1、內存基礎知識介紹什么是Shadow RAM 內存 Shadow RAM也稱為“影子”內存。它是為了提高系統效率而采用的一種專門技術。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM動態隨機存取存儲器芯片。Shadow RAM 占據了系統主存的一部分地址空間。其編址范圍為C0000FFFFF，即為1MB主存中的 768KB1024KB區域。這個區域通常也稱為內存保留區，用戶程序不能直接訪問。 Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內容?；蛘哒fShadow RAM中的內容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow即Shadow RAM的內容是RO

2、M BIOS的“影 子”。 在機器上電時，將自動地把系統BIOS、顯示BIOS及其它適配器的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區域中。由于Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM即可，而不必再訪問ROM。 通常訪問ROM的時間在200ns左右，而訪問DRAM的時間小于100ns最新的DRAM芯片訪問時 間為60ns左右或者更小。在系統運行的過程中，讀取BIOS中的數據或調用BIOS中的程序 模塊是相當頻繁的。顯然，采用了Shadow技術后，將大大提高系統的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB

3、主存地址空間中，640KB以下的 區域是常規內存。640KB768KB區域保留為顯示緩沖區。768KB1024KB區域即為Shadow RAM區。在系統設置中，又把這個區域按16KB大小的尺寸分為塊，由用戶設定是否允許使 用。 C0000C7FFF這兩個16KB塊共32KB通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區。 C8000EFFFF這10個16KB塊可作為其它適配器的ROM BIOS的Shadow區。F0000FFFFF 共64KB規定由系統ROM BIOS使用。 應該說明的是，只有當系統配置有640KB以上的內存時才有可能使用Shadow RAM。在系統 內存大于640KB時，用

4、戶可在CMOS設置中按照ROM Shadow分塊提示，把超過640KB以上的 內存分別設置為“允許”Enabled即可。 什么是EDO RAM 內存是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟-CPU幾經改朝換代，目前已 發展到了Pentium，較之于當初，它在速度上已有兩個數量級的增長。而內存的構成器件 RAM隨機存儲器-一般為DRAM動態隨機存儲器，雖然單個芯片的容量不斷擴大，但存取 速度并沒有太大的提高。雖然人們早就采用高速但昂貴的SRAM芯片在CPU和內存之間增加 一種緩沖設備-Cache，以緩沖兩者之間的速度不匹配問題。但這并不能根本解決問題。于 是人們把注意力集中到DRAM接

5、口芯片收發數據的途徑上。 在RAM芯片之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現在，人們已注意到RAM芯片 的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內的數據流量，即所 謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。 擴展數據輸出Extended data out-EDO，有時也稱為超頁模式-hyper-page-modeDRAM， 和突發式EDOBust EDO-BEDODRAM是兩種基于頁模式內存的內存技術。EDO大約一年前被 引入主流PC，從那以后成為許多系統廠商的主要內存選擇。BEDO相對更新一些，對市場的 吸引還未能達到EDO的水平。 EDO的工作方式頗類似于

6、FPM DRAM：先觸發內存中的一行，然后觸發所需的那一列。但是當 找到所需的那條信息時，EDO DRAM不是將該列變為非觸發狀態而且關閉輸出緩沖區這是 FPM DRAM采取的方式，而是將輸出數據緩沖區保持開放，直到下一列存取或下一讀周期開 始。由于緩沖區保持開放，因而EDO消除了等待狀態，且突發式傳送更加迅速。 EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發式讀周期時鐘安排：6-2-2-2。這使得 在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數據塊時能節省3個時鐘周期。EDO 易于實現，而且在價格上EDO與FPM沒有什么差別，所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO D

7、RAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘周期。由于大多數PC應用程序以四周期突 發方式訪問內存，以便填充高速緩沖內存 系統內存將數據填充至L2高速緩存，如果沒有 L2高速緩存，則填充至CPU，所以一旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質的改進是在芯片上增加了一個地址計數器，用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問周期被劃分為兩個部分。 對于內存讀操作，第一部分 負責將數據從內存陣列中讀至輸出級第二級鎖存，第二部分負責從這一鎖存將數據總線驅 動至相應的邏輯級別。因為數據已經在輸出緩沖區內，所以訪問時間得以縮短。BEDO能達 到的最大突發式

8、時鐘安排為5-1-1-1采用52nsBEDO和66-MHz總線比優化EDO內存又節省 了四個時鐘周期。 RAM是如何工作的 實際的存儲器結構由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制 等邏輯電路構成。當CPU要從存儲器中讀取數據時，就會選擇存儲器中某一地址，并將該地 址上存儲單元所存儲的內容讀走。 早期的DRAM的存儲速度很慢，但隨著內存技術的飛速發展，隨后發展了一種稱為快速頁面 模式Fast Page Mode的DRAM技術，稱為FPDRAM。FPM內存的讀周期從DRAM陣列中某一行 的觸發開始，然后移至內存地址所指位置的第一列并觸發，該位置即包含所需要的數據。第 一條信息需要被證實是否有效，然后還需要將數據存至系統。一旦發現第一條正確信息，該 列即被變為非觸發狀態，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態”，因為在該 列為非觸發狀態時不會發生任何事情CPU必須等待內存完成一個周期。 直到下一周期開始 或下一條信息被請求時，數據輸出緩沖區才被關閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數 據所放位置相鄰時，就觸發數據所在行的下一列。下一列的觸發只有在內存中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。 從50納秒FPM內存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發式周期 6個時鐘周期用于讀取第一個數據元素，接下來的每3