電性能發生顯著變化。N型半導體型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的在硅或鍺晶體中摻入少量的五價五價元素元素磷（或銻）磷（或銻）二、二、 雜質半導體雜質半導體 Negative Negative電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院13+4+4+5+4N型半導體型半導體多余電

7、子多余電子磷原子磷原子電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院14N型半導體型半導體N型半導體中的載流子是什么？型半導體中的載流子是什么？1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同相同。2、本征半導體中成對產生的電子和空穴。、本征半導體中成對產生的電子和空穴。3、摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，、摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為子稱為多數載流子多數載流子（多子多子），空穴稱為），空穴稱為少數載少數載流子流子（少子少子）。）。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工

8、程學院15+4+4+3+4空穴空穴P型半導體型半導體硼原子硼原子在硅或鍺晶體中摻入少量的在硅或鍺晶體中摻入少量的三價三價元素，如元素，如硼（或銦）硼（或銦）PositivePositive電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院16雜質半導體的示意表示法雜質半導體的示意表示法P 型半導體型半導體+N 型半導體型半導體空空穴穴正離子正離子負離子負離子電子電子電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院179.1.1 PN 結及其單向導電性結及其單向導電性 半導體器件的核心是半導體器件的核心是PNPN結，是采取一定的工結，是采取一定的工藝措施在一塊半導體晶片的兩側分別制成藝措施在一塊半導體晶片的兩側分

9、別制成P P型半導型半導體和體和N N型半導體，在兩種半導體的交界面上形成型半導體，在兩種半導體的交界面上形成PNPN結。結。 各種各樣的半導體器件都是各種各樣的半導體器件都是以以PNPN結為核心結為核心而而制成的，正確認識制成的，正確認識PNPN結是了解和運用各種半導體結是了解和運用各種半導體器件的關鍵所在。器件的關鍵所在。擴散運動擴散運動: : 物質從濃度高的地方向濃度低的地物質從濃度高的地方向濃度低的地方運動方運動, ,即由于濃度差產生的運動即由于濃度差產生的運動. .漂移運動漂移運動: : 在電場力作用下在電場力作用下, ,載流子的運動載流子的運動. .電氣與自動化工程學院電氣與自動化

10、工程學院18P P型半導體型半導體N N型半導體型半導體+擴散運動內電場E漂移運動空間電荷區空間電荷區一、一、PN結形成結形成電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院19擴散的結果是使空間電擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區逐漸加寬，空間電荷區越寬。荷區越寬。漂移運動P P型半導體型半導體N N型半導體型半導體+擴散運動內電場E內電場越強，就使漂內電場越強，就使漂移運動越強，而漂移移運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。使空間電荷區變薄。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院20 最后最后, ,多多數載流子數載流子的的擴散擴散和和少少數載流子數載流子的的漂移漂移達到達到動態平衡動態平衡

11、。對于。對于P P型半導體和型半導體和N N型半導體結合面，離子薄層形成的型半導體結合面，離子薄層形成的空間電空間電荷區荷區稱為稱為PNPN結結。在空間電荷區，由于缺少。在空間電荷區，由于缺少多多數載流子數載流子，所以也稱，所以也稱耗盡層耗盡層。又稱。又稱阻擋阻擋層。層。 電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院211.1.空間電荷區中沒有載流子。空間電荷區中沒有載流子。2.2.空間電荷區中內電場阻礙空間電荷區中內電場阻礙P P中的空穴、中的空穴、N區區 中的電子（中的電子（多數載流子多數載流子）向對方運動（）向對方運動（擴擴散運動散運動）。）。3.3.P 區中的電子和區中的電子和 N區中的空

12、穴（區中的空穴（少少數載流數載流子子），數量有限，因此由它們形成的電流），數量有限，因此由它們形成的電流很小。很小。注意注意: :電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院22二、二、PNPN結的單向導電性結的單向導電性 如果外加電壓使如果外加電壓使PNPN結中：結中： P P區的電位高于區的電位高于N N區的電位，稱為加區的電位，稱為加正向電壓正向電壓，簡稱簡稱正偏正偏； P P區的電位低于區的電位低于N N區的電位，稱為加區的電位，稱為加反向電壓反向電壓，簡稱簡稱反偏反偏。 PNPN結具有單向導電性結具有單向導電性: :若外加電壓使電流從若外加電壓使電流從P P區流到區流到N N區，區，PN

13、PN結呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，電流小。結呈低阻性，所以電流大；反之是高阻性，電流小。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院23+內電場內電場 外電場外電場變薄變薄PN+_內電場被削弱，內電場被削弱，在外電場作用下在外電場作用下多數載流子的擴多數載流子的擴散加強，空間電散加強，空間電荷區變薄，荷區變薄，形成形成較大的擴散電流。較大的擴散電流。 (1) PN PN結加正向電壓結加正向電壓空穴自由電子電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院24圖圖 PNPN結加正向電壓時的導電情況結加正向電壓時的導電情況電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院25+內電場內電場外電場外電場變厚變厚NP

