模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第三版習(xí)題解答放大電路的頻率響應(yīng)題解_第1頁
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文檔簡介

1、第五章 放大電路的頻率響應(yīng)自 測題一、選擇正確答案填入空內(nèi)。測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化,可以得到它的頻率響應(yīng) 滌 件就是 OA、輸入電壓幅值不變,改變頻率B、輸入電壓頻率不變,改變幅值C、輸入電壓的幅值與頻率同時變化(2)放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因就是,而低 頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因就是 。A、耦合電容與旁路電容的存在B、半導(dǎo)體管極間電容與分布電容的存在。C、半導(dǎo)體管的非線性特性D、放大電路的靜態(tài)工作點不合適(3)當(dāng)信號頻率等于放大電路的fL或fH時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時A、0、5 倍B、0、7 倍C、0、9 倍即增益下降。A、3dBB、4dBC、

2、5dB對于單管共射放大電路,當(dāng)f = fL時,Uo與Ui相位關(guān)系就是A、+ 45?B、一 90 ?C、一 135 ?當(dāng)f = fH時,U o與U i的相位關(guān)系就是。A、 45?B、 135?C、 225 ?解:(1)A(2)B,A(3)B A (4)C C電路如圖 T5、2所示。已知:Vcc = 12V;晶體管的 C * = 4pF, fT =50MHz, rbb = 100 Q , 0= 80。試求解:中頻電壓放大倍數(shù)A, (2) C ;(3) fH 與 fL;解:(1)靜態(tài)及動態(tài)的分析估算:I BQV CC U BEQRb22.6 a AIEQ (1 )IBQ 1.8mAU CEQVCCI

3、 CQ Rc3Vrb'e (1)等丫1.17 kI EQr be rbb' rb,e1.27kRrbe R Rb1.27kI EQgm 69.2mA/VUTRirb,eAusmi 吐(gmRc)178Rs Ri rbe(2)估算CfT2九 rb,e(C兀Cu)27757 °”214pFC C (1 gmRc)C, 1602pF求解上限、下限截止頻率:R rb,e / (rb,b Rs/Rb) 缶 / MbRs) 567.1fH 175kHz2冗 RC%.1fL 14 Hz2%(Rs R )C在中頻段的增益為20lg Ausm45dB頻率特性曲線如解圖T5、2所示。解圖

4、T5、2已知某放大電路的波特圖如圖T5、3所示,填空:(1)電路的中頻電壓增益20lg| AUm|= dB, Aum = (2)電路的下限頻率fL =Hz,上 限頻率f h = kHz、電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式Au= 圖 T5、3解:(1)60104(2)1010103100jf10 fff f f(1)(1 j 4)(1 j 5)(1 j )(1 j 4)(1 j 5)jf1010101010說明:該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“ + ”,也可能為“一5、1在圖P5、1所示電路中,已知晶體管的rbb'、C"、CRi=rbe。填空:除要求填寫表達(dá)式的之外,其余各空填入增大、

5、基本不變、圖 P5、 1(1)在空載情況下,下限頻率的表達(dá)式fL= 。當(dāng)Rs減小時,fL 將;當(dāng)帶上負(fù)載電阻后,fL將。 . ' (2)在空載情況下,若b-e間等效電容為C , 則上限頻率的表達(dá)式fH =;當(dāng) Rs為零時,fH將 ;當(dāng) Rb減小時,gm將 , C 將,fH 將 O解:(1)12冗(RsRb / rbe)C1;(D 。1_ _ _ _(2);,。2 rb'e / (rbbRb / Rs)C5、2已知某電路的波特圖如圖P5、2所示,試寫出入的表達(dá)式。dB圖 P5、 2解:設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。32AuF廠或Au(1 jf)(1方)(13.2jf

6、白(1 j9)5、3已知某共射放大電路的波特圖如圖P5、3所示,試寫出Au的表達(dá)式。201gM.J dll0 JO'1 IOn io1 IO: io3 1OJ io5 I o'J II/-圖 P5、 3解:觀察波特圖可知,中頻電壓增益為40dB,即中頻放大倍數(shù)為100;下 限截止頻率為1Hz與10Hz,上限截止頻率為250kHz 。故電路Au的表達(dá)式為A 100Au110(1 -)(1 -)(1 JJf Jf請 A10f2或 Au f(1 Jf)(1 J-)(1 J 105、4已知某電路的幅頻特性如圖P5、該電路的耦合方式;(2)該電路由幾級放大電路組成;(3)當(dāng)f = 104

7、Hz時,附加相移為多少?當(dāng)f = 105時,附加相移又約為多解:(1)因為下限截止頻率為0,所以 電路為直接耦合電路;4所示,試問:圖 P5、 4(2)因為在高頻段幅頻特性為60dB/十倍頻,所以電路為級放大電路;當(dāng) f = 104Hz 時,6 ' = - 135o;當(dāng)=105Hz 時,6 270 o5、5若某電路的幅頻特性如圖P5、所示,試寫出Au的表達(dá)式,并近似估算該電路的上限頻率fH。解:人的表達(dá)式與上限頻率分別為fHfH一H5.2kHz1.1.35、6已知某電路電壓放大倍數(shù)Au(1 +(1 j10jf試求解: Aum=? f L = f fH = ?(2)畫出波特圖。解:(1)

8、變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出Aum、立、fH。100 j上 10(1 jf)(1 j5)10105Aum100fL 10Hz 5 fH 105 Hz(2)波特圖如解圖P5、6所示。2Og|4|/dlU解圖P5、65、7已知兩級共射放大電路的電壓放大倍數(shù)Au200 jfAuAum3 . f10 j-5(1 jf)(1 j5103 )(1 j5)1042.5 105i2.5 105(1) Aum=? fL= f fH = ?(2)畫出波特圖。解:(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式,求出Am、口、fH。fL 5Hz_4fH 104 Hz(2)波特圖如解圖P5、7所示。解圖P5、75、8電路如圖P5、8

