1、最大額定參數最大額定參數，所有數值取得條件(Ta=25 C)64* U *YouIOW Vv0M V總重ttA *9事/電虛（d（jw）*340A 后口王耳嗎青陌A ,31,A-0X如BQCnJ vW T門力180*c1 M仁VZ5t；£ -衽F'，>f. 1:響 時粥參請值2 強 Tdi =然*CX* R93gJ HTu弄金r【QZ十打電加趣事最<1及TcFTHk Ti；'和衿產j*：-加.Mt -惟用珥蘇昌康 r . isox9,一Pth梏&弋修看品PdhTT* 廣 PfifiP Tchrwi - Te.PdiWae&i事:因產Tiil

2、M二片打用H8 II功率輔口5 FET的或好信立麟走憾VDSS最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS促指漏-源未發生雪崩 擊穿前所能施加的最大電壓。根據溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額 定VDSS關于V(BR)DSS勺詳細描述請參見靜電學特性。VGS最大柵源電壓VGSK定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓。設定該額 定電壓的主要目的是防止電壓過高導致的柵氧化層損傷。實際柵氧化層可承受 的電壓遠高于額定電壓，但是會隨制造工藝的不同而改變，因此保持VGS&額定電壓以內可以保證應用的可靠性。ID -連續漏電流ID定義為芯片在最大額定結溫 TJ(max)下，管表面溫度在25

3、C 或者更高溫度下，可允許的最大連續直流電流。該參數為結與管殼之間額定熱 阻R8 JC和管殼溫度的函數：?0* / CEafl.TjmuFfJmkd .，口 *匕=社"dI,Vu - % J% -J * 藺亡l；&JC11_TjltLiiiID中并不包含開關損耗，并且實際使用時保持管表面溫度在25 C (Tcase)也很難。因此，硬開關應用中實際開關電流通常小于ID額定值 TC = 25c的一半，通常在1/31/4。補充，如果采用熱阻JA的話可以估算出特定溫度下 的ID,這個值更有現實意義。IDM -脈沖漏極電流 該參數反映了器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流 要遠高于連

4、續的直流電流。定義IDM的目的在于：線的歐姆區。對于一定的柵-源電壓，MOSFET通后，存在最大的漏極電流。如圖所示，對于給定的一個柵 -源電壓，如果工作點位于線性區域內，漏極電流的增大會提高漏-源電壓，由此增大導通損耗。長時間工作在大功率之下，將導致器件失效。因此，在典型 柵極驅動電壓下，需要將額定IDM設定在區域之下。區域的分界點在 Vgs和曲因此需要設定電流密度上限，防止芯片溫度過高而燒毀。這本質上是為了 防止過高電流流經封裝引線，因為在某些情況下，整個芯片上最“薄弱的連接” 不是芯片，而是封裝引線。考慮到熱效應對于IDM的限制，溫度的升高依賴于脈沖寬度，脈沖間的時 問間隔,散熱狀況,R

5、DS（on）以及脈沖電流的波形和幅度。單純滿足脈沖電流不 超出IDM上限并不能保證結溫不超過最大允許值。可以參考熱性能與機械性能 中關于瞬時熱阻的討論，來估計脈沖電流下結溫的情況。PD -容許溝道總功耗容許溝道總功耗標定了器件可以消散的最大功耗，可以表 示為最大結溫和管殼溫度為25c時熱阻的函數。TJ, TSTG -工作溫度和存儲環境溫度的范圍 這兩個參數標定了器件工作和存儲 環境所允許的結溫區間。設定這樣的溫度范圍是為了滿足器件最短工作壽命的 要求。如果確保器件工作在這個溫度區間內，將極大地延長其工作壽命。EAS -單脈沖雪崩擊穿能量 如果電壓過沖值（通常由于漏電流和雜散電感造成） 未超過擊

