1、基本要求基本要求1、掌握二極管的結(jié)構(gòu)特性和參數(shù)掌握二極管的結(jié)構(gòu)特性和參數(shù)2 2、掌握二極管的單向?qū)щ娦约盎倦娐贰⒄莆斩O管的單向?qū)щ娦约盎倦娐? 半導(dǎo)體二極管及其基本電路半導(dǎo)體二極管及其基本電路一、半導(dǎo)體的特性一、半導(dǎo)體的特性 根據(jù)物體導(dǎo)電能力根據(jù)物體導(dǎo)電能力( (電阻率電阻率) )的不同，分為導(dǎo)體、的不同，分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有典型的半導(dǎo)體有硅硅Si和和鍺鍺Ge以及以及砷化鎵砷化鎵GaAs等。等。 1. 1. 光敏、熱敏特性光敏、熱敏特性 2. 2. 摻雜特性摻雜特性 1. 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電當(dāng)受外界熱和光的

2、作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。能力明顯變化。如光敏電阻如光敏電阻, ,熱敏電阻熱敏電阻往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。它的導(dǎo)電能力明顯改變。二、本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用二、本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用1. 1. 結(jié)構(gòu)：以結(jié)構(gòu)：以Si,GeSi,Ge為例為例本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體。化學(xué)成分純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體。物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。 硅和鍺是四價(jià)元素，在原子最外層軌道上硅和鍺是四價(jià)元素，在原子最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子的四個(gè)電子稱為價(jià)電子SiGe共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖共價(jià)鍵結(jié)

3、構(gòu)平面示意圖共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。在硅和鍺晶體中，原子按四角形組成晶體點(diǎn)陣，在硅和鍺晶體中，原子按四角形組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵，共用

4、一對(duì)價(jià)電子。之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。2. 2. 共價(jià)鍵共價(jià)鍵這一現(xiàn)象稱為這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)本征激發(fā)，也稱，也稱熱激發(fā)熱激發(fā)自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)一個(gè)空位，稱這個(gè)空位為出現(xiàn)一個(gè)空位，稱這個(gè)空位為空穴空穴。空穴的出現(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要標(biāo)志！空穴的出現(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要標(biāo)志！3. 3. 空穴及其導(dǎo)電作用空穴及其導(dǎo)電作用當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量增高，當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量增高，有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為成為自由電子自由電子。

5、束縛束縛電子電子從從123xxx視為視為空穴空穴從從321xxx 顯然，因熱激發(fā)而出現(xiàn)的顯然，因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為出現(xiàn)的，稱為電子空穴電子空穴對(duì)。對(duì)。半導(dǎo)體中出現(xiàn)半導(dǎo)體中出現(xiàn)兩種載流子兩種載流子自由電子自由電子 空穴空穴電量相等，極性相反電量相等，極性相反因共價(jià)鍵中出現(xiàn)空穴，在外加因共價(jià)鍵中出現(xiàn)空穴，在外加電場(chǎng)的作用下鄰近束縛電子就電場(chǎng)的作用下鄰近束縛電子就會(huì)填補(bǔ)到這個(gè)空位上，而在這會(huì)填補(bǔ)到這個(gè)空位上，而在這個(gè)束縛電子原來(lái)位置又會(huì)出現(xiàn)個(gè)束縛電子原來(lái)位置又會(huì)出現(xiàn)新的空穴，以后其他束縛電子新的空穴，以后其他束縛電子又可轉(zhuǎn)移到這，這樣就在共價(jià)又

6、可轉(zhuǎn)移到這，這樣就在共價(jià)鍵中出現(xiàn)一定的鍵中出現(xiàn)一定的電荷遷移電荷遷移。三、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的某種元素作為在本征半導(dǎo)體中摻入微量的某種元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。 N型型( (電子電子) )半導(dǎo)體半導(dǎo)體摻入五價(jià)雜質(zhì)元素?fù)饺胛鍍r(jià)雜質(zhì)元素(如磷如磷) P型型( (空穴空穴) )半導(dǎo)體半導(dǎo)體摻入三價(jià)雜質(zhì)元素?fù)饺肴齼r(jià)雜質(zhì)元素(如硼如硼) 因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少缺少一一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留

