1、1SUSTTFT液晶顯示器制造工藝液晶顯示器制造工藝 2液晶盒外側有兩片偏振片；上基板處的偏振片稱為起偏器，下基板處的偏振片稱為檢偏器。3Cell of a TN AMLCD (2)45液晶分子表觀長度不同亮度不均勻觀察角度不同,獲得的亮度不同6在飽和電壓作用下液晶分子為混合取向，要得到充分補償，補償膜中的光軸取向最好滿足相應的分布。 光光學學補補償償膜膜( (n n , , d d ) )T TN N 液液晶晶盒盒( (n n, , d d) )光光學學補補償償膜膜( (n n , , d d ) )(a) 加補償膜的TN盒中液晶分子排列圖(b)補償膜結構盤盤狀狀液液晶晶補補償償層層取取向向

2、層層支支撐撐膜膜（T TA A C C ) )7With WV Film Compensation: Narrow Viewing Angle Wider Low Contrast Ratio HigherGray Level Inversion Still with Gray Level Inversion Moderate Color Shift Worse82 2、IPSIPS模式模式9一、IPS模式的結構IPS是“In Plane Switching”（共面開關）的縮寫，IPS模式是又一種獲得廣泛應用的廣視角模式。IPS模式把這一對電極都制作在下基板上（上基板無電極），通過控制加在這一

3、對電極之間的橫向電場來控制液晶分子的排列。所以IPS模式也稱為橫向電場模式。 10 In-plane switching ( IPS ) : l d,w早期的 Hitachi IPS011Hyundai and SamsungIPS VA with 0P A V = 0 , excellent dark state V 0 , near edges equivalent two-domain12具有介電各向異性為負的向列相液晶分子在基板間均勻平行沿面排列；梳狀內信號電極和公共電極用來產生橫向電場， 以改變液晶分子的光軸在平行于基板平面內的方位角，控制透光率。1314兩偏振片正交設置，起偏器的偏

4、振化方向與下基板表面處液晶分子指向矢平行；這種結構對在無電場時獲得純黑態有重要意義 。15二、二、IPSIPS模式的工模式的工作原理作原理非選擇態，起偏器的偏光軸平行于液晶分子指向矢；當入射光經起偏器得到的線性偏振光；偏振光射入基板處液晶層時其偏振狀態不會發生變化。16液晶分子均勻平行沿面排列，入射線偏光在經過液晶層時也不會發生旋轉。上下偏振片的正交設置，使得該線偏光完全被檢偏器阻隔，這樣就可以得到幾乎接近純黑的暗態顯示。17選擇態：在梳形內數字電極和公共電極之間施加橫向電場作用；具有的液晶分子將轉向與該電場的方向排列；18通電后產生扭曲角(分子指向矢與入射側偏振片偏光軸的夾角)，這樣一部分光

5、就可以從檢偏器射出，得到亮態顯示；液晶分子在盒厚方向傾角始終為0，所以IPS模式中液晶分子表觀長度的視角相依性極小。 19（a a) )( (b b) )20三、三、IPSIPS模式特性分析模式特性分析IPS模式暗態時液晶分子沒有擾動，入射光完全被檢偏器阻斷，與視角無關，因此，無論是垂直還是水平方向，80內均沒有階調反轉現象；IPS模式的對比度可達500：1以上。21I IP PS S - -L LC CD D 普通T TN N- -L LC CD D22IPS模式顯示的電壓保持率很高。其電壓保持率幾乎不隨液晶材料電阻率的變化而變化，只需采用價格較低的液晶材料，如氰基化合物等，就可以獲得和TN

6、模式相當的電壓保持率；所用液晶材料設計的自由度也大，可全面提高顯示性能。 23IPS模式視角特性的方位對稱性不佳，在某些方位角視角范圍不夠寬；為了解決這個問題，可將電極形狀設計成下圖所示的形狀：在一個像素范圍內使梳形電極折成齒狀，形成液晶分子可左、右旋轉的兩個區域，因而獲得分割取向，使視角特性得到補償這種改進型的IPS模式為Super-IPSSuper-IPS模式。模式。 公共電極漏極2425 Super-IPS模式 的視角特性 C R 10C R 1026IPSIPS模式上下電極（材料一般為模式上下電極（材料一般為CrCr或或AlAl）都做在下基板上，使得開口）都做在下基板上，使得開口率下降

7、，相同條件下透射光強度下率下降，相同條件下透射光強度下降，從而導致對比度下降（要獲得降，從而導致對比度下降（要獲得與與TNTN模式相當的對比度就得加大背模式相當的對比度就得加大背光源的亮度）。光源的亮度）。27Figure-on-plane ( FOP ) IPS mode (ERSO)Conventional IPS : metal electrode Aperture ratio of TNFOP IPS : ITO electrodes Aperture ratio 80% of TN2829Fringing Field Switching (FFS) Developed by Hyun