14、+_ 內電場被加強，內電場被加強， 多數載流子的擴多數載流子的擴散受抑散受抑 制。少制。少數載流數載流子漂移加子漂移加 強，空間電荷區強，空間電荷區變寬。變寬。但少但少數載數載流流子數量子數量 有限，有限，只能形成只能形成 較小較小的反向電流的反向電流。 (2) PN PN結加反向電壓結加反向電壓電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院26圖圖 PNPN結加反向電壓時的導電情況結加反向電壓時的導電情況電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院279.2 半導體二極管半導體二極管 在在PNPN結上加上引線和管殼，就成為一個二極管。二結上加上引線和管殼，就成為一個二極管。二極管按結構分有極管按結構分

15、有點接觸型、面接觸型和平面型點接觸型、面接觸型和平面型三大類。三大類。(a)(a)點接觸型點接觸型 PNPN結面積小，結電容小，結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路用于檢波和變頻等高頻電路。工作電流較小。工作電流較小。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院28(b)面接觸型(c)(c)平面型平面型符號：符號：D陽極陽極陰極陰極PN PNPN結面積大，用結面積大，用于工頻大電流整流電路于工頻大電流整流電路。PN PN 結面積可大可小，用結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。于高頻整流和開關電路中。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院29UI死區電壓死區電壓 硅管硅管0.5V,鍺

16、管鍺管0.1V。導通壓降導通壓降: : 硅硅管管0.60.7V,鍺鍺管管0.20.3V。反向擊穿電反向擊穿電壓壓U(BR) 死區死區電壓電壓正向正向反向反向外電場不足以克服外電場不足以克服內電場內電場,電流很小電流很小外電場不足以克服外電場不足以克服內電場內電場,電流很小電流很小一、伏安特性一、伏安特性當外加電壓大于死區當外加電壓大于死區電壓內電場被大大減電壓內電場被大大減削弱削弱,電流增加很快電流增加很快。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院30UI死區電壓死區電壓 硅管硅管0.5V,鍺管鍺管0.1V。導通壓降導通壓降: : 硅硅管管0.60.7V,鍺鍺管管0.20.3V。反向擊穿電反向

17、擊穿電壓壓U(BR) 死區死區電壓電壓反向反向 由于少子的漂移運動形成很由于少子的漂移運動形成很小的反向電流小的反向電流,在且在且U U(BR)時時,其其反向電流突然增大反向電流突然增大,反向擊穿。反向擊穿。一、伏安特性一、伏安特性擊穿是擊穿是不可逆不可逆轉的！轉的！電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院32二、主要參數二、主要參數1）最大整流電流）最大整流電流 IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。向平均電流。2）反向擊穿電壓）反向擊穿電壓VBR（不可逆轉）（不可逆轉）二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流二極管反向擊穿時的電壓

18、值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓VDRM一般一般是是VBR的一半。的一半。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院333）反向電流）反向電流 IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，一般在幾流越大。硅管

19、的反向電流較小，一般在幾uA以下；以下；鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。三、二極管的模型三、二極管的模型1、理想模型、理想模型2、恒壓降模型、恒壓降模型等效電路等效電路等效電路等效電路硅管硅管:0.7V:0.7V鍺管鍺管:0.3V:0.3V電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院34PN結的單向導電性結結 論論 PN結具有單向導電性結具有單向導電性 （1） PN結加正向電壓時，處在導通狀態，結電阻很低，結加正向電壓時，處在導通狀態，結電阻很低，正向電流較大。正向電流較大。（2）PN結加反向電壓時，處在截止狀態，結電阻很高，結加反向電壓時，處在截止狀態，結電阻很高

20、，反向電流很小。反向電流很小。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院35應用舉例應用舉例 主要利用二極管的單向導電性。可用于整流、檢波、限主要利用二極管的單向導電性。可用于整流、檢波、限幅、元件保護以及在數字電路中作為開關元件。幅、元件保護以及在數字電路中作為開關元件。 例例: 圖中電路，輸入端圖中電路，輸入端A的電位的電位VA=+3V，B的電位的電位VB=0V，求輸出端，求輸出端Y的電位的電位VY。電阻。電阻R接負電源接負電源-12V。VY=+2.7V解：解：DA優先導通，優先導通， DA導通后，導通后， DB上加的是反向電壓，上加的是反向電壓，因而截止。因而截止。DA起鉗位作用，起鉗位作

