1、光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)第五章第五章 光學(xué)薄膜制備工藝因素光學(xué)薄膜制備工藝因素光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)5.1 制備工藝因素制備工藝因素n薄膜制備是一個(gè)復(fù)雜的過程，它是通過薄膜制備是一個(gè)復(fù)雜的過程，它是通過大塊固態(tài)材料蒸發(fā)或?yàn)R射，經(jīng)過氣相傳大塊固態(tài)材料蒸發(fā)或?yàn)R射，經(jīng)過氣相傳輸，最后在基板表面凝結(jié)得到的。在制輸，最后在基板表面凝結(jié)得到的。在制備過程中，因各種各樣的因素相互作用，備過程中，因各種各樣的因素相互作用，致使薄膜性質(zhì)產(chǎn)生很大的差異致使薄膜性質(zhì)產(chǎn)生很大的差異。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù) n圖圖5-1表示一些主要的工藝因素對(duì)膜層微觀結(jié)構(gòu)和表示一些主要的工藝因素對(duì)膜層微觀結(jié)構(gòu)和化

2、學(xué)成分的影響，從而產(chǎn)生對(duì)光學(xué)性質(zhì)、機(jī)械性質(zhì)化學(xué)成分的影響，從而產(chǎn)生對(duì)光學(xué)性質(zhì)、機(jī)械性質(zhì)和抗激光損傷等特性的變化。和抗激光損傷等特性的變化。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)1、基板處理、基板處理n拋光：拋光：消除散射消除散射 表面粗糙度和缺陷是散射的主要來(lái)源，在可見光區(qū)，對(duì)于表面粗糙度和缺陷是散射的主要來(lái)源，在可見光區(qū)，對(duì)于要求較高的基片，表面均方根粗糙度要求小于要求較高的基片，表面均方根粗糙度要求小于1nm。除微。除微觀缺陷外，表面劃痕、麻點(diǎn)、氣泡等宏觀缺陷也是必須重觀缺陷外，表面劃痕、麻點(diǎn)、氣泡等宏觀缺陷也是必須重視的，它是引起紅外波段散射的主要原因。此外，基片在視的，它是引起紅外波段散射的

3、主要原因。此外，基片在拋光過程中形成的表面層也是不可忽視的，不同的拋光方拋光過程中形成的表面層也是不可忽視的，不同的拋光方法往往會(huì)形成不同的表面層。法往往會(huì)形成不同的表面層。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)1、基板處理、基板處理n基板清潔：基板清潔：手工擦拭手工擦拭：通常是用乙醇和乙醚的混合液：通常是用乙醇和乙醚的混合液(85：15)蘸在脫蘸在脫脂紗布上均勻擦拭，并在暗視場(chǎng)下檢臉。擦拭干凈的基板脂紗布上均勻擦拭，并在暗視場(chǎng)下檢臉。擦拭干凈的基板要妥善保護(hù)，鍍膜面朝下放置在罩子內(nèi)。要妥善保護(hù)，鍍膜面朝下放置在罩子內(nèi)。超聲波清洗超聲波清洗：超聲波清洗具有清洗速度快、質(zhì)量高的特點(diǎn)。：超聲波清洗具有清洗

4、速度快、質(zhì)量高的特點(diǎn)。超聲頻率為超聲頻率為20-40kHz。在清洗過程中，超聲波有三個(gè)作。在清洗過程中，超聲波有三個(gè)作用：用：(1)、空化作用。超聲波在液體內(nèi)傳播產(chǎn)生忽增忽減、空化作用。超聲波在液體內(nèi)傳播產(chǎn)生忽增忽減的壓力，超聲波稀疏時(shí)，液體受拉應(yīng)力，產(chǎn)生大量空化泡，的壓力，超聲波稀疏時(shí)，液體受拉應(yīng)力，產(chǎn)生大量空化泡，超聲波壓縮時(shí)，空化泡閉合，產(chǎn)生幾百大氣壓的瞬時(shí)壓力，超聲波壓縮時(shí)，空化泡閉合，產(chǎn)生幾百大氣壓的瞬時(shí)壓力，（2)、溶解作用。污物與化學(xué)溶劑進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而被溶解，、溶解作用。污物與化學(xué)溶劑進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而被溶解，(3)、漂洗作用。基板夾具的上下運(yùn)動(dòng)使基板不斷得到漂、漂洗作用。基板夾具的