7、下個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)一個(gè)空穴空穴。 在在P型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻，它主要由摻雜形成雜形成；自由電子是少數(shù)載流子自由電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。由熱激發(fā)形成。P為為Positive的字頭。的字頭。 空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子負(fù)離子。因而三價(jià)雜質(zhì)也稱為因而三價(jià)雜質(zhì)也稱為受主雜質(zhì)受主雜質(zhì)。1. P1. P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 五價(jià)雜質(zhì)原子中只有五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因

8、無(wú)共價(jià)鍵束縛而價(jià)電子因無(wú)共價(jià)鍵束縛而容易形成自由電子。容易形成自由電子。 在在N型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜，它主要由雜質(zhì)原子提供質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子空穴是少數(shù)載流子, 由本征激發(fā)形成。由本征激發(fā)形成。N為為Negative的字頭。的字頭。 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子正離子，故稱為，故稱為施主雜質(zhì)施主雜質(zhì)。2. N2. N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 摻入雜質(zhì)對(duì)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性有很大的摻入雜質(zhì)對(duì)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性有很大的影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下: T=300 K室溫

9、下室溫下, ,本征本征SiSi的電子和空穴濃度的電子和空穴濃度: : n = p =1.41010/cm31 即多子即多子 少子少子 半導(dǎo)體導(dǎo)電能力主要由雜質(zhì)決定半導(dǎo)體導(dǎo)電能力主要由雜質(zhì)決定 2摻雜后摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的自由電子濃度型半導(dǎo)體中的自由電子濃度: n=51016/cm33. 雜雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響1、PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上, ,形成形成P型半導(dǎo)體區(qū)型半導(dǎo)體區(qū)域和域和N型半導(dǎo)體區(qū)域型半導(dǎo)體區(qū)域, ,在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)PN 結(jié)。結(jié)。擴(kuò)散擴(kuò)

10、散空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)漂移漂移動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡 PN PN結(jié)。結(jié)。多子擴(kuò)散多子擴(kuò)散少子漂移少子漂移內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)圖圖1.1.5 PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 (a)P區(qū)與區(qū)與N區(qū)中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)區(qū)中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 2. PN結(jié)和半導(dǎo)體二極管結(jié)和半導(dǎo)體二極管在一定的條件下，多子擴(kuò)散與少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，在一定的條件下，多子擴(kuò)散與少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡， 空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定下來(lái)。空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定下來(lái)。 P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向圖圖1.1.5 PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 (b)平衡狀態(tài)下的平衡狀態(tài)下的PN結(jié)結(jié) 因濃

11、度差因濃度差 促使少子漂移促使少子漂移 阻止多子擴(kuò)散阻止多子擴(kuò)散 多子的多子的擴(kuò)散擴(kuò)散 = 少子的少子的漂移漂移 即達(dá)到即達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡正負(fù)離子不移動(dòng)而載流子復(fù)合形成無(wú)載流子的空間正負(fù)離子不移動(dòng)而載流子復(fù)合形成無(wú)載流子的空間電荷區(qū)，所以內(nèi)電場(chǎng)也稱電荷區(qū)，所以內(nèi)電場(chǎng)也稱耗盡層、勢(shì)壘層耗盡層、勢(shì)壘層。 多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) PNPN結(jié)形成物理過(guò)程結(jié)形成物理過(guò)程 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng) 0 0方向從方向從N P 穩(wěn)定的穩(wěn)定的空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)稱為稱為PN結(jié)結(jié) 2. PN 2. PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?1)

