1、紅外檢測晶圓鍵合質量系統說明書概述該系統是用于晶圓鍵合過程后的質量檢測系統。能夠提供給使用者快速、精確的無損界面檢測圖像。該系統具有很強的通用性，不僅適用于硅-硅、玻璃 -硅或者玻璃-玻璃晶圓鍵合，還適用于GaAs、 InP 等半導體晶圓。該系統克服了X 射線投射法和掃面聲學顯微探測法費時費力、系統復雜和成本昂貴的特點。最大能檢測的晶圓直徑為200mm,滿足絕大多數科研和生產所需。該系統具有高效、實時、無損、低成本、結果清晰的特點，是實時檢測空洞和鍵合過程的理想手段。特點1紅外光源以提供高的檢測質量2鍵合晶圓對的自動成像3高靈敏度CCD 以提供高分辨率、高對比度圖像4微米級的檢測精度5可檢測的

2、最大晶圓直徑為200mm6搭載不同波長的濾波片可以檢測絕大多數的晶圓材料7基于計算機的圖像獲取軟件8支持Windows/Linux 系統，集成多種二次開發工具工作原理精選文檔，供參考！!橫梁紅外相機 鏡頭 、濾光片待檢測圓片勻光片!/ 卜盒體一白熾燈 底座L=；'圖i檢測系統結構圖對于理想晶體來說，光是否透射晶體取決于光子的能量和晶體材料的禁帶寬度： hc/E.g對于硅的禁帶寬度為 1.12eV,故其透射光最小波長為 1.1 m。如果兩片晶圓的鍵合界面 存在未鍵合區域，則入射光在上下表面兩次反射后形成相干光，經紅外攝像機處理后， 會在顯示器上出現明暗交替的干涉條紋。如果未鍵合區域面積較

3、大且間隙高度不大，則會出現很多較大的干涉條紋；當鍵合界面處間隙較大時，入射光無法形成干涉現象，在圖片上的對應位置將只能出現顏色較暗的圖案。因此，根據鍵合片的紅外透射圖像，就可以檢測到鍵合圓片的缺陷狀態及分布。根據干涉的圈數還可以定量的計算出空洞的大小。產生暗條紋，應滿足：c , 112nd = -m 122(m= 0,1,2,)其中n為空洞中介質的折射率，d為空洞高度，m為干涉環數，入為所用紅外光的波長。 若已知n、m、入，則可得：,m，d - ， 、4n 4n (m =0,1,2,)圖2未鍵合區域光線反射圖圖3紅外透射干涉圖檢測系統主要有四個部分：光源部分、工作臺部分、紅外相機部分和計算機部

4、分。測試系統的結構如圖1所示，主要部分包括：底座、盒體、白熾燈、勻光片、待檢測圓片、濾光 片、放大鏡頭和紅外攝像機。不同尺寸的晶圓成像距離不同，鏡頭和晶圓間距離的調節可以通過改變橫梁的高度和改變攝像機的焦距來實現。盒體設計如圖4所示。采用4光源，以獲得較為均勻一致的光強分布， 避免不均勻光強 對觀測結果的影響。為了獲得較高對比度的圖像和適應不同尺寸晶圓的成像， 通常需要調節 功率調節器以使照明系統提供的光強可控制。 低光強的圖像對比度較高，而高光強的圖像分 辨率更高。圖4盒體結構圖圖5檢測系統實物圖精選文檔，供參考!技術指標指標參數晶圓指標晶圓直徑最大200mm晶圓厚度最大10mm精測精度分辨率10Bit+/-1 m重復精度+/-1 mCCD型號Watec-902 H2模式模擬CCD尺寸1/2，440K最低照度0.0003Lux F1.4(AGC: High)外部尺寸W HXL(mm)35.5 >36X38鏡頭型號Computar M3Z1228C-MP靶面尺寸2/3，焦距1236mm北圈氾圍F2.8F16C最小物距0.2m(Tele)/0.05m(Wide)尺寸(mm)41.6 >53光源型號Philips R95E波長范圍0.765峰值波長4 jim功率100W濾波片截止波長850nm圖像米集T型號DH-CG410圖像米集最大分辨率768X57