5、上下運(yùn)動(dòng)使基板不斷得到漂洗。這三重作用使超聲波清洗具有良好的清潔效果。洗。這三重作用使超聲波清洗具有良好的清潔效果。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù) n離子轟擊：離子轟擊：作為基板清潔的最后一個(gè)環(huán)節(jié)是離子轟擊。離子轟擊的原作為基板清潔的最后一個(gè)環(huán)節(jié)是離子轟擊。離子轟擊的原理是基于低壓氣體輝光放電。陰極形狀可以是棒狀、扇形理是基于低壓氣體輝光放電。陰極形狀可以是棒狀、扇形或環(huán)狀，但都必須滿足，在一定的輸出功率范圍內(nèi)（如轟或環(huán)狀，但都必須滿足，在一定的輸出功率范圍內(nèi)（如轟擊電壓擊電壓5005000V，電流，電流50200mA），基板能浸入陽(yáng)極），基板能浸入陽(yáng)極光柱中，

6、因?yàn)樵谪?fù)輝光區(qū)附近基板轟擊雖然有效，但也容光柱中，因?yàn)樵谪?fù)輝光區(qū)附近基板轟擊雖然有效，但也容易被分解物重新玷污。易被分解物重新玷污。 在離子轟擊過程中，電子所獲得的速度遠(yuǎn)比離子大，基板在離子轟擊過程中，電子所獲得的速度遠(yuǎn)比離子大，基板由于電子的較大動(dòng)性而迅速帶負(fù)電荷，正離子在負(fù)電荷的由于電子的較大動(dòng)性而迅速帶負(fù)電荷，正離子在負(fù)電荷的吸引下轟擊基板。電子、離子，還有激活原子和分子的共吸引下轟擊基板。電子、離子，還有激活原子和分子的共同轟擊，一方面可使基板加熱到同轟擊，一方面可使基板加熱到100以上，另一方面使以上，另一方面使表面玷污的碳?xì)浠衔锓纸猓⑻峁┗罨砻嬉岳诒∧け砻骁栉鄣奶細(xì)浠衔锓?/p>

7、解，并提供活化表面以利于薄膜成核。成核。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)n離子轟擊結(jié)束后，應(yīng)盡快開始薄膜淀積。實(shí)驗(yàn)表明，采用轟擊電壓5KV、電流80mA經(jīng)5min轟擊后的基板，在3min內(nèi)蒸鍍的ZnS是極其牢固的。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)2、制備參數(shù)、制備參數(shù)n基板溫度：基板溫度：在高的基板溫度下，吸附在基板表面的殘余氣體分子減少，在高的基板溫度下，吸附在基板表面的殘余氣體分子減少，從而增加了淀積分子在基板上的附著力。從而增加了淀積分子在基板上的附著力。基板溫度升高，減小了蒸汽分子再結(jié)晶溫度與基板溫度之差，基板溫度升高，減小了蒸汽分子再結(jié)晶溫度與基板溫度之差，從而有效地減小了膜層的內(nèi)應(yīng)力

8、。從而有效地減小了膜層的內(nèi)應(yīng)力。 提高基板溫度還可促進(jìn)淀積分子與殘余氣體分子的化學(xué)反應(yīng)，提高基板溫度還可促進(jìn)淀積分子與殘余氣體分子的化學(xué)反應(yīng)，改變膜層的結(jié)晶構(gòu)造，從而改變膜層的光學(xué)性質(zhì)。特別是氧改變膜層的結(jié)晶構(gòu)造，從而改變膜層的光學(xué)性質(zhì)。特別是氧化物，如化物，如ZrO2、TiO2、CeO2、 Ta205等，當(dāng)基板溫度從室溫等，當(dāng)基板溫度從室溫增加到增加到300，折射率可增加，折射率可增加20左右。左右。 需要注意的是基板溫度必須適當(dāng)。基板溫度過高，可能形成需要注意的是基板溫度必須適當(dāng)。基板溫度過高，可能形成大顆粒凝結(jié)或材料分解，甚至膜層發(fā)霧。蒸鍍金屬大顆粒凝結(jié)或材料分解，甚至膜層發(fā)霧。蒸鍍金屬