12、PN(1) PN結(jié)加正向電壓結(jié)加正向電壓( (正偏正偏) )當(dāng)在平衡當(dāng)在平衡PNPN結(jié)外加電壓時(shí)，如果正端接結(jié)外加電壓時(shí)，如果正端接P區(qū)，負(fù)端接區(qū)，負(fù)端接N區(qū)，稱區(qū)，稱為加正向（偏置）電壓，簡(jiǎn)稱正偏；反之為加正向（偏置）電壓，簡(jiǎn)稱正偏；反之稱為加反向（偏置）稱為加反向（偏置）電壓，電壓，簡(jiǎn)稱反偏。簡(jiǎn)稱反偏。 外加的正向電壓外加的正向電壓E E 有一部分降落在有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與內(nèi)電結(jié)區(qū)，方向與內(nèi)電場(chǎng)場(chǎng)0 0 相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng), ,使得多子擴(kuò)散使得多子擴(kuò)散 少子漂移。擴(kuò)少子漂移。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，忽略漂移電流的影響，在外電路上散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，忽略漂移電流

13、的影響，在外電路上形成流入形成流入P P區(qū)的電流區(qū)的電流I IF F， PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性，也稱結(jié)呈現(xiàn)低阻性，也稱PNPN結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通。多子數(shù)目很大多子數(shù)目很大 I IF F 很大很大當(dāng)當(dāng)E E，多子擴(kuò)散加劇，多子擴(kuò)散加劇I IF F 低電阻，低電阻， PNPN結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通 大的正向擴(kuò)散電流大的正向擴(kuò)散電流(P-N)PN結(jié)加正向電壓結(jié)加正向電壓內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向E外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向RIP 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)空間電荷區(qū)變窄空間電荷區(qū)變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大的正向電流成較大的正向電流 在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度

14、是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無(wú)關(guān)，這個(gè)電流稱為反向飽和電流無(wú)關(guān)，這個(gè)電流稱為反向飽和電流I IS S 。 且且少子數(shù)目很少少子數(shù)目很少I IS S 很小很小(A(A級(jí)級(jí)) )， PNPN結(jié)呈現(xiàn)高阻性，也稱結(jié)呈現(xiàn)高阻性，也稱PNPN結(jié)截止結(jié)截止。(2) PN (2) PN 結(jié)加反向電壓結(jié)加反向電壓( (反偏反偏) ) 外加的反向電壓外加的反向電壓E E有一部分降落在有一部分降落在PNPN結(jié)區(qū)，方向與結(jié)區(qū)，方向與PNPN結(jié)內(nèi)結(jié)內(nèi)電場(chǎng)電場(chǎng)0 0方向一致，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散起阻礙方向一致，加強(qiáng)了內(nèi)

15、電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散起阻礙作用作用0 0，而使少子漂移，而使少子漂移反向電流反向電流I IR R 。PN結(jié)加反向電壓結(jié)加反向電壓 高電阻，高電阻， PN結(jié)截止結(jié)截止 很小的反向漂移電流很小的反向漂移電流(N- P)P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向ER空間電荷區(qū)變寬空間電荷區(qū)變寬 外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向IR外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走少數(shù)載流子越過(guò)少數(shù)載流子越過(guò)PN結(jié)結(jié)形成很小的反向電流形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻

16、，具有較大的正向擴(kuò)散電流；向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。很小的反向漂移電流。結(jié)論結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦?3)PN結(jié)結(jié)V- I 特性表達(dá)式特性表達(dá)式 1)1(26/S/S mvnVnVVDTDeIeIIPN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性iD/mA1.00.50.51.00.501.0 D/ViD/mA1.00.5iD=IS0.51.00.501.0 D/VV VD D為正且為正且V VD DV VT TmvnVSeII26/ V VD D為負(fù)且為負(fù)且V VD DV VT TSII其中其中IS 反向飽和電流反向飽和

17、電流VT 溫度的電壓當(dāng)量溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（且在常溫下（T=300K）V026. 0 qkTVTmV 26 n發(fā)射系數(shù)，發(fā)射系數(shù)，12在在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。(1) 點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。變頻等高頻電路。二、半導(dǎo)體二極管二、半導(dǎo)體二極管1. 1. 分類分類二極管按結(jié)構(gòu)分有：點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型二極管按結(jié)構(gòu)分有：點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型(3) 平面型二極管平面型二極管 往往用于集成電路制造往往用于集成電路制造藝中。藝中。PN 結(jié)面積可大

