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文檔簡介
1、第一章 常用半導體器件自 測 題 一、判斷下列說法是否正確,用“”和“×”表示判斷結果填入空內。 (1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。( ) (2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。( ) (3)PN結在無光照、無外加電壓時,結電流為零。( )(4)處于放大狀態的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。 ( ) (5)結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點。( ) (6)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯變小。( )解:(1) (2)× (3) (4)
2、5; (5) (6)× 二、選擇正確答案填入空內。 (1)PN結加正向電壓時,空間電荷區將 。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬 (2)設二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是 。 A. ISeU B. C. (3)穩壓管的穩壓區是其工作在 。 A. 正向導通 B.反向截止 C.反向擊穿 (4)當晶體管工作在放大區時,發射結電壓和集電結電壓應為 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (5)UGS0V時,能夠工作在恒流區的場效應管有 。 A. 結型管 B. 增強型MOS管 C. 耗盡型MOS管 解:(1)A (2)C (3)C (
3、4)B (5)A C 三、寫出圖T1.3所示各電路的輸出電壓值,設二極管導通電壓UD0.7V。圖T1.3解:UO11.3V,UO20,UO31.3V,UO42V,UO51.3V,UO62V。四、已知穩壓管的穩壓值UZ6V,穩定電流的最小值IZmin5mA。求圖T1.4所示電路中UO1和UO2各為多少伏。圖T1.4 解:UO16V,UO25V。 五、某晶體管的輸出特性曲線如圖T1.5所示,其集電極最大耗散功率PCM200mW,試畫出它的過損耗區。 圖T1.5 解圖T1.5 解:根據PCM200mW可得:UCE40V時IC5mA,UCE30V時IC6.67mA,UCE20V時IC10mA,UCE1
4、0V時IC20mA,將各點連接成曲線,即為臨界過損耗線,如解圖T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區。 六、電路如圖T1.6所示,VCC15V,100,UBE0.7V。試問: (1)Rb50k時,uO? (2)若T臨界飽和,則Rb? 解:(1)Rb50k時,基極電流、集電極電流和管壓降分別為 A 所以輸出電壓UOUCE2V。 圖T1.6(2)設臨界飽和時UCESUBE0.7V,所以 七測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如表T1.7所示,它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(截止區、恒流區、可變電阻區),并填入表內。表T1.7管 號UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V
5、工作狀態T14513T243310T34605解:因為三只管子均有開啟電壓,所以它們均為增強型MOS管。根據表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態,如解表T1.7所示。解表T1.7管 號UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作狀態T14513恒流區T243310截止區T34605可變電阻區習 題 1.1 選擇合適答案填入空內。 (1)在本征半導體中加入 元素可形成N型半導體,加入 元素可形成P型半導體。 A. 五價 B. 四價 C. 三價 (2)當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將 。 A. 增大 B. 不變 C. 減小 (3)工作在放大區的某三極管,如果當IB從12A增大到22A時
6、,IC從1mA變為2mA,那么它的約為 。 A. 83 B. 91 C. 100 (4)當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變為4mA時,它的低頻跨導gm將 。 A.增大 B.不變 C.減小 解:(1)A ,C (2)A (3)C (4)A 1.2 能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端?為什么? 解:不能。因為二極管的正向電流與其端電壓成指數關系,當端電壓為1.5V時,管子會因電流過大而燒壞。 1.3 電路如圖P1.3所示,已知ui10sint(v),試畫出ui與uO的波形。設二極管正向導通電壓可忽略不計。 圖P1.3 解圖P1.3 解:ui和uo的波形如解圖P1.3所示。 1.4
7、電路如圖P1.4所示,已知ui5sint (V),二極管導通電壓UD0.7V。試畫出ui與uO的波形,并標出幅值。 圖P1.4 解圖P1.4 解:波形如解圖P1.4所示。 1.5 電路如圖P1.5(a)所示,其輸入電壓uI1和uI2的波形如圖(b)所示,二極管導通電壓UD0.7V。試畫出輸出電壓uO的波形,并標出幅值。圖P1.5解:uO的波形如解圖P1.5所示。解圖P1.5 1.6 電路如圖P1.6所示,二極管導通電壓UD0.7V,常溫下UT26mV,電容C對交流信號可視為短路;ui為正弦波,有效值為10mV。 試問二極管中流過的交流電流有效值為多少? 解:二極管的直流電流 ID(VUD)/R