8、dai : ld Another way to improve the aperture ratio : unlike the IPS mode , there is no dead zone prohibiting transmittance 01lm30Fringing Field Switching (FFS)No dead zone prohibiting transmittance31IPS模式下控制液晶分子排列狀態的電場是通過下基板上相應電極施加的；由于相鄰電極之間的距離比普通TN模式液晶盒的上下玻璃基板更大，這就導致在相同驅動電壓下兩電極之間的電場強度相對較弱（與普通TN模式相比

9、），其結果就是響應速度變慢。若要提高響應速度，就必須加大驅動電壓，從而使功耗增大。323 MVA3 MVA模式模式多疇垂直取向模式多疇垂直取向模式33一、一、 VAVA模式模式VA模式在不加電壓時，液晶分子垂直于基板表面排列；使用負性液晶；34非選擇態經起偏器得到的線偏光就可以不受任何影響的穿過液晶層，到達檢偏器。上下偏振器正交設置，線偏光將完全被檢偏器阻擋得到的“純黑顯示”狀態與視角無關。這種“純黑狀態”使得VA模式的對比度大大提高。35選擇態選擇態在電極和公共電極之間施加電場作用；具有-的液晶分子將轉向與該電場垂直的方向排列；通電后產生液晶分子旋轉，一部分光從檢偏器射出，得到亮態顯示。36

10、37與TN模式相比黑態更黑38灰度等級更多39與TN模式相比，由于VA模式去掉了液晶分子的扭曲結構，工作時液晶分子的排列狀態只在水平和垂直兩種狀態之間變換，所以VA模式的響應速度大大高于普通TN模式。閾值特性非常陡峭；可用于大容量直接矩陣顯示器。 40VA模式的電光特性曲線在靠近閾值部分基本沒有色分離。在垂直入射光情況下，可在屏法線方向獲得極好的黑白顯示。與普通TN模式一樣，在產生灰階圖像顯示時VA模式同樣存在著視角范圍窄及視角方位不對稱的缺陷。41二、二、 MVAMVA模式模式普通的單疇VA模式，為獲得中間灰階顯示，液晶分子需均勻傾斜排列，正是液晶分子的這種均勻傾斜排列使得液晶分子的表觀長度

11、出現了視角相依性，從而導致了視角問題的出現。42液晶分子表觀長度不同亮度不均勻觀察角度不同,獲得的亮度不同43為了解決這個問題，采用分割像素采用分割像素法法。分割像素法的最主要特點是控制分割像素法的最主要特點是控制每個像素中的液晶分子沿多個方向傾每個像素中的液晶分子沿多個方向傾斜排列斜排列，這樣液晶分子具有對稱取向，在光學上得到互補，從而解決了液晶分子表觀長度的視角相依性。 44雙疇垂直取向模式雙疇垂直取向模式45采用雙疇取向的液晶盒的視角特性圖 46視角達到40也未出現階調反轉，其等對比度視角范圍為枕形結構，而且等對比度為等對比度為1010的的上下視角范圍還上下視角范圍還比較窄比較窄。為進一

12、步改善視角特性，以便在所有方向都獲得較好的對比、亮度和色飽和度，需引入了多疇取向技術需引入了多疇取向技術。 47 采用采用4 4分割像素法，即產生分割像素法，即產生4 4疇，疇，即可展寬上下、左右視角范圍，而且即可展寬上下、左右視角范圍，而且上下、左右具有幾乎相同的對稱視角上下、左右具有幾乎相同的對稱視角范圍范圍。 理論和實踐表明，即使把像素分割數增加到4分割以上，其視角特性已無多大改進，而且4分割之后已觀測不到階調反轉現象。 482.2.多疇取向的實現多疇取向的實現 在普通TN模式中，利用單純的摩擦取向技術就可以使液晶分子獲得穩定的單疇及雙疇取向。但隨著疇數增多，對取向精度要求越來越高，此時

13、傳統的摩擦取向技術已經無法適應批量生產的要求。為了改變這種現狀，富士通公司開發了一種不需要摩擦的特殊取向技術：在基板上設置一層脊在基板上設置一層脊狀小凸起狀小凸起。 49自動成疇技術（自動成疇技術（ ADF技術）要點：技術）要點：不加電時，使大部分液晶分子垂面排列（小凸起處少數分子在坡面的作用下發生略微傾斜）；當施加電壓時，小凸起周圍將獲得傾斜電場，首先使得位于小凸起坡面上的液晶分子1和1按圖示的方向旋轉，受1和1旋轉的影響，處于小凸起周圍的液晶分子（下圖中的2、2，3、3和4、4）也朝和1、1相同的方向旋轉，這樣液晶盒內所有液晶分子就可以獲得穩定的雙 疇 取 向 。 我 們 將 這 種 取

