1、 3.3 硅片表面,Si/SiO2界面,硅鍵界面吸雜 硅片表面及Si/SiO2界面在硅片內(nèi)沒(méi)有更優(yōu)的吸雜位置 時(shí),將會(huì)對(duì)硅片內(nèi)的過(guò)渡族金屬雜質(zhì)產(chǎn)生.盡管這種形式 的吸雜并不是大家希望得到(硅片表面吸雜會(huì)使器件去雜 質(zhì)濃度增大,但是當(dāng)在硅片內(nèi)部存在類(lèi)似界面時(shí),吸雜 便有效了. 這種吸雜方式競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng),主要是由于硅片表面/器 件區(qū)也會(huì)對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行吸引,使雜質(zhì)富集. 第四章: 當(dāng)前晶體硅中過(guò)渡族金屬雜質(zhì)吸除工藝 在過(guò)去數(shù)十年中,人們?cè)诠杵羞^(guò)渡族金屬雜質(zhì)的吸 除方面所取得的成果主要包括以下幾個(gè)方面: (1對(duì)硅片中過(guò)渡族金屬雜質(zhì)的電學(xué)性能及其在硅 片中的沉積行為有了更深的認(rèn)識(shí); (2進(jìn)一步降低了硅片中的

2、金屬雜質(zhì)濃度; (3進(jìn)一步提高了IC產(chǎn)品的價(jià)值. 在過(guò)去幾年中,在IC產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用較廣的吸雜工藝有內(nèi) 吸雜,P擴(kuò)散吸雜及注入吸雜;在PV產(chǎn)業(yè)中,Al吸雜 非常有效,雖然對(duì)于IC產(chǎn)業(yè)鋁吸雜并不適用.重?fù)揭r底 吸雜研究表明,其對(duì)Fe,Cu,Au,Co,Mn,Mo等金 屬雜質(zhì)具有很好的吸除作用.相比而言,界面吸雜作用并 不顯著. 第五章:硅片中過(guò)渡族金屬雜質(zhì)吸除展望 吸雜工藝在未來(lái)的發(fā)展主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面: 一,由于產(chǎn)品生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)的成本將會(huì)越來(lái)越高,計(jì)算機(jī) 模擬吸雜過(guò)程將發(fā)揮越來(lái)越大的作用.對(duì)于計(jì)算機(jī)模擬而 言,存在的主要問(wèn)題是如何準(zhǔn)確獲得材料各種參數(shù),包括 缺陷沉積區(qū)有效密度,沉積區(qū)域平均半徑,分凝系數(shù),以 及雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)等.在不遠(yuǎn)的將來(lái),如何獲得更為準(zhǔn)確 的物性參數(shù),是研究這亟待解決的問(wèn)題. 二,對(duì)于IC產(chǎn)業(yè),其吸雜工藝正由原來(lái)的內(nèi)吸雜,背 場(chǎng)釋放吸雜降低器件區(qū)雜質(zhì)濃度擴(kuò)展為通過(guò)其他一些分凝 機(jī)制的吸雜工藝來(lái)降低器件區(qū)金屬雜質(zhì)濃度,這是因?yàn)閷?duì) 于淺結(jié)的一些IC器件,通過(guò)釋放機(jī)制吸雜工藝,在小的熱 預(yù)算情況下并不能使器件區(qū)的雜質(zhì)濃度降到所需的要求. 對(duì)于PV產(chǎn)業(yè),不許額外高費(fèi)用步驟的吸雜將越來(lái)越得到重 視,并將在未來(lái)的幾年長(zhǎng)期居于壟斷