9、AI或或Ag膜膜時(shí)，基板一般不加熱，否則大顆粒引起的光散射和氧化反應(yīng)時(shí)，基板一般不加熱，否則大顆粒引起的光散射和氧化反應(yīng)引起的光吸收將使反射率大大降低。引起的光吸收將使反射率大大降低。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)n淀積速率：淀積速率：薄膜淀積過程是薄膜材料分子在基板上薄膜淀積過程是薄膜材料分子在基板上吸附、遷移、凝結(jié)和解吸的一個(gè)綜合平吸附、遷移、凝結(jié)和解吸的一個(gè)綜合平衡過程。衡過程。 淀積速率較低時(shí)，吸附原子在其平均停留淀積速率較低時(shí)，吸附原子在其平均停留時(shí)間內(nèi)能充分進(jìn)行表面遷移，凝結(jié)只能在時(shí)間內(nèi)能充分進(jìn)行表面遷移，凝結(jié)只能在大的凝結(jié)體上進(jìn)行，反蒸發(fā)嚴(yán)重，所以膜大的凝結(jié)體上進(jìn)行，反蒸發(fā)嚴(yán)重，

10、所以膜層結(jié)構(gòu)松散。反之，淀積速率提高，結(jié)構(gòu)層結(jié)構(gòu)松散。反之，淀積速率提高，結(jié)構(gòu)較緊密，但由于缺陷增多而使內(nèi)應(yīng)力增大。較緊密，但由于缺陷增多而使內(nèi)應(yīng)力增大。具體選擇淀積速率時(shí)，視不同材料而異。具體選擇淀積速率時(shí)，視不同材料而異。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)n對(duì)Ag、A1等金屬要求淀積速率足夠快 n對(duì)Au、Cr等的淀積速率就并非這樣重要n介質(zhì)膜的情況更復(fù)雜 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)n真空度：真空度：真空度的影響主要有二個(gè)方面：真空度的影響主要有二個(gè)方面：a、氣相碰撞使蒸發(fā)分子動(dòng)能損失。、氣相碰撞使蒸發(fā)分子動(dòng)能損失。b、蒸發(fā)分子與殘余氣體之間的化學(xué)反應(yīng)。、蒸發(fā)分子與殘余氣體之間的化學(xué)反應(yīng)。n

11、由此可知，殘余氣體的壓強(qiáng)和成分都必須加以由此可知，殘余氣體的壓強(qiáng)和成分都必須加以控制。控制。當(dāng)真空度足夠高時(shí)，蒸汽分子在從蒸發(fā)源到基板當(dāng)真空度足夠高時(shí)，蒸汽分子在從蒸發(fā)源到基板的路徑中基本上不被殘余氣體分子所碰撞。膜層的路徑中基本上不被殘余氣體分子所碰撞。膜層可以正常淀積可以正常淀積,一般金屬膜和半導(dǎo)體膜要求純度越一般金屬膜和半導(dǎo)體膜要求純度越高越好，故要求有盡可能高的真空度。高越好，故要求有盡可能高的真空度。n對(duì)氧化物和碳化物，殘余氣壓與成分兩者都很重要。真對(duì)氧化物和碳化物，殘余氣壓與成分兩者都很重要。真空度對(duì)硫化物和氟化物的影響就不那么強(qiáng)烈空度對(duì)硫化物和氟化物的影響就不那么強(qiáng)烈 光 學(xué) 薄

