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文檔簡介

襯底晶格常數(A)晶格失配度GaN/襯底%熱膨脹系數X10-6/K熱膨脹系數失配度GaN/襯底%GaNGaN3.1893.189-5.595.59-藍寶石藍寶石(0001)(0001)4.7584.7581616緩沖層解決緩沖層解決7.57.5-34-346H-SiC(0001)6H-SiC(0001)3.083.0835354.24.22525Si(111)Si(111)5.435.43-16.9-16.93.593.593636以上晶格常數在300K下測量，熱膨脹系數在1073K下測量GaN的異質外延中，TMGa/TEGa為Ga源，NH3為N源。緩沖層技術的采用大大改善了體材料的晶體質量其生長過程為準二維生長模式，即經歷孤立成島、島長大、高溫退火（重結晶）、準二維體材料生長等步驟。其生長過程和質量可由工藝參數(/比、生長溫度和壓力等)去控制和調節

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