1、HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Security Level: 20142014年中移動年中移動TD-LTETD-LTE三期集采投標(biāo)產(chǎn)品交流三期集采投標(biāo)產(chǎn)品交流HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 2華為三期華為三期BBUBBU及基帶板全景圖及基帶板全景圖繼續(xù)投標(biāo)新硬件繼續(xù)投標(biāo)BBU3900LBBPd43*20M 8T8R6*20M 2T2RUBBPd9 6*20M 8T8R12*20M 2T2RLBBPd4UBBPd9BBU3910室外Blade BBU 6*20M 8T8R12*20M 2

2、T2RBBU3910A背板交換能力散熱能力供電能力HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 3Blade SiteBlade Site解決傳統(tǒng)站點挑戰(zhàn)解決傳統(tǒng)站點挑戰(zhàn)Page 3RRU 小型態(tài)BBU機(jī)房/機(jī)柜+盒子 占地 站點資源最大化“0” 小時安裝 模塊化運維最簡單2FiberRRU/AAUBlade BBUBlade 備電Blade 電源1個盒子，1根線纜“MIN” 站點故障率HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 4Blade SiteBBU

3、3910ABlade SiteBBU3910A主要規(guī)格主要規(guī)格單基帶板規(guī)格(合一板卡)UMDU=UMPT+UBBPd96*20M 8T8R/12*20M 2T2R（僅TDL）Ir接口速率6*9.8G傳輸接口FE/GE一光一電對外供電1POE(60W)回傳時鐘GPS、北斗和1588v2尺寸12L(400 x100 x300mm)、24L(備電)重量12kg，33kg(備電)供電DC -48V功耗150W電源功率容量3000W(滿足1BBU+3RRU)，備電20AH防護(hù)自然散熱，IP65BBU電源（選配）備電（選配）應(yīng)用場景：公路、郊區(qū)、農(nóng)村特點：“0”站址，2小時安裝，MIN故障率HISILIC

4、ON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 5華為三期室內(nèi)外華為三期室內(nèi)外RRURRU模塊全景圖模塊全景圖繼續(xù)投標(biāo)新8通道模塊DRRU3168e-faFA頻段 8*22W(F改頻)RRU3273D頻段 8*25WRRU3277D頻段 8*30WAAU3215AAU3213D頻段 8*25WRRU3182-FADRRU3182-eDRRU3152-e E頻段 2*50WDRRU3172-FADFA: 2*30W(F改頻)D:2*40WDRRU3161-faeFA: 30W(F改頻)E:50WRRU3275E頻段 2*60WFA頻段 2*35

5、WD頻段 2*60W D頻段 2*60W繼續(xù)投標(biāo)新2通道模塊D頻段 8*30WHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 68T8R RRU（ RRU3273/RRU3277）RRU 小型態(tài)BBU性能優(yōu)部署快 全新一代ASIC芯片，內(nèi)置serdes接口，集成度更高，功耗小 首次采用氮化鎵功放技術(shù)，功放效率顯著提升，支持更大輸出功率 優(yōu)化電源等電路，提升效率型號RRU3273RRU3277（三期新產(chǎn)品）配置2.6G 8T8R2.6G 8T8R功率8*25W8*30W載波/帶寬3*20M/60M3*20M/60M重量17Kg17

6、Kg尺寸17L17L工作溫度-40C55C-40C55C安裝方式 抱桿抱桿功耗460W560W型號RRU3273RRU3277（三期新產(chǎn)品）HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 7性能優(yōu) 新增D頻段不需要新增天線和RRU部署快 零饋損，相比FA&D獨立電條合入方式，性能提升將近3dB FA&D獨立電調(diào)FAD天線& D頻段RF原FA RRU天線天線RRU一體化設(shè)備（一體化設(shè)備（ AAU3213/AAU3215）RRU 小型態(tài)BBU型號AAU3215（三期新產(chǎn)品）AAU3213配置2.6G 8T8R