9、所示。已知:晶體管的、rbb、C 也均相等,所有電容 的容量均相等,靜態(tài)時所有電路中晶體管的發(fā)射極電流I eq均相等。定性分析 各電路,將結(jié)論填入空內(nèi)。圖 P5、 8低頻特性最差即下限頻率最高的電路就是(2)低頻特性最好即下限頻率最低的電路就是高頻特性最差即上限頻率最低的電路就是解:(1)(a)(2)(c)(c)5、9 在圖 P5、8(a)所示電路中,若=100, rbe= 1k ,Ci= C2= Ce= 1001 F,則下限頻率fL = ?解:由于所有電容容量相同,而 Ce所在回路等效電阻最小,所以下限頻率 決定于Ce所在回路的時間常數(shù)。R Re /be Rs " Rb%一Rs20

10、1 1.1fL80 Hz2 冗 RCe5、10在圖P5、8(b)所示電路中,若要求Ci與C2所在回路的時間常數(shù)相等,且已知rbe=1k Q,則Cl: C2= ?若Cl與C2所在回路的時間常 數(shù)均為25ms, 則Cr C2各為多少?下限頻率fL= ?解:(1)求解Ci: C2因為Ci(Rs+ Ri)= C2(Rc+ Rl)將電阻值代入上式,求出Ci : C2 = 5 : 1。(2)求解Ci、C2的容量與下限頻率C112.5Rs RiC2RcRlfL1fLr 1 fL2 6.4Hz21.1 2fL1 10Hz5、11在圖P5、8(a)所示電路中,若Ce突然開路,則中頻電壓放大倍數(shù)Ausm、 fH與

11、fL各產(chǎn)生什么變化(就是增大、減小、還就是基本不變)?為什么?解:Ausm將減小,因為在同樣幅值的U i作用下,Ib將減小,Ic隨之減小,U 0必然減小。fL減小,因為少了 一個影響低頻特性的電容。''fH增大。因為Ctt會因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小,所以雖然Cw 所在回落的等效電阻有所增大,但時間常數(shù)仍會減小很多,故fH增大。5、12 在圖 P5、8(a)所示電路中,若 C1>Ce,C2>Ce,= 100, rbe= 1k Q ,欲使fL = 60Hz,則Ce應(yīng)選多少微法?1解:下限頻率決定于Ce所在回路的時間常數(shù),fL 。 R為Ce所在回2 uRCe路的

12、等效電阻。R與Ce的值分別為:RRe / rbe-Rs R Rbrbe Rs20Ce2 冗 RfL5、13 在圖P5、8(d)所示電路中,已知晶體管的rbb = 100 ,rbe= 1k ,靜 '流 Ieq= 2mA, C = 800pF; Rs= 2k Q ,Rb= 500 k ,Rc= 3、3 k Q ,C=10 科 F。試分別求出電路的fH、fL,并畫出波特圖。解:(1)求解fLfL5.3Hz2 - Ri) 2%(Rs rbe)(2)求解fH與中頻電壓放大倍數(shù)rb'erberb'b0.9k=10fHgm11'2 兀rb'e (rb'bRb

13、R Rs)C %2 Ttrb'e " (rb'bI eqQ 77mA/VUtib'e' xAu sm( g m RL )RsRrbe20lg Ausm| 37.6dB其波特圖參考解圖P5、6。Rs)。316kHz1 b'e' x( gm RL )Rsrbe765、14 電 路如圖 P5、14 所示,已知 Cgs= Cgd= 5pF, gm= 5mS, Ci= C2 = CsF o試求fH、fL各約為多少,并寫出Aus的表達(dá)式。圖 P5、 14解:fH、fL、Aus的表達(dá)式分析如下:Ausm(、 gmRQgmRL12.4fLCgsfH16

14、Hz2兀 RsCs_ , , _' _ Cgs (1 gmR)Cgd 72pF112冗(Rs / Rg)Cgs 2K RsCgs1.1MHzf12.4 (j一)(116jf)(1 j f 6)161.1 105、15 在圖 5、4、7(a)所示電路中,已知 Rg = 2M Q ,Rd= Rl= 10k Q ,C =10 w F;場效應(yīng)管的Cgs= Cgd= 4pF, gm= 4mS。試畫出電路的波特圖,并標(biāo)出有 關(guān)數(shù)據(jù)。AumgmRL20, 20lgAum26dB-'_,Cgs Cgs (1 gm RL )Cgd88pFfL2兀(Rd Rl)C0.796HzfH2 冗 RgCg

15、s904Hz其波特圖參考解圖P5、6。5、16已知一個兩級放大電路各級電壓放大倍數(shù)分別為Au1Uo1UT25j ff f1 j 1 j 54105Au2UoU i22j f一 f 一 f1 J 1 j 55010寫出該放大電路的表達(dá)式;(2)求出該電路的fL與fH各約為多少;畫出該電路的波特圖。解:(1)電壓放大電路的表達(dá)式AuAu1Au2(150 f2 f fj )(1 j )(1 j 450105)2(2) fL與fH分別為:fL1f H50Hz11.1.2105 'fH 64.3kHz(3)根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式可知,中頻電壓放大倍數(shù)為104,增益為 80dB 。波特圖如解圖P5、16所示。5、17 電路如圖P5、17所示。試定性分析下列問題,并簡述理由。哪一個電容決定電路的下限頻率;(2)若T1與T2靜態(tài)時發(fā)射極電流相等,且rbb與C相等,則哪一級的上限頻圖 P5、 17阻最小。一' Cr 1所在回出整個電路解:(1)決定

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