6、穿電壓，則器件不會發生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的 能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值，其依賴于 雪崩擊穿需要消散的能量。定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EASfe定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量 的高低。L 是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會突然轉換為測量器件的漏 極電流。電感上產生的電壓超過 MOSFET穿電壓后，將導致雪崩擊穿。雪崩擊 穿發生時，即使MOSFETt于關斷狀態，電感上的電流同樣會流過 MOSFE徭件 電感上所儲存的能量與雜散電感上存儲，由MOSFET散的能量類似。MOS

7、FET并聯后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某 個器件率先發生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流 （能量）都從該器件流過。 EAR -重復雪崩能量重復雪崩能量已經成為“工業標準”，但是在沒有設定頻 率，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數沒有任何意義。散熱 （冷卻）狀況經 常制約著重復雪崩能量。對于雪崩擊穿所產生的能量高低也很難預測。額定EAR勺真實意義在于標定了器件所能承受的反復雪崩擊穿能量。該定 義的前提條件是：不對頻率做任何限制，從而器件不會過熱，這對于任何可能發生雪崩擊穿的器件都是現實的。在驗證器件設計的過程中，最好可以測量處 于工作狀態的器件或者熱沉的溫度，來觀察 MO

8、SFET件是否存在過熱情況，特 別是對于可能發生雪崩擊穿的器件。IAR -雪崩擊穿電流對于某些器件，雪崩擊穿過程中芯片上電流集邊的傾向要 求對雪崩電流IAR進行限制。這樣，雪崩電流變成雪崩擊穿能量規格的“精細 闡述”；具揭示了器件真正的能力。舊!«破耳斷M測定電避和鼓期靜態電特性靜嶂如un,TVP *Mhd JUKI坤叫tco1U= lOwkA.&R-廠工號安申.*咱上kss10心MV.nA.二七侏，”1上.巴是杷討bt電tkas±01嶺中向醫推二眼堂工產骷小同上馬八 卷小內=1例小山電心t nM3y= i£b* giiM除開設也行到的面鄲開蓑1R fr.

9、 n啟尊 1R&SlQi f一.1 35Gnil金堂堡AMR4 f-： 喇曜巾峭上割”上飾情事16QMM.n<iV(BR)DSS漏-源擊穿電壓(破壞電壓)V(BR)DSS(有時彳g叫做 VBDSS是指在特 定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這 種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正溫度系數，溫度低時V(BR)DSSd、于25c時的漏源電壓的最 大額定值。在-50 C , V(BR)DSS大約是25C時最大漏源額定電壓的90% VGS(th), VGS(off):閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流， 或關斷MOS

10、FE時電流消失時的電壓，測試的條件(漏極電流，漏源電壓，結溫) 也是有規格的。正常情況下，所有的 MOSf極器件的閾值電壓都會有所不同。 因此，VGS(th)的變化范圍是規定好的。 VGS(th)是負溫度系數，當溫度上升時， MOSFET會在比較低的柵源電壓下開啟。RDS(on):導通電阻RDS(on混指在特定的漏電流(通常為ID電流的一半)、 柵源電壓和25c的情況下測得的漏-源電阻。IDSS:零柵壓漏極電流IDSS是指在當柵源電壓為零時，在特定的漏源電壓下的 漏源之間泄漏電流。既然泄漏電流隨著溫度的增加而增大，IDSS在室溫和高溫下都有規定。漏電流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之間的電壓

11、計算，通常這 部分功耗可以忽略不計。IGSS -柵源漏電流IGSS是指在特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流。 動態電特性邛H行TMln皂口的力，rn.f工啊情才耕IF55w 陽TW1g年.市西assVgTWp*:耳"心=慘布呷1層0町噂* v L曾崢 就郭睜一工*¥：.：悒仲r, T拓住情殖卡品E曰tn*麻回抑共同lir 事心福曲再胃鞏硝號OniWh茶餐nC一*.17 fr *任匕板小1俅寺獨街才5 一nCnC一繁/盤阡昊時i。 a,吃行取MtiBH好用M此即打l-r- Rl -a 67Q出丁七八rn申事予口QI1力見!廉用聯 任，也*懵冏It祐*料上畀ta>蝴L