18、可小，結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。(2) 面接觸型二極管面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。于工頻大電流整流電路。(b)(b)面接觸型面接觸型(c)(c)平面型平面型陰極陰極引線引線陽(yáng)極陽(yáng)極引線引線PNP 型支持襯底型支持襯底(4) 二極管的代表符號(hào)二極管的代表符號(hào)(d) 代表符號(hào)代表符號(hào)k 陰極陰極陽(yáng)極陽(yáng)極 aDSi二極管的死區(qū)電壓二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5 V左右，左右，Ge二極管的死區(qū)電壓二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1 V左右。左右。 i)i) 當(dāng)當(dāng)0 0V VV Vthth時(shí)，正向電流為零，時(shí)，正向電流為零，V

19、Vthth稱為死區(qū)或門坎電壓稱為死區(qū)或門坎電壓當(dāng)當(dāng)V0 即處于正向特性區(qū)域，正向區(qū)又分為兩段：即處于正向特性區(qū)域，正向區(qū)又分為兩段：ii)ii) 當(dāng)當(dāng)V VV Vthth時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)，時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)，二極管正向?qū)ā６O管正向?qū)āth2. 2. 二極管的伏安特性二極管的伏安特性(1) (1) 正向特性正向特性Si管正向?qū)▔航导s為管正向?qū)▔航导s為0.7V;Ge管正向?qū)▔航导s為管正向?qū)▔航导s為0.2V。Si二極管的反向飽和電流二極管的反向飽和電流IS Vth?是是:D導(dǎo)通導(dǎo)通否否:D截止截止對(duì)于理想對(duì)于理想D D，只要，只要V V陽(yáng)陽(yáng)

20、V V陰陰導(dǎo)通導(dǎo)通( (且導(dǎo)通后即箝位且導(dǎo)通后即箝位),),否則截止否則截止(3)關(guān)于優(yōu)先導(dǎo)通關(guān)于優(yōu)先導(dǎo)通(V陽(yáng)陽(yáng)V陰陰)大的二極管優(yōu)先導(dǎo)通且箝位大的二極管優(yōu)先導(dǎo)通且箝位D2:V陽(yáng)陽(yáng)2V陰陰2=6v-(-3v)=9vD1:V陽(yáng)陽(yáng)1V陰陰1=0v-(-3v)=3vD D2 2優(yōu)先導(dǎo)通且優(yōu)先箝位優(yōu)先導(dǎo)通且優(yōu)先箝位( (短路短路) )VVAO AO = = 6 6v v，D D1 1受反壓截止受反壓截止D2D1V26VR3V13V0vA例例:?(1)(1)整流整流( (半波、全波半波、全波) ) 利用利用D的單向?qū)щ娦缘膯蜗驅(qū)щ娦园氩▽?dǎo)通半波導(dǎo)通tVDR+-+-ViVODR+-+-3VViVo(2)(2)限幅限幅( (削波削波) )單向削波單向削波tV(3)(3)低壓穩(wěn)壓低壓穩(wěn)壓VD=VthVoDR+-Vi(4)(4)開(kāi)關(guān)作用開(kāi)關(guān)作用D導(dǎo)通導(dǎo)通:開(kāi)關(guān)閉和開(kāi)關(guān)閉和D截止截止:開(kāi)關(guān)斷開(kāi)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)5.5.二極管應(yīng)用舉例二極管應(yīng)用舉例三、特殊二極管三、特殊二極管1. 1. 光電二極管光電二極管2. 2. 發(fā)光二極管發(fā)光二極管其其PN結(jié)通過(guò)管殼上的玻璃窗口接受光照。在反偏狀態(tài)下運(yùn)行，結(jié)通過(guò)管殼上的玻璃窗口接受光照。在反偏狀態(tài)下運(yùn)行，反向電流