14、向 技 術 稱 為ADF(Automatic Domain Formation：自動成疇)技術。50取取向向層層電電 極極1 1 1 12 2 2 23 3 3 34 4 4 451只需要改變基板上小凸起的排列方式，就可以獲得我們所需要的任意液晶疇。這就是MVA模式液晶盒結構的主要特點。三、三、MVAMVA模式原理及特性分析模式原理及特性分析 1. MVA1. MVA模式工作原理模式工作原理將多疇技術應用在VA模式中，就獲得了又一種廣視角模式MVA模式。 52MVA模式的液晶盒結構如下圖所示 小小凸凸起起垂垂面面排排列列( (a a) )未未加加電電狀狀態態( (b b) )加加電電狀狀態態M

15、VA-LCD結構53MVA模式的工作原理：非選擇態，在取向膜的作用下，絕大部分液晶分子垂面取向，上下偏光片正交設置，無場時為暗態。選擇態，上下小凸起間產生傾斜電場，使得液晶分子變成傾斜取向。由于液晶分子的雙折射效應，入射線偏光經過傾斜取向的液晶層后變成橢圓偏振光，就會有光從檢偏器射出得到亮態顯示。隨著電場的加大，透射光強度也相應增大。54當前MVA-LCD中采用的都是4分割像素法，每個像素被分成4個疇區。4分割像素法中小凸起的排列方式設計成上下基板小凸起均設置成間隔均勻的Z字形平行條狀，且上下小凸起交替排列。這樣在施加電壓時，液晶分子就可以獲得4個不同的取向狀態，亦即形成4個疇區。可以證明，在

16、這種排列方式下，當偏振片的吸收軸與液晶分子長軸成45時，入射光的利用率最大。 55T TF FT T 基基板板上上的的凸凸起起C CF F基基板板上上的的凸凸起起疇疇區區方方向向小凸起排列方式設計 56玻 璃 基 板玻 璃 基 板57MVA廣視角技術(ii) 影響液晶分子配向的參數突出物高度(h) :高度, 透光率, LC 配向穩定性突出物間距(s) :間距, 透光率突出物寬幅(w）突出物材料的誘電率(P)突出物材料的阻抗率(P)58(a)突出物高度(h) :高度, 透光率, LC 配向穩定性(b)突出物間距(s) :間距, 透光率59 2.MVA 2.MVA模式的特點模式的特點 a a、寬視

17、角，高對比，響應速度快、寬視角，高對比，響應速度快多疇取向技術的引入使得MVA-LCD的視角特性得到很大改善，水平和垂直方向視角都可以達到80以上，而且高度對稱，即使在45方向也在50以上；MVA模式繼承了VA模式高對比、響應速度快的優點，在水平和垂直方向當視角為80時其對比度還能達到30：1，甚至在90時對比度仍可保持在10：1以上。MVA-LCD的對比度已經做到800：1，響應速度也在8ms左右。60階調反轉區域階調反轉區域 VA-LCD和MVA-LCD視角特性對比 61MVA-LCD中不存在階調反轉現象。顯示色彩的視角相依性也大大降低，使得其色彩還原能力進一步向傳統CRT顯示器件靠近。

18、b b、取向不需摩擦，良率高、取向不需摩擦，良率高在普通TN-LCD中采用摩擦取向技術使液晶分子（在不加電狀態下）獲得某種特定取向（即形成“單疇”）。摩擦取向技術簡便，適合批量生產，一直被沿用，但它的靜電吸塵（摩擦過程中易引入雜質）、表面損傷、大面積不均勻（很難將摩擦線的均勻度控制在可接受范圍內）等問題，已經不能適應高性能（高精細、廣視角）顯示器件的要求。 62在MVA模式中，要求每個像素內的液晶分子形成4個不同取向狀態（即形成“多疇”），此時傳統的摩擦取向技術就顯得無能為力了。MVA-LCD中采用的ADF技術很好的達到了取向要求。ADF技術的應用使得MVA-LCD面板的制作過程中省去了摩擦工藝，縮短了制作流程；同時由于不存在摩擦工藝常引入的那些問題，從而提高了良率。 63MVA和TN/IPS模式中的取向技術64四、三種廣視角技術比較四、三種廣視角技術比較 三