7、（有源）+FA 8T8R（無源） 2.6G 8T8R（有源）+FA 8T8R（無源） 功率8*30W8*25W載波/帶寬3*20M/60M3*20M/60M天線增益16dBi16dBi電調(diào)雙頻獨立電調(diào)雙頻獨立電調(diào)重量/尺寸35Kg，1400*320*23035Kg，1400*320*230工作溫度-40C55C-40C55C安裝方式 抱桿抱桿功耗560W460WHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 8射頻功放管新材料射頻功放管新材料氮化鎵氮化鎵(NGa)(NGa) 技術(shù)趨勢演進(jìn) LDMOS氮化鎵 發(fā)展訴求：更高的功率，

8、更高的效率(綠色節(jié)能) LDMOS (橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)GaN 氮化鎵的好處 更高的漏極效率： 相比LDMOS效率提升5%以上 更大的帶寬：支持高頻、大帶寬 更高的擊穿電壓：輸出更高的功率 更高的結(jié)溫：功放體積更小，結(jié)構(gòu)支持更大功率 我司在氮化鎵行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位 多年的預(yù)研工作，推動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，解決關(guān)鍵技術(shù)Page 8晶片ICRRURRU 小型態(tài)BBUHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 9雙通道雙通道FAD RRU 效率更高的新功放管 提升電源的輸出功率，并提升效率 優(yōu)化硬件電路，使用性能更好的器件RRU 小型態(tài)

9、BBU設(shè)備型號DRRU3172-fadDRRU3182-fad（三期新產(chǎn)品）通道數(shù)2通道2通道工作頻帶寬度F+A+DF+A+D容量F+A：30M+15MD：3*20MF+A：30M+15MD：3*20M輸出功率FA:2*30WD:2*40WFA:2*35WD:2*60W光纖接口2*9.8G2*9.8G級聯(lián)情況6級6級功耗350W540W尺寸（L）12L18L重量（Kg）12kg18kgHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 10室內(nèi)雙通道室內(nèi)雙通道E頻段頻段RRU 采用效率更高的新功放管 提升電源的輸出功率，并提升效率

10、優(yōu)化硬件電路，使用性能更好的器件RRU 小型態(tài)BBU設(shè)備型號DRRU3152-eRRU3182-e（三期新產(chǎn)品）通道數(shù)2通道2通道工作頻帶寬度EE容量2*20M TDL + 6C TDS2*20M +10M TDL輸出功率2*50W2*60W光纖接口2*9.8G2*9.8G級聯(lián)情況6級6級功耗365W375W尺寸（L）11L11L重量（Kg）10kg10kgHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 11華為三期室內(nèi)外小形態(tài)模塊全景圖華為三期室內(nèi)外小形態(tài)模塊全景圖A principle of distinctive fitU

11、niqueharmonyGSM和LTE雙模2*20M LTE 2*125mw1.2L/1.2kgAAU3240FA: 2*15W(F改頻)D:2*30W3172mini-fadFA : 2*10W(F改頻)D: 2*10W8L/8kg新 增RRN3201(R)F頻段或D頻段BTS3205EF頻段或D頻段2*20M；6L/6kg1*20MHz，2*125mw2.6L/3kgpRRU3901pRRU3902Lampsite繼續(xù)投標(biāo)繼續(xù)投標(biāo)1*20M LTE2*125mW802.11b/g/nBTS3203BNanocellHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLO

12、GIES CO., LTD.Page 12宿主基站 DBS3900RRN中繼基站中繼站方案一： 回傳模塊+小站ATOM體積小，利于部署方案二： 回傳模塊+宏站宏站功率大，覆蓋更遠(yuǎn)RRN靈活部署的華為Relay ，回傳模塊可與中繼基站靈活組合，滿足不同覆蓋需求RelayRelay延伸延伸LTELTE覆蓋覆蓋設(shè)備型號RRN3201R頻率支持 （D頻段）2575MHz2635MHz頻段 （F頻段）1880MHz1915MHz頻段 帶寬規(guī)格支持10MHz，15MHz，20MHz發(fā)射功率24dBm， 1T2R天線規(guī)格D頻段：15dBi，H40度/V20度；F頻段：12dBi，H60度/V25度；體積重量