12、E急折聯相職譚bdiQ?>ns也；升 Ftg Qgd -上您 VlhT t.Vp j.ftr蛤，下網時周V3agins二一營工對*V0fi.a-If 叩VQ陽稟巾¥叫撲K正向筌母-紫刃卜 腓*機uriH力二卡惴）1 PtKinTDk-珈.口內匕&Aisns博尼tHauiu/醫用* :，*由C 11 0,a* 仍觸 mir 射Ciss：輸入電容將漏源短接，用交流信號測得的柵極和源極之間的電容就是輸 入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯而成，或者Ciss = Cgs +Cgd當輸入電容充電致閾值電壓時器件才能開啟，放電致一定值時器件才可 以關斷。因此驅動電

13、路和 Ciss對器件的開啟和關斷延時有著直接的影響。Coss：輸出電容將柵源短接，用交流信號測得的漏極和源極之間的電容就是輸 出電容。Coss是由漏源電容Cds和柵漏電容Cgd并聯而成，或者Coss = Cds +Cgd對于軟開關的應用，Coss非常重要，因為它可能引起電路的諧振。Crss：反向傳輸電容在源極接地的情況下，測得的漏極和柵極之間的電容為反 向傳輸電容。反向傳輸電容等同于柵漏電容。Cres =Cgd,反向傳輸電容也常叫做米勒電容，對于開關的上升和下降時間來說是其中一個重要的參數，他還影 響這關斷延時時間。電容隨著漏源電壓的增加而減小，尤其是輸出電容和反向 傳輸電容。 In out

14、capacitance DirtCHJt ca pawnee黎產C|j;j +匚也, Reuerse transfer capaicitanceTheng figuir電 劭c生 出0 para$iic jomcd各力亡卓 described 總國丁三Figurs 11 Equivnl»nl Circuit Showtng Parasite Capa eitanc«© SourceFigure 1D: Vertical Structure ShadingParos itie CiaeftanseQgs,Qgd,和Qg：柵電荷柵電荷值反應存儲在端子間電容上的電荷，既

15、然開關的 瞬間，電容上的電荷隨電壓的變化而變化，所以設計柵驅動電路時經常要考慮 柵電荷的影響。Qgs從0電荷開始到第一個拐點處，Qgd是從第一個拐點到第二個拐點之間 部分（也叫做“米勒”電荷），Qg是從0點到VG哪于一個特定的驅動電壓的 部分。Gat*SQlXK<t voila g 亡-peak drive Acifticerhni Eze (ik)L1) 口苧三eACJm=:8.h£j漏電流和漏源電壓的變化對柵電荷值影響比較小，而且柵電荷不隨溫度的 變化。測試條件是規定好的。柵電荷的曲線圖體現在數據表中，包括固定漏電 流和變化漏源電壓情況下所對應的柵電荷變化曲線。在圖中平臺電

16、壓VGS（pl）隨著電流的增大增加的比較小（隨著電流的降低也會降低）。平臺電壓也正比 于閾值電壓，所以不同的閾值電壓將會產生不同的平臺電壓。下面這個圖更加詳細，應用一下：Total 口口 ameunto*enarg* du“nq% * U北印卓. Th電 M&wit sf charge during t-.'gbdh力,.Ogg（n> 出m加 & 品蚪芹 hm忖 tj -yFigu'c 12 ±h。叫% Ihf dle-wurHLmgt gatt-i&urce fuufn，drim-）0ur« 煙e apd dra n jOujc用 Curr«nl uri".g tum-afl Tbsy ir« di'/ided mio four s*acnt 2 show 西唱 equivalent circtjrt5電I tht diodttivnped raiKiive l&jd circuit|b） equiyaleE ctrcuil erf pecco p 7VB&舊 cquravE cmgu I X p«fKKi ! ' 1|id- equiierii circun