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水平結晶法（HDC） § 其生長原理如上圖所示，將原料放入船形坩堝之中，船形坩堝之 船頭部位主要是放置晶種，接著使坩堝經過一加熱器，鄰近加熱 器之部份原料最先熔化形成熔湯，形成熔湯之原料便與船頭之晶 種接觸，即開始生長晶體，當坩堝完全經過加熱器后，便可得一 單晶體。為了晶體品質及晶體生張結束后，方便取出晶體，坩堝 應采用不沾其熔湯之材料所製，如石英、氧化鎂、氧化鋁、氧化 鈹以及石墨等。加熱器可以使用電阻爐，也可使用高頻爐。用此 方法生長單晶，設備簡單，又可得到純度很高和雜質分布十分均 勻的晶體。但此方法所生長的晶體與坩堝接觸，難免有坩堝成分 之元素析出到晶體，且不易制得完整性高的大直徑單晶 歡 迎 提 問 Q&A 內部文件V1.0

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