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文檔簡介

1、吸附原子臺階邊緣扭轉位置下平臺上平臺ACBAwaferSiO2SiO2waferSiO2SiO2外延硅外延硅waferSiO2SiO2外延硅外延硅Poly-SiPoly-SiwaferSiO2SiO2缺點缺點:在窗口邊緣進行選擇外延時在窗口邊緣進行選擇外延時,在窗口在窗口邊緣不但具有較高的生長速率邊緣不但具有較高的生長速率,而且而且生長速率也不規則生長速率也不規則.原因原因:到達窗口內的反應劑到達窗口內的反應劑,如果不能成核如果不能成核,會在襯底表面做遷移運動會在襯底表面做遷移運動,直到到達直到到達窗口邊緣并淀積窗口邊緣并淀積,窗口邊緣的生長速窗口邊緣的生長速率比中心的生長速率高率比中心的生長

2、速率高改善改善:降低生長速率降低生長速率waferSiO2SiO2waferSiO2SiO2waferSiO2SiO2waferwaferwaferiii垂直選擇外延垂直選擇外延橫向超速外延橫向超速外延原子面原子面外延層外延層 棒狀棒狀 V型型 型型 沿沿方向生長的外方向生長的外延層層錯與表面交線延層層錯與表面交線(沿沿方向方向)測量原理測量原理:層錯界面處的原子排列不規則層錯界面處的原子排列不規則,界面兩邊的界面兩邊的原子相互結合較弱原子相互結合較弱,具有較快的化學腐蝕速率具有較快的化學腐蝕速率,經過適經過適當的化學腐蝕后當的化學腐蝕后,會在層錯與表面交界處出現腐蝕溝會在層錯與表面交界處出現

3、腐蝕溝,形成一個層錯四面體形成一個層錯四面體,通過顯微鏡測量出三角形的邊長通過顯微鏡測量出三角形的邊長,可以測出厚度可以測出厚度.abcd外延層外延層襯底襯底(a)水平漂移水平漂移abcd外延層外延層襯底襯底(b)畸變畸變外延層外延層襯底襯底(c)圖形消失圖形消失圖形漂移圖形漂移,畸變畸變,消失依賴于襯底消失依賴于襯底取向取向,淀積率淀積率,反應室的工作壓強反應室的工作壓強,反應系統的類型反應系統的類型,外延溫度和硅源外延溫度和硅源的選擇等的選擇等.漂移隨溫度升高而減小漂移隨溫度升高而減小,隨淀積率隨淀積率的增大而增大的增大而增大.不同襯底晶向對圖形漂移的影響不同襯底晶向對圖形漂移的影響:發生漂移和畸變的根本原因發生漂移和畸變的根本原因:硅的硅的生長和腐蝕速率各向異性生長和

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