12、 膜 制 備 技 術(shù)n上述三個(gè)制備參數(shù)實(shí)際上并非是獨(dú)上述三個(gè)制備參數(shù)實(shí)際上并非是獨(dú)立的，必須注意彼此之間的制約作立的，必須注意彼此之間的制約作用。用。n除了選擇適當(dāng)?shù)闹苽鋮?shù)外，在蒸發(fā)過除了選擇適當(dāng)?shù)闹苽鋮?shù)外，在蒸發(fā)過程中恒定制備參數(shù)可能更困難、更重要。程中恒定制備參數(shù)可能更困難、更重要。因?yàn)橹苽鋮?shù)的微小波動(dòng)，將使膜層產(chǎn)因?yàn)橹苽鋮?shù)的微小波動(dòng)，將使膜層產(chǎn)生不均勻的光、機(jī)特性。生不均勻的光、機(jī)特性。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)3、蒸汽入射角、蒸汽入射角n蒸汽入射角是指蒸發(fā)分子的入射方蒸汽入射角是指蒸發(fā)分子的入射方向與基板淀積表面法線的夾角，有向與基板淀積表面法線的夾角，有時(shí)又稱淀積角。時(shí)

13、又稱淀積角。 n如圖如圖5-4所示，蒸汽入射角增大，所示，蒸汽入射角增大，吸附原子沿表面遷移的速度分量增吸附原子沿表面遷移的速度分量增加。在淀積初期，蒸發(fā)原子傾斜入加。在淀積初期，蒸發(fā)原子傾斜入射時(shí)的晶粒生長(zhǎng)和垂直入射時(shí)并無(wú)射時(shí)的晶粒生長(zhǎng)和垂直入射時(shí)并無(wú)多大區(qū)別，可是隨著晶粒增大，入多大區(qū)別，可是隨著晶粒增大，入射原子的凝結(jié)作用就被限制在突出射原子的凝結(jié)作用就被限制在突出的晶粒上，晶粒背后只能通過沿面的晶粒上，晶粒背后只能通過沿面遷移來(lái)達(dá)到，這就產(chǎn)生了陰影區(qū)。遷移來(lái)達(dá)到，這就產(chǎn)生了陰影區(qū)。晶粒生長(zhǎng)向入射原子的方向傾斜，晶粒生長(zhǎng)向入射原子的方向傾斜，膜層表面變得非常粗糙。膜層表面變得非常粗糙。光

14、 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)n薄膜的這種淀積角效應(yīng)與吸附原子的固有遷移率相關(guān)，固有遷移率越大，淀積角效應(yīng)越弱。n鋁以大入射角（如60）淀積在玻璃基板表面便可能形成粗糙的藍(lán)光散射結(jié)構(gòu)。n金和銀由于有較高的遷移率，并不會(huì)發(fā)展成漫散射表面。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)4、老化處理、老化處理n在薄膜制成后，其性質(zhì)會(huì)逐漸發(fā)生變化，在薄膜制成后，其性質(zhì)會(huì)逐漸發(fā)生變化，因?yàn)榈矸e過程中薄膜材料分子從氣相到固因?yàn)榈矸e過程中薄膜材料分子從氣相到固相的冷卻非常迅速，存在著各種缺陷。相的冷卻非常迅速，存在著各種缺陷。nAl、Ag、 Au等金屬膜通常直接在大氣中等金屬膜通常直接在大氣中作時(shí)效處理，不需要烘烤，以免影

15、響反射作時(shí)效處理，不需要烘烤，以免影響反射率。它們?cè)诔跏茧A段的老化比較迅速，大率。它們?cè)诔跏茧A段的老化比較迅速，大約一星期后趨向穩(wěn)定，這時(shí)牢固度增加，約一星期后趨向穩(wěn)定，這時(shí)牢固度增加，反射率降低。一般說來(lái)，膜層越薄，則時(shí)反射率降低。一般說來(lái)，膜層越薄，則時(shí)效變化就越大。效變化就越大。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)4、老化處理、老化處理介質(zhì)膜常常需要在空氣中烘烤退火處理。介質(zhì)膜常常需要在空氣中烘烤退火處理。ZnS-MgF2多層膜經(jīng)多層膜經(jīng)250300烘烤烘烤8h后后牢固度和抗潮能力都大大提高。牢固度和抗潮能力都大大提高。TiO2-SiO2或或Ta205-Si02等多層膜經(jīng)等多層膜經(jīng)300-4