21、用， DB起隔離作用。起隔離作用。-12VAB+3V0VDBDAY電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院36檢波作用檢波作用整流作用整流作用二極管的應用是主要利用它的二極管的應用是主要利用它的單向導電性單向導電性,包括包括整流、限幅、保護、檢波、開關整流、限幅、保護、檢波、開關等。等。例例 tui tuoRuiuoD單向脈動電壓單向脈動電壓+-電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院37例例 已知已知E=5V，ui=10sintV,試畫出輸出電壓波形。試畫出輸出電壓波形。限幅作用限幅作用E電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院38限幅作用限幅作用E電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院3

22、99.3 9.3 穩壓管穩壓管 一種特殊的面接觸型半導體硅二極管。一種特殊的面接觸型半導體硅二極管。它在電路中與適當數值的電阻配合后能起穩定電壓的作它在電路中與適當數值的電阻配合后能起穩定電壓的作用。用。 1 1 穩壓管表示符號穩壓管表示符號： +-U電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院40正向+-反向+-IZUZ2 2 穩壓管的伏安特性穩壓管的伏安特性：3 穩壓管穩壓原理：穩壓管穩壓原理： 穩壓管工作于反向穩壓管工作于反向擊穿區。穩壓管擊穿時，擊穿區。穩壓管擊穿時，電流雖然在很大范圍內電流雖然在很大范圍內變化，但穩壓管兩端的變化，但穩壓管兩端的電壓變化很小。利用這電壓變化很小。利用這一特

23、性，穩壓管在電路一特性，穩壓管在電路中能起穩壓作用。中能起穩壓作用。穩壓管的反向特性曲線比較陡。穩壓管的反向特性曲線比較陡。反向擊穿 是可逆的。 U/VI/mA0IZIZMUZ 電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院414 主要參數主要參數（2）電壓溫度系數）電壓溫度系數 U（1）穩定電壓）穩定電壓 UZ穩壓管在正常工作下管子兩端的電壓。穩壓管在正常工作下管子兩端的電壓。說明穩壓管受溫度變化影響的系數說明穩壓管受溫度變化影響的系數.一般高于一般高于6V的管子系數為正，而低于的管子系數為正，而低于6V的管子系的管子系數為負，故數為負，故6V的管子溫度穩定性最好！的管子溫度穩定性最好！電氣與自動

24、化工程學院電氣與自動化工程學院42（3）動態電阻）動態電阻（4 4）穩定電流）穩定電流（5 5）最大允許耗散功率）最大允許耗散功率 rZ穩壓管端電壓的變化量與相應的電流變化量的比值。穩壓管端電壓的變化量與相應的電流變化量的比值。 IZPZM管子不致發生熱擊穿的最大功率損耗。管子不致發生熱擊穿的最大功率損耗。 PZM=UZIZMrZ越小，其反向伏安特性曲線越陡，穩壓性能越好。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院43例題例題+_UU0UZR穩壓管的穩壓作用穩壓管的穩壓作用當當UUZ大于時大于時,穩壓管擊穿穩壓管擊穿RUUIZZ此時此時選選R，使，使IZIZM電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程

25、學院449.4 9.4 半導體三極管半導體三極管9.4.1 9.4.1 基本結構基本結構9.4.2 9.4.2 電流分配和放大原理電流分配和放大原理9.4.3 9.4.3 特性曲線特性曲線9.4.4 9.4.4 主要參數主要參數結構結構平面型平面型 合金型合金型 NPN PNP電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院459.4 三極管及其放大電路三極管及其放大電路1.4.1 三極管三極管BECNNP基極基極發射極發射極集電極集電極NPN型型PNP集電極集電極基極基極發射極發射極BCEPNP型型一、三極管結構和符號一、三極管結構和符號電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院46BECNNP基極基

26、極發射極發射極集電極集電極基區：較薄，基區：較薄，摻雜濃度低摻雜濃度低集電區：集電區：面積較大面積較大發射區：摻發射區：摻雜濃度較高雜濃度較高內部條件：電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院47BECNNP基極基極發射極發射極集電極集電極發射結發射結集電結集電結電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院48BECIBIEICNPN型三極管型三極管BECIBIEICPNP型三極管型三極管三極管的符號三極管的符號電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院49ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 1、實驗線路實驗線路二、二、 電流分配和放大作用電流分配和放大作用電氣與自動化工程學院電氣與自動化

27、工程學院5000.020.040.060.080.100.001 0.71.52.33.103.950.001 0.721.542.363.184.05ICIBIE2.實驗數據實驗數據(1) IE = IB+IC(2) IC (或或IE )IB 3 .3806. 03 . 2BCII5 .3704. 05 . 1BCII這就是晶體管的這就是晶體管的電流放大作用電流放大作用電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院51(4)要使晶體管起放大作用要使晶體管起放大作用, 外部條件外部條件:(3)當當IB=0時時, IC =ICEOVBVEVEVBVC電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院53三極管電