8、2.6mA其動態電阻 rDUT/ID10故動態電流有效值 IdUi/rD1mA 圖P1.6 1.7 現有兩只穩壓管,它們的穩定電壓分別為6V和8V,正向導通電壓為0.7V。試問: (1)若將它們串聯相接,則可得到幾種穩壓值?各為多少? (2)若將它們并聯相接,則又可得到幾種穩壓值?各為多少? 解:(1)兩只穩壓管串聯時可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩壓值。 (2)兩只穩壓管并聯時可得0.7V和6V等兩種穩壓值。 1.8 已知穩壓管的穩定電壓UZ6V,穩定電流的最小值IZmin5mA,最大功耗PZM150mW。試求圖P1.8所示電路中電阻R的取值范圍。 解:穩壓管的最大穩定電流
9、IZMPZM/UZ25mA電阻R的電流為IZMIZmin,所以其取值范圍為 圖P1.8 1.9 已知圖P1.9所示電路中穩壓管的穩定電壓UZ6V,最小穩定電流IZmin5mA,最大穩定電流IZmax25mA。 (1)分別計算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值; (2)若UI35V時負載開路,則會出現什么現象?為什么?解:(1)當UI10V時,若UOUZ6V,則穩壓管的電流為4mA,小于其最小穩定電流,所以穩壓管未擊穿。故 當UI15V時,穩壓管中的電流大于最 圖P1.9小穩定電流IZmin,所以 UOUZ6V 同理,當UI35V時,UOUZ6V。 (2)29mAIZM25m
10、A,穩壓管將因功耗過大而損壞。 1.10 在圖P1.10所示電路中,發光二極管導通電壓UD1.5V,正向電流在515mA時才能正常工作。試問: (1)開關S在什么位置時發光二極管才能發光? (2)R的取值范圍是多少? 解:(1)S閉合。(2)R的范圍為 圖P1.101.11 電路如圖P1.11(a)、(b)所示,穩壓管的穩定電壓UZ3V,R的取值合適,uI的波形如圖(c)所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。圖P1.11解:波形如解圖P1.11所示解圖P1.11 1.12 在溫度20時某晶體管的ICBO2A,試問溫度是60時ICBO? 解:60時ICBO32A。 1.13 有兩只晶體管,一只的
11、200,ICEO200A;另一只的100,ICEO10A,其它參數大致相同。你認為應選用哪只管子?為什么? 解:選用100、ICBO10A的管子,因其適中、ICEO較小,因而溫度穩定性較另一只管子好。 1.14已知兩只晶體管的電流放大系數分別為50和100,現測得放大電路中這兩只管子兩個電極的電流如圖P1.14所示。分別求另一電極的電流,標出其實際方向,并在圓圈中畫出管子。 圖P1.14解:答案如解圖P1.14所示。 解圖P1.14 1.15測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.15所示。在圓圈中畫出管子,并分別說明它們是硅管還是鍺管。圖P1.15 解:晶體管三個極分別為上、中、下管腳,
12、答案如解表P1.15所示。解表P1.15管號T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 電路如圖P1.16所示,晶體管導通時UBE0.7V,=50。試分析VBB為0V、1V、1.5V三種情況下T的工作狀態及輸出電壓uO的值。 解:(1)當VBB0時,T截止,uO12V。 (2)當VBB1V時,因為 A 所以T處于放大狀態。 (3)當VBB3V時,因為 A 圖P1.16 所以T處于飽和狀態。 1.17 電路如圖P1.17所示,試問大于多少時晶體管飽和? 解:取UCESUBE,若管子飽和,則 所以
13、,時,管子飽和。 圖P1.171.18 電路如圖P1.18所示,晶體管的50,|UBE|0.2V,飽和管壓降|UCES|0.1V;穩壓管的穩定電壓UZ5V,正向導通電壓UD0.5V。試問:當uI0V時uO?當uI5V時uO? 解:當uI0時,晶體管截止,穩壓管擊穿,uOUZ5V。 當uI5V時,晶體管飽和,uO0.1V。因為 圖P1.18 1.19 分別判斷圖P1.19所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態。圖P1.19解:(a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能,T的發射結會因電流過大而損壞。 (e)可能 1.20 已知某結型場效應管的IDSS2mA,UGS(off)4V,試畫出它
14、的轉移特性曲線和輸出特性曲線,并近似畫出予夾斷軌跡。 解:根據方程 逐點求出確定的uGS下的iD,可近似畫出轉移特性和輸出特性;在輸出特性中,將各條曲線上uGDUGS(off)的點連接起來,便為予夾斷線;如解圖P1.20所示。解圖P1.20 1.21 已知放大電路中一只N溝道場效應管三個極、的電位分別為4V、8V、12V,管子工作在恒流區。試判斷它可能是哪種管子(結型管、MOS管、增強型、耗盡型),并說明 、與G、S、D的對應關系。 解:管子可能是增強型管、耗盡型管和結型管,三個極、與G、S、D的對應關系如解圖P1.21所示。解圖P1.21 1.22 已知場效應管的輸出特性曲線如圖P1.22所示,畫出它在恒流區的轉移特性曲線。 圖P1.22解:在場效應管的恒流區作橫坐標的垂線如解圖P1.22(a)所示,讀出其與各條曲線交點的縱坐標值及UGS值,建立iDf(uGS)坐標系,描點,連線,即可得到轉移特性曲線,如解圖P1.22(b)所示。 解圖P1.221.23 電路如圖1.23所示,T的輸出特性如圖P1.22所示,分析當uI4V、8V、12V三種情況下場效應管分別工作在什么區域。解:根據圖P1.22所示T的輸出特性可知,其開啟電壓為5V,根據圖P1.23
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