16、00烘烤后牢固度增加，吸收減小，抗激光損烘烤后牢固度增加，吸收減小，抗激光損傷能力顯著提高。傷能力顯著提高。n薄膜在空氣中烘烤主要有二個(gè)作用：再結(jié)薄膜在空氣中烘烤主要有二個(gè)作用：再結(jié)晶過程和再反應(yīng)過程。晶過程和再反應(yīng)過程。n淀積溫度對(duì)薄膜性質(zhì)的影響要比退火溫度淀積溫度對(duì)薄膜性質(zhì)的影響要比退火溫度更敏感更敏感 。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)n工藝因素優(yōu)選通常采用正交試驗(yàn)，它工藝因素優(yōu)選通常采用正交試驗(yàn)，它是研究和處理多因素試驗(yàn)的一種科學(xué)是研究和處理多因素試驗(yàn)的一種科學(xué)方法。它在理論認(rèn)識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)的基方法。它在理論認(rèn)識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，利用一種現(xiàn)成的規(guī)格化表格一礎(chǔ)上，利用一種現(xiàn)成的規(guī)格化表格一

17、正交表來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)。正交表來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)。n優(yōu)點(diǎn)：是能在很多試驗(yàn)條件中找出代優(yōu)點(diǎn)：是能在很多試驗(yàn)條件中找出代表性強(qiáng)的少數(shù)條件，通過很少幾次試表性強(qiáng)的少數(shù)條件，通過很少幾次試驗(yàn)，找出較優(yōu)的工藝因素。驗(yàn)，找出較優(yōu)的工藝因素。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)正交表是正交試驗(yàn)中的一個(gè)重要工具。正交表是正交試驗(yàn)中的一個(gè)重要工具。正交表進(jìn)行試驗(yàn)的步驟是：正交表進(jìn)行試驗(yàn)的步驟是：a、定指標(biāo)，挑因素，選水平；、定指標(biāo)，挑因素，選水平；b、選用正交表，排表；、選用正交表，排表；c、安排試驗(yàn)方案，試驗(yàn)；、安排試驗(yàn)方案，試驗(yàn)；d、分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)，選取較優(yōu)條件。、分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)，選取較優(yōu)條件。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)示例示

18、例n下面以下面以Zr02十十Y2O3（三氧化二釔）混合膜的工藝試驗(yàn)為例，（三氧化二釔）混合膜的工藝試驗(yàn)為例，并選擇基片溫度、真空度、淀積速率及初始材料成分配比四并選擇基片溫度、真空度、淀積速率及初始材料成分配比四個(gè)主要參數(shù)作為個(gè)主要參數(shù)作為試驗(yàn)因素試驗(yàn)因素，再分別選擇三個(gè)因素水平（表，再分別選擇三個(gè)因素水平（表5-2），就可以用），就可以用L9（34）正交表來(lái)做試驗(yàn)。）正交表來(lái)做試驗(yàn)。 n在試驗(yàn)中需要考察的指標(biāo)是薄膜折射率、吸收和散射。在試驗(yàn)中需要考察的指標(biāo)是薄膜折射率、吸收和散射。 表5-2因素水平表79：2187：1392：81.52.53.52.610-25.210-27.810-225

19、150200123D材料配比ZrO2：Y2O3C淀積速率（nm/s）B真空度（Pa）A基板溫度（）因素水平光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)試驗(yàn)安排試驗(yàn)安排n試驗(yàn)安排見表試驗(yàn)安排見表5-3。在試驗(yàn)中需要考察的指標(biāo)是。在試驗(yàn)中需要考察的指標(biāo)是薄膜折射率、吸收和散射。試驗(yàn)結(jié)果列于表薄膜折射率、吸收和散射。試驗(yàn)結(jié)果列于表5-4。根據(jù)此表的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，便可分析試驗(yàn)結(jié)果。根據(jù)此表的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，便可分析試驗(yàn)結(jié)果。 光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)表5-3 試驗(yàn)安排因素ABCD1234567892525251501501502002002002.610-25.210-27.810-22.610-25.210-27.8