28、流放大原理（以三極管電流放大原理（以NPNNPN型為例）型為例）1、發射區的電子擴散到基區，少部分被復合掉，大、發射區的電子擴散到基區，少部分被復合掉，大部分由于濃度差繼續向集電區擴散，同時基區的空穴部分由于濃度差繼續向集電區擴散，同時基區的空穴也擴散到發射區；也擴散到發射區；2、由于集電結反偏，電子被拉入集電區形成、由于集電結反偏，電子被拉入集電區形成集電極集電極電流電流；3、在基區繼續擴散到集電區的電子數量是復合的電、在基區繼續擴散到集電區的電子數量是復合的電子數量的若干倍；子數量的若干倍；4、發射區從電源負極補充電子（、發射區從電源負極補充電子（發射極電流發射極電流），電），電源的正極將

29、基區的價電子直接拉出（源的正極將基區的價電子直接拉出（基極電流基極電流），補），補充基區的空穴；充基區的空穴；電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院54ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 測量電路測量電路三、三、 特性曲線特性曲線三極管各極電流與電壓的關系三極管各極電流與電壓的關系電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院55（1）輸入特性：）輸入特性：IB=f（UBE）UCE=CUCE 1VIB( A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降：工作壓降： 硅管硅管UBE 0.60.7V,鍺管鍺管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE =0.5V 死區電死區電壓，硅管壓，

30、硅管0.5V，鍺，鍺管管0.1V。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院56IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此區域滿此區域滿足足IC= IB稱為線性稱為線性區（放大區（放大區）。區）。（2）輸出特性：）輸出特性：IC=f(UCE) IB=C集電結正偏，集電結正偏， IBIC，UCE 0.3V稱稱為飽和區。為飽和區。此區域中此區域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE 0.3V (3) 截止區：截止區： UBE 死區電壓，死區電壓， IB=0 ， IC=ICEO 0 電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院58（a）放

31、大CEBTIBIC+-UBC 0+-UCECEBT（b）截止IB=0IC 0+-UBC 0+-UBE 0+-UCE 0CCCRU晶體管的三種工作狀態晶體管的三種工作狀態電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院59晶體管的輸出特性曲線分為三個工作區晶體管的輸出特性曲線分為三個工作區：（1）放大區）放大區（2）截止區）截止區（3）飽和區）飽和區（1）放大區（線性區）放大區（線性區）132436912IC/mA10080604020AIB=00放大區UCE/V 輸出特性曲線的近似水平部分。輸出特性曲線的近似水平部分。 B_CII 發射結處于正向偏置；集電結處于反向偏置發射結處于正向偏置；集電結處于反

32、向偏置電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院60（2）截止區）截止區IB=0曲線以下的區域為截止區曲線以下的區域為截止區IB=0 時，時，IC=ICEO0.001mA 對對NPN型硅管而言，當型硅管而言，當UBE0.5V時，即已開時，即已開始截止，為了截止可靠，常使始截止，為了截止可靠，常使UBE小于等于零。小于等于零。132436912IC/mA10080604020AIB=00截止區UCE/V電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院61（3）飽和區）飽和區 當當U UCECEU UBEBE時，集電結處于正向偏置，晶體管工作處于飽時，集電結處于正向偏置，晶體管工作處于飽和狀態和狀態 在飽和

33、區，在飽和區，I IB B的變化對的變化對I IC C的影響較小，兩者不成比例的影響較小，兩者不成比例13436912IC/mA10080604020AIB=002飽和區UCE/V電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院629.4.4 9.4.4 主要參數主要參數1 電流放大系數電流放大系數 ,_：靜態電流（直流）放大系數BC_II ：動態電流（交流）放大系數BCII注意：注意： ,_兩者的含義是不同的，但在特性曲線近于平行兩者的含義是不同的，但在特性曲線近于平行等距并且等距并且ICEO較小的情況下，兩者數值較為接較小的情況下，兩者數值較為接近。在估算時，常用近。在估算時，常用_近似關系近似關系（1）（2） 對于同一型號的晶體對于同一型號的晶體 管，管， 值有差別，常用晶體管的值有差別，常用晶體管的值在值在20-100之間。之間。電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院63例：例：UCE=6V時時：IB=40 A, IC=1.5mA；IB=60 A, IC=2.3mA。5 .3704. 05 . 1IIBC_ 4004. 006. 05 . 13 . 2IIBC 在以后的計算中，一般作近似處理：在以后的計算中，一般作近似處理： = 電氣與自動化工程學院電氣與自動化工程學院642 2 集集基極反向截止電流基極反向截止電流I