13、 總體積小于4.0L（不含安裝件），重量小于3.5Kg（不含安裝件） 尺寸340mm200mm60mm安裝方式抱桿，桿徑范圍支持48381mm/ 掛墻供電方式PoE 額定輸入: -48V DC, 0.6 A防護(hù)等級IP65HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 13NanocellNanocell：BTS3203BBTS3203B及網(wǎng)關(guān)及網(wǎng)關(guān)C-SCGWC-SCGWWLAN協(xié)議支持802.11 b/g/n頻段2.4GHz功率最大發(fā)射功率 200mW 功能瘦AP / 胖APTD-LTE頻段2320 - 2370 MHz (

14、Band 40) 容量激活用戶數(shù)：32，RRC連接用戶數(shù)：96帶寬10MHZ, 20 MHZ功率默認(rèn)配置21dBm，最大發(fā)射功率24dBm空口同步精度0.25ppm，3us網(wǎng)關(guān)規(guī)格支持接入5000網(wǎng)元整機(jī)接口LAN:RJ452，10/100M自適應(yīng)天線內(nèi)置2 x 2 全向天線 ，外置SMA接口電源12V DC 或 POE+供電 環(huán)境-540，5%95%體積 3L/3kg- C-SCGW減少MME控制面負(fù)荷及IPSec 匯聚能力RRU 小型態(tài)小型態(tài)BBUHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 14室內(nèi)覆蓋室內(nèi)覆蓋LampS

15、ite(pRRU3901/pRRU3902)LampSite(pRRU3901/pRRU3902)BBU3900RHUB3908pRRU3902RRU 小型態(tài)小型態(tài)BBU設(shè)備型號pRRU3901pRRU3902（三期新產(chǎn)品）頻段1.8(2T2R)+2.3(2T2R)輸出功率1*50mW for 1.8G GSM2*125mW for 2.3G TDL1*50mW for 1.8G GSM2*125mW for 2.3G TDLIBWGSM: 20MHzTDL: 20MHz20MHz for GSM2*20MHz for TDL載波數(shù)1.8: 4GSM2.3G: 1TDL1.8: 4GSM or

16、 1FDL2.3G: 2TDL(單RF卡)天線Internal(2dBi Gain)體積重量2.6L/3Kg1.2L/1.2Kg傳輸2*1G，2：1壓縮2*1G，4：1壓縮HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 15三期集采投標(biāo)新設(shè)備匯總?cè)诩赏稑?biāo)新設(shè)備匯總Page 15序號設(shè)備型號能力/新功能技術(shù)點&應(yīng)用場景1室外BBU: BBU3910A室外安裝，“0”站址，2小時安裝，最小故障率應(yīng)用場景：公路、郊區(qū)、農(nóng)村28通道RRU: RRU3277D功率：8*25W8*30W1、使用氮化鎵功放管代替LDMOS，功放效

17、率提升5%，體積減少，綜合功放效率提升到45%；2、無源部分功耗的減少(更高集成度的ASIC芯片，集成10G接口，濾波器插損減少)38通道AAU: AAU3215D功率：8*25W8*30W42通道RRU: DRRU3182-FADFA功率: 2*30W2*35W; D功率: 2*40W2*60W效率更高的新功放管提升電源的輸出功率，并提升效率優(yōu)化硬件電路，使用性能更好的器件52 2通道通道RRU:RRU: RRU3182-eE功率: 2*50W2*60W6Nanocell:Nanocell: BTS3203BLTE&WiFI，2*100mw，2*2MIMO 空口同步應(yīng)用場景：小企業(yè)、家庭、辦公室等7LampsiteLampsite：pRRU39022L+G, LTE支持2*20MHz，支持CA,更小的體積&重量，1.2L/1.2kg應(yīng)用場景：高價值區(qū)室內(nèi)覆蓋HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 16共平臺雙模 BBU8通道單通道2通道DRRU3161-faeRRU3172-fadDRRU3182-FADSingleRAN平臺單/雙通道、Lampsi