20、10-22.610-25.210-27.810-21.52.53.52.53.51.53.51.52.579：2187：1392：892：879：2187：1387：1392：879：21試驗(yàn)號(hào)光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)410k42110* SS表5-4 試驗(yàn)結(jié)果吸收散射指標(biāo)折射率1234567891.771.781.821.851.761.761.841.871.814.204.718.992.734.665.676.476.953.401.400.752.202.891.100.700.652.801.05試驗(yàn)號(hào)* S1、S2分別表示同一基板在鍍膜后和鍍膜前的散射值光 學(xué) 薄 膜 制

21、備 技 術(shù)計(jì)算極差計(jì)算極差n以因素以因素A（基片溫度）為例，把（基片溫度）為例，把A因素因素“1”水平水平的三次試驗(yàn)（第的三次試驗(yàn)（第1，2，3號(hào)）算做第一組，把號(hào)）算做第一組，把A因素因素“2”水平（第水平（第4，5，6號(hào)）和號(hào)）和“3”水平（水平（7，8，9號(hào)）分別算作第二、第三組，那么九次試驗(yàn)號(hào)）分別算作第二、第三組，那么九次試驗(yàn)就分成了三組。從正交表可以看到，在就分成了三組。從正交表可以看到，在A1、A2、A3各自所在的那組試驗(yàn)中，其他因素（各自所在的那組試驗(yàn)中，其他因素（B、C、D）的）的1，2，3水平分別出現(xiàn)了一次，把第一組水平分別出現(xiàn)了一次，把第一組試驗(yàn)得到的數(shù)據(jù)相加得試驗(yàn)得到的

22、數(shù)據(jù)相加得n=1.77+1.78+1.82=5.37n同樣，把第二、三組的數(shù)據(jù)相加得同樣，把第二、三組的數(shù)據(jù)相加得n=5.47，=5.52光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)計(jì)算極差計(jì)算極差n于是可以將看作是這樣三次試驗(yàn)的數(shù)據(jù)之和，即于是可以將看作是這樣三次試驗(yàn)的數(shù)據(jù)之和，即在這三次試驗(yàn)中只有在這三次試驗(yàn)中只有A1水平出現(xiàn)三次，而水平出現(xiàn)三次，而B，C，D三個(gè)因素的三個(gè)因素的1，2，3水平各出現(xiàn)一次。水平各出現(xiàn)一次。反映反映了了A1水平的影響和水平的影響和B、C、D每個(gè)因素的每個(gè)因素的I，2，3水平各一次的影響。同樣水平各一次的影響。同樣（）反映了三次）反映了三次A2(A3)水平及水平及B、 C、D

23、每個(gè)因素的三個(gè)水平各每個(gè)因素的三個(gè)水平各一次的影響。當(dāng)比較一次的影響。當(dāng)比較，的大小時(shí)，可以的大小時(shí)，可以認(rèn)為認(rèn)為B、C、D對(duì)對(duì)，的影響是大體相同的。的影響是大體相同的。因此把因此把，之間的差異看作是由于之間的差異看作是由于A取了取了三個(gè)不同水平引起的。在計(jì)算完三個(gè)不同水平引起的。在計(jì)算完，數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)和后，算出它們中最大值和最小值之差，這個(gè)差和后，算出它們中最大值和最小值之差，這個(gè)差值就稱為極差。它的大小反映了該因素的水平變值就稱為極差。它的大小反映了該因素的水平變化對(duì)指標(biāo)影響的大小。用同樣方法計(jì)算分析化對(duì)指標(biāo)影響的大小。用同樣方法計(jì)算分析B、C、D因素對(duì)其它各個(gè)指標(biāo)的影響。因素對(duì)其它各個(gè)指標(biāo)的影響。光 學(xué) 薄 膜 制 備 技 術(shù)表5-4 極差分析表 指標(biāo)折射率吸收散射A B C DA B C DA B C D13.06 16.3