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文檔簡介

1、ITO-TFT 第二次嘗試第二次嘗試2013.01.10流程流程DC 60 W， Ar/O2=40:1 sccm，1.3 Pa，3.5 minutes，托盤轉(zhuǎn)動，厚度約10 nm。HCl 刻蝕2min，后烘干，測試曝光顯影，濺射源漏ITODC 60 W， Ar/O2=40:1 sccm，0.5 Pa，5 min 約150nm方阻約40Lift-off，形成源漏，放置1天后再測試ITO測試結(jié)果測試結(jié)果GateActive測得無SD ITO時，器件在小VD下有IDVG特性高VD下IDVG幾乎看不到VD=0.1VVD=5.1VVD=10.1V遷移率遷移率4055完成有源區(qū)后，烘干5min，測試W/L

2、=100/20 um多次掃描多次掃描測試結(jié)果測試結(jié)果GateSD ITOACTIVEVD=0.1VVD=5.1VVD=10.1V測得所有有SD ITO的器件IDVG都是直線對應的電流要比不加柵壓，直接源漏加電壓的值稍微小W/L=100/100 um完成源漏和放置一天后測量都是直線測試結(jié)果測試結(jié)果有一些L很小的器件無SD ITO放置一天后，IDVG比較正常GateActiveVD=10.1VVD=5.1VVD=0.1VW/L=100/4 um遷移率遷移率 10測試測試結(jié)果結(jié)果-IDVDVG=6 VVG=4 VVG=2 VW/L=100/4 um測試結(jié)果測試結(jié)果-IDVDVG=10 VVG=8 VVG=6 VW/L=100/4 um測試結(jié)果測試結(jié)果-快慢掃描快慢掃描W/L=100/4 umLongMediumShortVD=0.1V計劃計劃 用光刻膠做鈍化

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