1、 mmSE/101011010AnAnoiiiinoin的吉布斯吸附方程式恒溫恒壓下帶電界面區iiSMddd)(iijjddFzdEd）（304i）（0, 0, 0, 0dd則）則（0, 0, 0, 0dd則）則（0, 0, 0, 0dd則）則（zz線方程積分式，才能得到拋物時，可知，只有當由表示離子雙電層電位差來說，）對于式（)424()424()424(,aiaazazaCddddc為積分電容稱無關時，與積分電容：當分電容位關系復雜時，則為微與電極電微分電容：雙電層電容iaicc）（dcc2.電容電容3.微分電容曲線及微分電容求法：微分電容曲線及微分電容求法：通常以汞電極為研究電極，采用交

2、流電橋法通常以汞電極為研究電極，采用交流電橋法進行測量。進行測量。電極帶正電時，電極帶負電時，即積分，），然后對式（）確定（連成曲線；、，以、）測（, 0, 0d0z21i21cd)(4542c,c,1zzzdccdi4.積分電容求法積分電容求法 iddzziadccc.21c464).1z求出通過即：，），求出的去除式（以（）（5.由積分電容求微分電容由積分電容求微分電容)494()(c)454)()(1)c474,cz2iizdzzizicc則：代入，式（乘以上式中各項，并將以（）式求導，（對式)lnln(1ciidcc最后可得：6.微分電容與界面張力的關系微分電容與界面張力的關系)(c2

3、2d7.電毛細曲線與微分電容曲線比較電毛細曲線與微分電容曲線比較(1)兩者均可求出電極表面的剩余面積電荷，但兩者均可求出電極表面的剩余面積電荷，但 是是前者前者對電位對電位微分微分，后者后者對電位對電位積分積分。(2)對于對于值來說，使用值來說，使用微分電容曲線微分電容曲線求可能得求可能得 出較精確的結果。出較精確的結果。(3)電毛細電毛細曲線的直接測量只能用于曲線的直接測量只能用于液態金屬液態金屬(汞，汞， 鎵等鎵等)，微分電容的測量則可，微分電容的測量則可不受不受這個這個限制。限制。)524(11111GHaadCCddddddC）（ ）（）或（）（）式，則（能量，即在離子熱運動的力作用的

4、能量遠遠小于雙層離子與電極間庫侖，小和溶液濃度又很低時）電極表面剩余電荷很兩種情況下：）（）（）（）（電位差而變化，則有：也將不隨密層電容不隨電位差而改變，緊又假設）（）（）（的關系表面剩余電荷與：則可以得到以下關系式63421624261416142exp2exp2.6042exp2exp2.101101111011101zFRTcCzFRTcCRTzFRTzFRTzFcRTCCdbRTzFRTzFcRTaHaaHaHHCzFRTzFRTRTCzFRTCzFRTzFRTRTCzFRTRTzFmFlmolmFCRTzFlCaHaHaalnln221ln2, 0)664(lnln221ln2, 0,2/03. 011/10,/4 . 018. 065421:0110111124201）（則有如果則有：當然也隨之變大。如果變大，這時熱運動的能量。即用的能量遠遠大于離子庫侖力作，雙層中離子與電極的（仍屬于較稀溶液）時太小荷較大和溶液濃度又不）電極表面剩余面積電（容為型電解質中，分散層電的而在緊